4周交付・Pin-to-Pin直替|永铭固液混合电容,AI服务器<span style='color:red'>PS</span>U输出端国产替代方案
  01  一颗电容卡住AI算力供应链命脉  AI算力需求正以指数级增长,驱动服务器电源、数据中心、算力基础设施向大功率、高密度、7×24小时不间断运行加速演进。  在这一架构下,PSU(电源供应单元)主功率级输出端与48V DC BUS(直流母线)的滤波与Hold-up(储能/掉电保持)性能,直接决定了整机的稳定性与使用寿命。  目前行业普遍选用 NCC、Nichicon 等日系固态电容,但海外产能受限,产品交期普遍达到 10 周以上,叠加采购成本持续上涨,该元器件已成为整机供应链中的薄弱环节。针对这一关键位,永铭推出NHT 63V 270μF(10×16)与NHX 63V 470μF(10×21)两款固液混合电容,直接对标日系同规格主力型号,依托本土4周交付能力实现降本稳供,是成熟的国产替代方案。  02痛点深度剖析:日系电容以来英法三重失效  长期采用NCC等日系电容,会在供应链、成本、技术适配三大维度形成多重风险,直接转化为企业实实在在的损失,具体如下:  注意:日系电容规格适配成本偏高,难以同时兼顾交期、成本与 AI 服务器大功率严苛工况要求。  03  永铭NHT/NHX系列,全场景国产替代  针对日系电容的各类短板,永铭依托本土研发与生产优势,打造 NHT、NHX 两大系列固液混合电容,实现性能对等、无缝替换、降本稳供三大核心价值。  3.1 选择永铭的三大核心优势  1. 无缝兼容,零改板成本  产品电气性能、封装尺寸全面对标日系主流型号,支持Pin-to-Pin 直替,无需修改PCB 电路板,省去改板、重新验证的时间与工程费用。  2. 本土智造,交付提速  依托国内自有工厂生产,常规交付周期压缩至4 周,相比日系 10 周以上交期大幅缩短,从根源规避断供、延期风险,保障量产节奏。  3. 品质稳定,综合降本  产品通过严苛工况验证,可靠性完全匹配 AI 服务器使用要求;同等品质下采购价格优于日系,兼顾产品品质与量产成本  3.2 核心技术工艺与工况适配  依托成熟材料体系与结构设计,五大技术维度针对性解决电源运行难题:  永铭NHT/NHX系列不仅在设计上对标日系,更经过严格的长时间老化测试,用数据证明其在高温高压工况下的稳定性。  下图为NHT/NHX系列在125℃、额定电压下连续运行4000小时的实测老化数据曲线:  从图中可以清晰看到:  容量变化率(蓝线): 在整个4000小时试验周期内,容量衰减幅度极小,曲线平稳,无明显拐点,证明电介质材料在高温下保持优异的活性与稳定性。  ESR(等效串联电阻,红线): 曲线全程保持低位平稳,无异常抬升,说明内部电极与电解液界面稳定,高频滤波性能无衰减。  漏电流(绿线): 初始快速稳定后,全程维持在极低水平,无突发尖峰或爬升,表明产品在长期高温应力下绝缘特性可靠,无击穿风险。  上述数据充分印证:永铭固液混合电容在AI服务器7×24h高温满载工况下,性能劣化曲线平缓,有效延缓电容老化,保障整机全生命周期内的稳定运行。  3.3 应用效果与客户收益  技术结果:替换后电容ESR、耐流、耐压、高温寿命指标对标日系,滤波抗扰、抗浪涌性能保持一致。  客户收益:设备故障率、返修率、停工损失显著下降;依托短交期保障量产,同步优化整机成本与品牌口碑。  04  价值论证:综合TCO最优,替代永铭是理性选择  单纯对比单品价格存在局限性,TCO(全生命周期成本) 才是企业选型的核心依据。永铭 NHT/NHX 系列不止实现产品平替,更能帮助企业规避隐性成本、管控供应链风险:  零改板降本:Pin-to-Pin 直替设计,无需投入改板、测试、验证成本,缩短项目落地周期;  短交期避险:4 周稳定交付,告别超长备货周期,释放流动资金,杜绝产线停工损失;  低运维提效:长寿命、高可靠性设计,减少后期维保、更换成本,全生命周期运维费用更低。  一句话总结:以对标日系的产品品质 + 4 周极速交期,为企业供应链加装一份“断供险”,用合理采购成本,换取供应链自主可控与长期降本增效。  为什么这笔投入值得:永铭可直接平替日系电容、省去改板费用;本土短交期规避海外断供与涨价风险,同时全生命周期维保成本更低,综合收益远高于初期投入。  05  常见问题答疑Q&A  Q1:永铭NHT系列能否直接Pin-to-Pin替换Nichicon PCJ系列?封装尺寸和引脚间距是否完全一致?  A1:能。 永铭NHT 63V270μF(10×16)和NHX 63V470μF(10×21)系列,关键尺寸和电气性能(ESR、纹波电流)对标日系,可实现Pin-to-Pin替换,无需改PCB板。  Q2:在AI服务器实际运行热点温度85℃下,永铭NHT固液混合电容的预期寿命是多少?是否有第三方测试报告?  A2: NHT系列额定125℃/4000h长寿命,在85℃实际工况下预期寿命远超此数值。永铭可提供第三方检测报告(125℃/4000h老化测试数据、ESR/漏电流/容量变化趋势曲线)。  Q3:永铭NHT系列标准品常规交期是多久?紧急订单最快多久能交货?有没有现货库存支持?  A3: 永铭依托本土工厂自产,常规交期4周左右,远优于日系10周+。紧急订单可联系销售确认现货库存及加急排产方案,最大限度避免产线停工待料。  总结与行动指引  永铭 NHT/NHX 系列固液混合电容,凭借对标日系的产品性能与本土高效交付两大核心优势,成为 AI 服务器 PSU 48V 母线电容国产替代的优选方案,助力算力企业实现品质不降、成本下降、供应链自主可控。  如需产品规格书、免费样品、第三方测试报告、行业落地案例,请联系永铭销售与技术支持团队,获取一对一选型服务。
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发布时间:2026-07-08 10:08 阅读量:334 继续阅读>>
GS<span style='color:red'>PS</span>高速采样ADC国产化新方案:芯动神州ADCP214G-100/125BQN正式发布
  芯动神州正式推出ADCP214G-100/125BQN—双通道、14位GSPS级高速模数转换器,提供1000MSPS与1250MSPS两种速率规格。该器件与ADI AD9680实现完全Pin-to-Pin兼容,覆盖移动通信、软件无线电、卫星接收、仪器测量等核心应用场景。  一、不再绕路,直接采样  传统MSPS级ADC面对百兆级中频信号时,要么靠外置混频器预降频,要么被奈奎斯特带宽卡住。每多一个混频器,就多一条噪声路径和一个相位误差源。GSPS级ADC可以直接在高奈奎斯特区对GHz级模拟信号欠采样——在部分中频数字化场景下,可减少甚至省去模拟下变频级。ADCP214G的模拟输入带宽高达2GHz,配合内部时钟分频器(支持1/2/4/8分频),灵活匹配不同系统时钟方案。  二、核心参数  三、五大产品亮点  双速率可选,一板多用  100BQN和125BQN共用QFN64封装和引脚定义,同一PCB可互换。100BQN典型功耗3.3W,125BQN提供更高采样率,适合带宽敏感型系统。  四路 DDC,单芯片多载波  DDC内置12位频率控制字NCO和四级半带滤波器,抽取比1×至16×可配置。支持通过4路独立DDC从宽带采样结果中并行提取多个频段,减少外部FPGA中的数字下变频资源占用。  快速阈值检测,28 周期 AGC 保护  可编程阈值检测电路延迟仅28个时钟周期(最大值)。输入信号超限时,FD_A/FD_B引脚立即置位,外部AGC可即时降低增益,防止ADC前端过载。支持上下限阈值和迟滞独立配置。  JESD204B 子类 1 多芯片同步  通过SYSREF±信号实现确定延迟同步。两颗即可组成四通道同步采集系统,SERDES最高支持12.5Gbps,适配多通道相控接收阵列。  Pin-to-Pin 兼容 AD9680  与ADIAD9680完全Pin-to-Pin兼容,原理图和PCB无需改动。芯动神州本土供应链提供稳定交期,解决进口器件长周期供货风险。  四、典型应用  移动通信接收机 — 4G/5G 基站宽带中频数字化前端  通用软件无线电(SDR)— 宽带中频直接采样 + 片内多频段解调  宽带卫星中频接收链路 — 覆盖 L/S/C 波段直采  仪器测量 — 宽带频谱仪、高速示波器等测试设备  五、结语  ADCP214G-100BQN与ADCP214G-125BQN均已完成流片验证,QFN64(9mm×9mm)封装,评估样品及参考设计申请。本土FAE团队可就原理图审查、PCB设计指导和FPGAJESD204B接口调试提供快速响应。从MSPS到GSPS,不只是采样率的跃升,更是系统架构的简化。ADCP214G-100/125BQN将高速采样、片内数字下变频与高速JESD204B数据输出能力集成于单芯片方案,同时给出了稳定可靠的国产供应链选项。
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发布时间:2026-06-22 09:55 阅读量:424 继续阅读>>
杭晶 SF11S5-1575.420G<span style='color:red'>PS</span> L1 SAW 滤波器可靠国产替代方案
  作为专注高性能 SAW 滤波器的本土供应商,杭晶电子推出 SF11S5-1575.420-F2.4IL0.9A GPS L1 声表面波滤波器,面向 1575.42MHz 标准 GNSS 频段,性能可对标村田、TDK、Qorvo 国际一线同类产品,为定位终端提供稳定可控的国产器件选择。  产品基础参数与核心特性  低插入损耗中心频率 1575.42MHz,通带带宽 2.4MHz,插入损耗典型值 0.9dB,最大值 1.3dB,幅度波动控制在 0.5dB 以内,能够保障定位信号接收灵敏度。  2. 适中带外抑制能力近端带外抑制区间 42~47dB,可有效隔离 LTE、5G 等外部射频干扰,减少定位漂移、搜星延迟等问题。  3. 小型标准化封装封装尺寸 1.4×1.1×0.6mm,与村田同规格产品封装一致,可直接兼容替换;相比 TDK 大尺寸型号,更适配小型化穿戴、便携设备 PCB 布局。  4. 常规宽温工况适配工作温度区间 - 30℃~+85℃,覆盖车载、无人机、物联网终端绝大多数民用使用环境;存储温度 - 40℃~+85℃,满足仓储、低温户外存放需求。  5. 合规环保设计产品遵循 RoHS 无铅标准,生产交付流程规范。  与国际品牌客观对标  选取 Murata、TDK、Qorvo 主流 GPS 滤波器横向对比:  ●中心频率统一 1575.42MHz,频段完全通用,硬件可直接替代;  ●插损 0.9dB 典型值,处于国际产品主流区间,优于 TDK 同系列型号;  ● 驻波比典型值 1.2,与村田、TDK 表现持平;  ●带外抑制 42~47dB,满足常规民用定位设备抗干扰需求;  ●工作温度范围适配国内多数终端场景,综合性能达到可用替代水平。  适配应用场景  适用于各类 GPS/GNSS 定位终端设备:车载导航、汽车 T-BOX、航拍无人机、GNSS 定位模块、智能穿戴定位手表、授时基站、物联网工业终端。  可靠性验证保障  产品完成完整可靠性测试,满足工业级常规验证标准:高温 / 低温长时间存储、高温高湿耐久、百次高低温循环、回流焊耐受、可焊性检测,批量供货性能一致性稳定。  杭晶电子供货支持  苏州杭晶电子自研自产 SAW 滤波器,器件国产自主可控,可稳定批量供货,提供规格书、样品测试及配套技术支持。
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发布时间:2026-06-15 10:35 阅读量:443 继续阅读>>
润石科技│16位8通道500kS<span style='color:red'>PS</span> SAR ADC  RS1488
  RS1488 是一款 16 位、8 通道、500kSPS 的 SAR ADC 芯片,管脚定义和软件时序完全兼容 AD7699。内置 4.096V 高精度低温漂基准源,支持单端/伪差分输入,工作电压 4.5V~5.5V,串行接口兼容 SPI/QSPI/Microwire/DSP,专为工业数据采集、仪器仪表、分析设备等场景设计。  RS1488是在AD7699的参数基础上,基于现有合作工艺参数、尽可能实现最佳的参数指标,并对部分参数做了优化,以使其能满足更多的应用场景。其主要参数特性如下:  Ø 16位/无丢码  Ø 8通道输入,可配置为单端、差分(对GND)、伪双极输入  Ø 转换速率最高500kSPS  Ø INL:±2.0 LSB(Typ) / ±3 LSB(Max)  Ø DNL:±0.5LSB(Typ)  Ø 动态范围91.5dB  Ø 模拟信号输入范围0V~VREF  Ø 支持多种基准源  内置4.096V基准源  外接缓冲(REFIN)电压最高可以到4.096V  外接基准源电压最高可以到VDD  Ø 集成温度传感器  Ø 通道序列器,可选单极点滤波器,繁忙指示  Ø 无流水线延迟,SAR架构  Ø 单电源4.5V~5.5V工作电压,逻辑接口支持1.8V~5.5V  Ø 兼容SPI、Microwire、QSPI和DSP的串行接口  Ø 低功耗:25 mW @ 500k SPS  7.2 μW @ 100k SPS  Ø 扩展工业级温度范围:-40°C ~ 125°C。  随着RS1488系列ADC的推出,润石科技SAR架构的ADC已量产10颗,涵盖了12bit、14bit和16bit,进一步丰富了ADC产品线,从而为用户提供更为全面方便的选择。  RS1488封装和管脚定义  RS1488提供QFN4X4-20封装,管脚定义和软件时序完全兼容AD7699,欢迎各界工程师朋友到官网申请样品评测。
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发布时间:2026-06-05 09:33 阅读量:667 继续阅读>>
核芯互联丨CL3669国产双通道16位250MS<span style='color:red'>PS</span> ADCPin-to-Pin 兼容 ADS42LB69 · 更低功耗 · 更高性价比
恩智浦丨算力高达40 eTO<span style='color:red'>PS</span>,边缘AI加速神器!Ara240独立神经处理单元全解析
  如今模型越来越大并走向多模态,还出现了设备端生成式AI和智能体AI,AI工作负载不断增长,边缘系统需要的已不仅仅是渐进式的算力提升,而是专门的加速能力,以实现实时性能、更低功耗、强大的数据隐私保护以及可扩展性。Ara240独立神经处理单元 (DNPU) 正是为了满足这些边缘AI需求而构建。  作为恩智浦首个独立神经处理单元 (DPNU),Ara240提供了AI优化的架构,拥有高达40 eTOPS的算力、大容量片上存储器和高片外带宽。总而言之,它专为运行先进AI、大语言模型 (LLM)、视觉语言模型 (VLM)、多模态语言模型以及下一代边缘推理而打造。  借助Ara240 DNPU带来的更高性能和效率,将边缘AI提升至全新高度。探索Ara240 DNPU,并利用Ara生态合作体系规划您的下一个设计。  无论是设计工业自动化系统、自主机器人、智能基础设施、先进的人机接口 (HMI) 平台还是边缘服务器,Ara240 DNPU都能提供所需的性能余量,直接在边缘运行现代AI工作负载。  图1:Ara240 DPNU为先进的AI应用实现实时、设备端推理  Ara240 DNPU:专为边缘先进AI而设计  Ara240 DNPU专为高需求的设备端AI应用而设计,在这些应用中,延迟、隐私和能效至关重要。Ara240 DNPU支持广泛使用的AI模型架构——包括卷积神经网络 (CNN)、Transformer、大语言模型 (LLM)、视觉语言模型 (VLM) 和多模态模型——使开发人员能够将生成式AI和高性能AI引入嵌入式系统和边缘系统,而无需依赖云端计算。  该DNPU的关键技术能力包括:  高达40 eTOPS的等效算力:为主机处理器分流复杂的并行AI工作负载提供高吞吐量  大容量片上存储器+专用LPDDR4接口 (高达16GB):支持更大模型和更高带宽处理,同时不增加对主机内存的争用  PCIe G4x4和USB 3.2 G1主机接口:提供灵活、高速的集成  安全启动和硬件信任根:实现安全的AI管道和受保护的部署  支持Linux和Windows运行时:为边缘系统提供广泛的兼容性  框架支持:包括TensorFlow、PyTorch和ONNX  作为可扩展的AI配套处理器,Ara240 DNPU为那些需要在本地执行复杂推理的系统带来强大的AI加速能力——从而提供更低的延迟、更低的云成本以及更强的数据隐私保护。  Ara240 16GB M.2模块加速原型设计  为帮助开发人员更快地评估Ara240 DNPU,恩智浦提供了Ara240 16GB M.2模块,该模块可无缝集成到任何带有MKey PCIe接口的主机平台而设计。  模块亮点包括:  高达40 eTOPS的AI性能  专有神经网络处理器,运行频率高达900MHz  16GB LPDDR4存储器  M.2 2280 MKey外形尺寸  PCIe G4x1/x2/x4配置  目前支持i.MX 8M Plus和i.MX 95应用处理器  该模块为评估Ara240性能、加速概念验证开发以及将高性能AI集成到现有设计提供了一条简化路径。Ara240 16GB M.2模块将于2026年6月开始供货,您可在恩智浦官网nxp.com和代理商处购买。  图2:Ara240 16GB M.2模块让开发人员能够更快地基于Ara240进行原型设计  相得益彰:Ara + i.MX  Ara240 M.2模块可用作我们i.MX应用处理器的AI协处理器:  i.MX 95应用处理器:高性能边缘计算平台,集成了eIQ Neutron NPU  i.MX 8M Plus应用处理器:Arm CortexA53平台,内置了机器学习和视觉加速能力  未来支持M-Key PCIe的恩智浦平台  这种适配性使得目前使用恩智浦MPU的开发人员能够轻松地将Ara240 DNPU作为配套加速器,显著扩展AI性能。  紧凑、可扩展的Ara240加速器模块  除了恩智浦Ara240 M.2模块外,我们的生态系统合作伙伴也在推出各自基于Ara240的模块。  这些模块使客户能够在不同的散热、机械和性能配置下轻松评估Ara240 DNPU——支持工业PC、机器人系统和紧凑型嵌入式边缘设备等应用。这些板共同为客户提供了一条从早期评估到完整系统设计流程的顺畅开发路径。  赋能物理世界AI的专用软件  恩智浦eIQ Agentic AI框架扩展了eIQ AI软件开发环境,增加了专门设计的功能,在边缘充分利用其DNPU的加速能力。该框架通过协调多个模型 (例如视觉、语言和控制模型),同时将推理和决策高效地映射到硬件加速器而非通用CPU上,从而实现智能体AI工作负载的确定性、实时执行。  通过结合硬件感知型模型准备、优化的编排以及安全的设备端执行,我们的eIQ Agentic AI框架使DNPU能够为自主式和生成式AI工作负载维持低延迟和可预测的性能,在减少对云端依赖的同时,简化复杂的多模态边缘AI系统的部署。  借助Ara240 DNPU以及不断壮大的M.2模块生态系统,开发人员可以获得:  可扩展的AI性能  实时推理能力  通过本地处理提升隐私保护  更低的运营成本和云成本  支持不断演进的模型架构的灵活性  借助Ara240加速边缘实时、设备端AI处理。Ara240是恩智浦首款DNPU,提供高达40 eTOPS的算力,配备可扩展的内存和带宽。
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发布时间:2026-05-15 09:49 阅读量:804 继续阅读>>
杰华特丨四路PoE供电新思路  JWH72964:高集成、强防护、易设计,一站式满足<span style='color:red'>PS</span>E应用
  JWH72964  - 四路PoE供电新思路 -  在安防监控、企业网络与工业互联场景中,PoE以太网供电已成为简化布线、提升部署灵活性的核心方案。面对高功率、多端口、高可靠性的设计需求,杰华特推出JWH72964——一款高度集成的四路PSE转换器,以硬核性能与极简设计,构建一站式PoE供电解决方案。  产品概览:标准合规,高度集成  JWH72964是一款专为IEEE802.3at标准打造的四路PSE转换器,内置四颗低导通电阻MOSFET与无损电流检测,无需外置采样元件。芯片可自动识别PD设备并智能供电,完整覆盖IEEE802.3af/at标准功能。此外,支持I2C接口实现半自动模式下的电压/电流监测与阈值配置,内置过载、短路、过温等全维度保护。5mm×5mm QFN小型化封装,外围电路极简,助力降低BOM成本与PCB面积。  核心特性:硬核参数,实力赋能  四路独立PSE通道  单端口支持最高35W输出,四端口总功率可达120W,满足高功率PD设备供电需求  标准全面合规  兼容IEEE802.3atType1/Type2,通过Sifos权威测试验证,符合IEC62368-1:2018安规标准  低损耗高效能  内置300mΩ低RDSONMOSFET,降低导通损耗,提升整机效率  高精度监测  搭载14位ADC,实现电压、电流精准采集,供电状态一目了然  智能PD识别  4点PD检测,支持1/2事件分类,精准识别合法设备,杜绝误供电  高速通信接口  400KHzI2C接口,单总线可挂载16颗芯片,多设备管控更便捷  宽温稳定运行  工作温度-40℃~+85℃,适配严苛工业与户外环境  高集成封装  5mm×5mmQFN-32封装,节省空间,简化布局  强悍抗静电能力  人体放电模式HBM±2kV、机器放电模式±500V,现场安装更可靠  图1:无外加散热设施,实际运行120W满载温升表现  图2:具有行业先进的高耐压集成MOS,图为BV曲线  全维防护:多重保障,稳如磐石  JWH72964构建全方位保护体系,覆盖各类异常工况,为PoE系统保驾护航:  基础保护  欠压、过压、过流、限流、过温、输出短路保护  专项保护  Fetbad故障检测、过功率保护、I2C看门狗、软起动限流  长效监测  支持MPS维持功率特征,实时追踪PD连接状态,断线即关断  高压兼容  集成110V热插拔MOSFET,提升系统抗冲击能力  场景优势:极简部署,灵活适配  针对NVR、DVR、PSE中跨、交换机/路由器等典型应用,JWH72964展现极强适配性:  智能供电逻辑  未检测标准PD设备不供电,避免无效能耗与安全风险  灵活功率管理  可配置最大功率阈值,过功率时自定义四端口掉电顺序  极速故障响应  后端负载短路,快速关断输出,保护前端设备  无风扇稳定满载  120W满载运行温升优异,无需风扇散热,降低系统成本与噪音  多模式灵活切换  支持自动、半自动、手动、关机四种模式,适配不同场景  傻瓜式上电即用  无需配置寄存器,上电即可工作,缩短开发周期  非标功率拓展  可提供Class5非标功率,超越标准at功率上限  智能中断反馈  保护触发后实时上报MCU,便于系统诊断与运维  布线极简部署  一根网线同步传输数据与电力,无需单独铺设电源线,点位部署无束缚  强抗工频干扰能力  在45Hz~65Hz宽频范围内,可耐受最高9.2V工频干扰幅值稳定正常上电,保障设备在复杂电网环境中可靠运行  强抗工频干扰场景实例  交换机接 IPhone 场景  交换机接 AP 设备场景  竞品对比:内置MOS,高效降本  JWH72964与友商A线路对比  对比市面主流PSE方案,JWH72964以内置MOS核心优势,实现成本、性能、散热全面领先:  PoE/PSE系统一站式解决方案  杰华特持续深耕电源管理领域,JWH72964凭借高集成、低功耗、强防护、易设计的独特优势,为PoE/PSE系统提供一站式解决方案。该芯片内置MOS,可简化外围设计并降低BOM成本;支持灵活配置,适配各类场景;同时具备高标准合规性与全维度保护,助力安防、网络、工业等领域产品实现高效、小型化、高可靠性升级。
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发布时间:2026-05-14 09:45 阅读量:749 继续阅读>>
Littelfuse 推出用于汽车电源保护的高压 T<span style='color:red'>PS</span>MC、T<span style='color:red'>PS</span>MD、TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管
  新型汽车级瞬态抑制二极管可降低 BOM 成本,同时保护 BDU、HVAC 和 PTC 系统中的 GaN/SiC MOSFET 和 IGBT  美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026 年 5 月 12 日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业 Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS),今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制(TVS)二极管系列,通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件(包括电池断路装置(BDU)、高压 HVAC 系统和正温度系数(PTC)加热器)扩展了 TP 系列产品组合。  随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移,GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压 TVS 解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护,从而增加了 PCB 面积、复杂性和物料清单(BOM)成本。  新型 TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 高压瞬态抑制二极管通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压(高达 400 V)和高峰值脉冲功率来应对这一挑战,使工程师能够简化保护方案,同时提高系统效率和耐用性。  主要功能与特色  高断态电压(≥400 V)可为高压汽车电路提供单设备保护  峰值浪涌电流高达 300 A,峰值脉冲功率高达 5 kW,可支持恶劣的瞬态条件  快速响应时间(通常<1 ps)可实现有效的瞬态箝位  符合 AEC-Q101 标准,符合 PPAP 标准,可满足汽车可靠性要求  DO-214AB(SMC)表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局  符合 IEC-61000-4-2 ESD 标准(最高 30 kV),提供强大的系统级保护  与多设备保护方法相比,降低了 BOM 成本并减少了组件数量  专为高压汽车电源系统而设计  TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管,使设计人员能够:  减少串联所需的 TVS 器件数量  优化低额定值 GaN/SiC MOSFET 或 IGBT 的选择,以减少传导损耗  在降低成本的同时提高整体系统效率  “这些高压瞬态抑制二极管专为下一代汽车电源架构而开发,”Littelfuse 产品营销总监 Charlie Cai 表示。“通过在 BDU、HVAC 和 PTC 应用中启用单器件瞬态保护,我们的客户可以简化设计、降低 BOM 成本,甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”  TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列概述  所有系列均提供单向和双向配置。  市场与应用  汽车电子产品  电池断路装置(BDU)  高压 HVAC 压缩机  PTC 座舱和电池加热器  高压直流配电  常见问答-高压 TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管  1.为什么选择高压瞬态抑制二极管而不是传统的瞬态抑制解决方案?  高压瞬态抑制二极管可在单个器件中提供足够的断态电压,无需串联多个低压器件。这可减少 PCB 面积、成本和设计复杂性。  2.这些瞬态抑制二极管旨在保护哪些功率半导体?  这些产品专为保护高压汽车电力电子产品中使用的 GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 而优化。  3.这些器件符合哪些汽车标准?  TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列符合 AEC-Q101 标准,符合 PPAP 标准,并符合 IEC-61000-4-2 ESD 要求。  4.TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列有哪些区别?  TPSMC 支持 1500 W,TPSMD 支持 3000 W,而 TP5.0SMDJ 支持 5000 W 峰值脉冲功率。  5.这些瞬态抑制二极管是否与 Littelfuse 现有的设计兼容?  是的。其旨在与现有的 Littelfuse 瞬态抑制二极管和电路保护产品组合无缝集成。  供货情况  TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 汽车级系列瞬态抑制二极管提供卷带封装,起订量 3,000 只。通过全球授权的 Littelfuse 经销商接受样品请求。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单,请访问 Littelfuse.com。
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发布时间:2026-05-12 10:02 阅读量:973 继续阅读>>
萨瑞新品|7V系列 SEU 系列高速 ESD 二极管:10Gbps + 高速接口专用,双向 + 单向双款齐发
  随着 USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、MIPI、车载 SerDes、车载以太网等高速接口全面普及,10Gbps + 传输对信号完整性与 ESD 防护提出双重严苛要求。  江西萨瑞微电子推出SEU0721P1(双向)+ SEU0731P1(单向) 两款 DFN1006-2L 超小型 ESD 保护二极管,专为高速信号链路打造,超低电容、高钳位、强防护,覆盖单端 / 差分全场景高速 I/F 保护需求。  01  核心优势:突破权衡,高速与保护兼得  SEU0721P1|双向 ESD 二极管  类型:双向  结电容:典型 0.25pF,Max 0.3pF(0.2pF 级)  ESD 防护:IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)  峰值脉冲电流:4A(8/20μs)  封装:DFN1006-2L 无引脚小型化  SEU0731P1|单向 ESD 二极管  类型:单向  结电容:典型 0.4pF,Max 0.5pF  ESD 防护:IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)  峰值脉冲电流:4A(8/20μs)  封装:DFN1006-2L 无引脚小型化  02  核心亮点  SEU0721P1:≤0.3pF,极致抑制信号劣化,完美适配 USB4、PCIe、MIPI 等高灵敏度差分接口。  SEU0731P1:≤0.5pF,兼顾高速与成本,适合单端高速 I/O 与通用高速接口。  03  低钳位 + 低漏电流,保护更可靠  双向款:4A 下钳位电压典型16.5V  单向款:4A 下钳位电压典型11V,更低钳位、更稳保护  漏电流低至0.1μA/1μA,系统功耗更优  04  高等级 ESD,满足车规 / 消费 / 工业  两款均达到:  IEC61000-4-2 ±23kV(空气 / 接触)  宽温工作:-55℃ ~ +125℃  RoHS、UL 94V-0、无铅绿色塑封料  05  DFN1006-2L 微型封装,高密度布局  超小体积、低寄生电感  贴近连接器摆放,不占用空间  适合手机、笔电、车载、相机等轻薄化设计  06  典型应用原理图  双向保护电路(SEU0721P1)  适用于:USB4/USB3.x、PCIe、LVDS、MIPI、车载 SerDes 等差分高速信号  单向保护电路(SEU0731P1)  适用于:单端高速 I/O、HDMI、音频、传感器、通用高速信号  07  关键参数对比表  08  应用领域  完美覆盖10Gbps + 高速接口:  USB4 / USB3.x / Thunderbolt 4  HDMI / DisplayPort / PCIe  MIPI D-PHY / C-PHY / LVDS  车载 SerDes、车载以太网(10/100/1000Mbps)  手机、笔电、平板、相机、便携仪器、车载设备、工业终端
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发布时间:2026-05-06 10:11 阅读量:877 继续阅读>>
士兰微5.5kW <span style='color:red'>PS</span>U方案助力算力供电升级
  当前算力数据中心正朝着800V直流母线架构加速演进,士兰微电子凭借在半导体各细分领域的深厚积累,构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案,可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+电源管理IC”整体解决方案,包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品,全面覆盖算力电源SST、HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用,为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。  方案介绍  下图为由“图腾柱PFC+LLC”组成的5.5kW PSU。  在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中,快管承担高频硬开关动作,开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度,需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC MOSFET。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品(料号为SCDP65R040NB2LB)满足上述应用场景的需求,可显著降低高频工况下的能量损耗,提升系统整体转换效率,同时减少散热压力,支持更高频率、更高功率密度的电源设计,满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。  PFC慢管工作在工频整流状态,导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异,同时兼顾浪涌电流能力的超结 MOSFET(料号为SVSP60R022LBS5),在工频导通期间的损耗有效降低,提升系统效率与热稳定性。  在 LLC的SR位置,中重载情况下软关断,轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET(料号为SVGP081R8NL5-3HF)具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点,能帮助客户提升半载和满载效率,优化轻载时EMC表现。  士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后,士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域,迭代推出更多先进产品,助力各电源客户实现更高的效率目标。
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发布时间:2026-04-30 10:13 阅读量:1040 继续阅读>>

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