在高压功率变换的世界里,每一纳秒的延迟、每一毫安的驱动能力,都直接关系着系统的效率与可靠。核芯互联正式发布两款光隔离栅极驱动器——CLI343与CLI349,以光耦隔离的成熟可靠,直面SiC/GaN与IGBT驱动的严苛挑战。
两款器件均采用LSOP-6贴片封装,绝缘耐压达5000VRMS/1min(UL1577),工作温度 -40℃~105℃,满足工业与新能源应用的严苛要求。

配图:功能图(在VCC和VEE之间必须连接一个1 μF的去耦电容)
Part 01
CLI343 · 4A 大电流轨到轨栅极驱动器
CLI343面向电机控制逆变器应用,高峰值输出电流可直接驱动1200V/200A等级IGBT;对更高耐压器件,亦可用于驱动IGBT栅极分立功率级。按IEC/EN/DIN EN 60747-5-2,最高绝缘电压VIORM = 891Vpeak。
✦ 核心亮点
4A最大峰值输出电流(最小3A),轨到轨输出电压
200ns最大传输延迟,100ns最大传输延迟差
35kV/μs最小共模抑制(VCM=1500V)
具有迟滞的UVLO(典型12.8V/11.8V)
ICC最大3mA,VCC工作范围15~30V
强共模抑制能力确保微控制器在大共模噪声环境下正常工作;输入电流直接驱动LED并兼具迟滞特性,输入端无需额外施密特触发器。
Part 02
CLI349 · 2.5A 输出轨到轨栅极驱动器
CLI349内置AlGaAs LED,光耦合至带功率输出级的集成电路,专为驱动功率SiC/GaN MOSFET与IGBT而生。输出级高工作电压范围提供栅控器件所需驱动电压,高峰值输出电流可直接驱动1200V/100A等级器件。
✦ 核心亮点
2.5A最大峰值输出电流,轨到轨输出电压
120ns最大传输延迟,50ns最大传输延迟差
具有迟滞的LED输入电流,抗差模噪声抖动
具有迟滞的UVLO(典型13.4V/12.4V)
ICC最大3mA,VCC 工作范围15~30V
基于BCD工艺打造,峰值电流更高、速度较上代提升一倍,有助于缩短SiC/GaN MOSFET开关死区时间、提升系统整体效率;轨到轨输出让栅极驱动电压达到期望值且几乎无能量损失。
CLI349 vs CLI343 核心参数对比
大电流 IGBT选CLI343 / 高速 SiC/GaN选CLI349

注:对比数据以官方对比图口径整理若与实测数据图存在差异,以实测数据为准。

配图:封装外形图
✦ 推荐应用电路
VCC与VEE之间须接1μF去耦电容;LED 两端电阻(约 1.5:1)构建平衡电阻网络,提升共模抑制;栅极电阻 RG 限制栅端电流、控制开关时间。

配图:推荐应用电路与LED驱动两端的电阻
✦ 应用场景
01
IGBT / MOSFET 栅极驱动
02
交流 & 无刷直流电机驱动
03
可再生能源逆变器
04
工业逆变器
05
开关电源

在线留言询价
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| MC33074DR2G | onsemi | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注
请输入下方图片中的验证码: