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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷<span style='color:red'>电容器</span>商品化

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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格

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太阳诱电

发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：312 继续阅读>>

村田产品推荐 | 植入式医疗设备专用<span style='color:red'>电容器</span>

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村田产品推荐 | 植入式医疗设备专用电容器

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村田

发布时间：2025-12-04 16:00 阅读量：329 继续阅读>>

钽<span style='color:red'>电容器</span>的性能、极性、故障原因和应用注意事项

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钽电容器的性能、极性、故障原因和应用注意事项

　　钽电容器作为一种重要的电子元件，具有高电容密度、低ESR(等效串联电阻)、优异的频率特性等优点，钽电容器被广泛应用于各种电子设备和系统中。然而，由于其特殊的工作原理和结构特点，钽电容器在使用过程中也存在一些需要注意的性能、极性、故障原因和应用事项。本文将探讨钽电容器的性能、极性、故障原因和应用注意事项。　　01钽电容器的性能特点　　1.1 高电容密度　　钽电容器相较于其它电容器种类，具有更高的电容密度，可以提供更大的电容值在相对较小的体积内，适合在有限空间内实现高性能电路设计。　　1.2 低ESR　　由于钽电容器的等效串联电阻(ESR)较低，能够更有效地抑制电路中的高频噪声，并提供快速响应的能力，适用于对高频信号有要求的应用场景。　　02钽电容器的极性　　2.1 极性标识　　钽电容器通常具有极性，正负极需正确连接，一般通过标记“+”和“-”来区分。误接反极性会导致电容器损坏或甚至爆炸，因此在安装时务必注意正确的极性连接。　　2.2 极性保护　　一些钽电容器设计中具有极性保护功能，能够在极性错误连接时自动断开电路，避免对电路和设备造成损坏，提高了安全性和稳定性。　　03 钽电容器的故障原因　　3.1 过电压　　钽电容器在长时间或瞬时遭受过高电压时，可能会导致内部氧化物层损坏，导致电容器失效。　　3.2 温度过高　　高温环境下，钽电容器的性能可能会受到影响，过高的温度会降低电容器的工作寿命和稳定性。　　04钽电容器的应用注意事项　　4.1 工作温度范围　　在选择钽电容器时，需要注意其工作温度范围，确保电容器能够在所需的温度条件下正常工作，避免温度过高引起性能下降或故障。　　4.2 电压等级　　根据具体应用需求选择适当的电压等级的钽电容器，避免过高电压引起电容器故障或危险。　　05钽电容器的优缺点　　优点：　　高电容密度：钽电容器相比其他类型的电容器具有更高的电容密度，能够实现更大的电容值在相对较小的体积内。　　低ESR(等效串联电阻)：钽电容器的ESR较低，能够有效地抑制电路中的高频噪声，提供快速响应的能力，适用于对高频信号要求较高的应用场景。　　良好的高频特性：钽电容器在高频下表现出色，适合用于需要稳定性能和高频响应的电路设计。　　缺点：　　相对较高的成本：相比一些普通的电容器类型，钽电容器通常价格较高，这可能会增加电路设计和生产成本。　　极性敏感，易受损：钽电容器具有极性，连接时需注意正确的极性。错误连接极性可能导致电容器受损或甚至爆炸，因此在安装和使用过程中需要格外注意。　　温度敏感：高温环境下，钽电容器的性能可能会受到影响，过高的温度会降低电容器的工作寿命和稳定性，因此需要合理控制使用环境的温度。　　06钽电容器的维护与使用建议　　6.1 定期检查　　定期检查钽电容器的外观是否有损坏、漏液等现象，确保其正常工作状态。同时，注意观察温度变化和电压波动对电容器的影响。　　6.2 使用建议　　避免过载：避免将钽电容器用于超出其额定电压或电流的应用场合，以免造成损坏。　　避免震动：震动会影响电容器内部结构，导致性能下降或故障，因此需避免在振动环境下使用。　　适当降温：在高温环境下，应采取有效措施降低温度，以确保钽电容器的正常工作。

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钽电容器

发布时间：2025-11-24 17:42 阅读量：343 继续阅读>>

<span style='color:red'>电容器</span>组的作用和运行注意事项

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电容器组的作用和运行注意事项

　　电容器组是一种重要的电力设备，常用于改善电力系统的功率因数、提高电压质量以及调节电网稳定性。本文将探讨电容器组的作用、原理以及在运行过程中需要注意的事项。　　1. 电容器组的作用　　电容器组在电力系统中有多种作用，包括但不限于以下几个方面：　　1.1 改善功率因数：电容器组可以帮助提高电力系统的功率因数，降低线路和设备的损耗，减少无效功率的流失，从而提高能源利用效率。　　1.2 调节电压：通过引入或移除电容器组，可以有效地调节电力系统的电压水平，保持电网稳定，并减小电压波动对设备的影响。　　1.3 抑制谐波：电容器组可以消除电力系统中存在的谐波，防止谐波对设备造成干扰，并提高电力系统的稳定性和可靠性。　　2. 电容器组的原理　　电容器组的原理基于电容器的特性，主要涉及以下几个方面：　　2.1 电容器的充放电：在交流电路中，电容器会根据外加电压充放电，存储并释放电荷，从而实现对电压或功率因数的调节。　　2.2 谐振频率：电容器组与电感器组合成LC回路时，会产生谐振现象，根据电容值和电感值可以确定谐振频率，用于系统设计和分析。　　2.3 阻尼效应：电容器组内部的电阻和电感会产生阻尼效应，影响电路的振荡特性，需要在设计和运行中考虑阻尼因素。　　3. 电容器组的选择与安装　　在选择和安装电容器组时需要考虑以下因素：　　3.1 容量匹配：选择适当的电容器容量，确保与电力系统的负载需求匹配，避免过度或不足的容量影响系统运行。　　3.2 绝缘等级：确保电容器组具有足够的绝缘强度，以防止电气击穿和漏电等安全问题。　　3.3 温度和通风：保持电容器组的运行温度在正常范围内，同时提供良好的通风条件，避免过热导致电容器老化或故障。　　4. 电容器组的运行注意事项　　在电容器组的运行过程中，需要遵守以下注意事项：　　4.1 定期检查：定期检查电容器组的工作状态、连接线路和绝缘情况，及时发现问题并进行维护。　　4.2 避免过载：避免电容器组长时间过载运行，以免损坏设备和影响系统稳定性。　　4.3 隔离操作：在对电容器组进行维护或检修时，务必先进行隔离操作，确保设备处于安全状态，避免意外触电。　　4.4 防止谐波过载：考虑到电容器组可能导致谐波放大问题，需要采取措施防止谐波引起系统过载或设备损坏。　　4.5 温度监测：安装温度监测装置，及时发现电容器组运行过热情况，以便采取相应措施避免损坏。　　5. 电容器组的故障处理　　在电容器组出现故障时，需要根据具体情况进行相应处理：　　5.1 短路故障：如发现电容器组出现短路故障，应立即停止使用，并进行绝缘测试和维修处理。　　5.2 开路故障：对于电容器组的开路故障，需要确认故障原因并更换受损的电容器。　　5.3 泄漏电流：若电容器组存在泄漏电流问题，需检查绝缘情况并清洁表面，避免进一步损害。

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电容器组

发布时间：2025-11-14 15:04 阅读量：421 继续阅读>>

破解高频高压高温难题，永铭<span style='color:red'>电容器</span>成为第三代半导体最佳拍档

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破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代半导体最佳拍档

　　11月8日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会(CPEEC)与中国电源学会第二十八届学术年会(CPSSC)在深圳国际会展中心宝安馆盛大启幕!　　永铭电子携四大核心应用领域解决方案——新能源汽车电子、AI服务器、光伏储能、电机驱动(机器人/无人机/伺服电机)重磅亮相20号馆，现场人流如织，技术交流氛围热烈!　　演讲亮点深度解读：电容器如何成为第三代半导体的“关键引擎”　　在8日下午14:00的专题演讲中，永铭电子工程总监程永以《第三代半导体新方案中电容器的创新应用》为主题发表的专题演讲，核心聚焦于一个行业痛点：如何让电容器这一关键被动元件，跟上第三代半导体(GaN/SiC)高频、高压、高温的技术步伐，从而真正释放其性能潜力。演讲指出，“匹配”与“可靠性”是关键所在。永铭的创新并非简单替换，而是从材料、结构到应用级的协同设计，通过“高容量密度、低ESR、高可靠性、小体积”等核心技术优势，直面极端工况挑战，为先进功率器件提供坚实的“能量基石”与“稳压核心”。　　四大实战案例深度解析　　1、AI服务器电源方案 · 与纳微GaN协同设计　　挑战：高频开关(>100kHz)、极大纹波电流(>6A)、高温环境(>75℃)　　解决方案：采用IDC3系列低ESR电解电容，ESR≤95mΩ，105℃环境下寿命达12000小时　　成效：整机体积减小60%，效率提升1%~2%，温升降低10℃、　　2、英飞凌GaN MOS 480W轨道电源 · 取代日系Rubycon　　挑战：-40℃~105℃宽温运行、高频纹波电流冲击　　解决方案：电容低温容衰率<10%，可耐受纹波电流7.8A　　成效：通过-40℃低温启动及高低温循环测试，通过率100%，满足轨道行业10年以上使用寿命要求　　3、新能源车载DC-Link电容 · 适配安森美300kW电机控制器　　挑战：开关频率>20kHz，dV/dt > 50V/ns，环境温度>105℃　　解决方案：ESL<3.5nH，125℃寿命超过1万小时，单位体积容量提升30%　　成效：整机效率达98.5%以上，功率密度突破45kW/L，续航提升约5%　　4、兆易创新3.5kW充电桩方案 · 永铭电容深度配合　　挑战：PFC开关频率70kHz，LLC开关频率94kHz~300kHz，输入侧纹波电流高达17A以上，芯子温升严重影响寿命　　解决方案：采用多极耳并联结构降低ESR/ESL，结合GD32G553 MCU与GaNSafe/GeneSiC器件，实现137W/in³功率密度　　成效：系统峰值效率96.2%，PF值0.999，THD仅2.7%，满足电动汽车充电桩高可靠性及10~20年使用寿命需求　　展会现场，聚焦第三代半导体对电容器提出的高频、高压、高温严苛要求，永铭展台化身为专业务实的技术交流平台。工程师团队与各方客户围绕电容在高频下的稳定性、高温环境中的长效可靠性等核心议题，展开了热烈而深入的探讨。　　现场互动高效、对接精准，充分印证了市场对高性能国产电容不断增长的需求，以及对永铭产品实力与技术方案的高度认可　　专家团莅临，共鉴国产芯实力　　展会下午，永铭展台迎来重磅专家团到访交流。美国弗吉尼亚理工大学工程院院士、台达电子研发主任及上海海事大学、浙江大学、西安交通大学教授等一行，在参观过程中对永铭的技术成果给予了高度关注。　　专家们尤为看好永铭新一代锂离子超级电容(LIC)在英伟达AI服务器GB300 BBU备用电源中的创新应用。该方案直面GPU功率突变与高温寿命挑战，以内阻<1mΩ、10分钟快充、100万次循环的性能，实现体积与重量大幅缩减，并支持15–21kW峰值功率。　　同时展出的还有永铭专为高功率AI服务器电源自主研发的IDC3系列液态牛角电容，其典型规格 450V 1400μF、尺寸30×70mm，具备更高耐压、更高容量密度与更长寿命，为AI服务器电源的功率密度与可靠性提升提供了关键支持。　　此次多位顶尖专家的驻足与认可，是对永铭坚持自主创新、攻坚高端应用的最佳印证。

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永铭

发布时间：2025-11-10 11:34 阅读量：471 继续阅读>>

村田方案 | 用大容量MLCC代替聚合物<span style='color:red'>电容器</span>，有哪些优点？

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村田方案 | 用大容量MLCC代替聚合物电容器，有哪些优点？

　　在服务器和基站设备中的CPU和存储器的电源需要处理大电流因而需要使用大容量电容器，尤其是聚合物电容器用作DC-DC转换器的平滑电容器。另一方面，电子设备对多功能化、轻薄、体积小及节省能源的要求越来越高，因此，对陶瓷电容器的小型大容量化、低ESR化、高可靠性等方面寄予了更高的期待。通过将电解电容器互换成独石陶瓷电容器，可大幅改良特性，并实现低高度化。　　近来，MLCC在增加容量方面取得了进展，现在，村田可以提供超过100uF的MLCC，例如220uF或330uF。在这里，我们将展示一个用大容量MLCC代替聚合物电容的例子，这些MLCC有助于缩小尺寸、提高可靠性和减少噪音。本内容以DC-DC转换器测试板为例，介绍了将输出电容器从聚合物电容器替换为大容量MLCC的好处。　　1. MLCC替换聚合物电容的优点　　用MLCC来替换聚合物电容器，有如下三个主要优势。　　首先，纹波和尖峰噪声显著降低。与聚合物电容器相比，MLCC具有更低的ESR和ESL，大大降低了输出噪声。　　(a)阻抗，ESR与频率的关系。图中的Polymer Ta是聚合物钽电容器，SWF指开关频率。　　(b)S21曲线：可以看出S21低于聚合物电容器，纹波和尖峰噪声可以进一步降低。图阻抗曲线和插入损耗　　其次，MLCC来替换聚合物电容器，可以提高可靠性高，产品的使用寿命更长。这是由于MLCC的ESR较小，因此纹波电流产生的热量很小，比聚合物电容器寿命更长。　　第三，MLCC来替换聚合物电容器，有助于缩小设备尺寸。因为，MLCC的尺寸比聚合物电容器小，因此使得设备可以做得更小。　　2. DC-DC转换器的替换评估　　更换并评估电路的如下。作为替代品进行评估的DC-DC转换器测试板的电路如图所示，输出侧的聚合物电容C1和C2将被替换。该DC-DC转换器规格如下：　　C1，C2 : 聚合物钽电容器 330uF/4V/2917尺寸　　开关频率 : 400kHz　　输入电压 : 14V，输出电压 : 1.5V　　输出电流 : 30A(a)DC-DC转换器电路b)DC-DC转换器测试板图更换并评估电路　　将输出电容器从聚合物电容器替换为MLCC，如下所示。更换时，相位补偿电路常数也会根据电源特性进行调整。　　图相位补偿电路的调整.　　由于高频范围的阻抗低，因此可以降低容值。同时，占用面积可减少83%!　　总结　　我们介绍了一个在DC-DC转换器测试板中使用具有低ESR和低ESL特性的MLCC替换聚合物电容器来作为输出电容的案例研究。通过用MLCC代替聚合物电容器，我们能够降低纹波和尖峰噪声。　　此外，负载瞬态和效率特性相当，并且符合稳定性标准;所占面积减少了83%;还提高了电容器的可靠性。对于DC-DC转换器中的大容量电容器，我们建议使用具有小型、可靠性高、噪声遏制效果好的MLCC产品(单击下图搜索村田超过100uF的产品)。

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村田

发布时间：2025-10-29 13:01 阅读量：443 继续阅读>>

太阳诱电：从现有产品中提高额定纹波电流并实现低高度的导电性高分子混合铝电解<span style='color:red'>电容器</span>「HVX（-J）」、「HTX（-J）」系列商品化

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太阳诱电：从现有产品中提高额定纹波电流并实现低高度的导电性高分子混合铝电解电容器「HVX（-J）」、「HTX（-J）」系列商品化

　　太阳诱电株式会社更新了与车载用无源部件的认证用可靠性试验标准「AEC-Q200」对应的以往的「HVX」、「HTX」系列，并新推出了导电性高分子混合铝电解电容器(以下称“混合电容器”)「HVX(-J)」、「HTX(-J)」系列。　　这些产品用于汽车动力转向等控制系统和ADAS等安全系统等中使用的电源回路的噪声对策和平滑用途。　　混合电容器随着ADAS的高级化而导致电源的大电流化，额定纹波电流的提高正在进行，同时为了兼顾设计自由度的提高，要求采用低长等各种尺寸变化。　　因此，本公司现有产品「RAHTX331M1TFH0002X」(额定纹波・135°C，2,000mArms)的基础上额定纹波电流提高70%的「RAHTX331M1TFH0002JX」(同3,400mArms)开始，36款产品商品化，尺寸也从φ8x10mm到φ12.5x13.5mm的5种。　　这些产品从2025年9月起在本公司子公司ELNA株式会社的白河工厂(福岛县西白河郡)及青森工厂(青森县黑石市)开始批量生产。本公司样品价格为每个150日元。　　混合电容器是指在电解质中采用导电性高分子和电解液的电容器。由此，具有导电性高分子的特征即低ESR和铝电解电容器的特征即阳极氧化皮膜的自我修复功能，可以兼顾高特性和可靠性。　　近年来的汽车，随着以ADAS为代表的电子化和EV等电动化的推进，电源电路的数量增加，这些电源电路噪声对策和平滑用途搭载了混合电容器。此外，随着ADAS等高性能化，电源电路的功率大化，所搭载的混合电容器也要求提高额定纹波电流，同时，为了整合不断增加的电源电路和提高设计自由度，要求提供各种尺寸变化。　　因此，太阳诱电通过优化混合电容器中使用的导电性高分子的浸渍技术，从本公司现有产品「HVX」、「HTX」系列大幅改善额定纹波电流，将φ12.5x13.5mm的低高大形状的「HVX(-J)」、「HTX(-J)」系列商品化。　　今后，我们将专注于与市场需求相匹配的产品开发，推进混合动力电容器产品线的扩充。　　■用途　　汽车动力转向等控制系统和ADAS等安全系统等中使用的电源电路的噪声对策和平滑用途。　　■规格

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太阳诱电

发布时间：2025-10-24 16:48 阅读量：470 继续阅读>>

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太阳诱电：面向AI服务器，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出1005尺寸(1.0×0.5mm)下的22μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了1005尺寸下22μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年8月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个20日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了1005尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到22μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　■用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途

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发布时间：2025-10-21 14:30 阅读量：443 继续阅读>>

PCIM Asia 2025｜永铭高性能<span style='color:red'>电容器</span>：全面覆盖七大领域核心电容解决方案

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PCIM Asia 2025｜永铭高性能电容器：全面覆盖七大领域核心电容解决方案

　　永铭七大领域核心产品亮相PCIM展　　上海永铭电子股份有限公司即将精彩亮相2025上海PCIM展会(9月24日-26日)，永铭展位号：N5馆C56。作为铝电解电容器、高分子电容、超级电容等多品类电容产品领先制造商，我们致力于为全球客户提供高可靠性电容解决方案，真正实现“电容应用，有困难找永铭”。　　本次展会，我们将展示适用于AI服务器、新能源汽车、无人机、机器人、光伏储能、消费电子、工业控制七大领域的核心产品与技术优势，全方位体现永铭取代国际头部品牌的实力与决心。　　AI服务器：高效稳定，助力算力革命　　永铭电容以超低ESR、高容量密度、耐大纹波电流和长寿命等特性，有效降低电源纹波，提升电能转换效率，保障服务器7×24小时稳定运行。为AI数据中心和云计算基础设施提供稳定可靠的能源支持。　　展出应用场景：AI服务器电源、BBU备份电源、主板、存储　　部分优势产品介绍：　　①牛角型铝电解电容器(IDC3)：450-500V/820-2200μF，专为高功率服务器电源需求研发，具备更高耐压、更高容量密度和更长寿命，展现国产电容的自主研发能力。　　②叠层高分子固态电容(MPD)：4-25V/47-820μF，ESR低至3mΩ，精准对标松下，在主板与电源输出端提供极致滤波与稳压表现。　　③锂离子超级电容模组(SLF/SLM)：3.8V/2200-3500F，对标日本武藏，在BBU备电系统中实现毫秒级响应与超高循环寿命(100万次)。　　新能源汽车：车规品质，驱动绿色未来　　全系列产品通过AEC-Q200认证，覆盖充电系统、电驱电控、BMS及热管理等核心单元，以高可靠性助力电动汽车更安全、更高效地运行。　　部分优势产品介绍：　　①高分子混合动力铝电解电容器(VHE)：推荐25V 470μF/35V 330μF 10*10.5规格产品，135℃高温环境下稳定运行4000小时的超强耐久性，ESR值保持在9~11mΩ，可直接取代松下对标系列，纹波电流参数更优异。　　②液态铝电解电容器(VMM)：35-50V/47-1000μF,耐受125℃高温及长达数千小时的工作寿命，同时具备极低的ESR与耐大纹波电流能力，为电机驱动、域控制器提供高温高纹波工况下的高可靠性保障。　　③金属化薄膜电容器(MDR)：适用于800V汽车电子平台，应用于主驱，适用于为400V/800V高压汽车平台主驱逆变器，金属化聚丙烯薄膜材料的优化结构，具备高耐压(400-800VDC)、高纹波电流承受能力(最高350Arms)、以及卓越的热稳定性(工作温度85℃)，满足电动汽车主驱系统对高可靠性、长寿命和紧凑空间布局的要求。　　无人机与机器人：高能量密度，精准控制每一刻　　无论是无人机的动力系统、飞控模块，还是机器人的关节驱动、减震系统，永铭电容均以抗振动、高耐压、低ESR等性能，赋能高动态场景下的稳定表现。　　部分优势产品介绍：　　①叠层高分子固态铝电解电容器(MPD19/MPD28)：16-40V/33-100μF高耐压产品，应用于无人机航模电子调速器。具备高耐压特性，可在高频、高压的极端工况下保持稳定性能。极低ESR，有效抑制功率开关管引起的电流纹波和噪声，是高端航模电调中的关键元件。　　②导电高分子钽电解电容(TPD40)：63V 33μF和100V 12μF两款代表性大容量品，应用于机器人机械臂驱动。提供多种电压等级，余量充足，能从容应对电压波动，为系统安全稳定运行提供坚实保障。　　新能源光伏储能：可靠性高，守护能源转换　　应用于光伏逆变器、BMS、各类储能系统，我们提供耐高温、长寿命的电容解决方案，提升能源转换效率与系统循环寿命。　　部分优势产品介绍：　　①金属化薄膜电容器(MDP)：适用于PCS变流器，具备高容量密度特性，可有效稳定电压并提供无功补偿，提升系统能效;耐高温性能优异，在105℃环境下寿命可达100000小时，可靠性远高于传统铝电解电容;具备强耐纹波电流能力，可有效抑制高频噪声与瞬态冲击，保护电路安全运行。　　②牛角型铝电解电容器(CW6)：315-550V/220-1000μF,具备高耐压特性，可承受瞬时高压与负载波动冲击;拥有低ESR与高纹波电流耐受能力，有效抑制电压波动，提升系统稳定性;耐高温且寿命长，适用于风电、光伏等严苛环境下长期连续运行的储能场景。　　消费电子与工业控制：小巧高效，广泛兼容　　从PD快充、智能家电，到工业电源、伺服变频、安防设备，永铭电容以紧凑设计、高性能表现，深入各类应用场景。　　部分优势产品介绍：　　①液态铝电解电容器(KCM)：400-420V/22-100μF,具备卓越的高温耐久性和超长使用寿命(105℃ 3000H)，相较于常规KCX系列电容，做到直径更小、高度更低。　　②高分子固态铝电解电容器(VPX/NPM)：16-35V/100-220V,具备极低漏电流(≤5μA)的特点，有效抑制待机自放电。在回流焊后仍保持2倍规格值以内的稳定性高容量密度(最小可做到Φ3.55)，相较于市面上普通高分子固态铝电解电容器容量高5%-10%，为高端电源设备提供可靠的电容解决方案。　　③超级电容(SDS)&锂离子电容(SLX)：2.7-3.8V/1-5F，最小直径可做到4mm，助力蓝牙温度计/电子笔等窄薄型终端实现小型化。相较于传统电池，超级电容(锂离子电容)具有更快的充电速度和更长的循环寿命，低功耗的特性减少了能量浪费。　　结语　　永铭诚挚地邀请各界人士莅临N5馆C56号YMIN展台，了解电容技术最新发展趋势，并探讨合作机会。

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永铭

发布时间：2025-09-22 15:40 阅读量：1303 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>电容器</span>的四个基本特性

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一文了解电容器的四个基本特性

　　电容器是电子电路中的重要元器件，广泛应用于各种电子装置中。其主要功能是储存电荷并在需要时释放。下面就让AMEYA360带你了解一下电容器的四种特性吧！　　1. 电容量　　电容量是衡量电容器储存电荷量的基本属性，通常用法拉(F)作为单位。较大的电容量允许电容器储存更多的电荷。在实际应用中，微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)等单位更为常用。　　影响因素　　几何尺寸：电容器的两极板面积和间隙大小直接影响其电容量。　　介电常数：电容器内部使用的介质材料也影响其电容量，介电常数越高，电容量越大。　　2. 额定电压　　额定电压是指电容器能够安全操作的最大电压。超过额定电压可能导致电容器失效或爆炸，因此电路设计时必须确保电容器在其额定电压范围内工作。　　影响因素　　材料限制：与电容器内部材料及其结构有关。　　安全标准：设计和使用电容器时，需要遵循相关的安全标准和规定。　　3. 漏电流　　漏电流是指电容器在储存电荷过程中不可避免的少量电流流失。理想电容器不应有漏电流，但在实际情况下，总会有微小的电流由于介质损耗而丧失。　　影响因素　　介电损耗：由内部介质的具损耗特性引起。　　使用材料：不同材料的绝缘性能不同，会影响漏电流大小。　　4. 等效串联电阻(ESR)　　等效串联电阻(ESR)是电容器内部固有的电阻，导致其在高频工作时产生损耗。ESR值对电容器的性能有显著影响，尤其在开关电源和滤波电路中。　　影响因素　　材料组成：不同电容器的材料和制造工艺会影响其ESR。　　使用频率：高频工作时，ESR对电容器效率的影响更显著。　　电容器的四个基本特性：电容量、额定电压、漏电流和等效串联电阻(ESR)，是理解电容器在电路中行为的关键。在电路设计中，选择合适的电容器需要考虑这些特性，以确保其在特定应用中表现出优良的性能和可靠性。

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电容器

发布时间：2025-08-22 10:53 阅读量：543 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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