单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破

Release time：2026-06-23
author：AMEYA360
source：思瑞浦
reading：171

　　思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出TPAFEA003A/TPAFEA003B高精度硅光模拟前端AFE，专为800G/1.6T硅光模块设计。集成4通道12位电流输出DAC(IBIAS)、12通道12位电压输出DAC(Heater Bias)、12位500kSPS ADC及4通道12位通用DAC(GDAC)，提供高达500mA输出电流、±60mAheater驱动及多通道可配置监控。产品支持 I²C/SPI接口，工作温度-40°C至+125°C，以小型化WLCSP封装实现超高集成度，助力下一代光模块设计。

　　01

　　产品优势

　　大电流激光偏置(IBIAS)

　　4通道12位IDAC，支持可编程控制输出：

　　TPAFEA003A：0-245mA/0-350mA两档输出，单通道支持70mW激光器满功率输出;

　　TPAFEA003B：0-350mA/0-500mA两档输出，单通道支持100mW激光器满功率输出;

　　超低headroom电压，可以显著降低器件功耗，提升光模块效率指标：

　　0~245mA(100mV)/0~350mA(150mV);

　　0~350mA(150mV)/0~500mA(200mV);

　　超低工作电压，创新设计架构，支持IBIAS供电最低0.5V就可以工作，适配更低偏置电压的激光器产品时可显著降低系统功耗。

　　多通道大电流 DAC

　　12通道DAC分为2BANK(8+4)，BANK单独供电，可以实现，Heater DAC与VBIAS DAC分开供电，实现不同的电压配置范围，降低系统功耗。

　　驱动电流支持Sink/Source均60mA，可以支持更多种类PIC的Heater驱动。

　　丰富的Multi-IO通道

　　TPAFEA003A配置最高21通道、TPAFEA003B配置最高29通道;芯片集成ADC、电流镜与多档位下拉电阻，单芯片即可全覆盖硅光光模块全场景光功率检测需求。产品最高可适配4路入光、8路出光、8路检测光及8路RSSI信号采集，且配套电路无需外接上下拉电阻。

　　内部电流镜支持外部MPD共阴极共阳极检测，具备1:1和1:3两种电流增益。

　　两通道MON口，支持外部ADC采样模式。

　　超强兼容性

　　A/B两个版本自身兼容, 按64引脚设计PCB可以实现一个PCB兼容TPAFEA003A与TPAFEA003B两种方案。

　　以一敌二

　　依托创新架构打破IBIAS电流驱动能力与Multi‑IO通道数量的固有瓶颈，单颗芯片即可覆盖传统硅光光模块方案中需搭载两颗及以上AFE芯片才能实现的设计需求。

单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破

　　图1、TPAFEA003A/B Function Block

　　02产品特性

　　•IDAC：4CH，12位，DNL<±1LSB;

　　•Heater DAC：12CH，12位<dnl±1lsb p="" ;

　　•ADC性能：INL<±4LSB，转换时间2μs;

　　•电源范围：VDD2.7-5.5V，VDRIVE2.5-5.5V，PVDD0.5-2.5V;

　　•封装：WLCSP3.50×3.53mm(A版56-ball，B版64-ball);

　　•工作温度：-40°C至+125°C;

单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破

　　图2、TPAFEA003A/B Pin Map Compatibility

　　03典型应用

　　800G/1.6T硅光模块：激光器偏置(IBIAS)+调制器偏置(Heater Bias)+光功率监控(mPD+RSSI)。

　　光收发器：多通道电流/电压控制与诊断。

　　测试测量仪器：高精度多通道模拟输出与采集。

　　TPAFEA003A/TPAFEA003B系产品可提供样品申请及评估板技术支持。如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。

　　订购信息：

单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破

单颗顶两颗! 思瑞浦TPAFEA003A/B超高集成硅光AFE，功耗性能双突破


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搞定车载激光雷达VCSEL驱动！思瑞浦发布高压大电流高速驱动技术白皮书
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搞定车载激光雷达VCSEL驱动！思瑞浦发布高压大电流高速驱动技术白皮书

　　激光雷达需在纳秒量级内向VCSEL注入数十安培的精准电流，既要保证探测距离，又不能在任何情况下灼伤人眼——难点大多集中在发射端这颗驱动芯片上。本文从电压预算、驱动架构、人眼安全到选型，拆解它为何需要60V–80V耐压、20A–50A峰值、ns级边沿。　　图1 车载LiDAR扫描架构分类与演进——机械式/半固态/纯固态，趋势向纯固态电子扫描收敛　　车载LiDAR正转向纯固态2-D可寻址VCSEL阵列，对发射端多通道集成要求更高。dToF测回波飞行时间，发射驱动须在精确时刻注入高峰值、窄脉宽、快边沿脉冲。　　图2 LiDAR系统框图——涵盖发射Tx、接收Rx、电源转换、系统监控与接口，其中蓝色为3PEAK产品覆盖范围　　一、为什么发射驱动需要60V–80V?　　图3　dToF测距信号链——TX发射、目标回波、RX接收到信号处理　　核心约束可用一个公式概括：电流变化越快，回路寄生电感产生的感性压降越大——每nH电感都按V=L·di/dt占去一截电压裕量，同时拖慢脉冲边沿。而边沿每增加1ns，测距误差约增大15cm，约一本书的宽度。　　驱动电压预算：六结、20A、1ns上升时间基线　　各项压降逐一叠加(见上表)，六结即达四十余伏;随多结VCSEL向八结、十结演进、电流加大，电压预算很快逼近80V。约束由此明确：高电压、低电感、快开关。　　二、几十安培，怎么一瞬间放出来?　　图4 2-D Flash LiDAR TX 驱动系统架构——Boost升压、TPM8909Q高边充电、TPM8918Q低边脉冲与VCSEL阵列　　采用“高边充电加低边脉冲”架构，其原理类似相机闪光灯：由高边电路预先将能量储入本地电容，再由低边开关在发射瞬间释放，从而把慢速充电与快速脉冲解耦，停止充电即切断能量源。整条链路含四个模块：Boost升压、高边充电IC、储能电容阵列、低边脉冲IC(见上图)。　　充电拓扑与封装　　充电拓扑有恒流与谐振两种方式：恒流方案电路成熟、时序确定、EMC表现好;谐振方案借LC谐振转移能量、效率更高，适合大电容、高帧率，代价是电路更复杂。封装则在物理上决定回路寄生电感——集成度越高、键合线越少，寄生越小，而在大电流、快边沿下寄生会直接抬高关断过冲，故低寄生封装对高压快脉冲尤为关键。　　2-D 阵列驱动　　阵列驱动是2-D固态路线的核心。传统1-D线阵加机械扫描存在三处短板：任意时刻只有一列发光、光子利用率低，热耗集中在同一组发射器、限制峰值功率，外加扫描光学的损耗与可靠性风险。2-D可寻址 VCSEL面阵改以电子方式逐区点亮，把光能集中到目标区域，单个发射器每帧只承担一小部分脉冲、热负载下降，并省去运动光学。　　由此带来的一项关键能力是高反膨胀抑制：车牌、路牌等强反射目标的回波会使接收端饱和、向邻近像素溢出，模糊甚至淹没周边目标，而 2-D逐区可寻址可对这些已知高反区域单独调低驱动电流或发射器数量，从发射端做区域级功率控制、从源头抑制，又不牺牲其它区域的探测能力。　　实现上有两处关键设计：行列寻址让阵列按“行+列”寻址、控制线数大幅减少，多颗芯片级联即可覆盖整片阵列;双寄存器组的乒乓机制在当前行发光期间预写下一行参数、切换即时生效，几乎不占用时序。系统再以大小波交替兼顾远近——远距用大波保证回波信噪比，近距用小波避免接收端饱和。　　关得太快，会出什么问题?　　图5 TPM8915Q实测光脉冲——脉宽约 6.1ns、上升 / 下降约 1.8ns，关断后可见振铃引起的二次发光　　关断越快脉宽越窄，但回路电感对负向di/dt同样按V=L·di/dt，带来两类风险。一是二次发光：振铃让VCSEL再次正偏，主脉冲后冒出小光脉冲、形成虚假回波，即上图衰减振铃。　　图6 TPM8915Q关断电压振铃实测——约56.5A、回路寄生约3nH下节点对地过冲约110V　　二是过电压：回路电感像急刹车时的惯性一样抗拒电流骤变——电流被快速切断时，它为维持电流而在两端激起反向电压尖峰，实测可达约110V，既冲击器件耐压、又反偏VCSEL。对策是降低回路寄生、将过冲控制在80V以内，并辅以可编程斜率与续流钳位。　　三、芯片坏了，会闪伤眼睛吗?　　图7 正常脉冲模式与低边短路故障模式的对比——后者脉冲退化为连续发光　　VCSEL的单脉冲能量本就超出IEC 60825-1 Class1的MPE一到两个数量级，正常工作全靠不到0.1%的占空比，把平均功率压在安全线内。风险在于故障：一旦低边开关短路，激光便从脉冲退化为连续发光(CW)，占空比跳至100%、平均功率约等于峰值功率，相对安全平均限值可超标上千倍。因此标准要求：任何单一故障下都不得超过 MPE，并达到车规功能安全ASIL B以上。　　人眼安全先从识别链路失效模式及其危害入手：　　双芯片架构在此提供了一道独立兜底：即便低边IC彻底失效，高边仍能停止充电并主动放电，待储能电容能量耗尽后激光自然熄灭——这是将全部功能集成于单颗芯片的纯低边方案难以具备的。　　四、按场景怎么选?　　图8 TPM8915Q 集成功率级驱动系统——WLCSP封装内集成 80V/50A功率级，封装寄生小于0.1nH　　Flash固态多通道：高边加低边　　高边充电IC TPM8909Q与TPM8909AQ给16通道80V储能与 CVD/RVD诊断，低边脉冲IC TPM8918Q与TPM8918BQ给8通道 20A脉冲，级联覆盖2-D阵列。　　扫描式/MEMS：GaN驱动　　外挂第三方GaN FET配GaN驱动IC：车规TPM1025Q、TPM2025Q，工规TPM1020、TPM1025、TPM2025，用于单或少通道EEL、1-D VCSEL。　　单通道高性能：集成功率级　　TPM8915Q在WLCSP 3.35×1.65mm内集成80V/50A功率级，封装寄生<0.1nH，脉宽可窄至1ns。　　全系列覆盖高边充电、低边脉冲、GaN驱动到集成功率级，均有车规与工规版。低成本是规模标配门槛：集成方案把BOM从50+压到20–30颗，下一代充电IC向24通道以上、更高电流、SPI取代并行接口。
2026-06-12 09:26 reading：467
思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点
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思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。
2026-06-09 09:50 reading：404
思瑞浦 AI 数据中心全套模拟芯片解决方案，筑牢智算时代核心底座
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思瑞浦 AI 数据中心全套模拟芯片解决方案，筑牢智算时代核心底座

　　在全球AI大模型与智算产业爆发式增长的浪潮下，AI数据中心已成为驱动数字经济高质量增长的核心基础设施。根据IDC、Gartner等权威机构综合数据显示，2023-2025年全球AI服务器出货量年复合增长率(CAGR)超40%，AI数据中心总算力需求年复合增长率超50%，预计2025-2030年，全球智算相关基础设施仍将保持30%以上的高位增长态势，算力需求的持续爆发为底层模拟芯片带来广阔市场空间。　　思瑞浦依托在高性能模拟芯片领域的深厚技术积累与全品类产品布局，为AI数据中心打造覆盖算力核心单元、数据中心电源系统、AIDC备电BMS系统的全套模拟芯片解决方案。目前，思瑞浦已服务国内外主流AI服务器、电源模块、储能备电等领域头部客户超百家，在AI与数据中心领域实现营收高速增长，正成为智算时代国产模拟芯片的核心供应力量。　　AI数据中心是集算力、供电、安全防护于一体的复杂系统，其运行效率、稳定性与安全性直接决定智算服务的质量与连续性，是数字基础设施高效运转的关键，而模拟芯片则是保障各环节平稳运行的“隐形基石”。　　数据中心核心组成示意图　　算力核心单元　　全栈方案，护航算力引擎高效稳定运行　　算力核心单元是AI数据中心的 “算力引擎”，涵盖 CPU/GPU/AI加速芯片集群、显存配套、板级信号处理与供电网络，核心职责是最大化释放算力效率。此场景对模拟芯片提出极为严苛要求：超高精度供电监测、纳秒级信号响应、极低噪声干扰、以及7×24小时满负荷运行的长期稳定性。即便毫伏级供电波动，也可能导致算力芯片降频、运算异常乃至系统宕机。　　AI服务器主板功能框图　　检测与保护是服务器主板稳定运行的重要保障。思瑞浦AFE、ADC、CSA、比较器和温度传感器已在服务器行业深耕多年，应用场景成熟。针对AI服务器48V/54V高压电源输入，特别推出支持高共模电压工作电压范围的功率检测AFE产品和CSA电流检测运放产品，适配高压供电场景的需求，为服务器稳定运行筑牢第一道防线。　　TPA626　　TPA626集成16bit ADC，支持0V~36V宽共模电压范围和-81.9175mV~+81.92mV差分电压输入范围，支持I2C/SMBus接口，可以实时监测电流、电压和功率，保障服务器电源稳定性。　　TPA6271　　TPA6271集成16bit ADC，支持0V~102.4V宽压输入，最大±10μV失调电压，温漂0.025μV/℃，专为高精度电流检测优化，是专门针对AI服务器48V/54V高压输入电源高共模电压功率检测方案。　　TPA183Ax　　TPA183Ax是高精度零漂移CSA电流检测运放，支持2.7V~30V宽共模电压范围，失调电压低至55uV，同时提供了4 种固定增益可选：25V/V、50V/V、100V/V 及200 V/V，可以精准的检测电源总线中的电流值。　　TPA132Ax　　TPA132Ax是高共模电压CSA电流检测运放产品，支持-4V至80V超宽共模电压范围，支持1MHz高带宽，同时集成了增强PWM抑制能力，完美适用于AI服务器48V/54V高压输入场景下的精准电流检测。　　电源管理是推动服务器高效运转的动力源，要满足主板多轨差异化供电需求。思瑞浦推出了POL、LDO、电子保险丝、电源时序管理和电源监控等产品，为服务器主板提供高效、稳定的供电方案，助力算力引擎持续输出。　　TPP21206　　TPP21206采用自主研发的定频ACOT控制结构，在保留传统COT控制优势的基础之上，实现不同输入电压(Vin)、输出电压(Vout)和负载条件下的工作频率锁定。充分测试不同占空比和全负载条件，实测不同工况的频率都很稳定，解决COT结构工作频率不稳定的痛点，对瞬态响应和输出纹波有极大的改善。　　接口芯片是服务器内部设备互联的“通信桥梁”。思瑞浦已构建完整I2C/I3C接口芯片解决方案，全面覆盖IO扩展、多主机仲裁、多路信号切换、热插拔、电平转换与信号中继等全功能场景，打通设备互联壁垒。　　TPT29606　　TPT29606是思瑞浦面向I3C应用推出的电平转换芯片TPT29606，可以传输开漏(Open-Drain)信号和推挽(Push-Pull)信号，兼容I2C和SPI等应用场景，支持最低0.72V供电电压，最高26Mbps的传输速率，广泛应用于服务器、路由器、存储、PC等领域。　　信号处理芯片可实现多路信号切换、长距离信号驱动、电平转换及逻辑功能组合。思瑞浦已完整布局逻辑产品矩阵，覆盖AHC、LVC、AUP、AVC等多系列，提供2-8位固定方向与自动方向电平转换器，全面适配服务器各类信号处理需求，确保信号传输精准、高效、无失真。　　思瑞浦算力核心单元产品方案　　数据中心电源系统　　全链发力，赋能电源系统　　高效节能、稳定可靠　　数据中心电源系统作为AI数据中心的 “能量大动脉”，覆盖PSU电源模块、BBU电池备份单元、SST固态变压器三大核心场景，贯穿中压-低压电能变换、PF功率因数校正、隔离型双向DC/DC变换、直流母线稳压、冗余保护全链路。当前AIDC单台服务器功耗突破10kW、800V高压架构加速普及，电源系统对模拟芯片提出更高要求：高频高效功率变换、纳秒级瞬态响应、强抗扰隔离驱动、低EMI电磁兼容设计、冗余供电高可靠性，同时需满足严苛能效标准与10年以上长寿命运行要求。　　PSU Power Module功能框图　　在栅极驱动产品领域，思瑞浦推出了大电流、低延时低边驱动和符合安规需求的隔离驱动产品方案，帮助客户持续优化供电“动力系统”，在保障AIDC供电设备高可靠性的同时，有效提升系统运行效率，实现能源高效利用。　　TPM5355　　TPM5355是增强型隔离驱动产品，具有±150-kV/μs CMTI能力，并针对半桥串扰与直通问题，集成米勒钳位功能，显著增强半桥结构的稳定性，为MOSFET、SiCFET和IGBT等功率器件提供了稳定可靠的驱动解决方案。　　思瑞浦电源类(DCDC/LDO/电压基准)产品为AIDC供电设备数控IC提供高精度、高稳定的供电支持，确保系统长期稳定运行;同时提供多种小封装产品选型，适配高密度集成设计需求，帮助客户实现设备小型化、轻量化升级。　　TPP36308x和TPP36208x　　TPP36308x和TPP36208x分别是36V/3A和36V/2A的同步整流型Buck产品系列，采用了低导通电阻的MOSFET管代替了二极管，有效降低损耗并提高效率。产品系列共包括四种版本：分别对应开关频率为500kHz和2.2MHz，Current Mode为Pulse-Skip和Forced-PWM。　　思瑞浦丰富的接口产品组合，可助力AIDC供电设备实现高速、无损、低延时通信，保障PSU、BBU、SST等多模块协同高效运转，提升整个电源系统的响应效率。　　TPT1255和TPT1256　　TPT1255和TPT1256是加强型工业级5V CAN收发器，5Mbps CAN FD,具备高共模、高耐压、高ESD防护等级的特性，4.5V-5.5V VCC输入电压范围，支持3.3V~5V VIO，满足多种工业和通讯应用场景。　　TPT76XX系列　　TPT76XX系列数字隔离器可提供高达5000VRMS的电气隔离强度，有效防止高压串扰，保护低压侧设备和人员安全。产品同时具有200kV/µs高共模抑制比，可显著提升工业、新能源及汽车等高压系统的可靠性和安全性。　　思瑞浦深度贴合客户实际应用需求，坚持差异化技术路线，持续优化AIDC供电系统方案。思瑞浦有源滤波芯片TPAEF004x系列可高效改善系统电磁干扰EMI问题，在减小共模电感体积的同时，进一步降低整机成本，帮助客户实现性能与成本双重优化。　　思瑞浦数据中心电源系统产品方案　　AIDC备电与BMS系统　　高性能方案，筑牢智算安全续航防线　　AIDC备电与BMS系统是AI数据中心的 “安全续航底座”，由锂电池组、电池管理系统(BMS)、储能变流器(PCS)构成，可实时监控电芯全生命周期状态，在电网异常时实现毫秒级不间断供电，保障核心算力业务连续不中断，是数据中心安全运行的最后一道关键防线。随着800V高压直流架构的广泛应用，行业对BMS的电压精度、毫秒级响应速度以及绝缘安全提出更高要求，直接驱动高性能BMS方案的需求爆发。　　AIDC备电与BMS系统框图　　思瑞浦AIDC备电与BMS系统产品方案　　全栈模拟芯力量，夯实智算新基石　　AI数据中心的算力竞赛，本质上是底层核心器件的性能与可靠性的终极比拼。思瑞浦在运算放大器、基准电压、ADC、BMS AFE、隔离器、接口芯片、电源管理以及栅极驱动等领域实现全品类深度布局，为AI数据中心打造覆盖从信号感知、处理、传输到功率驱动的一站式高性能模拟芯片解决方案，全方位支撑智算产业发展。　　从算力核心的精密供电监测，到作为能量大动脉的PSU、SST高效电能转换，再到备电系统的全生命周期安全保障，思瑞浦以持续技术创新，为智算时代夯实底层硬件基石。凭借3200+款全链路产品矩阵、严苛质量标准、自主可控的测试体系与供应链优势，思瑞浦正全力迈向AI与数据中心领域全球领先的核心模拟芯片供应商，为数字经济与智算产业的高速发展持续注入核心动力。
2026-05-21 10:16 reading：588
思瑞浦丨解锁多麦克风阵列新方案！思瑞浦8通道PDM至I2S/TDM转换器TPDA7008，全新赋能高端拾音设备
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思瑞浦丨解锁多麦克风阵列新方案！思瑞浦8通道PDM至I2S/TDM转换器TPDA7008，全新赋能高端拾音设备

　　思瑞浦作为行业领先的汽车及工业接口供应商，在音频传输芯片ASN的成熟应用方案基础上，全新推出8通道PDM至I2S/TDM转换器芯片TPDA7008，可用于多麦克风阵列和高质量音频采集系统设计中，既完善了ASN芯片在教育、会议等场景的应用能力，也可独立适用于专业录音设备、平板、耳机等消费类电子产品。TPDA7008具备低功耗、高信噪比及灵活的接口配置能力。同时TPDA7008采用全国产供应链，兼具成本优势与稳定供货能力，全面保障供应链安全。　　多通道拾音　　提升核心体验　　随着人们对录音设备使用的频次增多，使用场景日趋复杂，对声音质量更加敏感。单麦或少量麦方案已无法满足高性能收音要求。多麦阵列拾音应用于多通道数据采集的系统方案中，并非单纯放大音量，而是从根源上改善拾取的语音质量，为智能语音提供稳定可靠的高品质音频支撑。　　多麦阵列系统优势　　降噪与抗干扰能力强：多麦同时拾音，将数据交予算法处理，可区分人声和噪音，并可做到对噪声的精准抑制。　　指向性强：可以定向拾音，只收取某个区域的声音。　　抑制回声与混响：多通道可精准定位音源，区分直达声与反射声。　　提升语音识别效果：多通道数据信噪比更高，远场拾音清晰且稳定。　　空间感强：多通道可输出立体/环绕声，录音声音更自然、有层次。　　当下，智能语音、远场拾音和沉浸式音频体验加速普及，系统级多通道拾音的重要性持续凸显，所以对于如何进行多通道采集与传输提出更高标准与严苛要求。　　思瑞浦推出的PDM至I2S/TDM转换器TPDA7008，专为处理来自多个数字麦克风的PDM数据而设计，可高效将其转换成标准音频PCM数据，使得整个系统的音频采集前端变得更加便捷，无需占用大量处理器I/O资源，助力客户快速搭建轻量化、高性能的多通道音频采集系统。　　产品特性与优势　　高信噪比：A加权信噪比高达126dB，适合高保真录音和远场语音识别　　高分别率：支持24bit数据采样，可充分还原音频细节，兼容高声压级数字麦克风　　宽采样率：输出采样率支持4kHz到192kHz，覆盖语音通信到Hi-Fi音频全场景需求　　低功耗设计：8通道全开、48 kHz采样率下的工作电流仅为 2.5 mA(1.8V供电时),关断电流低于 5 μA　　接口灵活配置：支持 I2S 和 TDM(最高 TDM-16)输出格式，可无缝对接主流 DSP 和微控制器　　双模式控制：支持 I2C 软件配置模式和 硬件引脚 控制模式　　时钟自动管理：移除位时钟(BCLK)时能自动进入掉电状态，进一步节省功耗　　ESD：7kV，卓越性能有效提升了产品的可靠性和使用寿命　　工作温度：-40℃~85℃　　封装形式：0.50 mm Pitch QFN16-3mmx3mm，与行业主流方案可P2P替换　　卓越客观指标　　保证系统音频录音质量　　在音频设备开发中，客观指标(如FFT、群延迟、THD+N 等)是评估整个音频系统性能的重要手段，可通过量化、可重复的测量，为音频设备的设计、调试和优化提供科学依据。在TPDA7008的设计中，同样参照这些客观指标的行业标准，进行了大量的优化设计，使得各项指标处于较高水准(具体测试指标可以参考下列图片)，降低了后续开发成本与风险，大幅提升了产品的市场竞争力。　　轻松构建音频采集前端　　释放处理器I/O资源　　当前主流SOC/DSP，仅配备1或2个PDM输入，但在诸多应用场景中，通常需要支持4个甚至8个麦克风输入，导致部分功能应用无法实现，即使可实现，也会大量占用处理器I/O资源，增加设计负担。　　而使用思瑞浦TPDA7008，可轻松满足多麦克风需求，有效节省DSP/SOC数据和时钟引脚资源。而且使用2片TPDA7008，可以支持到16个PDM麦克风输入，同时仅使用TDM16模式的一条数据通道。从整体设计上来看，TPDA7008负责采集多麦克风数据后，转换成PCM数据，通过TDM接口输出，大幅降低SOC/DSP开发难度与成本。　　联合ASN　　拓宽多元应用边界　　ASN系列是由思瑞浦自主研发的全国产音频数据传输接口芯片，主要产品涵盖TPDA1000、TPDA1001、TPDA1008、TPDA1009、TPDA1033、TPDA1100、TPDA1101等多款型号，目前已广泛适用于车载、会议及教育系统等领域。该芯片可实现多麦克风数据的精准相位对齐，搭配超低延迟特性，与TPDA7008高效联合使用，可满足多通道数据采集与传输的核心需求，为拾音系统设计提供整体解决方案。　　TPDA7008作为连接数字麦克风与数字音频处理器的桥梁，为下一代智能音频设备提供了强大的硬件基石，产品集高性能、低功耗、小尺寸等特性于一体，是多麦克风收音设备的理想选择。未来，思瑞浦将持续推进TPDA7008在智能音箱、手机、平板、耳机等消费类产品的规模化落地。同时继续深耕音频接口领域，持续产品与技术创新，推出更多高性能、高竞争力的音频器件，赋能行业智能化升级，助力音频产业高质量发展。
2026-05-12 09:50 reading：708
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