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类比半导体：DR7808在新能源汽车中的应用

在当前新能源汽车产业迅猛发展的大潮中，中国汽车芯片的国产化进程显得尤为迫切和重要。随着国家对自主可控技术的高度重视和支持，电机预驱技术正经历着一场深刻的变革。从早期依赖分立元件和继电器的控制方式，到现在向高度集成化的IC解决方案转型，这一转变不仅响应了市场对更高性能、更低成本、更小尺寸、更高安全性和更多元化功能的需求，同时也符合国家推动产业链自主可控、提升关键核心技术的政策导向。　　上海类比半导体技术有限公司(以下简称“类比半导体”或“类比”)作为国内领先的模拟及数模混合芯片设计商，成功设计并生产了DR7808预驱芯片，不仅在技术层面实现了重大突破，更在实际应用中展现出卓越的性能和可靠性。DR7808预驱芯片以其优化的集成度和增强的功能性，能够轻松应对当前汽车电子系统设计面临的挑战，同时高效满足客户在多样化应用场景下的具体需求。一. 八半桥电机驱动DR7808,应对电机驱动的前沿挑战　　在新能源汽车领域，随着车辆电气化程度的加深，电机预驱技术面临着前所未有的挑战。传统电机控制方法，如分立元件与继电器的组合，逐渐显露出局限性，无法满足行业对高性能、成本效率、尺寸紧凑性、安全性和多功能性的新需求。在此背景下，类比半导体推出了DR7808八半桥电机驱动芯片，旨在解决行业痛点，推动技术进步。　　与国际竞品相比，DR7808不仅全面覆盖了基础功能，更在支持4路PWM信号输入、过流保护阈值的精细化调节、高低边驱动模式的智能切换、上下管握手逻辑的强化以及离线诊断与在线电流检测等多个方面进行了深度优化和增强。这些创新设计，不仅满足了客户对灵活设计应用的追求，同时也确保了系统运行的稳定性和安全性。　　表1 DR7808与国际主流竞品参数对照表　　表2 DR7808的产品参数与硬件框架二. DR7808性能特点与技术创新　　2.1 PWM4功能与应用：四路PWM驱动，覆盖更多应用场景　　对于座椅记忆功能及其他需要协调四个电机同步工作的应用，DR7808的EN_PWM4引脚展现出了其独特的优势。通过巧妙地设置CSA_OC_SH寄存器中的HB6_PWM4_EN位，EN_PWM4可以转换成为第四个PWM输入，专门用于驱动HB6桥臂。这一设计突破了行业界限，显著区别于最大仅支持三个PWM通道的竞品，为多电机同步控制开辟了新的可能性。　　如下示意图，我们简单概述了PWM正向控制与反向控制的配置流程及信号流向。通过将EN_PWM4引脚映射至HB6，HB6内的HS和LS可根据HB6_MODE寄存器的设定转换为有源MOSFET，进而实现PWM驱动下的正向与反向操作。当HB6由EN_PWM4信号驱动时，外部MOSFET的充电与放电过程受到精细化管理，而这一过程的静态电流则由ST_ICHG寄存器中的HB6ICHGST位精准调控。　　值得注意的是，EN_PWM4引脚在默认状态下担任芯片使能的角色。一旦HB6_PWM4_EN位被激活，即使EN_PWM4引脚被拉低，芯片也不会随即进入禁用状态。正常应用下，可通过SPI配置重新HB6_PWM4_EN为低来复位EN_PWM4引脚为芯片使能。同时VDD电源下电或是看门狗超时，HB6_PWM4_EN将被复位，EN_PWM4引脚将重新承担起使能职责。随后，当EN_PWM4引脚再次被断言为低电平时，芯片将执行重置操作。为了确保系统的稳定性和可靠性，一个推荐的软件实践是在喂狗前连续读取0x00寄存器三次，若读取数据三次完全一致，则视为喂狗成功;相反，若未能满足这一条件，则需将EN_PWM4引脚设置为高电平状态，以防后续看门狗超时引发的意外重置。　　图1 正向PWM操作示例　　图2 反向PWM操作示例 2.2 栅极驱动与过流保护：精细调节与成本优化　　DR7808芯片在栅极驱动电流调节与过流保护方面展现出卓越的性能。其过流保护门限覆盖了从0.075V至2V的宽泛范围，提供16档精细调节，这一设计显著优于竞品0.15V至2V的8档位调节范围，使DR7808得以在小电流应用领域展现出色的适应性和安全性。　　不仅如此，DR7808每个栅极驱动器能够通过32个档位精确控制1.0mA至约100mA的电流变化，这一特性直接挑战了传统做法中通过在门级驱动回路中串接不同阻值电阻来改变边沿斜率，以减小MOS开启瞬间电流尖峰的做法。DR7808的这一创新设计无需额外电阻，减少了外围组件数量，从而降低了成本，简化了设计流程，同时也使得调试工作变得更加便捷。　　DR7808芯片在栅极驱动器设计上实现了对有源MOSFET和续流MOSFET的充电与放电电流的精密控制，具体配置步骤如下：　　初始化配置：首先，通过设置GENCTRL1寄存器中的REG_BANK位，确定即将访问的控制寄存器组。　　有源MOSFET电流控制：　　充电电流：利用PWM_ICHG_ACT寄存器(当REG_BANK=0时)，精确设定有源MOSFET的充电电流。　　放电电流：通过PWM_IDCHG_ACT寄存器(同样在REG_BANK=0时)，配置有源MOSFET的放电电流。　　续流MOSFET电流控制：借助PWM_ICHG_FW寄存器(在REG_BANK=1时)，同时配置续流MOSFET的充电和放电电流，确保其在PWM操作下的性能最优。　　图3 PWM操作时可配置的放电电流　　图4 PWM操作时可配置的充电电流　　2.3 高级检测与保护机制：确保H桥驱动的稳定与安全　　2.3.1 上下管死区控制与保护优化　　在H桥功率驱动应用中，上下管的死区控制是确保系统稳定性和安全性的关键环节。传统方法依赖于MCU算法计算死区时间，采用软件方式进行控制，然而在极端条件下，这种做法的可靠性备受质疑。例如，死区时间设置不当、Cgd对栅极电压的耦合效应、极限占空比等因素都可能导致上下管同时导通，引发系统故障。　　针对这一挑战，类比半导体在DR7808芯片中引入了一系列创新技术，包括动态死区监控、栅极Hardoff抗耦合、PWM占空比补偿和极限占空比补偿，以解决传统方法的不足。用户只需简单设置相关参数，芯片内置的握手检测机制便会通过电压逻辑判断，当上桥MOS开启时，自动对下桥MOS实施内部Hardoff电流强下拉，确保在任意死区配置下，上下桥MOS绝不会同时开启，从而实现系统运行的稳定与可靠。　　2.3.2 丰富诊断保护机制示例　　DR7808芯片配备了全面的诊断与保护机制，以应对各类潜在故障。以下以供电电压VM异常为例，展示芯片的响应流程：　　当供电电压VM从正常值12V骤降至4.5V时，芯片立即触发欠压保护机制。　　在数据格式中，0x08的Global status Byte(GEF)值表明SUPE位被置1，芯片检测到Power error，并自动上传故障标志。　　同时，General Status Register将提供更详尽的故障信息，确保故障状态的及时上报与处理。　　图5 VM过压欠压下的输出行为　　图6 VM欠压时的GEF数据捕获及上传　　2.4 Off-brake保护机制：守护电机与系统安全　　在特定工作场景下，如工厂装配线上的尾门自动调整或座椅折叠过程，若电池未能及时为控制板供电，电机在运动中产生的反向电动势(Back EMF)可能逆向流入电源端，对周边电路元件构成威胁，尤其是对敏感的TVS(瞬态电压抑制器)和MOSFET造成潜在伤害。为应对这一挑战，DR7808芯片集成了off-brake保护功能，有效地化解了这一风险。　　当DR7808芯片处于passive模式时，其内置传感器持续监测供电电压VS。一旦检测到VS电压超过安全阈值32.5V，芯片即刻响应，自动启动LS4至LS1的MOSFET，迫使电机迅速进入刹车状态。这一动作迅速削减了反向电动势，避免了电机的非计划旋转，同时保护了系统免受高电压冲击。　　随后，系统将自动监控VS电压的下降趋势，直至其稳定降至30V以下。此时，off-brake机制自动解除，LS4至LS1的MOSFET随之关闭，恢复正常操作状态。这一连贯的off-brake保护过程确保了VS电压始终保持在安全范围内，有效防止了TVS和MOSFET因过压而损坏，维护了整个系统的稳定性和安全性。　　图7 off-brake保护机制波形　　2.5 离线诊断机制：精密检测与故障排查　　DR7808芯片通过离线状态诊断功能，能够精准实现输出端对电源短路、对地短路以及负载开路的检测，这一机制在设计上独具匠心，为每个MOSFET的栅极驱动器提供了上拉电流(典型值为500µA)，并在驱动器激活状态(BD_PASS=0)时，于SHx引脚处提供下拉电流(典型值为1000µA)，确保了诊断过程的稳定与精确。　　2.5.1 诊断步骤与原理　　MOSFET对地短路检测：设置BD_PASS=0，HBx_MODE为00b或11b，并激活HBxIDIAG=0，同时开启内部上拉电流，将SHx电压拉至接近VDRAIN。待一定时间后，通过读取HBxVOUT寄存器，若其值为0b，则表明MOSFET存在对地短路现象。　　MOSFET对电池短路检测：同样将BD_PASS设为0，HBx_MODE配置为00b或11b，但此时HBxIDIAG应设为1，以启用内部下拉电流，将SHx电压拉至接近SL。随后，读取HBxVOUT寄存器，若读得值为1b，则说明MOSFET与电池相连，存在短路状况。　　空载检测：此步骤涉及HBx与HBy之间的电机连接检测。首先，将BD_PASS设为0，HBx_MODE与HBy_MODE均配置为00b或11b，HBxIDIAG设为0以激活HBx通道的上拉电流，同时HBy通道的HBxIDIAG设为1以启用下拉电流。等待一段时间后，读取HBxVOUT和HByVOUT寄存器。若电机正常连接，SHx与Shy均会被下拉至SL，此时HBxVOUT与HByVOUT读数均为0b;若电机断开，SHx将被上拉至VDRAIN，而Shy则下拉至SL，HBxVOUT读数为1b，HByVOUT读数为0b。　　值得注意的是，上述离线检测功能的有效发挥，需满足桥驱动程序处于活动状态(即BD_PASS=0)，并且相应半桥处于断开模式(HBxMODE=00b或11b)的前提条件。每个栅极的下拉电流驱动器由HBIDIAG寄存器中的控制位HBxIDIAG激活，这一精细控制确保了诊断过程的准确执行。在微控制器执行离线状态诊断时，为确保检测的准确性，相关半桥的VDSOV阈值桥接器需通过软件配置，设置为2V的标称值。这一配置步骤是实现离线诊断功能的关键，确保了检测过程中的信号稳定与结果的可靠性。　　通过以上精心设计的配置步骤，微控制器能够准确获取HBxVOUT的状态，从而高效、可靠地完成离线诊断任务，为设计者提供了强大而实用的故障排查工具，增强了DR7808芯片在复杂应用场景下的适应能力和系统维护的便利性。　　2.6 精准电流检测：实时监测与优化　　DR7808芯片内部集成了两个高精度CSA电流检测运放，其在offset精度上展现出色表现，误差仅约1mV，这一特性显著优于国际大厂竞品。芯片设计的灵活性体现在其支持多种电流检测方式，既可在电源端串联检流电阻，亦可在接地端使用分流电阻，甚至在电机内部串联分流电阻进行检测，其中电机端检测的独特优势在于能够实时监测双向电流，确保了电机运行状态的全面掌握。　　为避免PWM信号引起电流检测运放输入端的高共模电压摆动，建议将PWM信号应用于未连接分流电阻的半桥端。这一布局方式可有效减少信号干扰，确保电流检测的准确性与稳定性。如图8所示，展示了PWM与分流电阻在电机中的典型应用布局，直观地呈现了这一优化连接策略。　　图8 PWM和分流电阻应用在电机示意图　　在某些应用场景下，PWM信号不可避免地需要应用于分流电阻所在的半桥。此时，为消除高共模电压跳变导致的CSA输出电压毛刺，应通过设置CSAx_SH_EN寄存器(x=1,2)启用CSA PWM抑制功能。同时，CSAx_SEL寄存器的配置需指向需采样的半桥，确保在PWM切换期间，CSA输出保持采样状态，有效避免电压毛刺的产生。采样与保持时间由tcp与tblank决定，这一机制进一步提升了电流检测的精度与可靠性。　　三. DR7808：拓展应用的无限可能　　DR7808芯片凭借其8个独立可控的半桥设计，展现出了卓越的灵活性与拓展性。每个半桥的上下管均可独立控制，意味着单颗芯片即可支持高达4个H桥配置，或灵活配置为8路高边驱动或低边驱动。这一设计突破了传统方案的局限，为设计人员提供了前所未有的自由度，尤其是在功能域场景中，能够满足大量高边或低边驱动的需求。　　传统应用中，大量高边驱动通常依赖于分立器件，如达林顿管和继电器的组合。然而，这些方案存在明显的缺点，包括器件面积大、机械开关寿命短、噪声问题以及高压触点粘连风险，加之需要额外电路实现保护功能，增加了设计的复杂性和成本。相比之下，DR7808的高度集成化设计展现出显著优势，不仅提供了单芯片8路高边或低边驱动的能力，还内建了丰富的保护机制，涵盖过流、过压、欠压和过温等多重防护，配合SPI通信故障诊断上传机制，为系统级功能安全奠定了坚实的基础。　　在高低边应用中，DR7808的设计团队特别针对不同场景进行了优化，当用于高边应用时，可以省略低边MOS的使用，反之亦然。这一设计上的考量不仅简化了电路布局，还大幅降低了物料成本，提升了系统的整体性价比。在拥有大量高低边设计需求的场景下，DR7808相比国际竞品展现出更加明显的优势，无论是成本控制还是性能表现，均能脱颖而出。　　图9 DR7808设计及应用场景　　四. 总结　　类比半导体的电驱产品系列，以其与市面上通用产品BOM的无缝兼容性，不仅简化了软件设计流程，还确保了硬件设计的简洁高效，为行业树立了全新的设计标准。在性能层面，我们超越了市场上的竞争对手，不仅在关键指标上领跑，更深入挖掘客户需求，引入了一系列创新功能，直击行业痛点，重塑电机驱动领域的技术格局。　　作为类比半导体电驱产品线的杰出代表，DR7808八半桥预驱芯片凭借其卓越的电流精度、强化的握手逻辑、出色的稳定性和可靠性，完美贴合了市场对多电机控制日益增长的需求。在汽车工业迈向智能化与中央集成化的大趋势下，DR7808以其独特的优势，不仅为客户提供了一站式解决方案，包括GUI软件和C语言底层驱动在内的完整技术服务，更助力客户产品在全球竞争中脱颖而出，为智能出行时代注入强劲动力。　　我们诚挚邀请行业伙伴共同探索电驱技术的无限可能，类比半导体承诺以专业、创新的态度，与您一同迎接挑战，把握机遇，共创智能出行的美好未来。热烈欢迎来电洽谈合作，让我们携手书写电驱领域的崭新篇章，引领行业迈向更高成就。

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发布时间：2024-07-26 14:54 阅读量：208 继续阅读>>

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AC/DC医疗电源中性能提升的关键：永铭LKL/LKF系列应用

　　No.1 医疗设备中的AC/DC电源　　现代医疗设备对电源的稳定性和可靠性要求极高。大多数医疗设备需要AC/DC电源输出稳定的直流电。其中，铝电解电容器用于输入端作滤波作用，减少输出电压的纹波并在瞬时负载变化时提供稳定电压，确保设备正常运行。　　No.2 医疗设备对AC/DC电源的要求　　电源需具备高效率的特性，减少电源转换过程中的能量损失。　　电源需具备长寿命的特性，延长使用周期，减少维护成本。　　No.3 永铭液态铝电解电容器解决方案　　低阻抗：减少电源转换过程中的能量损失，提高整体电源转换效率　　电容器在通过电流时会产生较小的功率损耗。功率损耗通常以热量的形式出现，而永铭液态铝电解电容器因其低阻抗的特性减少了这种热量的产生，从而提高了电源转换的效率。　　长寿命：延长设备使用周期，减少维护成本　　医疗设备通常具有较长的使用周期，而电源的寿命直接影响到设备的整体寿命和维护成本。永铭液态铝电解电容器具有长寿命的特点，因此无需频繁更换和维护，延长了医疗电源的使用周期，从而减少了设备的停机时间，提高了设备的运营效率。　　No.4 总结　　永铭液态引线型铝电解电容器LKL、LKF系列以其长寿命、低阻抗、耐大纹波、宽温性能优异等优点，能够稳定的输出电压、降低纹波、支持瞬时负载变化，为医疗电源AC/DC线路提供了可靠的解决方案。

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发布时间：2024-07-26 14:41 阅读量：231 继续阅读>>

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太阳诱电：应对 165℃的叠层金属类功率电感器实现商品化

　　太阳诱电株式会社实现了可以满足车载被动部件认定的可靠性试验规格“AEC-Q200”的叠层金属类功率电感器 MCOIL™“LACNF2012KKTR24MAB”(2.0x1.25x1.0mm，高度为最大值)等 4 个产品的商品化。通过本公司独有的金属类材料和叠层工艺的提高，在叠层金属类功率电感器中实现了使用温度上限 165℃。　　这些商品用于在汽车发动机 ECU 和 BMS 等控制系统、以 ABS 为首的安全系统、ADAS 等车身系统、组合仪表等信息系统中使用的 DC-DC 转换器的扼流圈用途。　　通过将使用温度范围的上限从本公司以往产品“LCCNF2012KKTR24MAD”(使用温度范围：- 55℃~+150℃)扩大到 165℃，可以在以汽车为首的高温环境下进行高密度贴装，为电源电路的小型化和高性能化做出贡献。　　该商品从 2024 年 4 月开始在本公司的子公司和歌山太阳诱电(和歌山县日高郡印南町)开始了量产。　　近年来，随着以 ADAS 为代表的电子控制化的发展，汽车电源电路增加，用于这些电源电路的功率电感器的需求也在不断增长。此外，整合了组合仪表等信息设备的综合驾驶舱化等，功能整合所带来的高性能化也不断进展。　　随着这样的多功能化和高功能化，IC 的处理能力不断增大，同时为了高密度地配置设备并将其整合成一个模块，还要求搭载的电子元器件小型化、薄型化。如果高密度地贴装元器件，则因元器件发热和体积减少而出现散热困难等问题，容易受到热量的影响。此外，将 ECU 安装在高温发动机舱的情况会增多，搭载的电子元器件也需要应对高温。　　因此，太阳诱电通过进一步提高在小型化、薄型化方面具有优势的叠层金属功率电感器 MCOIL™ LCCN 系列的可靠性，将使用温度范围扩大到-55℃~+165℃，实现了可以满足“AEC-Q200”的 LACN 系列的商品化。　　今后也将致力于开发符合市场需求的商品，不断扩充功率电感器的产品阵容。　　用途　　在汽车发动机 ECU 和 BMS 等控制系统、以 ABS 为首的安全系统、ADAS 等车身系统、组合仪表等信息系统中使用的 DC-DC 转换器中的扼流圈用途。　　规格　　*1 额定电流值(Idc1)是指直流电流负荷时，电感值变化率在 30%以内的电流值(at 20℃)　　*2 额定电流值(Idc2)是指直流电流负荷时，由于自身发热导致温度上升至 40℃以下时的电流值(at 20℃)　　*3 额定电流值为 Idc1(max)或 Idc2(max)中较低的直流电流值　　* 需要根据周围温度进行额定电流的降额。关于详细的规格，请您浏览以下的本公司网站。https://ds.yuden.co.jp/TYCOMPAS/cs/specificationSearcher?cid=L&u=M&Seri=LACN_A&SR2=LM%2 CMP　　* “MCOIL”是太阳诱电株式会社在日本及其他国家的注册商标或商标。* 文中记载的系列名称摘录用于区分产品种类及特性等的商品编号，并非商品名称或商标。

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发布时间：2024-07-26 13:03 阅读量：205 继续阅读>>

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罗姆半导体：碳化硅器件在新能源汽车上的设计与应用

　　根据日本本土的市场数据，在碳化硅半导体市场，罗姆日本市场占有率第一，全球第五。同时在碳化硅晶圆制造技术方面也处于世界领先地位。2024年，罗姆在宫崎县国富町建立全新的碳化硅工厂，在碳化硅领域的战略目标也逐渐清晰。　　罗姆从出光兴业的子公司手里，收购了其国富工厂，投资3000亿日元展开了150mm-200mm碳化硅晶圆的生产制造。而罗姆为了实现碳化硅半导体的增产计划，从2021年到2027年的7年间，将会投资5100亿日元。　　预计截至2025年，仅在碳化硅半导体的企业销售额，计划增长18%，达到年销售额1300亿日元，剑指世界市场占有率30%。到2027年销售额更计划达到2700亿日元。　　罗姆的底气，来自自身的产品力信心，也来自于日益增长的汽车应用市场及积极拓展该市场带来的订单。　　近年来，新能源汽车持续快速增长，我国2023年产销量分别是958.7万辆和949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，已连续九年位居世界第一;新能源市场占有率达到了31.6%，同比增加5.9pct。据预测，中国新能源汽车预计今年有望达到1100万辆，全球在未来5年继续保持15%~30%的增速。　　在全球汽车电动化的浪潮下，行业最关心的课题是续航里程。影响续航里程的因素有很多，包括电池容量、车身重量、电力系统的电能转化效率等。功率半导体是电能转换的核心，SiC作为第三代半导体的代表，其禁带宽度约为Si基材料的3倍，可在200℃以上的温度条件下工作;临界击穿场强约为Si基材料的10倍，耐高压能力强，可在高达3000V电压下工作;热导率约是Si基材料的3倍，散热效果更佳，可简化冷却系统;电子饱和漂移速率约是Si基材料的3倍，工作频率高，驱动功率小，损耗低。　　在新能源汽车中，功率模块已从Si基IGBT为主的时代，开始逐步进入以SiC 功率器件为核心的发展阶段。SiC功率器件主要应用在电机驱动逆变器、电源转换系统(车载DC/DC)、车载充电系统 (OBC)、车载空调系统 (PTC加热器和空压缩机)等方面。　　罗姆(ROHM)自2000年开始一直在推动SiC元器件的基础研究并不断完善工艺，其IDM(垂直统合型生产体系)和品质保证体系，从晶圆到芯片、封装、模组，可满足半导体厂商、模块厂商以及OEM厂商的各种各样的需求。　　罗姆2010年全球量产SiC SBD和MOSFET;2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET，备有不同RDS(on)的750V和1200V器件。2023年量产8英寸碳化硅衬底，2024年推出全SiC牵引功率模块产品。　　罗姆第4代的SiC MOSFET技术优势：　　1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻　　通过进一步改进自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比第3代产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。　　2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗　　通过大幅降低栅漏电容(Cgd)，成功地使开关损耗比第3代产品降低约50%。　　3.支持15V栅源驱动电压，应用产品设计更容易　　在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压(Vgs)外，第4代SiC MOSFET还支持处理的15V栅源驱动电压，更容易可与IGBT一起用来设计驱动电路(栅极驱动电路)。

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发布时间：2024-07-26 10:14 阅读量：154 继续阅读>>

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江苏润石：RS299系列高压集成电流检测芯片

　　RS299系列是一款支持高工作电压、宽共模输入电压范围的集成电流检测芯片，工作电压支持4.5V至76V，共模输入电压范围亦支持4.5V至76V;可以很好应对24V、48V母线电压系统的电流采集应用。　　RS299系列提供20、50、60、100四种固定增益，增益误差低至0.25%，以使其能满足更多的应用场景和电流采集精度。　　其他主要参数特性如下：　　Ø 增益带宽(GBP)：135KHz;　　Ø 低输入失调电压(Vos)：100μV;　　Ø 低输入偏置电流(IB)：9.5μA;　　Ø 低功耗(Iq)：135μA;　　Ø 高电源纹波抑制比(PSRR)：130dB　　Ø 高共模抑制比(CMRR)：130dB　　Ø 容性负载能力;500pF　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　RS299典型应用电路　　注：REF1A、REF1B可以短接在一起提供参考电压，也可以REF1A给参考电压、REF1B接GND，借助内部电阻分压。

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江苏润石

发布时间：2024-07-26 09:35 阅读量：239 继续阅读>>

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恩智浦获汽车连接联盟(CCC)认证，加速数字车钥匙发展！

　　恩智浦半导体近日宣布，其单芯片NFC和嵌入式安全元件解决方案SN220已通过汽车连接联盟®️(简称CCC)2023年12月推出的数字钥匙认证。这标志着恩智浦成为首家获得该认证的数字车钥匙解决方案提供商。　　恩智浦提供涵盖完整数字汽车钥匙生态系统的一整套解决方案，包括超宽带 (UWB)、NFC芯片和低功耗蓝牙等，可适用于移动设备制造商和汽车厂商的应用需求。　　重要意义　　数字车钥匙的作用不仅仅是让驾驶员能够无缝、安全地使用汽车。驾驶员还能通过数字钥匙控制家庭成员、代驾司机等人对汽车的使用权限。随着这一功能越来越受欢迎，其互操作性和安全性成为关键。　　CCC拥有超过200名成员，其中包括领先的汽车制造商、智能设备制造商和科技公司。该协会最近推出了一项符合CCC数字密钥规范的认证计划，旨在汽车、移动电话和其他免手持汽车门禁设备组成的整个生态系统中，实现无缝的互操作性和安全性。　　恩智浦半导体智能汽车门禁总经理Michael Leitner表示：“作为CCC的创始成员，恩智浦长期以来一直是安全汽车门禁生态系统的核心推动者。该认证验证了未来可推动汽车数字钥匙发展的规范。作为首家获得该认证的解决方案提供商，恩智浦全面集成的系统解决方案将为这个快速增长的市场树立质量和安全标准。”　　汽车连接联盟主席Alysia Johnson表示：“该认证对于在消费者和行业中建立信任至关重要，它将支持汽车和设备制造商提供安全、用户友好的数字钥匙门禁体验。我们的目标是建立全球兼容性，实现无缝、安全的数字钥匙体验，无论涉及哪种汽车或移动设备。”　　小米互联高级总监张墅潇表示：“小米的首要任务是确保卓越的用户体验。SN220具有出色性能，以及CCC认证的互操作性，这对我们来说非常重要，也符合小米致力于为用户提供新颖有趣的创新的承诺。”　　SN220是一款融合解决方案，将NFC控制器与嵌入式安全元件结合在单个芯片中，构成整体数字钥匙系统解决方案的一部分。　　恩智浦的数字钥匙不仅包含安全元件和NFC，还利用UWB和低功耗蓝牙来确保一致、无缝的用户体验。

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发布时间：2024-07-26 09:24 阅读量：184 继续阅读>>

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上海雷卯：【充电桩浪涌保护方案】是保障充电设施安全稳定运行的关键!

在当今新能源汽车蓬勃发展的时代，充电桩作为电动汽车的“加油站”，其重要性不言而喻。然而，由于其复杂的电气环境和暴露于户外的特点，充电桩容易受到浪涌的影响。浪涌可能来自雷电、电网故障、大功率设备的启停等，对充电桩的电子设备和储能系统造成严重损害。因此，设计一套有效的浪涌保护方案是保障储能充电桩安全可靠运行的关键。　　一、浪涌来源及危害　　充电桩浪涌来源主要有：　　1. 雷电：直接雷击或附近雷击产生的强大电磁场会在充电桩的线路上感应出高电压和大电流浪涌。　　2. 电网故障：如短路、开关操作、电网电压波动等，可能导致瞬时过电压。　　3. 设备启停：大功率设备(如电动机、变压器等)的启动和停止会引起线路中的电流和电压突变，产生浪涌。　　浪涌可能导致以下危害：　　1. 损坏充电桩的充电模块、控制单元、通信设备等，影响正常充电功能。　　2. 对储能系统中的电池管理系统(BMS)、电池组造成损害，降低电池寿命和性能。　　3. 引发火灾、爆炸等严重安全事故。　　给予以上原因，若不加以有效防护，将对充电桩及其连接的电动汽车造成严重损害。因此，制定一套科学合理的充电桩浪涌保护方案至关重要。　　二、保护方案设计原则　　1. 多层次防护：采用分级保护策略，从电源进线到设备端口，逐步降低浪涌能量和电压。　　2. 快速响应：保护器件应具有快速的响应时间，能够在浪涌出现的瞬间动作。　　3. 足够的通流容量：能够承受可能出现的最大浪涌电流，确保不被击穿。　　4. 低残压：在泄放浪涌电流后，应尽量降低输出端的残余电压，保护后端设备。　　三、具体保护措施　　首先，在充电桩的电源入口处，应安装高性能的浪涌保护器(SPD)。这类保护器通常由气体放电管GDT、压敏电阻MOV和大功率瞬态电压抑制二极管(TVS)等元件组成GDT够承受较大的浪涌电流，在浪涌来临时迅速导通，将大部分能量泄放至大地;MOV则具有较快的响应速度，能在微秒级时间内限制电压的上升;大功率TVS二极管则以其极快的响应速度(纳秒级)和精准的电压钳位能力，对残余的浪涌进行进一步抑制，确保后端电路的安全。　　这三类器件是充电桩防浪涌主要器件，也是上海雷卯的优势器件，GDT 和MOV 之前博客已介绍，此次主要介绍大功率蓝宝宝 BPSS。　　四、大功率 TVS 蓝宝宝　　通常指的是蓝宝宝浪涌抑制器，这是一款超大功率的 TVS 二极管(瞬态电压抑制二极管)。它具有超强的浪涌吸收能力和抑制电压能力，在实际应用中通常并接在电路中，既能解决雷击大浪涌问题，又能对静电起到超强的防护效果。　　其主要优势包括：　　·浪涌吸收能力强：最大 Ipp 可达到20KA。　　·系列全：例如有 1KA、2KA、3KA、6KA、10KA、16KA、20KA 等系列。　　·响应速度快(微秒级)，可保护设备免受损害。　　·漏电流lr小，减少发热。　　·具有低斜率电阻。　　·高效能耗，有助于降低能源成本。　　·有多种封装尺寸供选择。　　·支持极低电压。　　·稳定可靠、寿命更长、体积更小。　　五、充电桩选用TVS蓝宝宝型号

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发布时间：2024-07-26 09:03 阅读量：198 继续阅读>>

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铝电解电容的基本知识

　　铝电解电容器概述　　一. 基本模型　　电容器是无源器件，在各种电容器中，铝电解电容器与其他电容器相比，相同尺寸时，CV值更大，价格更便宜。电容器的基本模型如图所示。　　静电容量计算式如下：　　其中，ℇ为介电常数，S为两极板正对表面积，d为两极板件距离(电介质厚度)。　　从式中可以看出：静电容量与介电常数，极板表面积成正比、与两极板间距离成反比。作为铝电解电容器的电介质氧化膜(Al2O3)的介电常数通常为8~10，这个值一般不比其他类型的电容器大，但是，通过对铝箔进行蚀刻扩大表面积，并使用电化学的处理得到更薄更耐电压的氧化电介质层，使铝电解电容器可以取得比其他电容器更大的单位面积CV值。　　铝电解电容器主要构成如下：　　阳极-----铝箔　　电介质---阳极铝箔表面形成的氧化膜(Al2O3)　　阴极-----真正的阴极是电解液　　其他的组成成分包括浸有电解液的电解纸，和电解液相连的阴极箔。综上所述，铝电解电容器是有极性的非对称构造的元件。两个电极都使用阳极铝箔的是两极性(无极性)电容。　　二. 基本构造　　铝电解电容器素子的构造如图所示，由阳极箔，电解纸，阴极箔和端子(内外部端子)卷绕在一起含浸电解液后装入铝壳，再用橡胶密封而成。　　三. 材料的特性　　铝箔是铝电解电容器主要材料，将铝箔设置为阳极，在电解液中通电后，铝箔的表面会形成氧化膜(Al2O3)，此氧化膜的功能为电介质。　　形成氧化膜后的铝箔在电解液中是具有整流特性的金属，就像是一个二极管，被称之为阀金属。　　①阳极铝箔　　首先，为了扩大表面积，将铝箔材料置于氯化物水溶液中进行电化学蚀刻。然后，在硼酸铵溶液中施加高于额定电压的电压后，在铝箔表面形成电介质氧化层(Al2O3)，这个电介质层是很薄很致密的氧化膜，大概1.1~1.5nm/V , 绝缘电阻大约为10^8~10^9Ω /m。氧化层的厚度和耐压成正比。　　②阴极铝箔　　同阳极箔一样，阴极铝箔同样有蚀刻的程序，但是没有氧化的程序。因此，阴极铝箔表面只有少量的自然氧化形成的(Al2O3)，能承受的电压只有0.5V左右。　　③电解液　　电解液是由离子导电的液体，是真正意义上的阴极，起着连接阳极铝箔表面电介质层的作用。而阴极铝箔类似集电极一样起着连接真正阴极和内部电路的作用。电解液是决定电容器特性(温度特性，频率特性，使用寿命等)的关键材料。　　④电解纸　　电解纸主要起着均衡电解液的分布并保持阴极箔和阳极箔间隔的作用。　　四. 制作过程　　①蚀刻(扩大表面积)　　蚀刻的作用是扩大铝箔表面积。蚀刻是在氯化物溶液中施加交流或直流电流的电化学过程。　　②化成(形成电介质层)　　化成是在阳极铝箔表面形成电介质层(Al2O3)的过程。一般将化成过的铝箔作为阳极使用。　　③裁剪　　按照不同产品的尺寸要求将铝箔(阴极箔和阳极箔)和电解纸剪切为需要的尺寸。　　④卷绕　　将阴极箔和阳极箔之间插入电解纸，然后卷绕成圆柱形，在卷绕工艺上阴极箔和阳极箔上连接端子。　　⑤含浸　　含浸是将素子浸入电解液中的过程。电解液能对电介质层进一步修复。　　⑥密封　　密封是将素子装入铝壳中后用封口材料(橡胶，橡胶盖等)密封的过程。　　⑦老化(再化成)　　老化是对密封后的电容器在高温下施加电压的过程。这个过程能将裁剪和卷绕过程时电介质层的一些受损进行修复。　　⑧全检，包装　　老化之后，将对所有产品进行电气特性检查。并进行端子加工，编带等。最后进行包装。　　五. 静电容量　　电极表面积越大，容量(储存电荷的能力)越大。铝电解电容器的静电容量值是在20℃，120Hz /0.5V的交流电条件下测试的值。　　①温度升高，容量也会升高;温度降低，容量也会降低。　　②频率越高，容量越小;频率越低，容量越大。

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铝电解电容

发布时间：2024-07-25 14:23 阅读量：211 继续阅读>>

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台积电大陆超急订单激增，客户愿付40%溢价！

　　据业内消息人士透露，台积电收到了中国大陆客户超级急件(SHR)订单量的增加，客户愿意为此支付40%的溢价。　　消息人士称，中国大陆SHR订单的增加也助力台积电第二季度出色的毛利率和积极的第三季度前景。　　消息人士指出，中国大陆芯片制造商加快向台积电下单的步伐，以应对即将到来的美国总统大选给中美关系带来的不确定性。　　消息人士称，基于这一假设，除了美国禁令急剧收紧和汇率等因素外，台积电第三季度和全年的营收和毛利率可能会超出预期。2024年第二季度，台积电的毛利率和营业利润率均超过之前的预测。　　毛利率超出预期　　最初，市场预计台积电很难在第二季度达到其毛利率指引区间的上限。这主要是因为台积电之前已经预见到4月份地震和电价上涨的影响。通货膨胀和电费上涨的影响为0.7~0.8个百分点，而地震的影响为0.5个百分点。　　由于经济复苏缓慢和成本上升等因素，台积电最初对第三季度和全年的毛利率表现持保守看法。　　台积电第二季度毛利率达到53.2%，超出51%~53%的目标。此外，台积电还将第三季度毛利率指引上调至最高55.5%。这些发展都是出乎意料的。台积电将其第二季度有利的业绩完全归功于有效的成本管理和生产能力的更高利用率。　　台积电观察到客户对高端手机和人工智能(AI)芯片的需求大幅增加。晶圆厂3nm和5nm工厂的利用率将在2024年下半年继续提高。因此，全年业绩预测已上调至更高区间，2024年有望实现大幅增长。　　3nm和4nm/5nm芯片需求旺盛　　台积电3nm和4nm/5nm芯片需求旺盛，促使公司在今年早些时候提高了这两种工艺的价格。据业内消息人士称，台积电晶圆厂3nm和4/5nm芯片订单的可见性已延长至2025年。　　消息人士称，为满足强劲需求，台积电计划将其每月3nm芯片产量提升至13万片，4nm/5nm产能提升至16万~17万片。　　消息人士指出，台积电打算将其设备和材料供应链中的通胀压力等因素转嫁给包括中国台湾供应商和国际合作伙伴(如ASML、应用材料和东京电子)在内的供应链。　　例如，ASML已在合作条件方面做出妥协，包括价格和维护，特别是针对昂贵的极紫外(EUV)光刻机。　　中国大陆订单激增　　据业内消息人士透露，台积电第二季度优异的毛利率意外地由来自中国大陆的大量订单推动，其中许多是超级急件订单。　　台积电拒绝就具体客户和订单发表评论，但已披露称，2024年第二季度，其中国大陆客户订单产生的销售额占晶圆总收入的比例增长至16%，而上一季度为9%。　　消息人士称，鉴于中美紧张局势加剧以及即将举行的美国总统大选带来的不确定性，台积电的中国大陆客户急于趁机囤积芯片。台积电的主要中国大陆客户包括比特大陆、阿里巴巴平头哥半导体(T-Head)、中兴微电子技术公司等。

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发布时间：2024-07-25 13:46 阅读量：177 继续阅读>>

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Cat.4模组样品申领，芯讯通A7805助力车载终端国产化

　　A7805是芯讯通针对　　车载前装应用场景　　推出的全国产方案　　LTE Cat.4车规级模组　　基于ASR1806E_I平台研发　　严格按照IATF 16949:2016　　汽车行业质量管理体系标准制造　　下行速率可达150Mbps　　上行速率可达50Mbps　　兼容3G和2G网络　　内置高精度GNSS接收机　　偏远地区也可广泛连接　　-40到85摄氏度的宽工作温度　　优异的电磁兼容性(EMC)　　即使在恶劣环境中也具有高度适应性　　紧凑的SMT封装形式与LGA焊盘　　易于集成、节省空间　　内置丰富的接口和协议　　简化产品设计的同时　　为客户应用开发提供高度的灵活性　　在当下汽车通信、人工智能　　物联网深度融合的时代　　智能网联汽车驶入快车道　　T-Box作为汽车“网联”　　的重要硬件部分　　其扮演着重要角色　　A7805具备稳定可靠的性能　　高性价比、全国产方案　　兼容市场主流尺寸等优势和特点　　搭载A7805的T-Box终端　　可为智能汽车网联产业深度赋能

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芯讯通

发布时间：2024-07-25 13:29 阅读量：263 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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