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士兰微丨ZPAK碳化<span style='color:red'>硅</span>功率模块开启电驱高密度新时代

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士兰微丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代

　　8月28日，为期三天的PCIM Asia Shenzhen 2026进入收官日。本届展会聚焦电动交通、AI数据中心、新能源三大高价值应用场景。作为展会的重要组成部分，同期举办的多场主题论坛覆盖碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体前沿技术，深入探讨电动汽车、碳化硅、电机驱动与运动控制等热门议题，各主题论坛现场座无虚席。　　在国际研讨会“电机驱动与电动化交通专场”上，士兰微PIM产品线杨博士代表公司出席并以《汽车电驱SiC功率模块的低杂感、高功率密度及均流优化设计》为主题做出精彩演讲。　　随着新能源汽车产业加速向高压、高功率密度方向演进，电驱系统对功率模块的体积、效率与可靠性提出了更高要求，传统功率模块在杂散电感、均流特性与封装密度等方面的瓶颈日益突出。　　本次演讲杨博士从电驱系统的严苛需求出发，针对上述行业共性难题，并系统分享了士兰微电子ZPAK高性能碳化硅功率模块，为汽车牵引逆变器提供有竞争力解决方案。　　据介绍，ZPAK碳化硅模块采用士兰与致瞻科技联合开发的ZPAK封装外形，基于士兰自主研发的第四代(G4)SiC-MOSFET芯片，采用士兰独创的3D互联封装方案。芯片可用面积占AMB面积的比例约为70%，而传统HPD模块仅为40%。该模块在900V电压平台夏最大输出电流可达420-450Arms，体积比目前广泛采用的HPDmini模块缩小约60%。　　均流控制方面　　ZPAK-SiC模块采用了一项士兰自主知识产权的创新技术——CBI(电流平衡互连Current-Balancing Interconnection)。确保4颗并联芯片间的动态电流不平衡率极低，仅为5.7%，显著提升了模块的可靠性与一致性。　　杂散电感优化方面　　ZPAK-SiC模块层叠式直流端子设计使系统级杂散电感低至12nH，从而减少40%的开关损耗，为新能源汽车电驱系统提供了更高效、更可靠的功率支撑。　　与市场主流模块相比，ZPAK模块在多项关键指标上实现全面超越：　　功率密度提升54%;　　杂散电感降低43%;　　动态均流改善70%;　　开关损耗降低46%;　　同时具备宽范围的功率可扩展性，可灵活适配不同功率等级的电驱应用需求。　　这一系列数据充分印证了ZPAK模块在新能源汽车电驱领域的领先优势。　　整场演讲干货十足，杨博士深入浅出的技术解读赢得了现场阵阵掌声。演讲结束后，多位参会嘉宾围绕ZPAK模块的车规级可靠性验证、芯片封装、客户导入进展及碳化硅模块规模化量产等话题与专家展开进一步交流，现场气氛热烈。　　未来，士兰微电子将继续深耕碳化硅等第三代半导体前沿领域，持续推动车规级功率模块的技术迭代与产业化落地，携手产业链伙伴共建高效、可靠的新能源汽车电驱生态，为国产功率半导体高质量发展贡献力量。

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发布时间：2026-09-04 13:21 阅读量：187 继续阅读>>

捷捷微电可控<span style='color:red'>硅</span>光耦驱动解决方案

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捷捷微电可控硅光耦驱动解决方案

　　导言　　在 220V AC 交流负载控制中，为什么有些应用需要选择过零检测型光耦，而有些应用却必须使用随机触发型光耦?　　光耦与 Triac 如何匹配?门极限流电阻和泄放电阻分别起什么作用?面对电机、水泵、电磁阀等感性负载，又为什么需要配置 RC 吸收回路和压敏电阻?　　作为功率半导体领域的 IDM 厂商，捷捷微电围绕光耦与可控硅产品体系，形成覆盖过零检测与随机触发的可控硅光耦产品方案，并可结合功率 Triac 为客户提供国产化配套选择。　　本文从 220V AC 交流可控硅交流驱动电路出发，系统介绍可控硅光耦的选型方法、外围电路设计及典型应用。　　在 220V AC 负载控制应用中，通常采用“MCU/控制端 + 光耦 + Triac + 交流负载”的隔离驱动架构。　　光耦负责实现低压控制侧与高压功率侧之间的电气隔离，后级 Triac 则承担交流负载的开关控制。　　典型外围电路主要包括输入限流电阻、输出限流电阻、门极泄放电阻，以及针对感性负载配置的 RC 吸收网络和压敏电阻等。　　其中，光耦输入端限流电阻可根据控制电压、LED 正向压降及目标触发电流进行计算：　　RF ≈(VCC − VF)/ IFT　　输出侧则需要根据光耦输出能力和后级 Triac 的门极触发要求，对 RL、RG 等参数进行匹配。　　过零/随机触发光耦选择　　过零检测型光耦　　输出端在交流电压接近零点时触发导通，可降低开通瞬间的电流冲击及 EMI 干扰，适用于照明、继电器、电磁阀等以通断控制为主的应用;不适用于需要相位控制的调光、调速及调功场景。　　推荐型号：JOCSZ21B-D5P/S、JOCSZ31B-D5P/S;　　随机触发型光耦　　不集成过零检测功能，可根据输入控制信号在交流周期内的相应相位触发，从而支持可控硅相位控制，支持相位控制和调功，适用于风扇调速、可控硅调光、温控及工业调功等应用。　　推荐型号：JOCSR21B-D5P/S、JOCSR31B-D5P/S;　　触发条件　　选型时应确保光耦输出能够为后级可控硅提供足够的门极触发电流，并为可控硅的 IGT 预留合理裕量，并综合考虑输入电压、温度变化、可控硅参数离散及负载工况，保证可控硅可靠触发。推荐采用 RL 输出限流电阻 + RG 门极泄放电阻的双电阻设计：RL 用于限制门极驱动电流，RG 用于提高门极抗干扰能力，降低噪声及 dv/dt 引起的误触发风险;　　保护电路与可靠性　　针对不同负载特性选择合适的光耦及外围保护方案,感性负载如电机、水泵、电磁阀及线圈等，在可控硅关断过程中容易产生反向感应电压和较高的 dv/dt，建议增加 RC 吸收回路及压敏电阻 TNR，其中 RS/CS 构成 RC 吸收网络，用于限制可控硅两端电压变化率 dv/dt，抑制感性负载关断过程中产生的电压尖峰及振荡，降低误触发风险，提高系统可靠性;　　隔离耐压　　根据整机工作电压、安规等级、爬电距离及电气间隙等要求，选择合适的隔离耐压和封装规格。捷捷微电可提供 3750Vrms、5000Vrms 等不同隔离耐压规格，封装覆盖 DIP-5、SMD-5、SMD-7、SOP-4 等，可满足不同家电、工业控制及电源应用的隔离与安装需求;　　负载适配　　灯泡、加热器等阻性负载与电机、线圈、电磁阀等感性负载应区别选型。感性负载建议增加 RC 吸收回路及 TNR 压敏电阻，用于抑制关断瞬间产生的反向感应电压及浪涌，提升可控硅工作稳定性;对应上图原理图元器件为 TNR / RS / CS;　　器件象限兼容性　　在 220V AC 双向可控硅应用中，需要综合考虑可控硅的触发象限、IGT、IH 以及光耦输出触发能力。对于需要双向稳定导通的应用，应通过器件参数匹配和实际波形验证，确保正、负半周均能可靠触发;　　温度可靠性　　对于高低温及温度变化较大的应用，关注光耦及可控硅的温度特性，优先选择触发电流 IGT、维持电流 IH 随温度变化较小的器件，确保全温度范围内稳定触发和可靠关断。　　捷捷微电可控硅输出光耦主要分为过零检测型(ZC)和随机触发型(RP)两大产品线，隔离耐压最高可达 5000Vrms，断态电压覆盖 600V、800V 等规格，触发电流支持 3-15mA可选,器件工作温度范围-55-110°C。产品封装覆盖 DIP 直插、SMD 贴片等形式，可满足家电、照明、工业控制及电源等多种应用需求，全系列产品具备 UL / VDE / CQC 等安规认证。　　行业多数厂商仅单独量产光耦或可控硅，捷捷微电实现隔离驱动光耦 + 功率可控硅双向可控硅一站式国产配套：　　光耦 + 功率可控硅同 IDM 体系协同　　光耦与功率可控硅均来自捷捷微电产品体系，结合光耦输出触发能力、可控硅的 IGT/IH、dv/dt、di/dt 等关键参数进行选型匹配，减少不同品牌器件组合时的兼容性验证工作。　　自建光耦IDM产线，品质可靠保障　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。　　原厂技术支持，一站式解决电路问题　　依托原厂技术团队，可为客户提供标准应用电路、关键参数选型建议、实测波形分析、EMC问题排查及安规设计参考等技术支持，覆盖硬件设计、样品测试及认证整改等环节，缩短客户产品开发周期。　　全链路国产现货交付　　光耦、功率可控硅均为捷捷微电自主研发及生产，产品供应链自主可控，为客户提供稳定的国产化替代方案。　　可控硅光耦隔离驱动是交流控制的基础电路，捷捷微电依托晶闸管细分龙头优势，打造JOC系列、JOCSR系列可控硅光耦 + 全规格双向可控硅完整国产解决方案，覆盖过零检测与随机触发两大品类，电流档从0.3A到1.2A，封装涵盖DIP-5/6/7、SMD和SOP4。

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发布时间：2026-08-19 15:19 阅读量：290 继续阅读>>

帝奥微丨【模拟前端】DIO10904—国内首款大电流<span style='color:red'>硅</span>光AFE进入头部DSP厂商(Credo) 800G/1.6T参考设计

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帝奥微丨【模拟前端】DIO10904—国内首款大电流硅光AFE进入头部DSP厂商(Credo) 800G/1.6T参考设计

　　AFE是光模块中承担信号调理、放大与监测等关键功能的模拟芯片，直接影响模块的链路性能和功耗水平。在高速率传输中，它需要输出极低的噪声使得激光器输出的信号不受干扰，在400G/800G/1.6T等高速光模块中尤为重要，具有极高的技术和认证壁垒。同时内部集成的多路ADC对激光器的电流/电压、输入信号功率等做精准检测，确保整个光模块安全可靠的运行。　　作为高速光模块中的关键核心组件，AFE集成了多通道的电压/电流DAC和ADC，其设计优劣直接决定了模块的整体表现。DIO10904作为帝奥微旗舰级光模块AFE芯片，凭借其突破性的IDAC性能(支持400mA超大电流输出、120mV极低headroom)、卓越的低噪声特性、丰富的数字功能和高可靠性设计，为光通信市场带来了全新的选择，并作为国产首款大电流硅光AFE进入Credo 800G/1.6T参考设计!　　模拟前端(AFE)芯片应用框图　　1.支持400mA大电流输出　　DIO10904的IDAC支持可编程的0~200mA和0~400mA两种输出电流范围，400mA的超大电流输出能力使DIO10904能够轻松驱动各类高功率激光器，满足800G及以上高速光模块的严苛需求。同时，DIO10904在200mA输出时的headroom仅120mV，较行业常规300mV降低60%。这意味着：　　更低的功耗损耗：每通道节省约36mW功耗，有助于光模块整体能效提升　　更小的电源压降：支持更低的PVDD电压输入，降低系统电源设计难度　　具备更强的电流驱动能力：满足高功率激光器的严苛需求　　更优的热性能：降低芯片发热，提升系统可靠性　　2.卓越的低噪声性能与温度稳定性：　　基于内部高性能VREF　　DIO10904采用创新的低噪声带隙基准电路架构和优化的半导体工艺，实现了行业领先的噪声性能以及温度稳定性：　　VDAC输出噪声：40μVpp(0.1Hz-10Hz)，噪声密度400nV/√Hz@1kHz　　IDAC输出噪声：9.5μApp(0.1Hz-10Hz)，噪声密度34nA/√Hz@1kHz　　内部基准：2.5V输出，初始精度±0.2%，温度系数20ppm/°C　　3.丰富的数字功能：48槽位可编程序列器　　DIO10904内置强大的数字功能模块，为系统设计提供极大灵活性：　　48槽位可编程序列器：支持自定义ADC通道转换顺序和频率　　可编程阈值检测：每通道独立设置上下阈值，支持0-127 LSB迟滞配置　　多种报警功能：ADC超限、温度超限、电源故障等全方位监控　　灵活的接口：支持SPI(20MHz)和I2C(400kHz)双接口，自动检测协议　　4.高可靠性设计：优化散热与完善ESD保护　　DIO10904采用优化的封装和电路设计，确保在严苛环境下的稳定运行：　　工作温度：-40°C至+125°C，满足工业级应用需求　　超小封装：WLCSP(2.365mm×2.365mm)，比市场主流方案紧凑至少15%　　独立IDAC电源：每通道独立PVDD供电，优化功耗分布　　和国外主要竞品对比　　总结　　在硅光(Silicon Photonics)大规模发展之际，DIO10904的小尺寸封装和高集成度具有明显优势。硅光子芯片通常需要多通道光调制器控制，DIO10904集成多个通道VDAC和IDAC于一体，大大减少了硅光模块的芯片数量和PCB占用面积，是硅光子应用的理想之选。　　DIO10904凭借其卓越的性能和优化的功耗特性，能够有效支持400G/800G/1.6T光模块在数据中心内部互联中的应用，同时也适用于城域光通信网络中的高速光传输应用。　　未来，帝奥微将继续致力于为客户提供创新的模拟芯片解决方案，助力光通信产业的发展!

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发布时间：2026-07-28 09:26 阅读量：476 继续阅读>>

单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成<span style='color:red'>硅</span>光AFE，功耗性能双突破

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单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破

　　思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出TPAFEA003A/TPAFEA003B高精度硅光模拟前端AFE，专为800G/1.6T硅光模块设计。集成4通道12位电流输出DAC(IBIAS)、12通道12位电压输出DAC(Heater Bias)、12位500kSPS ADC及4通道12位通用DAC(GDAC)，提供高达500mA输出电流、±60mAheater驱动及多通道可配置监控。产品支持 I²C/SPI接口，工作温度-40°C至+125°C，以小型化WLCSP封装实现超高集成度，助力下一代光模块设计。　　01　　产品优势　　大电流激光偏置(IBIAS)　　4通道12位IDAC，支持可编程控制输出：　　TPAFEA003A：0-245mA/0-350mA两档输出，单通道支持70mW激光器满功率输出;　　TPAFEA003B：0-350mA/0-500mA两档输出，单通道支持100mW激光器满功率输出;　　超低headroom电压，可以显著降低器件功耗，提升光模块效率指标：　　0~245mA(100mV)/0~350mA(150mV);　　0~350mA(150mV)/0~500mA(200mV);　　超低工作电压，创新设计架构，支持IBIAS供电最低0.5V就可以工作，适配更低偏置电压的激光器产品时可显著降低系统功耗。　　多通道大电流 DAC　　12通道DAC分为2BANK(8+4)，BANK单独供电，可以实现，Heater DAC与VBIAS DAC分开供电，实现不同的电压配置范围，降低系统功耗。　　驱动电流支持Sink/Source均60mA，可以支持更多种类PIC的Heater驱动。　　丰富的Multi-IO通道　　TPAFEA003A配置最高21通道、TPAFEA003B配置最高29通道;芯片集成ADC、电流镜与多档位下拉电阻，单芯片即可全覆盖硅光光模块全场景光功率检测需求。产品最高可适配4路入光、8路出光、8路检测光及8路RSSI信号采集，且配套电路无需外接上下拉电阻。　　内部电流镜支持外部MPD共阴极共阳极检测，具备1:1和1:3两种电流增益。　　两通道MON口，支持外部ADC采样模式。　　超强兼容性　　A/B两个版本自身兼容, 按64引脚设计PCB可以实现一个PCB兼容TPAFEA003A与TPAFEA003B两种方案。　　以一敌二　　依托创新架构打破IBIAS电流驱动能力与Multi‑IO通道数量的固有瓶颈，单颗芯片即可覆盖传统硅光光模块方案中需搭载两颗及以上AFE芯片才能实现的设计需求。　　图1、TPAFEA003A/B Function Block　　02产品特性　　•IDAC：4CH，12位，DNL<±1LSB;　　•Heater DAC：12CH，12位<dnl±1lsb p="" ;　　•ADC性能：INL<±4LSB，转换时间2μs;　　•电源范围：VDD2.7-5.5V，VDRIVE2.5-5.5V，PVDD0.5-2.5V;　　•封装：WLCSP3.50×3.53mm(A版56-ball，B版64-ball);　　•工作温度：-40°C至+125°C;　　图2、TPAFEA003A/B Pin Map Compatibility　　03典型应用　　800G/1.6T硅光模块：激光器偏置(IBIAS)+调制器偏置(Heater Bias)+光功率监控(mPD+RSSI)。　　光收发器：多通道电流/电压控制与诊断。　　测试测量仪器：高精度多通道模拟输出与采集。　　TPAFEA003A/TPAFEA003B系产品可提供样品申请及评估板技术支持。如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。　　订购信息：

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发布时间：2026-06-23 10:03 阅读量：614 继续阅读>>

海凌科丨碳化<span style='color:red'>硅</span> VS 氮化镓：第三代半导体的“双雄对决”

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海凌科丨碳化硅 VS 氮化镓：第三代半导体的“双雄对决”

　　以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率，逐步取代传统硅器件，成为电源系统的“新引擎”。然而，两者虽同属宽禁带半导体，却在材料特性、应用场景和设计难点上各有千秋。更值得关注的是，随着器件性能的提升，设计的难度也在悄然转移——从系统层面，到开关瞬态，再到寄生与细节控制。本文将从四个角度为您科普这场“双雄对决”。　　一、材料特性　　碳化硅和氮化镓的禁带宽度分别是3.3eV和3.4eV，远高于硅的1.1eV，这让它们能承受更高的电压和温度。但在具体性能上，两者侧重点不同。　　碳化硅的“杀手锏”是热导率。 SiC的热导率高达4.9 W/cm·K，是GaN(1.3 W/cm·K)的近4倍，是硅的3倍以上。这意味着SiC器件天生散热能力强，可在高温环境稳定运行，尤其适合1200V以上的高压大功率场景。　　氮化镓的“王牌”是高电子迁移率。 GaN的电子迁移率高达2000 cm²/V·s，是SiC的两倍。这使得GaN器件开关速度极快，频率可达MHz级别，从而大幅缩小变压器、电感等磁性元件的体积，实现更高的功率密度。但它的热导率较低，高功率下需要更精心的散热设计。　　一句话总结：碳化硅是“大力士”，能扛得住高压高温;氮化镓是“短跑冠军”，跑得快、体积小。　　二、应用分野　　基于材料特性，两者的应用场景清晰地区分开来。　　碳化硅的主战场是高压大功率领域。在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、工业电机驱动等场景中，SiC器件凭借耐高压、耐高温的优势，正越来越多地取代传统硅方案。　　氮化镓则在中低压高频领域大显身手。消费类快充充电器是GaN最成熟的应用领域，其高频特性使充电器体积大幅缩小。GaN正向数据中心电源、车载充电器、AI服务器供电等场景渗透，助力实现更高的功率密度。　　可以看出，两者并非“你死我活”的竞争关系，而是在各自擅长的领域并行发展。　　三、设计难点　　从硅到碳化硅，再到氮化镓，器件越先进，设计难点也在“转移”。　　硅器件最成熟，难点在系统层面。硅MOSFET驱动简单、容错性高，设计时主要关注控制环路、热设计等系统问题。挑战在于“把系统做对”，而非压榨器件极限。　　碳化硅的难点转向“开关瞬态”与“保护”。 SiC开关速度快(dv/dt达10~50 V/ns)，易引发EMI和驱动扰动;短路耐受时间短，必须配备快速保护电路(如DESAT);高dv/dt还易导致米勒误导通，通常需要负压关断。　　氮化镓更加“挑剔”，难点集中在寄生与细节。 GaN驱动窗口窄(0~6V)，过压容忍度低;极高的di/dt使PCB布局中的回路电感直接影响开关行为——layout不再是优化，而是功能本身。高频快边沿也让EMI成为设计初期的核心约束。　　总结：硅难点在系统，碳化硅在瞬态与保护，氮化镓在寄生与细节。器件越先进，那些曾被忽略的“小问题”就越容易被放大。　　四、总结　　碳化硅和氮化镓并非谁取代谁的关系，而是共同构成了功率半导体的完整拼图。SiC正向更高耐压、更简拓扑演进;GaN则突破车规认证，向更高电压延伸。两者正在从“材料之争”走向“分工协同”——真正重要的是，根据产品定义选择最合适的器件，并理解其背后的设计逻辑。

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海凌科

发布时间：2026-04-28 10:02 阅读量：1009 继续阅读>>

群芯微丨可控<span style='color:red'>硅</span>光耦产品线介绍

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群芯微丨可控硅光耦产品线介绍

　　可控硅光耦产品线介绍　　可控硅光耦原理图和封装：　　可控硅光耦是一种高效、可靠的隔离驱动器件，专为在低压控制电路与高压交流负载之间建立安全连接而设计。它能够直接驱动外部大功率晶闸管，适用于对120V/240V/380V交流负载(单相/三相)进行控制，是替代复杂分立驱动方案的理想选择。可控硅光耦作为一种能够直接对交流电进行控制的电子元器件，在电路设计中可大幅简化结构、提高可靠性，广泛应用于家电、工业控制、照明调控等场景，是实现交流负载安全、低噪声、紧凑型控制的优选解决方案。　　可控硅光耦工作示意图：　　核心要点　　基本构成：由一个发光二极管(LED)和一个光控可控硅组成。　　根据触发相位控制方式，分为两大类型：　　过零相位触发型(过零可控硅)　　随机相位触发型(非过零可控硅)　　一、过零相位触发型　　核心特征：内置过零检测模块，只在交流电压过零点(电压为零时)触发导通。　　关键优势：　　抗干扰强：天然屏蔽了非过零期间的各种干扰信号。　　无冲击：导通瞬间电压和电流最低，能彻底避免浪涌电流对负载和电路本身的冲击。　　高可靠性：开关过程对负载友好，电气应力小。　　设计目的：实现稳定、无冲击、高可靠性的纯开关控制。　　典型应用：对稳定性、抗干扰性和负载保护要求高的通断控制场景(如固态继电器、设备电源开关等)。　　二、随机相位触发型　　核心特征：允许在交流电的任意相位(角度)触发导通。　　关键能力：通过控制触发相位(移相)，可以实现对输出电压的连续、精细调节。　　主要代价/挑战：　　易受干扰：非过零触发机制本身无干扰屏蔽。　　存在冲击：在非零点导通时会产生较大的瞬时电压/电流冲击(浪涌)。　　设计复杂：必须额外设计电路来妥善处理干扰和导通冲击问题。　　设计目的：实现高精度、连续可调的功率控制。　　典型应用：需要平滑调节的调光、调速、调温、调功率等场景。　　核心区别与并存意义：　　本质区别：两者的核心区别源于其不同的设计目的与应用需求。　　优化路径：　　过零型优化了 “无冲击、高可靠性的开关” 路径。　　非过零型优化了 “高精度、连续可调的功率控制” 路径。　　工程师选择：两者并存，为工程师在解决不同问题时提供了两种侧重点不同的技术优化路径。　　共性优势与应用领域　　共同工作特性：两种类型的可控硅光耦，均在交流电的电压过零点时自然关断(截止)。　　核心设计优势：此特性结合各自的触发方式，共同实现了安全与高效的功率控制。　　应用领域：　　家用电器：如洗衣机(电机控制)、风扇(调速)、电热设备(温控)等。　　工业控制：用于电机驱动、电源控制、设备开关等。　　照明系统：特别是需要调光功能的场景。　　提供的解决方案价值：为客户提供了灵活(不同类型满足不同需求)、稳定(过零关断降低风险)、低噪声(减少电磁干扰和电流冲击)的功率控制解决方案。　　26Q1可控硅光耦产品型号总览图：　　群芯微可控硅光耦产品线提供全面、可靠的交流负载驱动解决方案，为您的设计保驾护航。群芯微的产品线全面覆盖从250V至800V的断态电压等级，以满足从消费级到工业级设备的不同耐压需求。同时，全系列明确区分为过零型(ZC)与非过零型(NZC)，分别致力于实现超低EMI的安静开关与精准的相位控制，精准匹配从家电控制到调光调速等多元化场景。　　重要封装介绍　　群芯微的DIP5、DIP5-M、SMD5采用内缩式结构设计，可将基板完全收纳入封装内部进行彻底保护，从而从物理根源上隔绝环境干扰。这一设计与市场上常见的仅在外部切断Pin 5的简易方案有着本质区别，能为您的系统提供更可靠、更稳定的抗干扰保障。

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群芯微

发布时间：2026-01-30 10:21 阅读量：1691 继续阅读>>

英飞凌新品 | 碳化<span style='color:red'>硅</span>SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

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英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

　　英飞凌推出新品：碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板　　EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC™器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99% 的效率与170W/in³的超高功率密度。　　产品型号：　　■ EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC2　　框图　　　　产品特性　　半载(50%负载)效率达98.95%　　满载(100%负载)效率达98.48%　　谐振频率为200 kHz　　采用三相交错并联LLC拓扑　　应用价值　　采用TOLT封装的高性能CoolSiC™ 650V器件　　顶部散热设计　　超高效率与功率密度　　数字化控制　　应用领域　　电信基础设施用DC-DC电源转换　　功率变换　　服务器电源供应单元

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英飞凌

发布时间：2026-01-27 10:15 阅读量：1315 继续阅读>>

以小搏大，以<span style='color:red'>硅</span>基成本享碳化<span style='color:red'>硅</span>性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。

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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：1426 继续阅读>>

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森国科创新推出PDFN8 * 8结合Cu-Clip封装碳化硅二极管，实现高功率密度新突破

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发布时间：2026-01-20 17:20 阅读量：1180 继续阅读>>

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森国科突破性推出SOD123封装1200V/1A碳化硅二极管

　　深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管，这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。　　在功率半导体领域，电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中，攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米，却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中，森国科通过优化电场分布和电流路径，在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面，森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性，确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。　　森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。　　森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管，向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来，随着碳化硅技术在各个领域的渗透，森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额，成为全球领先的功率半导体公司。

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发布时间：2026-01-20 11:44 阅读量：1084 继续阅读>>

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RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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