电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

薄膜<span style='color:red'>晶体</span>管结构和原理及应用

行业新闻

薄膜晶体管结构和原理及应用

关键词：

薄膜晶体管

发布时间：2026-07-14 13:08 阅读量：259 继续阅读>>

芯片内部<span style='color:red'>晶体</span>管是如何工作的?

行业新闻

芯片内部晶体管是如何工作的?

　　芯片作为现代电子设备的核心，其内部的基本工作单元就是晶体管。那么，芯片内部的晶体管到底是如何工作的呢?　　什么是晶体管?　　晶体管是一种由半导体材料制成的电子元件，主要用于放大或开关电子信号。现代芯片通常使用的是场效应晶体管(FET)，特别是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，因为它们结构紧凑，功耗低，切换速度快，适合大规模集成电路设计。　　晶体管的结构　　以MOSFET为例，它基本由以下几个部分组成：　　源极：电子或空穴的注入端。　　漏极：电子或空穴的输出端。　　栅极：控制电流开关的电极，隔着一层绝缘氧化层。　　衬底：半导体材料本体，通常是硅。　　栅极通过绝缘层与衬底隔开，形成一个电容结构。通过对栅极施加电压，可以控制源极和漏极之间的导通与截止。　　晶体管的工作原理　　MOSFET的核心工作机制是利用栅极电压来调节半导体中电流的流动：　　关断状态　　当栅极电压低于阈值电压时，源极和漏极之间不存在导电通道，晶体管处于关断状态，电流无法流通。　　开启状态　　当栅极电压高于阈值电压时，栅极下方的半导体中形成反型层，即导电通道。电子或空穴可以从源极流向漏极，电流得以流通，晶体管处于导通状态。　　通过控制栅极电压，晶体管可以作为一个开关，快速切换导通和关断状态。这种开关动作是数字电路中“0”和“1”的基础。　　晶体管在芯片中的作用　　在芯片中，成千上万个晶体管被集成在极小的空间里。它们通过互联电路组成各种复杂的逻辑门，如与门、或门、非门等，从而实现算术运算、数据存储和信号处理。　　晶体管的高速开关能力使得芯片能够高速处理大量数据，驱动计算机运算、图像处理、通信等功能。与此同时，晶体管的尺寸不断缩小，功耗也得以降低，推动了芯片性能的不断提升。

关键词：

晶体管

发布时间：2026-06-25 09:54 阅读量：457 继续阅读>>

杭晶电子丨【重磅推荐】148.500MHz LVDS差分输出<span style='color:red'>晶体</span>振荡器

行业新闻

杭晶电子丨【重磅推荐】148.500MHz LVDS差分输出晶体振荡器

　　CO32D6-148.500-33KDTST　　148.500MHz LVDS差分输出晶体振荡器　　工业视觉检测设备专用　　超低抖动时钟解决方案　　专为工业视觉系统设计的高性能、低抖动时钟源，为高速图像采集、处理与传输提供精准稳定的时钟基准。　　超低抖动 —— 0.5ps RMS(12kHz~20MHz)　　高频输出 —— 148.500MHz高速稳定　　LVDS差分输出 —— 抗干扰强信号完整性优异　　工业级宽温 —— -40℃~+85℃ 稳定可靠　　高可靠性 —— 通过多项可靠性测试长期稳定运行　　工业视觉应用　　AOI自动光学检测 —— 高精度焊点检测提高检测准确率　　尺寸测量 —— 微米级精度测量确保测量一致性　　缺陷识别 —— 清晰图像采集与处理提升缺陷识别率　　智能分拣 —— 高速识别与决策，提高分拣效率　　更多应用—— PCB检测丨锂电检测丨半导体检测丨3C检测丨医疗检测等　　产品优势　　0.5ps RMS超低抖动 —— 有效降低相位噪声，提升图像质量　　LVDS差分输出 —— 抗干扰能力强，EMI更低　　±25ppm频率稳定度 —— 满足工业视觉产需需求　　3.2×2.5mm小型封装 —— 节省PCB空间，方便高密度设计　　3.3V供电，低功耗 —— 满足系统低功耗设计要求　　快速启动，稳定输出 —— 10ms Max，快速启动时间　　产品规格　　高可靠性测试　　温度循环：-55℃~+125℃　　高低温存储：-55℃ / +125℃　　湿热测试：40℃ / 90%RH　　振动测试：10~500Hz　　冲击测试：1000m/s²　　回流焊测试：265℃ / 10s　　跌落测试：1.0m　　符合国际环保标准　　RoHS Compliant | REACH Compliant | Lead-Free 无铅 | Halogen-Free 无卤

关键词：

杭晶电子

发布时间：2026-06-22 10:18 阅读量：395 继续阅读>>

村田 | 面向车载UWB应用的高准确度<span style='color:red'>晶体</span>谐振器与热敏电阻组合方案

行业新闻

村田 | 面向车载UWB应用的高准确度晶体谐振器与热敏电阻组合方案

　　株式会社村田制作所开始提供面向车载UWB(Ultra Wide Band)用途的组合方案与电路设计支持。该方案在分立构成中将晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」组合使用，并提供相应编号建议及电路设计支持。本提案及支持主要面向利用UWB的车载应用，如数字钥匙、CPD(Child Presence Detection)、传感器以及Wireless BMS等。　　近年来，在车载UWB应用中，随着数字钥匙和安全功能的不断升级，对宽带通信中的高准确度定时控制需求不断增加。然而在高温环境下，仅依靠晶体谐振器本体较难满足所需精度，因此通常需要利用晶体谐振器内置的温度传感器进行补偿。　　另一方面，为了优化成本结构，部分客户希望采用晶体谐振器与外置热敏电阻的分立构成方式，但在电路设计及温度补偿方面存在一定难度。　　为此，村田开始提供晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」在分立构成中的组合方案，并提供用于温度特性补偿的电路设计支持。　　在本支持服务中，客户可通过支持链接进行咨询。村田可借用客户的安装基板，对安装本产品后的温度特性参数进行测量，并提供相关数据。　　近年来，在车载UWB应用中，随着数字钥匙和安全功能的不断升级，对宽带通信中的高准确度定时控制需求不断增加。然而在高温环境下，仅依靠晶体谐振器本体较难满足所需精度，因此通常需要利用晶体谐振器内置的温度传感器进行补偿。　　另一方面，为了优化成本结构，部分客户希望采用晶体谐振器与外置热敏电阻的分立构成方式，但在电路设计及温度补偿方面存在一定难度。　　为此，村田开始提供晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」在分立构成中的组合方案，并提供用于温度特性补偿的电路设计支持。　　在本支持服务中，客户可通过支持链接进行咨询。村田可借用客户的安装基板，对安装本产品后的温度特性参数进行测量，并提供相关数据。　　通过上述支持，即使在分立构成条件下，也可以使用针对安装基板优化后的补偿参数，从而有助于实现客户的性能目标，并提高设计流程效率。　　此外，本组合方案中的晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」为新产品，已于2026年3月开始量产。该产品实现了2016的小型尺寸、高可靠性以及低故障率，有助于车载应用设备的小型化以及安全功能的升级。　　主要特点:　　晶体谐振器XRCGE55M200MZF1BR0　　支持高准确度温度补偿：通过专有切割技术，对高温环境下的温度特性曲线进行优化　　面向车载应用的高可靠性：确保工作温度115℃，低故障率(无微粒)　　设计支持：通过温度补偿电路的技术支持，使分立构成的设计更加容易实现　　稳定供应　　无铅　　主要特点:　　热敏电阻NCU03XH103F6SRL　　适用于汽车等需要高可靠性部件的设备　　采用铜电极实现小型化：0.02 × 0.01英寸(0.6 × 0.3 mm)　　由于体积较小，可实现迅速响应

关键词：

村田

发布时间：2026-06-04 09:18 阅读量：676 继续阅读>>

行业新闻

村田面向车载UWB推出高准确度晶体谐振器与热敏电阻组合方案，并提供电路设计支持

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)开始提供面向车载UWB(Ultra Wide Band)用途的组合方案与电路设计支持。该方案在分立构成中将晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」组合使用，并提供相应编号建议及电路设计支持。本提案及支持主要面向利用UWB的车载应用，如数字钥匙、CPD(Child Presence Detection)、传感器以及Wireless BMS等。　　近年来，在车载UWB应用中，随着数字钥匙和安全功能的不断升级，对宽带通信中的高准确度定时控制需求不断增加。然而在高温环境下，仅依靠晶体谐振器本体较难满足所需精度，因此通常需要利用晶体谐振器内置的温度传感器进行补偿。　　另一方面，为了优化成本结构，部分客户希望采用晶体谐振器与外置热敏电阻的分立构成方式，但在电路设计及温度补偿方面存在一定难度。　　为此，村田开始提供晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」与热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」在分立构成中的组合方案，并提供用于温度特性补偿的电路设计支持。　　在本支持服务中，客户可通过支持链接进行咨询。村田可借用客户的安装基板，对安装本产品后的温度特性参数进行测量，并提供相关数据。　　通过上述支持，即使在分立构成条件下，也可以使用针对安装基板优化后的补偿参数，从而有助于实现客户的性能目标，并提高设计流程效率。　　此外，本组合方案中的晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」为新产品，已于2026年3月开始量产。该产品实现了2016的小型尺寸、高可靠性以及低故障率，有助于车载应用设备的小型化以及安全功能的升级。　　组合提案产品的主要特点　　1.晶体谐振器「XRCGE55M200MZF1BR0」　　<特点>　　①支持高准确度温度补偿：通过专有切割技术，对高温环境下的温度特性曲线进行优化　　②面向车载应用的高可靠性：确保工作温度115℃，低故障率(无微粒)　　③设计支持：通过温度补偿电路的技术支持，使分立构成的设计更加容易实现　　④稳定供应　　⑤无铅　　<规格>　　2. 热敏电阻「NCU03XH103F6SRL」　　<特点>　　①适用于汽车等需要高可靠性部件的设备。　　②采用铜电极实现小型化：0.02 × 0.01英寸(0.6 × 0.3 mm)。　　③由于体积较小，可实现迅速响应。　　<规格>

关键词：

村田

发布时间：2026-05-11 14:19 阅读量：703 继续阅读>>

双极型<span style='color:red'>晶体</span>管的本质是什么？

行业新闻

双极型晶体管的本质是什么？

　　双极型晶体管(可以简称为：BJT)作为电子电路中最基础和最常用的半导体器件之一，其本质决定了它广泛应用于放大、开关和信号处理等领域。那么简单了解一下其本质都包括哪些吧!　　一、双极型晶体管的结构简介　　双极型晶体管由三层不同掺杂类型的半导体材料构成，形成两个PN结。这三层分别是发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。根据掺杂顺序的不同，BJT分为NPN型和PNP型两种基本类型。　　二、双极型晶体管的本质　　双极型晶体管的本质是一种电流控制电流的半导体器件。它的工作核心基于两种载流子的协同作用——电子和空穴，因此称为“双极型”。　　载流子协同工作：BJT工作时，发射极向基极区域注入大量载流子(对NPN管来说是电子，对PNP管来说是空穴)，少量载流子通过基极并被集电极收集，从而在集电极和发射极之间形成放大电流。　　电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流的显著变化，因此双极型晶体管能够实现电流放大功能。　　三、工作机理分析　　双极型晶体管的工作机理可视为两个相反方向的二极管连接，发射极和基极之间的PN结的正向偏置使载流子注入基区，基区载流子被集电极引走，从而完成电流放大。同时，基区非常薄且掺杂较轻，以保证大部分注入的载流子能穿过基区到达集电结。　　四、双极型晶体管的应用意义　　由于其本质上的电流放大特性，双极型晶体管在放大电路、开关电路以及模拟和数字电路中都有广泛应用。其高速、线性好和驱动能力强等特点，使它成为电子设计的核心元器件之一。　　综上所述，双极型晶体管作为电子元件的“心脏”，其本质是通过载流子协同作用，实现电流的控制和放大。因此在基础电路中常被应用。

关键词：

双极型晶体管

发布时间：2026-05-06 13:11 阅读量：679 继续阅读>>

npn与pnp型<span style='color:red'>晶体</span>管的特点是什么？

行业新闻

npn与pnp型晶体管的特点是什么？

　　晶体管作为电子电路中的重要半导体元件，广泛应用于放大、开关和信号处理等领域。根据半导体的结构不同，晶体管主要分为NPN型和PNP型两大类。那么，NPN与PNP型晶体管的特点是什么?　　NPN型晶体管的特点　　1. 结构组成　　NPN晶体管由两个N型半导体材料夹着一个P型材料组成，三个区域依次为发射极(N)、基极S、集电极(N)。　　2. 工作原理　　在NPN晶体管工作时，电流主要由发射极的电子注入基极，电子穿过极薄且掺杂较轻的P型基极，进入集电极。基极电流较小，控制着通过晶体管的较大集电极电流。　　3. 导通条件　　NPN型晶体管导通时，基极相对于发射极需要施加正向电压(通常约0.7V)，集电极保持高于发射极的正电压。电流方向为电子从发射极流向集电极。　　4. 特点总结　　电子为主导载流子，电子迁移率高，开关速度快，性能优良。　　常用于负载接地、正电源控制的场景。　　工作电压相对较高，适合高速开关和高频电路。　　PNP型晶体管的特点　　1. 结构组成　　PNP型晶体管由两个P型半导体材料夹着一个N型材料组成，三个区域依次为发射极§、基极(N)、集电极S。　　2. 工作原理　　PNP晶体管的主要载流子是空穴。在工作时，空穴从发射极注入基极，通过N型浅掺杂基极进入集电极。基极电流很小，控制着集电极电流。　　3. 导通条件　　PNP型晶体管导通时，基极相对于发射极需施加负向电压(大约-0.7V)，集电极电压低于发射极。电流方向为空穴从发射极流向集电极。　　4. 特点总结　　空穴为主导载流子，迁移率低于电子，开关速度略慢。　　适合正载流、负载接正电源的电路。　　多用于高侧开关电路和电源电路中。　　NPN与PNP型晶体管虽然工作原理相似，但因载流子类型不同，导致其应用场景和电路设计方式存在差异。设计电路时，合理选择晶体管类型，搭配相应的偏置电压和电源连接，才能实现稳定、高效的电路性能。

关键词：

晶体管

发布时间：2026-04-29 09:34 阅读量：797 继续阅读>>

<span style='color:red'>晶体</span>管工作状态的判断方法

行业新闻

晶体管工作状态的判断方法

　　晶体管作为电子电路中的基本元件，其工作状态的正确判断对于电路设计、调试及故障排除具有重要意义。晶体管主要有三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。　　一、晶体管的基本工作状态　　截止状态　　截止状态下，晶体管的基极-发射极结和集电极-基极结均不导通，晶体管相当于断开状态，集电极电流几乎为零。这时，输出电路不通电，晶体管不放大信号。　　放大状态　　放大状态是晶体管的正常工作状态，基极-发射极结正向偏置，集电极-基极结反向偏置，晶体管可实现电流放大，输入信号得到有效放大。　　饱和状态　　饱和状态时，晶体管的基极-发射极结和集电极-基极结都为导通状态，集电极电流达到最大值，晶体管相当于导通开关，输出电阻最低。　　二、判断晶体管工作状态的具体方法　　1. 通过电压测量判断　　测量基极-发射极电压(V_BE)　　通常硅晶体管的V_BE约为0.6～0.7V：　　V_BE < 0.5V，晶体管截止。　　V_BE ≈ 0.6～0.7V，晶体管进入放大区。　　测量集电极-发射极电压(V_CE)　　根据V_CE值判断：　　V_CE较高(约数伏至电源电压)，晶体管截止。　　V_CE适中(一般0.3～10V)，晶体管放大状态。　　V_CE极低(约0.1～0.3V)，晶体管饱和状态。　　2. 通过电流测量判断　　基极电流(I_B)与集电极电流(I_C)比例　　放大状态下，I_C = β × I_B(β为晶体管电流放大系数)。　　若I_C远小于预期值，则可能截止;若接近极限，可能是饱和。　　测量发射极电流(I_E)　　I_E ≈ I_B + I_C，结合电流关系可进一步判断状态。　　3. 使用测试设备辅助判断　　晶体管检测仪　　使用专用晶体管测试仪直观显示晶体管的工作状态、放大系数和结点是否正常。　　多用电表测量二极管特性　　晶体管内部由两个PN结组成，测量基极-发射极和基极-集电极之间的电压降，可以判断晶体管结是否正常，间接推断工作状态。　　三、实际应用中的注意事项　　温度影响　　温度升高会影响晶体管的V_BE和电流，判断时应考虑环境因素。　　晶体管类型不同　　不同类型(NPN与PNP)和材料(硅、锗)晶体管的特性值有所差异，判断时需根据具体型号稍作调整。　　电路环境复杂　　实际电路中，电压和电流可能受到其他元件影响，判断状态时结合电路整体分析更准确。　　晶体管工作状态的判断，是电子工程师必备的基本技能。通过电压、电流测量和辅助测试工具，能够准确判断晶体管是否处于截止、放大或饱和状态，保证电路工作的稳定与可靠。

关键词：

晶体管

发布时间：2026-04-21 10:15 阅读量：818 继续阅读>>

ROHM课堂 | 光传感器：光电二极管和光电<span style='color:red'>晶体</span>管介绍

行业新闻

ROHM课堂 | 光传感器：光电二极管和光电晶体管介绍

　　关键要点　　・光传感器本质上是将感光器件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。　　・光电二极管是比较简单的光电转换元件。　　・光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件。　　利用光检测的传感器种类繁多。此前介绍过的照度传感器和接近传感器以及利用光电容积脉搏波法的脉搏传感器也属于光传感器的范畴。本文将介绍光传感器中比较基础的光电二极管和光电晶体管。　　01什么是光传感器　　光传感器本质上是将感光元件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。其功能多样，既可简单地检测光的有无与强弱，也能识别颜色等，并且可以适配自然光和发光二极管等多种光源。光传感器的核心是感光元件，其中比较基础的元件是光电二极管和光电晶体管。它们的应用场景丰富多样，覆盖范围非常广泛。　　02什么是光电二极管　　光电二极管是比较简单的光电转换元件。其结构由p型半导体和n型半导体组成的pn结构成，与普通的pn结整流二极管基本相同。其V-I特性在无光条件下与普通二极管相同(下图中的蓝色曲线)，但当pn结受光时，光电二极管的V-I特性会向下偏移(下图中的红色曲线)。此时，从阴极流向阳极的反向电流称为“光电流”。光电流基本与照度(入射光量)成正比(见下图)。由于以反向电流作为输出，因此通常在反向偏置中使用。　　光电二极管的输出电流(光电流)通常为微安(μA)级，数值较小，因此一般需要先通过晶体管或运算放大器等接收并放大后再利用。另外，光电二极管具有照度(入射光量)与输出电流之间的线性度较高、响应速度快等特点。　　03什么是光电晶体管　　光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件(见下图)。光电二极管的光电流为μA级，由于通常很难直接处理如此微小的电流，因此光电晶体管会将其放大至mA级再输出。另外，通过放大，即使在照度较低(即光电流较小)的情况下也能获得足够的输出，从而提升灵敏度。　　在图中，NPN晶体管的集电极-基极之间似乎连接了光电二极管，但实际上是NPN晶体管的基极(p型)和集电极(n型)之间的pn结起到了光电二极管的作用。此处产生的光电流成为晶体管的基极电流，经晶体管放大hFE倍后，形成集电极电流Ic(输出电流)流过。输出电流基本与照度成正比。由于结构和工作原理的差异，光电晶体管的响应速度比光电二极管慢。

关键词：

ROHM

发布时间：2026-04-10 09:45 阅读量：878 继续阅读>>

泰晶科技丨实现精准时钟：<span style='color:red'>晶体</span>谐振器匹配电路设计指南

行业新闻

泰晶科技丨实现精准时钟：晶体谐振器匹配电路设计指南

　　在电子电路中，石英晶体谐振器作为核心频率控制元件，其性能直接影响系统的稳定性和可靠性。为了确保晶体谐振器与电路实现最佳匹配，设计工程师需重点关注以下几个核心要素：　　01 负性阻抗：振荡稳定性的基石　　负性阻抗(-R)是振荡电路起振的关键参数，其大小直接决定振荡的可靠性和稳定性。根据行业标准，负性阻抗应至少达到晶体谐振阻抗(Rr)的3倍，而实际设计中建议提升至5倍以上，以缩短起振时间并增强抗干扰能力。　　设计要点：　　→增益优化‌：通过调整振荡回路增益(gm)来提升负性阻抗，例如在皮尔斯振荡器中合理设置反馈电阻(RF)。　　→稳定性测试‌：采用可变电阻串联法，逐步增大电阻直至振荡停止，以此验证负性阻抗是否满足设计要求。　　02 激励功率：平衡驱动与保护的艺术　　激励功率是驱动晶体谐振器机械振动的能量来源，其强度需精确控制以避免性能下降或器件损坏。　　功率计算与调节：　　→测量方法‌：使用高频电流探头检测流过晶体的电流(Ix)，通过公式DL = I² × RL计算激励功率，其中RL = Rr × (1 + Co/CL)²。　　调节策略‌：　　→减小Cg(门极电容)或Cd(漏极电容)以降低驱动强度。　　→增大Rd(阻尼电阻)抑制过驱动风险。　　推荐范围‌：　　MHz级晶体的激励功率控制在1~100μW，KHz级晶体则需低于1μW。　　03 工作频率：负载电容的精准匹配　　输出频率的准确性取决于电路负载电容(Cpcb)与晶体标称负载电容(CL)的一致性。两者匹配时，晶体工作在谐振频率(Fr)，实现最佳频率稳定性。　　负载电容计算‌：　　公式：CL = C1 × C2 / (C1 + C2) + Cs　　Cs为杂散电容，包括PCB分布电容和IC结电容，需通过近场探头实测优化。　　频率微调‌：　　根据Fpcb = Fr × (1 + C1 / (2 × (Co + CL)))调整C1、C2，使输出频率接近标称值。　　示例：若Fr=12MHz，Co=3pF，CL=18pF，则Fpcb≈12.0003MHz，误差可忽略。　　04 设计实践：从理论到落地的步骤　　晶振选型‌：优先选择低ESR(等效串联电阻)的晶体，提升起振可靠性。　　电路布局‌：　　缩短晶振走线，减少寄生电感。　　远离高频信号源，降低电磁干扰。　　保护措施‌：串联小电阻(RS)限制过驱动电流，延长晶体寿命。　　验证流程‌：　　测试振荡安全系数(OSF)，确保MHz级OSF>5，KHz级OSF>3。　　校准驱动功率，避免超限运行。　　05 常见问题与解决方案　　不起振‌：检查负性阻抗是否达标，或激励功率是否过低。　　频率偏移‌：验证负载电容匹配性，调整C1、C2补偿杂散电容。　　间歇振荡‌：优化电路布局，减少外界干扰。　　通过系统化设计，工程师可显著提升晶体谐振器的性能，为通信、计时等应用提供稳定可靠的频率基准。

关键词：

泰晶

发布时间：2026-02-02 15:24 阅读量：1235 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址