深圳市森国科科技股份有限公司将原本用于硅基器件的小型封装SOD123成功应用于1200V/1A碳化硅二极管,这一突破彰显了其在碳化硅器件设计领域的领先实力。
在功率半导体领域,电压等级与器件尺寸通常呈正相关。传统硅基高压器件往往需要大型封装来满足散热和电气绝缘需求。森国科成功将1200V/1A碳化硅二极管集成到SOD123封装中,攻克了这一技术难题。SOD123封装的面积不到1平方毫米,却成功容纳了1200V耐压的碳化硅二极管芯片。这要求森国科在器件结构设计、材料选择和工艺实现上具备超强能力。在SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管中,森国科通过优化电场分布和电流路径,在极小空间内实现了高耐压和低漏电的平衡。封装工艺方面,森国科克服了小尺寸封装下的散热挑战装材料的匹配性,确保器件在高负载下仍能保持稳定工作。
森国科这款迷你型高压碳化硅二极管为众多应用场景带来新的可能。在高频ACF电路、小功率适配器、驱动部分自举电路和高频DC/DC电路等应用场合器件的小尺寸尤为宝贵。


森国科凭借这款SOD123封装的1200V/1A碳化硅二极管,向业界展示了其在碳化硅器件设计领域的深厚功底。未来,随着碳化硅技术在各个领域的渗透,森国科有望凭借其技术优势赢得更大市场份额,成为全球领先的功率半导体公司。
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| model | brand | To snap up |
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| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
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