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罗姆丨“大容量电容器”已经风光不再？颠覆LDO常识的ROHM NanoCap™技术

　　随着车载电子设备和工业设备的不断发展，电路板上电容器容量不足和安装空间紧张已成为亟待解决的严峻课题。但另一方面，在LDO(Low Dropout)稳压器的输出电容器选型时，为避免振荡等非常恶劣的情况发生，即便牺牲电路板空间和成本，也需要配置大容量电容器，这已成为业界惯例。然而，担心这种方法在未来是否依然可行的工程师应该不在少数。　　对此，ROHM开发出适用LDO的新技术“NanoCap™”，可在将输出电容容量降至470nF(0.47µF)的同时实现稳定工作。这为工程师提供了一种降低振荡风险的同时削减电路板安装面积的设计方法。本文将为您介绍颠覆LDO设计常识的创新技术——NanoCap™。　　※NanoCap™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　目录　　1. 这种LDO设计，真的有那么好吗?　　2. ROHM的设计理念：为何470“nF”的电容也不会振荡?　　3. NanoCap™ LDO有何独特之处?　　4. 设计人员的福音：摆脱电容的束缚　　5. 有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?　　6. “真的不会振荡吗?”致心存疑虑的你　　7. 设计，因思维而大不同　　8. 产品介绍、详细信息、其他链接等　　1.这种LDO设计，真的有那么好吗?　　LDO是一种可在输入输出电位差较小状态下工作的线性稳压器，而“NanoCap™”则是一项通过内部电路控制其相位裕度的创新技术。　　“担心发生振荡，姑且先装上偏大容量的电容器吧。”　　在LDO设计中，您是否有过这样的“保险”经历?　　为了使输出稳定，需要配置数µF〜数十µF的电容，为保险起见会选择更高一级的容量。若启动时出现异常行为，再进一步追加容量——这种方法本身并无不妥，多数电路借此便能稳定运行。　　然而，这种稳定性也需要付出一些代价。　　那就是电路板面积被挤压，元器件数量也不断增加，随之而来的是成本的持续攀升。　　即便如此，振荡的风险也不能完全消除。　　如今，在车载、工业设备及消费电子等众多领域的高密度安装趋势中，LDO的应用场景也在不断扩大。“因为担心发生振荡，姑且先装上大容量电容器再说”这种传统认知，今后是否仍能称之为更优解呢?　　ROHM的NanoCap™技术，正是源于对这种“传统认知”的质疑而诞生的创新成果。　　如果有一种LDO，即使采用容值非常小的电容器也能稳定运行，而且同时具备高速响应特性会怎么样呢?有了这样的产品，还要继续沿用传统做法采用大容量电容器吗?　　2.ROHM的设计理念：为何470“nF”的电容也不会振荡?　　LDO的输出电容器主要有两个作用。　　一个是通过相位补偿实现稳定，另一个是在负载波动时提供电荷。　　传统LDO将电容容量(及ESR)作为稳定性的核心考量要素。因此，降低容量会导致相位裕度不足，从而使电压波动增大，严重时甚至会引起振荡。　　ROHM的NanoCap™ LDO设计理念，恰恰与之相反——　　并不依赖电容，而是专注于在“控制电路层面”实现稳定性。　　该技术并非依赖外部电容来获取相位裕度，而是通过优化LDO内部的补偿电路，实现了即使使用仅纳法(nF)级的小容量电容器，也能确保充分相位裕度的设计。　　然而，若减少容量，在负载骤变时可供给的电荷量便会减少，从而导致电压大幅下降。　　对此，ROHM在NanoCap™ LDO中融入了高速响应技术“QuiCur™”。这样，可以将频率特性发挥到更优，即使容量很小也能瞬时响应负载波动，从而成功维持了实用的电压精度。　　※“QuiCur™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　3.NanoCap™ LDO有何独特之处?　　NanoCap™ LDO与传统LDO的本质区别在于“更小电容”这一前提。　　常规LDO通常以2.2µF至10µF左右的容值规格为前提进行评估和设计，而NanoCap™ LDO仅需470nF(0.47μF)的输出电容即可。也就是说，即使将输出电容降至传统产品的1/5到1/20，在数百mA级的负载波动状态下，仍可将电压波动控制在数十mV至100mV范围内，实现了与传统产品同等的性能。　　具体在哪些应用场景中采用NanoCap™ LDO，更能充分发挥其优势性能呢?　　例如，车载摄像头模块、ADAS传感器等空间非常有限的车载应用，以及需要超小型封装的IoT设备和可穿戴设备等应用，都非常适合采用该产品。　　如果应用于工业传感器网络，将有助于降低配置多个LDO时电路板的BOM成本，并减轻元器件管理负担。　　ROHM针对车载设备、工业设备、通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用，已经开发出输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)，并已投入实际应用。　　本产品为输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。其输出电流提高至500mA，是以往型号的3倍以上，适用于需要更大电流的应用，应用范围更广。　　(产品详情：单通道输出低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团- ROHM Semiconductor)　　4.设计人员的福音：摆脱电容的束缚　　不仅仅是容量减小，这个差异将给实际设计带来四大显著变化。　　1. 减少电路板安装面积　　若选用470nF(0.47μF)级的电容器，在0603尺寸中进行贴装也具备可行性。　　越是大量使用LDO的电路板，这种空间节省对整体尺寸的影响就越大。　　另外，即使常规的10μF级别LDO在市场上出现紧缺，只要拥有了470nF(0.47μF)这一选项，就能确保在不更改设计的前提下灵活应对。　　2. BOM的精简优化　　无需“为了以防万一而增加并联”。　　由于可直接在建议条件下完成设计，因此能将元器件数量控制在更低限度。　　另外，减少元器件数量有助于降低采购管理成本，从而有望带来经营层面的效益。　　3. 提升布局灵活性　　电容器的布局限制得以放宽，因此可以将资源分配给更需要优先考虑的布局事项，如热设计、噪声对策和更短布线等。另外，取消大电容器可以扩大电路板的铜箔走线面积，从而有望提升LDO自身的散热效率。　　4. 加快设计决策　　摆脱“为应对振荡而疲于调试”的困扰。　　考量的维度得以简化，从而加快试制与评估的循环。　　5.有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?　　“曾因启动时的振荡而耗时数日苦苦排查原因”　　“应对负载波动的对策，最终演变成电容器的数量战”　　对于许多拥有此类经历的工程师而言，NanoCap™ LDO作为“增加容量之外的解决方案”，必将成为设计过程中的一大利器。　　不过，即便是这样的NanoCap™ LDO也并非是万能的。　　这是一款与传统电容器的设计理念截然不同的产品，因此大家难免会有诸多顾虑，例如“在自己的设计环境中效果如何?”“采用时有哪些注意事项?”等。　　为此，ROHM在免费的官方技术论坛“ROHM官方技术论坛”上，与各位工程师共享电源设计中的实际困扰与见解，跨越行业、业务领域及企业的壁垒，并推进各项举措以解决工程师所面临的难题。　　“您的电路板上，电容器所占面积的百分比大约是多少?”“是否出现过470nF(0.47μF)电容器实际上不够用的情况?”诸如此类仅靠企业内部难以收集到的与小型化相关的信息，以及实际试用过“NanoCap™”的工程师的反馈与建议，乃至其他各种问题和疑惑，ROHM工程师也会一起参与其中展开讨论。　　例如，不妨试着浏览一下ROHM官方技术论坛中的社区小组“DCDC转换器的PCB Layout指南(仅限会员)”。从电源设计的基本理念到基于具体产品的疑问，以及ROHM技术人员对此的解答和各位工程师的真知灼见，您一定能找到有助于提升技术开发能力和解决疑难问题的信息。　　欢迎随时浏览，更期待您加入小组，分享您的经验和见解。　　小组：DCDC转换器的PCB Layout设计指南　　6.“真的不会产生振荡吗?”致心存疑虑的你　　“道理明白了，但还是想在实机设备上验证一下。”作为工程师，这么想是理所当然的。　　NanoCap™的详细特性数据和评估波形，已在ROHM官网上公开。　　另外，对于“希望在实机运行前先进行测试”的工程师，推荐使用ROHM Solution Simulator，该工具可在浏览器上对NanoCap™ LDO的瞬态响应和稳定性进行仿真。同时ROHM还提供SPICE模型，有助于降低客户的试制成本，并使元器件用量的优化调整过程更加顺畅。　　针对车载设备、工业设备和通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用，输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)正获得越来越多工程师的青睐，该系列是输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。　　该产品的输出电流提高至500mA，是以往型号的3倍以上，非常适用于需要更大电流的应用。详情请点击以下链接：　　单通道输出低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团 - ROHM Semiconductor　　7.设计，因思维而大不同　　电源的不稳定性是从根本上动摇整个系统可靠性的重大课题。　　是依靠“堆叠电容器”来实现稳定，还是通过“控制”来创造稳定，拥有更多的选择，理应成为设计人员的优势。　　不妨在您的下一次设计中，尝试加入“NanoCap™”这个新选项吧?

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罗姆

发布时间：2026-08-12 13:54 阅读量：298 继续阅读>>

【新品介绍】Littelfuse <span style='color:red'>NAN</span>O²® SMD 708 系列保险丝为大电流 48 VDC AI 数据中心提供保护

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【新品介绍】Littelfuse NANO²® SMD 708 系列保险丝为大电流 48 VDC AI 数据中心提供保护

　　业界首款在 80 VDC 条件下额定分断电流为 14 kA，采用紧凑型表面贴装封装　　美国伊利诺伊州罗斯蒙特、中国上海 — 2026 年 6 月 16 日 — 为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业 Littelfuse 公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝，这是 Littelfuse 首款表面贴装式保险丝，在 80 VDC 电压下额定分断电流为 14,000 A。　　708 系列专为下一代 48 VDC 电力架构而设计，可满足 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统不断增长的保护需求。随着功率水平的提高和电路板空间的缩小，设计人员不得不使用超大尺寸的手动安装插件式或螺栓固定式保险丝。708 系列在不影响性能的情况下提供了紧凑、自动化友好的替代方案。　　NANO²® 708 系列在紧凑的表面贴装封装中结合了高额定电流(60 A 至 200 A)和行业领先的分断额定值。这使设计人员能够保护暴露在高故障电流下的电路，同时优化布局效率并实现全自动组装过程。　　“我们的首款 Littelfuse 表面贴装保险丝在 80 VDC 下具有 14,000 A 的分断额定值，凭借这款新型保险丝，我们为使用传统插件式或螺栓固定式解决方案的设计人员提供了向表面贴装技术过渡的途径。”Littelfuse 过流无源器件产品管理高级总监 Daniel Wang 表示。“这种转变使自动化制造成为可能，提高了生产率，并降低了整体系统成本。”　　主要功能与优势包括：　　业界领先的额定分断电流：80 VDC 时为 14 kA，支持高故障电流环境　　高电流能力：60 A 至 200 A 范围，适用于要求苛刻的电源应用　　紧凑的表面贴装尺寸：节省空间并支持高密度设计　　自动化就绪型装配：无需手动安装与传统保险丝格式相关的操作　　性能可靠：高浪涌冲击的耐受力，符合全球安全标准　　708 系列旨在为预计会出现高故障电流的电路提供补充过流保护，包括配电单元(PDU)、电源架、电池备份单元(BBU)和电源单元(PSU)。它特别适用于 AI 服务器集群、网络设备和超大规模数据中心基础设施。　　其他应用包括可再生能源系统和电池管理系统(BMS)，在这些应用中，紧凑型大功率保护解决方案至关重要。　　708 系列是 Littelfuse 面向数据中心基础设施的 48 V 保护解决方案广泛产品组合的一部分，是对包括 456、871 和 881 系列在内的现有保险丝系列的补充。　　图 1.NANO²® SMD 708 系列保险丝　　NANO²® SMD 708 系列保险丝常见问答　　1.708 系列与现有 SMD 保险丝有何不同?　　它采用表面安装式封装，在 80 VDC 条件下提供业界领先的 14 kA 分断额定值。这种级别的保护以前只适用于较大的插件式保险丝或螺栓固定式保险丝。　　2.为什么高分断额定值在人工智能数据中心很重要?　　AI 服务器和高密度电力系统面临巨大的故障电流潜力。高分断额定值可确保保障电流安全中断，而不会损坏周围电路。　　3.708 系列能否取代现有的管状或螺栓固定式保险丝?　　是的。它是许多传统保险丝解决方案的替代产品，可实现更小的尺寸、更高的可制造性和自动化装配。　　4.表面贴装设计如何为制造商带来好处?　　表面贴装可实现自动化拾放组装，从而降低人工成本、提高一致性并提高产量。　　5.708 系列适用于哪些系统和电源架构?　　708 系列针对 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统中常用的 48 VDC 电源架构进行了优化。它特别适用于 PDU、PSU、备用电池单元以及其他对高电流和紧凑设计至关重要的应用。　　6.设计师应该在什么情况下选择 708 系列而不是其他保险丝?　　当应用要求在紧凑的结构中同时具有高电流处理能力和极高的分断额定值时，708 系列是理想选择。在更换空间受限设计中的超大插件式或螺栓固定式保险丝时，或过渡到自动化表面贴装组装时，尤其有益。　　供货情况　　NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝提供 500 只装的卷带包装。通过全球任何一家 Littelfuse 授权经销商索取样品。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。

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Littelfuse

发布时间：2026-06-17 09:15 阅读量：948 继续阅读>>

兆小易说「芯」｜别再小看SPI <span style='color:red'>NAN</span>D Flash，它真的“跑快了”

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兆小易说「芯」｜别再小看SPI NAND Flash，它真的“跑快了”

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发布时间：2026-04-10 10:06 阅读量：863 继续阅读>>

eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI <span style='color:red'>NAN</span>D Flash

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eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI NAND Flash

　　SPI NAND Flash新突破!兆易创新4Gb/8Gb大容量新品　　兆易创新推出GD5F4GM7/GD5F8GM8　　新一代、大容量SPINANDFlash为智能设备带来更高容量·更低功耗·更小尺寸

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兆易创新

发布时间：2026-04-03 09:58 阅读量：960 继续阅读>>

芯存科技SPI <span style='color:red'>NAN</span>D：高性能存储，国产自主新标杆

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芯存科技SPI NAND：高性能存储，国产自主新标杆

　　在当今数据驱动的时代，存储芯片的可靠性、速度和功耗直接影响着电子设备的性能边界。无论是工业场景中毫秒级响应的PLC控制器，还是物联网设备里常年待机的智能传感器，都对存储方案提出了极致要求。芯存科技凭借自主研发的SPI NAND 系列产品，以高可靠性、低功耗、强纠错三大核心优势，为高端应用提供了坚实的存储基石。　　全系列SPI NAND覆盖多元场景　　芯存科技推出的 SPI NAND Flash系列(含 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb容量)，采用先进的SLC闪存技术，完美适配工业控制、物联网设备、智能家居、车载电子等对数据安全与稳定性要求严苛的领域。　　01 高速传输与灵活接口　　133MHz超高主频：较行业主流108MHz提升23%，大幅提升数据吞吐效率。　　Quad SPI模式：通过4个I/O引脚并行传输，数据速率达标准SPI的4倍，助力实时系统快速启动。　　02 自主主控芯片XC1100　　28nm先进工艺：功耗较110nm竞品降低80%，待机电流仅10μA。　　多档ECC纠错：支持1/9/16-bit三级纠错，灵活应对不同应用场景的可靠性需求。　　快速启动技术：上电5ms内自动加载首块数据，缩短系统响应时间。　　03 硬件级数据保护　　区块保护寄存器：通过BP[2:0]位实现分区锁存，防止关键数据被误擦写。　　OTP安全存储：提供最多10页一次性编程空间，适用于设备认证、固件加密等场景。　　04 SPI NAND厂家对比　　05 SPI NAND参数　　06 应用案例：赋能行业创新　　工业控制：PLC、工控机长期稳定运行　　物联网终端：智能电表、传感器低功耗数据存储　　车载电子：6KV ESD防护，应对复杂电磁干扰　　芯存科技SPI NAND系列产品的推出，不仅代表了国产存储芯片在技术上的重大突破，更彰显了公司致力于为客户提供高性能、高可靠性解决方案的决心。我们通过自主研发的核心主控技术，实现了对国际领先品牌的超越，为国内客户带来了供应链自主可控的强大信心。展望未来，芯存科技将继续深耕存储领域，持续加大研发投入，不断迭代产品性能，完善服务体系。

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发布时间：2025-12-10 17:23 阅读量：1603 继续阅读>>

<span style='color:red'>NAN</span>D Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！<span style='color:red'>NAN</span>D Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！

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NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！

　　12月2日消息，据市场研究机构TrendForce的最新调查显示，2025年11月整体NAND Flash主流合约价全面大幅上涨，各类产品平均月涨幅可达20%~60%，涨势快速扩散至所有容量段，512Gb TLC颗粒月涨幅甚至超过65%。　　TrendForce分析称，NAND Flash需求持续受AI应用与企业级SSD订单强力拉动，但由于原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶和企业级产品，且旧制程产能快速收敛，晶圆供应情况更加紧绷，导致11月主流合约价全面大幅上涨。　　观察11月各类NAND Flash晶圆价格表现，1Tb TLC颗粒因企业级SSD需求持续成长，供给短缺最为严重，11月均价大幅上涨。512Gb TLC颗粒因旧制程转产导致供应急缩，加上市场需求稳健，推升价格涨幅成为11月TLC系列产品之冠，月增超过65%。256Gb TLC颗粒受旧制程退出影响，供给量再度下滑，价格持续显著成长。　　由于企业级高容量产品需求爆发，加上冷储存应用出货加速，QLC供应明显吃紧，1Tb QLC 11月均价也大幅上涨。MLC产品有工控及消费性产品支撑需求，均价持续走扬。TrendForce表示，由于原厂报价主导权强势，加上短期晶圆供应紧张的情况无法改善，预期12月合约价仍将维持涨势。　　同时，存储模块厂商十铨科技总经理陈庆文近日表示，存储市场将进入长期上升周期，预计2026年全年价格将持续上涨，而存储产品缺货状况可能要到2027年下半年至2028年才会有所缓解。陈庆文指出，当前大型云端服务提供商(CSP)已启动与全球三大存储原厂的对接，重点洽谈2026~2027年的订单合作事宜。　　他进一步补充，无论是DRAM内存还是NAND闪存，三大存储原厂2025年12月的合约价均出现明显上涨，部分产品单月涨幅高达80%~100%。　　陈庆文认为，存储市场真正的缺货高峰期尚未到来。他预测，2026年第一至第二季度，随着代理商库存逐步消化，市场将迎来“无论出价多高都难以拿到货”的紧张局面。

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发布时间：2025-12-03 14:01 阅读量：1143 继续阅读>>

SK海力士开始量产321层QLC <span style='color:red'>NAN</span>D闪存

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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

　　SK海力士近日宣布，已开发出321层2Tb(太比特，Terabit) QLC* NAND闪存产品，并开始量产。　　SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”　　公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。　　一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面*(Plane)架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。　　因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。　　公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。　　SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)’，实现更大的飞跃。”　　* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)，分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。　　* 平面(Plane)：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能(Data Bandwidth)之一的同时读取性能。　　* 32DP(32 Die Package)：是指为了提升芯片(Chip)容量，将32个Die(裸芯)封装在同一封装中的方式。

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发布时间：2025-08-27 13:26 阅读量：1209 继续阅读>>

芯存科技 SD <span style='color:red'>NAN</span>D：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

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芯存科技 SD NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

　　在科技飞速发展的当下，AI 眼镜作为智能穿戴领域的新兴力量，正以惊人的速度闯入大众视野。近期，小米首款搭载自研 AI 大模型的智能眼镜震撼发布，其凭借 “轻量化设计 + 全场景智能交互” 的独特优势，瞬间成为行业焦点，吸引了无数目光。　　芯存科技-SD NAND产品介绍　　芯存科技凭借多年积累的产品技术底蕴、领先的封测制造工艺及规模化生产实力，不断为多元 AI 应用场景打造创新存储方案。这一方案尤其贴合 AI 眼镜等智能穿戴设备对轻薄设计的高标准需求。　　芯存科技自研推出小尺寸、大容量、超轻薄、高性价比SD NAND系列产品，最小尺寸仅8x6mm省空间、低功耗、易集成，超轻薄0.8mm便携带、适配强，整体尺寸仅为：8x6x0.8mm 为AI 眼镜的极致轻薄设计提供了核心空间支持，同时为设备续航能力的提升与佩戴舒适度的优化筑牢了硬件根基。部分产品-规格参数　　芯存科技—合封技术、突破与应用　　芯存结合自有的丰富的合封经验，此前在FTTR项目(对产品尺寸同样有小型化的需求)推出全球首款SMCP产品(SPI NAND+DDR合封)以及其他很多合封的相关经验，从而解决AI眼镜中产品对尺寸的高要求。　　芯存有投入自研的控制器技术，给客户带来高速低功耗的使用场景。　　合封技术优势　　1.高性能低功耗的控制器资源，解决客户待机时间的需求;　　2.存储芯片资源，为客户的产品形态提供更多的可能性;　　3.合封专利技术资源，解决小型化的需求;　　4.广泛的客户资源，已经在和品牌的客户进行导入;　　芯存科技-产品获主流客户认可　　在 AI 眼镜这一前沿智能终端领域，芯存科技凭借存储技术的积累与精准的产品适配能力，取得了显著的市场突破。　　近期全志科技发布了两款最新AI眼镜专用芯片—V821和V881，超低价、高性价比。芯存科技 SD NAND 产品已成功搭载于全志科技 V821 平台。这份认可不仅是对芯存科技技术实力的有力佐证，更彰显了其在智能穿戴存储领域的前瞻布局与市场竞争力，为 AI 眼镜的规模化应用与体验升级注入了关键动力。　　芯存科技-产业进阶路径　　全球半导体产业的格局处于重构与升级的关键阶段，芯存科技始终做到，一方面持续加大研发投入与国际先进封测设备投入，以此保障研发理念与创新能力始终保持前瞻与领先;另一方面，通过智能化生产线与数字化管理系统的高效配合，推动新质智造工艺、产能规模、产品研发创新及质量管理等实现突破性提升，同时以开放进取的姿态，主动投身 AI 时代浪潮，拓展更广阔的发展天地。

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发布时间：2025-08-26 11:36 阅读量：2292 继续阅读>>

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研讨会速递！ROHM Nano电源技术精讲

　　近年来，电源系统主要面临更高耐压，更低功耗，更小型化等需求。ROHM对应这三种课题，利用集团的垂直统合型生产体制，将电路设计，工艺和布局三大模拟技术相融合，开发出了三种Nano电源技术，从而实现高效稳定的电源控制。另外，通过助力应用产品的进一步节能和小型化，为实现无碳社会贡献力量。更多你想了解的ROHM产品和技术分享及展望，均可在本次线上研讨会上找到答案！　　扫描下方海报，报名本次研讨会，共同探讨ROHM Nano技术及相关产品，参与即有机会赢取精美礼品，精彩不容错过！　　研讨会提纲　　1. ROHM的关键技术　　2. "ROHM Nano"技术详解　　3. 满足时代需求的Nano系列及其产品　　4. ROHM对Nano系列展望　　研讨会主题　　解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术Nano系列　　研讨会时间　　2025年8月27日上午10点　　研讨会讲师朱莎勤经理　　朱莎勤于2014年加入罗姆公司，目前在罗姆上海FAE部门担任经理一职，主要负责与车载产品相关的技术支持。在面向车载领域的电源管理技术方面有着丰富的工作经验和专业知识，拥有从电源设计、选型评估到应用的丰富经验，为客户进行选型指导和技术支持。　　关于Nano系列　　罗姆的电源技术一直追求小型化和节能化。Nano系列是采用了模拟技术的一种新型电源技术。从开发到制造的全过程都由罗姆自行完成，实现了贯穿始终的生产体制的Nano系列，作为满足市场要求的电源IC将为社会做出贡献。　　超高速脉冲控制技术 Nano Pulse Control™　　超低消耗电流技术 Nano Energy™　　超稳定控制技术 Nano Cap™　　更多内容点击前往查看：　　https://www.rohm.com.cn/support/nano?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250806&openid=ot4DKs6HygwKJWbVFmco7o-TQNb0　　“Nano Pulse Control™”、“Nano Energy™”和“Nano Cap™”是 ROHM Co.，Ltd. 的商标或注册商标。　　相关产品新闻　　电池耗电量显著减少！ROHM开发出静态电流超低的运算放大器　　ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC　　罗姆ROHM开发出内置新电路的车载LDO稳压器BD9xxN1系列　　相关产品资料　　Nano技术介绍资料：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250724/47ebe618a8466a5259a98241b2a97a52.pdf　　Nano电源技术小册子：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/fae26cd34c8eaaea2daf3c179968da0c.pdf　　高精度运算放大器 TLR1901GXZ：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250714/62c74db72e62928eb7bfe43d8ac53b43.pdf　　高精度运算放大器 LMR1901YG-M：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240219/fa5d3c46b9c8ccfb8f947a83bc597689.pdf　　车载LDO稳压器IC BD9xxN1系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230711/24cf0e822b7736099a3965c58effe41f.pdf

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发布时间：2025-08-06 14:16 阅读量：1332 继续阅读>>

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Littelfuse：业内首款Nano² 415 SMD保险丝，277V条件下额定分断电流为1500A

　　Littelfuse宣布推出Nano² 415 SMD系列保险丝。该产品是Littelfuse首款表面贴装保险丝，277V下的额定分断电流为1500A。415系列旨在为电压波动不可预测的250V应用提供真正的缓冲，紧凑的SMD封装可提供卓越的故障电流保护，是空间受限应用的理想选择。　　“这款新型保险丝是我们首款在277V条件下具有1500A高额定分断电流的保险丝，为使用传统通孔解决方案的电子设计师提供了转换为SMD部件的选择。”Littelfuse过流无源组件产品管理高级总监Daniel Wang表示，“这样一来，他们就能实现装配过程的完全自动化，从而提高生产效率并降低制造成本。”　　主要特点和优势：　　行业领先的分断额定值：Nano² 415系列在277V下的额定分断电流为1500A，可在关键应用中有效防范高故障电流。　　针对电压波动环境进行了优化：277V额定电压可在250V应用中提供真正的缓冲，防范不可预测的浪涌。　　增强的浪涌承受能力：与竞争解决方案相比，更高的I²t值可提供更好的浪涌和脉冲承受能力。　　紧凑的表面贴装设计：SMD外形使工程师能够替换通孔保险丝，简化自动化装配流程并降低总体生产成本。　　高性能应用的理想选择：　　Nano² 415 SMD系列非常适合各类应用，包括：　　消费电子产品：电源适配器、充电器和电源;　　工业系统：逆变器、转换器和仪表;　　汽车：电动汽车充电站、家用充电器和照明设备;　　家电/白电：洗衣机、烘干机和冰箱;　　家居自动化：自动车库门和智能家居系统　　保险丝技术的竞争优势　　415系列可直接替换市场上的其他保险丝，同时提供更高的I²t值，以实现更强的浪涌承受能力。此外，它还可以作为Littelfuse 215管状保险丝系列的SMD替代品，提供更高的额定电压(277V相对于250V)，同时替代现有的通孔管状保险丝解决方案。通过向SMD保险丝过渡，电子工程师可以完全实现制造流程的自动化，从而加快生产速度、提高产量并降低劳动力成本，最终使他们的终端产品在市场上更具竞争力。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2025-05-27 09:41 阅读量：2138 继续阅读>>

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RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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