<span style='color:red'>ROHM</span> | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列
<span style='color:red'>ROHM</span>课堂 | 为何48V不再够用? AI服务器机架重塑电源架构新潮流
  单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长,数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限,业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性,并阐述下一代电源架构的应用方法路径。  AI功耗爆增:  48VDC正面临物理壁垒  全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮,为更大程度地提升每平方米的算力,服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。  图1:预计到2030年,全球AI服务器的耗电量将超过800TWh,接近1000TWh。出处:国际能源署(IEA)  解决方案就在欧姆定律中:  提高电压即可降低电流  减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下,电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时,所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比,因此,从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。  在这种情况下,目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。  两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴,但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言,必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。  HVDC改变电源电路:  SiC和GaN所发挥的作用  一旦电压架构发生变化,电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中,转换效率即使微幅提升,都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%,便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。  提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比,这些宽带隙半导体的开关速度更快,损耗更低。  实现示例:适用于800VDC的  电源单元电路结构  ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下:  图3:ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT  图4:适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
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发布时间:2026-06-18 09:47 阅读量:268 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
  中国上海,2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。  为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求,在现有封装基础上,新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄,还具备优异的散热性能,非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。  在特性方面,将MOSFET导通所需的栅极阈值电压(VGS(th))设定在一般产品广为使用的3V~5V区间,能够支持更广泛的驱动条件。而且,通过改善跨导特性*2,使该特性较现有系列产品更为优异,实现了更高通用性和更低损耗。另外,关于表贴型封装,通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案,确保了非常高的通用性,便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。  新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品,以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计,客户可根据应用需求选择合适的产品。  新产品已于2026年6月开始逐步量产(样品价格900日元/个,不含税)。网售平台已开始供应TOLL封装产品(型号:R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2),电商平台均可购买。  ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET 产品阵容,并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。  <开发背景>在数据中心和工业设备领域,随着处理负荷的增加,电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量,市场对电源的效率提升有迫切需求。另外,在设备的小型化发展趋势下,要在有限的空间内实现高输出功率,就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。  为满足这些要求,超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能,因此,散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外,近年来,从降低采购风险的角度出发,多源设计和确保第二供货源至关重要,因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。  ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”,作为有助于降低应用产品功耗的产品,赢得了客户高度好评。这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性,还采用了散热性能优异的表贴型封装,并具备与常用产品之间的高度兼容性,有助于提高电源设计的灵活性。  ☆:开发中  <应用示例>・AI服务器和数据中心用的电源  ・工业设备和消费电子设备用的电源(LLC、PFC、FlyBack等)  ・风扇、AC伺服等的电机、逆变器  <关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。  <关于PrestoMOS™>Presto意为“非常快”,源于意大利语的音乐术语。  PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌,该品牌的产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点,还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。  ・PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。  <术语解说>*1) 超级结MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)  MOSFET是晶体管的一种,根据器件结构上的不同,又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比,超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻,在处理大功率时损耗更小。  *2) 跨导特性  表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性,可提高对栅极控制的响应性,降低开关时的损耗,同时能够适配更广泛的电路条件,从而提升通用性。
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发布时间:2026-06-17 13:24 阅读量:266 继续阅读>>
AMEYA360 × <span style='color:red'>ROHM</span> | 直播开讲!AI 服务器电源解决方案全解析
  当前,AI算力需求全面爆发,带动AI服务器市场快速扩容。如今机柜功耗暴涨,老旧400V供电架构已经无法满足高算力设备需求,行业普遍开始向800V高压直流方案升级。  高功率、高效率、高密度,已然成为AI服务器电源设计的硬性标准,不少工程师在高压电源拓扑设计、器件选型、散热优化上遇到诸多难题。  6月24日(周三)14:00-16:00,AMEYA360 × ROHM直播就带大家聊聊当下AI服务器市场真实行情与技术走向,并重点拆解适配AI电源系统的ROHM全系核心器件,包含碳化硅功率器件、MOS管、驱动IC、二极管与模拟芯片。  点击下方卡片,或扫描海报二维码即可预约直播,参与还有机会赢取精美礼品!  直播主题  罗姆器件赋能|AI服务器高效电源解决方案  AMEYA360|ROHM 授权代理 一站式电子元器件技术分享  直播时间  6月24日(周三)14:00-16:00  直播嘉宾  ROHM FAE MUSK  奖品合辑  现金红包、京东E卡、充电宝、数据线等礼品等你拿!  ROHM官方技术论坛  不仅是Webinar相关内容,所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!  论坛入口:https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/689746fc6335280cb03fac5f4e5eebd2/mid/858  别忘了提前预约6月24日AMEYA360 × ROHM直播!了解AI服务器市场真实行情,吃透行业升级技术干货!
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发布时间:2026-06-16 09:12 阅读量:265 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>课堂 | 什么是阻抗匹配?功率传输和防止信号反射的理由及原理
  阻抗匹配是使电路间的信号和功率实现高效传输的基本技术。从直流的最大功率传输到交流的反射和匹配,如果阻抗不匹配,就会导致天线无法充分发射电波、数字信号紊乱以及音频设备音质下降等各种问题。阻抗匹配对于RF电路(高频电路)、高速数字电路和音频设备等各类电子设备的稳定运行至关重要。本文将运用计算方法,并结合身边的实例,通俗易懂地介绍阻抗匹配的目的及其意义、基本原理和实际应用案例。  阻抗匹配的定义和概述  阻抗匹配的核心在于电路之间的匹配。通过调整信号源和负载的特性,可以提升功率传输效率,减少信号反射。就像水龙头和水管的尺寸需要匹配一样,在电路中也需要匹配“尺寸”。  什么是阻抗匹配?  阻抗匹配是一种将信号源和负载的阻抗进行适当调整的技术。在电路中,当不同阻抗的器件相互连接时,会导致部分功率被反射回来,或无法实现高效传输。  例如,将75Ω的器件直接连接到50Ω的同轴电缆上时,由于阻抗不同,部分信号会发生反射,从而无法发挥其应有的性能。解决这一问题的正是匹配技术,它能够实现更优的功率传输和信号质量。  阻抗不匹配引发的问题  阻抗不匹配会降低电路性能,导致功率被白白消耗、信号失真、设备故障。这些问题都可能由阻抗不匹配所引起。手机电池耗电快、音频音质下降等都是生活中常见的例子。  功率损耗与传输效率下降  阻抗不匹配会增加功率损耗,导致传输效率下降。在完全不匹配的情况下,甚至可能出现功率完全无法传输的情况。因为发送出去的大部分功率要么在信号源内部以热量形式被消耗,要么因反射而返回。在RF放大器中,不匹配会导致发热增加,缩短器件寿命。  阻抗匹配的典型应用案例  阻抗匹配并非是什么特别的技术,它被广泛应用于智能手机通信、电脑处理速度和音乐播放质量等日常电子设备中。从无线通信的50Ω标准,到数字电路的端接处理以及音频的音质提升,让我们通过具体事例来理解其应用。  RF电路和天线(50Ω系统)  RF电路是处理高频信号的电路,由放大器、滤波器和混频器等器件组成。在这些RF电路中,50Ω已被确立为标准阻抗。这是作为提升同轴电缆损耗与功率处理能力两者之间平衡的结果而被选定的。通过将RF放大器的输入输出、天线和电缆全部统一为50Ω,可以提升整个系统的效率。  RF放大器的设计示例  在900MHz频段的RF放大器设计中,可按以下步骤进行:  1. 输入匹配:将来自天线的50Ω信号与放大器的输入阻抗匹配  2. 输出匹配:将放大器输出与50Ω负载匹配  3. 确保稳定性:进行阻抗调整以防止振荡  测量放大器的S参数(S11、S21、S12、S22),并使用史密斯圆图来设计匹配电路。一般通过LC组合或微带线的短截线来实现。
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发布时间:2026-06-11 10:18 阅读量:356 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!
  中国上海,2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,面向车载应用中日益普及的48V电源系统,推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。  新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装,与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比,有望进一步实现小型化。另外,HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1,DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*2,均有助于提升电路板安装时的可靠性。同时,通过铜夹片键合*3技术提升散热性能,使得新产品能够支持大电流。该系列产品均符合AEC-Q101车规标准,满足车载产品严苛的可靠性要求。  从2026年4月起,新产品AG160FNS4FRA(HPLF5060封装)和AG166FNH7FRA(DFN3333封装)已投入量产(样品价格:500日元/个,不含税)。另外,新产品已开始网售,通过电商平台均可购买。ROHM计划在近期进一步扩充这些封装的产品阵容。此外,公司也已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm),以进一步扩充大功率、高可靠性的80V耐压MOSFET产品群。  <开发背景>在车载领域,以高端车型为主的汽车对电力的需求不断增长,48V系统作为替代以往12V系统的高效供电手段受到广泛关注,预计其在2030年前后将得到普及。为进一步降低损耗,要求相应的MOSFET为80V耐压产品,而非通常的100V耐压产品。为满足这一需求,ROHM新开发出80V耐压的MOSFET产品。该产品兼具小型化与高安装可靠性,能够满足不断发展的车载市场多样化需求。  <应用示例>车载48V系统:主驱逆变器控制电路、电机、电动水泵 等  <关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。  EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  “EcoMOS™”是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。  <术语解说>*1) 鸥翼型引脚  引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异,可提高安装可靠性。  *2) 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术  一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。  *3) 铜夹片键合  替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式,而采用Cu夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。
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发布时间:2026-05-28 14:41 阅读量:495 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案丨通过PMIC与DrMOS的组合,实现更适合SoC的电源设计,并满足未来高性能化的需求~
  中国上海,2026年5月19日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案,该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。  该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求,灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS,从而能够支持从低端到高端的各类SoC,并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置,有助于减少机型扩展时的工时,并提升电源效率。另外,构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100,可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能,能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时,还内置了电压、电流和温度监控及保护功能,确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产 品 。 另 一 方 面 , Main PMIC“BD96805Qxx-C” 和 Sub PMIC“BD96806Qxx-C” 通 过 与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合,能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求,具备出色的扩展性。新产品已经开始量产。详细信息请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。  <开发背景>近年来,随着ADAS的日益成熟、车载摄像头的功能提升以及ECU整合程度的不断提高,车载SoC正朝着高性能化的方向快速发展。与此同时,在ECU整合的背景下,汽车电子电气架构向域控架构*5的转型,正在推动以域控制器为核心的系统不断扩大应用。伴随着这一趋势,业界对以低电压、大电流驱动SoC的电源设计、精准的电源时序控制以及优异的可靠性提出了比以往更高的要求。另一方面,以往的电源设计需要针对每个SoC制造商、每一代产品的差异化要求进行个别应对,且在机型扩展时还需要重新设计电路,导致设计工时和验证负担增加,这是其一大课题。针对这些课题,ROHM基于“可配置(Configurable)”的设计理念,开发出了通过组合PMIC和DrMOS来灵活优化配置的电源解决方案,该方案不仅可以根据SoC的性能和应用进行高效的电源设计,还能够满足未来的性能提升需求。  <应用示例>高功率SoC:ADAS、DMS、座舱集成系统等  中等功率SoC:全景环视系统、泊车辅助系统等  低功率SoC:感测摄像头、车身控制、各种传感器控制等  <术语解说>*1) PMIC(电源管理IC)  一种内含多个电源系统、并在一枚芯片上集成了电源管理和时序控制等功能的IC。与单独使用DC-DC转换器IC、LDO及分立元器件等构成的电路结构相比,可以显著节省空间并缩短开发周期,因此近年来,无论在车载设备还是消费电子设备领域,均已成为具有多个电源系统的应用中的常用器件。  *2)DrMOS  集成了MOSFET和栅极驱动器IC的模块。其结构很简单,不仅有助于缩短设计周期,还可减少安装面积并实现高效率的功率转换。另外,其内部配有栅极驱动器,MOSFET的驱动也稳定,可确保高可靠性。  *3)SoC(System-on-a-Chip)  将CPU(Central Processing Unit,中央处理单元)、存储器、接口等集成于一枚电路板上的集成电路。因其可以实现出色的处理能力和功率转换效率并能节省空间,而被广泛应用于车载设备、消费电子和工业设备领域。  *4) Configurable PMIC  输出电压和电源时序可根据应用进行设置,并且能够根据不同的SoC和系统规格灵活应对电源配置的电源管理IC。  *5) 域架构(Domain Architecture)  将安装在车辆上的多个ECU(Electronic Control Unit)按功能域进行集中管理的结构。  在各个功能域中,统管多个ECU的上层控制单元称为“域控制器”。
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发布时间:2026-05-20 10:08 阅读量:574 继续阅读>>
 <span style='color:red'>ROHM</span> 研讨会预告 | 贴片电阻器热设计要点精讲
  1970年前后,大多数电子元器件是引脚式的,通孔安装是主流的安装方式。随着应用产品越来越复杂,所安装的元器件数量在增加,可实现高密度安装的表面贴装型元器件逐渐成为主流。  相应地,贴片电阻器也趋向于更加小型、大功率的产品。然而,随着安装密度的提高,传统的基于环境温度的管理方法在很多情况下已经不再适用。如果电路板的散热不充分,即使施加的功率在额定范围内,电阻器的温升也会很大,从而可能导致产品故障。因此,对于贴片电阻器,尤其是发热量较大的大功率产品而言,如何有效地抑制温升、如何准确地测量温度至关重要。  本次研讨会将向大家讲解贴片电阻器热设计方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名,参与还有机会赢取精美礼品!  01  研讨会提纲  1. 热对策的重要性  2. 环境温度保证和引脚温度保证  3. 关于电阻器的温度管理  4. 电阻器的温度测量要点  5. 关于热设计支持  02  研讨会主题  实践篇:不可不知的贴片电阻器热设计要点  03  研讨会时间  2026年5月27日上午10点  04  研讨会讲师  05  官方技术论坛  不仅是Webinar相关内容,所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!
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发布时间:2026-05-06 13:13 阅读量:535 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span> PLECS Simulator上线!实现电力电子电路的快速验证
  中国上海,2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”,该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况,非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。  “ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件,在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段,该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑,并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。  本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册,即可免费使用。另外,在专题页面上,除了该仿真工具的访问入口外,还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。  在电路设计时,尤其是在电力电子电路中,通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”,并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型,用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形,这一点获得了广泛好评。另一方面,用户还希望在开发初期阶段,能够基于损耗和发热验证,在短时间内选出理想的功率器件。  针对这一需求,ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”,专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨,运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证,并根据不同的开发阶段进行区分使用,进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。  <术语解说>  *) PLECS®  为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算,能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。  PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间:2026-04-23 16:21 阅读量:790 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!
  中国上海,2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”,该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。  ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中,通过改进器件结构并优化制造工艺,与以往的第4代产品相比,成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中,该产品有助于缩小单元体积,提高输出功率。  第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品,并于2026年3月完成开发。  另外,ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来,ROHM将进一步扩大产品阵容,同时完善设计工具,并强化针对应用产品设计的支持体系。  <开发背景>  近年来,在工业设备领域,随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及,用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高,引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策,将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注,但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中,除了延长续航里程和提升充电速度之外,还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此,在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中,能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。  ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET,并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群,通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中,助力降低能源损耗。此外,第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品,并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容,目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗,将进一步扩大SiC的应用领域。  未来,ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容,同时,通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用,为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。  <应用示例>  车载设备:xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机  工业设备:AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)  eVTOL、AC伺服  <关于“EcoSiC™”品牌>  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <术语解说>  *) 牵引逆变器  电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间:2026-04-22 09:07 阅读量:674 继续阅读>>

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