上海永铭携<span style='color:red'>AI服务器</span>电容解决方案亮相中国电源学会第二十九届学术年会：<span style='color:red'>AI服务器</span>篇
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上海永铭携AI服务器电容解决方案亮相中国电源学会第二十九届学术年会：AI服务器篇

　　上海永铭电子将于2026年11月6日至7日参加第五届中国电力电子与能量转换大会暨展览会中国电源学会第二十九届学术年会，进驻苏州国际博览中心B1馆D21。　　现场将全面展示新能源发电与储能、电气化交通、AI服务器、机器人与电机驱动、功率器件配套五大领域电容解决方案。本次展会，永铭特别设立AI服务器专属展示区，为您带来从超级电容到电解电容的全链路选型方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　PART01 AI服务器全场景电容解决方案　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、断电数据保护(PLP)提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器备用电源、电源、主板、存储四大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　1)AI服务器备用电源(BBU/CBU、RAID卡及存储备用电源)　　针对AI服务器突发断电时的瞬态稳压与空间限制需求，永铭提供以下两大类超级电容方案，保障系统在极端条件下的稳定过渡及数据安全：　　方案一：混合型超级电容器(AI服务器备用电源 BBU/CBU)　　永铭推出SLF系列混合型超级电容器，针对服务器突发断电时的瞬态稳压与空间限制需求提供强力保障。　　核心优势：　　瞬态稳压：内阻低至0.8mΩ，快速响应大电流条件下的电压波动。　　小体积、轻量化、极速充电：在保障高可靠性的前提下，实现了体积缩减 50\% - 70\%、重量减轻50%−60%的轻量化设计，同时充电速度提升5倍，完美突破空间限制超长寿命：支持100万次循环寿命，工作温度覆盖 −30∘C∼+70∘C 。　　【部分优势规格推荐】　　方案二：双电层超级电容器(RAID卡备用电源)　　针对RAID卡备用电源需求，提供具备低内阻、长寿命及小型化高能量特性的双电层电容器，工作温度覆盖 −40∘C∼+70∘C。　　方案三：双电层超级电容器(服务器存储及边缘计算备用电源)　　针对服务器存储盘(如SSD等)的掉电数据保护需求，推出SDN系列标准品，提供长寿命、高可靠的备用电源支持。　　2)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　3)AI服务器主板　　方案一：叠层高分子固态铝电解电容器　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　方案二：导电高分子钽电解电容器　　核心优势： 提供超薄型品、薄型品，满足主板的极限空间与高可靠性要求。　　4)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。　　方案一：高分子混合动力铝电解电容器(固液混合)　　永铭NGY/NHT系列固液混合电容，为国产存储生态注入高可靠电容底座。核心优势：　　安全失效模式：失效模式为"开路"，相较于钽电容的短路模式，为高价值数据存储系统提供更高安全冗余，大幅降低因电容失效导致的数据丢失风险。　　超长寿命：NGY系列105℃环境下10,000小时超长寿命，NHT系列更支持125℃/4,000小时极端工况，满足企业级SSD 7×24小时高温满载运行需求。　　极致性价比：在保障PLP性能的前提下，BOM成本仅为钽电容方案的约15%，是主流大容量企业级SSD和成本敏感型存储项目的首选方案。　　方案二：液态铝电解电容器　　针对企业级固态硬盘(SSD)的供电与滤波需求，永铭提供具备低ESR、小体积及长寿命特性的液态铝电解电容器方案。　　PART02　　硬核赋能，共筑AI算力基座　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。面对大模型时代的高功耗与高负荷挑战，永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。　　更多技术细节与选型支持，欢迎在2026年11月6日至7日莅临苏州国际博览中心B1馆D21，与永铭工程师面对面交流。期待您的莅临!
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发布时间：2026-10-26 14:38 阅读量：349 继续阅读>>
上海永铭丨<span style='color:red'>AI服务器</span>高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏电流可靠性支撑Pin-to-Pin替代
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上海永铭丨AI服务器高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏电流可靠性支撑Pin-to-Pin替代

　　本文摘要　　AI服务器电源中的DC Link直流母线与板级滤波电容，需要长期承受高温、大纹波和连续负载变化。漏电流若在运行中出现异常漂移，可能放大器件发热和失效风险，并进一步影响设备维护成本与交付稳定性。永铭IDC3系列围绕氧化膜、电解液、密封、连接工艺和出厂筛选建立控制路径，并提供全温区电气数据及Pin to Pin验证基础，帮助客户把可靠性评估前置到选型与导入阶段。　　AI服务器高负荷运行下 为什么漏电流值得提前评估　　在AI服务器中，牛角铝电解电容承担母线滤波、储能和板级滤波等任务。设备从启动到高负载计算，电容面对的不只是额定电压和容量，还包括温度循环、持续纹波、峰值电流以及多并联时的一致性要求。对于7×24小时运行的系统，可靠性判断不能只停留在出厂时的单点参数。　　漏电流风险通常存在一条逐步发展的路径。阳极箔氧化膜的微小损伤、杂质带来的局部腐蚀、电解液修复能力不足，都会为电流异常提供起点。温度上升后，离子迁移和水合反应加快，氧化膜可能出现变薄、微裂纹或针孔;漏电流的增加又会带来额外焦耳热，使电解液挥发和膜层修复能力下降。对服务器客户而言，关键问题因此不只是“当前数值是否合格”，更是这一风险能否被识别、控制和验证。　　IDC3如何从制造环节控制漏电流风险　　IDC3的控制逻辑从失效诱因出发，将材料、结构与工艺串联起来。高纯度阳极铝箔和满足450至500V耐压要求的化成氧化膜，为膜层致密性提供基础;工作电解液兼顾导电和膜层修复作用，并对氯离子、硫酸根等有害杂质及水分含量进行控制。　　在长期高温工况下，密封能力直接影响电解液保持状态。IDC3采用优质板材加膜的密封结构，降低电解液挥发干涸的风险。连接环节采用激光焊接替代传统点焊或铆接，资料显示可降低接触电阻，使ESR降低约30%，同时改善焊接一致性，为多并联应用中的电流分配控制提供支持。结合原材料、生产环境洁净度和杂质管控，风险控制不再只依赖终检，而是前移到关键制造环节。　　IDC3关键规格与全温区电气特性　　选型时，20℃下的额定容量只是起点。系统实际运行会经历低温启动、常温运行与高负荷升温，因此需要同时观察容量和ESR随温度变化的轨迹。IDC3两种常用规格的基础参数如下。　　图1：IDC3 475V1670uF与475V2270uF规格、电气参数及漏电流内规格值　　在120Hz测试条件下，475V 1670µF规格的容量平均值由−40℃的1261.58µF变化至105℃的1570.92µF，ESR平均值由1135.86mΩ降至18.82mΩ。475V 2270µF规格的容量平均值由1732.03µF变化至2111.30µF，ESR平均值则由984.24mΩ降至17.68mΩ。两个规格虽然容量等级和尺寸不同，但都建立了从低温到高温的连续数据观察基础。　　图2：IDC3 475V 1670uF 30×100容量与ESR高低温测试结果　　换到更大容量的IDC3 475V 2270uF 35×100，同样可以看到完整的温度变化过程。容量平均值从-40℃的1732.03uF逐步变化至105℃的2111.30uF;ESR平均值则从984.24mΩ下降至17.68mΩ。　　图3：IDC3 475V 2270uF 35×100容量与ESR高低温测试结果　　IDC3通过这两组规格的高低温测试数据，让客户能够更直观地看到器件从低温到高温的电气特性变化，为后续选型和应用验证提供依据。　　当然，容量和ESR的温度特性解决的是“不同温度下电气参数如何变化”的问题，而AI服务器客户更加关注的漏电流异常，则需要从氧化膜质量、杂质控制、电解液修复能力以及高温加速机制等方面进一步判断。也就是说，只有把全温区电气特性与漏电流可靠性放在同一个应用场景中理解，才能更完整地评价牛角铝电解电容在AI服务器中的长期使用风险。　　从出厂筛选到高温存储 用数据验证漏电流表现　　IDC3的漏电流测试条件为20℃下施加额定电压5分钟后测量。针对服务器应用，内部以规格值的30%作为加严内控窗口，旨在进一步收窄潜在差异。高温存储验证则关注器件在严苛环境后的恢复表现：在105℃下存储1000小时，恢复至20℃后测试，漏电流维持在初始规格范围内。　　图4：两种IDC3规格初始漏电流与105℃/1000h高温储存后漏电流数据　　这些数据的意义并不在于替代完整的系统级验证，而在于为项目早期筛选提供可追溯的依据。客户仍应按照实际电压、纹波、散热条件与寿命目标开展应用验证。　　永铭Pin to Pin替代，为第二供应源评估提供起点　　对已采用日系同类方案的客户，第二供应源的价值不只是增加一个料号，更在于建立经过规格匹配和验证的供应选择。　　IDC3 475V 1670µF Φ30×100mm　　可对应475V 1600µF 30×100mm应用;　　IDC3 475V 2270µF 35×100mm　　可对应475V 2200µF 35×100mm应用。　　两类规格引脚间距一致，可作为Pin to Pin替代验证的起点。　　从样品申请、规格核对、台架测试到整机导入，客户可以分阶段推进评估，在确认可靠性要求的同时，降低单一供应来源带来的项目不确定性。具体替代关系及导入结论仍需结合客户的电路条件和验证流程确认。　　Q&A　　Q：永铭IDC3如何保证漏电流的稳定　　A：通过氧化膜致密性、阳极箔与电解液杂质控制、电解液的膜层修复能力、密封可靠性、激光焊接一致性以及出厂前的加严筛选。　　Q：全温区容量和ESR数据，选型该看什么?　　A：AI服务器会经历低温启动、常温运行和高负载升温，20℃单点参数不能完全代表全温区表现。以475V/1670µF为例，120Hz下容量平均值从-40℃的1261.58µF到105℃的1570.92µF，ESR平均值从1135.86mΩ降至18.82mΩ。这些数据用于评估低温启动和高温负载时的电气裕量，实际选型还要结合纹波电流、散热条件和寿命目标。
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发布时间：2026-10-16 10:24 阅读量：293 继续阅读>>
杰华特如何破解<span style='color:red'>AI服务器</span>供电瓶颈？
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杰华特如何破解AI服务器供电瓶颈？

　　AI 服务器犹如一台全力冲刺的专业赛车，GPU 是输出澎湃性能的发动机，而 DrMOS 则是保障动力稳定释放的高速功率执行单元。　　随着算力密度不断攀升，AI 服务器的运行工况也愈发严苛。整机性能上限，不再仅仅由 GPU 算力决定，供电系统的瞬态响应能力、功率密度、长期可靠性与方案适配性，同样是不可忽视的核心要素。　　本文带你厘清 VRM 控制器与 DrMOS 的协同工作逻辑，拆解杰华特 DrMOS 产品核心优势与完整产品矩阵，一览面向 AI 服务器的全链路电源解决方案。滑动阅览，一同探寻算力背后的供电力量!
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发布时间：2026-10-15 13:32 阅读量：325 继续阅读>>
破局<span style='color:red'>AI服务器</span>电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择
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破局AI服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

　　过去两年，AI算力需求以每年数倍的速度增长。单机架功率从早期的几十千瓦，正在向数百千瓦乃至更高迈进。英伟达最新的GB200 NVL72系统，单机架功率已达到120kW级别。而下一代Rubin Ultra平台的设计目标已经指向600kW以上，甚至兆瓦级机架。　　但一个被忽视的事实是：算力越强，电源系统面临的压力越大。　　传统数据中心供电架构中，12V或48V母线在千瓦级功率下，电流可达数百安培甚至更高。这意味着仅仅在线缆和连接器上的导通损耗，就足以让整个系统的效率下降几个百分点。效率损失1%，对于一个350kW级别的电源系统而言，就是3.5kW的纯浪费——这不仅是电费问题，更是散热设计和运营成本的连锁压力。　　更关键的是，低压大电流路径的损耗并非线性增长。以48V架构为例，当机架功率达到600kW时，理论电流将超过12,500A。即使假设铜排总电阻仅为1毫欧，传输损耗也将高达156kW，占总功率的26%。这已经不是在“省电”，而是在“堵漏”。　　问题的根源在哪里?　　在一套完整的AC-DC或DC-DC电源链路中，功率器件承担着最关键的开关与转换任务。它的导通损耗和开关损耗，直接决定了系统的效率上限。　　传统硅基MOSFET在高电压下存在一个物理极限：击穿电压与导通电阻之间存在正相关关系——要提高耐压，就必须增加漂移区厚度、降低掺杂浓度，而这直接导致导通电阻显著上升。这一矛盾在高压、高频场景下被进一步放大：开关损耗随频率上升，而为了维持效率被迫降低开关频率，又会导致变压器和电感体积增大。在寸土寸金的服务器机柜里，这几乎是不可接受的。　　破局思路：从器件层面找回效率　　第三代半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，正是针对这类场景的破局关键。SiC材料具有宽禁带、高临界击穿场强和高热导率等优势，在650V及以上高压场景中，可以用更薄的漂移区实现更低的导通电阻，同时支持更高开关频率和更高工作结温;GaN HEMT则基于AlGaN/GaN异质结形成高迁移率二维电子气，具备极低的栅极电荷、输出电容和反向恢复电荷，特别适合600V至650V及中低压高频高效场景。二者结合，可在PFC、DC-DC、同步整流等环节显著降低导通损耗与开关损耗。　　在服务器电源、通讯电源等能源电源应用中，SiC MOSFET与GaN HEMT的低导通损耗、低开关损耗和优异高频特性，能够帮助设计者在有限空间内实现更高的功率密度。　　以安森德半导体的第三代半导体产品线为例，目前已有成熟产品落地：　　SiC MOSFET 系列：　　以 ASC360N65Q1H (N MOS) 为代表，采用Trench工艺，耐压达650V，内阻低至360mΩ。该器件具有高开启电压(抗干扰能力强)、开关速度快的特点。配合DFN5*6封装，散热性能好，应用稳定，非常适用于开关电源、高压DC-DC驱动以及快速开关场景，具备高功率密度、输出线性好和能效高等优势。　　GaN MOSFET 系列：　　以ASDM15GN65TE / ASDM23GN65P 为代表，耐压650V，内阻低至100mΩ。该系列具备高频高效、高耐压、耐高温、高可靠性的特点，能实现节能降耗、小体积、低重量和高功率密度。其应用领域覆盖氮化镓锂电池充电器、PD快充及大功率适配器，非常适合作为AI服务器电源系统的高密度辅助电源或高效供电模块。　　AI算力的竞赛不会停步。从行业趋势来看，供电架构正在从传统的12V/48V母线向50V乃至800V高压直流演进，机架功率的每一次跃升，都在把电源设计推向新的边界。设计者需要更“聪明”的器件来跟上节奏。　　如果你正在为高功率密度电源的效率和散热问题头疼，欢迎关注安森德半导体公众号，我们将为您提供更加优质的解决方案。
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发布时间：2026-09-24 11:28 阅读量：398 继续阅读>>
无惧<span style='color:red'>AI服务器</span>突发负载——松下双电层电容器EDLC中国首发！
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无惧AI服务器突发负载——松下双电层电容器EDLC中国首发！

　　峰值负荷不可避免　　所以要“本地储存，瞬时释放”　　AI服务器同时启动、训练任务集中输入、以及瞬断恢复时的突入电流—— 数据中心真正的挑战不是“稳态”，而是瞬时峰值。 为适应这些挑战而实施的过度设计可能导致PSU效率下降，UPS和断路器冗余减少，甚至空调超调。　　松下机电的革新答案　　Panasonic的EDLC(双电层电容器) 可以安装在机架下游(直流母线)、可用区(Zone)或配电柜正下方的任意位置。 它在本地储存瞬时能量，并以高速释放，向上游设备提供平稳电流。 因此，PSU 可维持在高效工作区，而UPS和配电系统则降低了误切断的风险。 峰值发热量也减少，使空调和布局更具灵活性。　　“不切断，不过热，不太大”——用一个“储存并利用” 的简单电源架构来实现这一点。　　“瞬时峰值”交给EDLC　　“稳态”留给PSU　　简单的角色划分实现了　　从电源到空调的全面优化　　结合高循环寿命与早期劣化监测(电压/温度/ESR)，实现计划性点检与预防性更换，减少突发维护。　　EDLC特点　　瞬间储存，需要时高速释放　　EDLC具有高输出、快速响应和长循环寿命，能够吸收PSU、UPS和配电面临的“瞬时峰值”。因此，上游设备能够维持稳定的运行范围，缓解发热、空调和布局的限制。
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发布时间：2026-09-14 10:07 阅读量：386 继续阅读>>
纳芯微丨高密度<span style='color:red'>AI服务器</span>电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
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发布时间：2026-08-13 09:49 阅读量：502 继续阅读>>
诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭<span style='color:red'>AI服务器</span>领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展
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诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭AI服务器领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展

　　PART01前言　　上海永铭电子将于8月26日至28日参加2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(PCIM Asia)，进驻深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28。现场将全面展示新能源汽车电子、AI服务器、无人机&机器人(电机驱动)、能源与工业电力四大领域电容解决方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、存储数据可靠性提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器电源、主板、存储三大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　PART02　　AI服务器全场景电容解决方案　　1)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　2)AI服务器主板　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　3)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。针对PLP的备用电源，永铭有双电层超级电容方案应对。5串组成13.5V模组匹配12V平台，多组并联扩流扩容。　　【部分优势规格推荐】　　PART03　　从一颗电容到整柜算力　　永铭全程守护　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。更多技术细节与选型支持，欢迎莅临16号馆 D28，与永铭工程师面对面交流。为避免现场排队，您可扫描下方邀请函中的观众预登记二维码，提前完成注册，快速入场。8月26日至28日，永铭在深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28，期待您的莅临!
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发布时间：2026-08-11 13:25 阅读量：496 继续阅读>>
4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，<span style='color:red'>AI服务器</span>PSU输出端国产替代方案
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4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，AI服务器PSU输出端国产替代方案

　　01　　一颗电容卡住AI算力供应链命脉　　AI算力需求正以指数级增长，驱动服务器电源、数据中心、算力基础设施向大功率、高密度、7×24小时不间断运行加速演进。　　在这一架构下，PSU(电源供应单元)主功率级输出端与48V DC BUS(直流母线)的滤波与Hold-up(储能/掉电保持)性能，直接决定了整机的稳定性与使用寿命。　　目前行业普遍选用 NCC、Nichicon 等日系固态电容，但海外产能受限，产品交期普遍达到 10 周以上，叠加采购成本持续上涨，该元器件已成为整机供应链中的薄弱环节。针对这一关键位，永铭推出NHT 63V 270μF(10×16)与NHX 63V 470μF(10×21)两款固液混合电容，直接对标日系同规格主力型号，依托本土4周交付能力实现降本稳供，是成熟的国产替代方案。　　02痛点深度剖析：日系电容以来英法三重失效　　长期采用NCC等日系电容，会在供应链、成本、技术适配三大维度形成多重风险，直接转化为企业实实在在的损失，具体如下：　　注意：日系电容规格适配成本偏高，难以同时兼顾交期、成本与 AI 服务器大功率严苛工况要求。　　03　　永铭NHT/NHX系列，全场景国产替代　　针对日系电容的各类短板，永铭依托本土研发与生产优势，打造 NHT、NHX 两大系列固液混合电容，实现性能对等、无缝替换、降本稳供三大核心价值。　　3.1 选择永铭的三大核心优势　　1. 无缝兼容，零改板成本　　产品电气性能、封装尺寸全面对标日系主流型号，支持Pin-to-Pin 直替，无需修改PCB 电路板，省去改板、重新验证的时间与工程费用。　　2. 本土智造，交付提速　　依托国内自有工厂生产，常规交付周期压缩至4 周，相比日系 10 周以上交期大幅缩短，从根源规避断供、延期风险，保障量产节奏。　　3. 品质稳定，综合降本　　产品通过严苛工况验证，可靠性完全匹配 AI 服务器使用要求;同等品质下采购价格优于日系，兼顾产品品质与量产成本　　3.2 核心技术工艺与工况适配　　依托成熟材料体系与结构设计，五大技术维度针对性解决电源运行难题：　　永铭NHT/NHX系列不仅在设计上对标日系，更经过严格的长时间老化测试，用数据证明其在高温高压工况下的稳定性。　　下图为NHT/NHX系列在125℃、额定电压下连续运行4000小时的实测老化数据曲线：　　从图中可以清晰看到：　　容量变化率(蓝线)： 在整个4000小时试验周期内，容量衰减幅度极小，曲线平稳，无明显拐点，证明电介质材料在高温下保持优异的活性与稳定性。　　ESR(等效串联电阻，红线)： 曲线全程保持低位平稳，无异常抬升，说明内部电极与电解液界面稳定，高频滤波性能无衰减。　　漏电流(绿线)： 初始快速稳定后，全程维持在极低水平，无突发尖峰或爬升，表明产品在长期高温应力下绝缘特性可靠，无击穿风险。　　上述数据充分印证：永铭固液混合电容在AI服务器7×24h高温满载工况下，性能劣化曲线平缓，有效延缓电容老化，保障整机全生命周期内的稳定运行。　　3.3 应用效果与客户收益　　技术结果：替换后电容ESR、耐流、耐压、高温寿命指标对标日系，滤波抗扰、抗浪涌性能保持一致。　　客户收益：设备故障率、返修率、停工损失显著下降;依托短交期保障量产，同步优化整机成本与品牌口碑。　　04　　价值论证：综合TCO最优，替代永铭是理性选择　　单纯对比单品价格存在局限性，TCO(全生命周期成本) 才是企业选型的核心依据。永铭 NHT/NHX 系列不止实现产品平替，更能帮助企业规避隐性成本、管控供应链风险：　　零改板降本：Pin-to-Pin 直替设计，无需投入改板、测试、验证成本，缩短项目落地周期;　　短交期避险：4 周稳定交付，告别超长备货周期，释放流动资金，杜绝产线停工损失;　　低运维提效：长寿命、高可靠性设计，减少后期维保、更换成本，全生命周期运维费用更低。　　一句话总结：以对标日系的产品品质 + 4 周极速交期，为企业供应链加装一份“断供险”，用合理采购成本，换取供应链自主可控与长期降本增效。　　为什么这笔投入值得：永铭可直接平替日系电容、省去改板费用;本土短交期规避海外断供与涨价风险，同时全生命周期维保成本更低，综合收益远高于初期投入。　　05　　常见问题答疑Q&A　　Q1：永铭NHT系列能否直接Pin-to-Pin替换Nichicon PCJ系列?封装尺寸和引脚间距是否完全一致?　　A1：能。 永铭NHT 63V270μF(10×16)和NHX 63V470μF(10×21)系列，关键尺寸和电气性能(ESR、纹波电流)对标日系，可实现Pin-to-Pin替换，无需改PCB板。　　Q2：在AI服务器实际运行热点温度85℃下，永铭NHT固液混合电容的预期寿命是多少?是否有第三方测试报告?　　A2： NHT系列额定125℃/4000h长寿命，在85℃实际工况下预期寿命远超此数值。永铭可提供第三方检测报告(125℃/4000h老化测试数据、ESR/漏电流/容量变化趋势曲线)。　　Q3：永铭NHT系列标准品常规交期是多久?紧急订单最快多久能交货?有没有现货库存支持?　　A3： 永铭依托本土工厂自产，常规交期4周左右，远优于日系10周+。紧急订单可联系销售确认现货库存及加急排产方案，最大限度避免产线停工待料。　　总结与行动指引　　永铭 NHT/NHX 系列固液混合电容，凭借对标日系的产品性能与本土高效交付两大核心优势，成为 AI 服务器 PSU 48V 母线电容国产替代的优选方案，助力算力企业实现品质不降、成本下降、供应链自主可控。　　如需产品规格书、免费样品、第三方测试报告、行业落地案例，请联系永铭销售与技术支持团队，获取一对一选型服务。
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发布时间：2026-07-08 10:08 阅读量：759 继续阅读>>
AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，<span style='color:red'>AI服务器</span>与车载方案引关注
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AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与车载方案引关注

　　2026年7月1日，慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业的重要盛会，本届展会聚焦新能源汽车、智能汽车、AI服务器、数据中心等前沿领域。　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)携多元化产品与解决方案重磅亮相N4馆500号展位。AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，派出FAE小哥亲临现场，特邀罗姆车载营业部高级经理Jojo深度拆解全系核心展品，通过抖音直播带广大工程师和观众“云逛展”，零距离感受ROHM的最新技术成果。　　AMEYA360直播直击：　　FAE小哥带你“云逛”ROHM展台　　本次慕展罗姆搭建AI服务器、车载电子、工业设备、应用案例四大核心展区，覆盖当下电子行业三大黄金赛道。AMEYA360 FAE小哥通过抖音直播镜头带领线上工程师“云逛展”，逐一实拍展台实物、评估板、功率模块样品。镜头前，ROHM展台人气火爆，吸引了大批专业观众驻足交流。　　FAE小哥在直播中重点介绍了ROHM面向AI服务器的最新产品方案。他特别提到，ROHM展出的100V功率MOSFET采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，非常适合AI服务器48V电源热插拔电路，已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。此外，第5代SiC MOSFET首次公开亮相，采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用。现场还展出了650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列) ，已被应用于AI服务器电源等领域，推动电源小型化和效率提升。　　在车载展区，FAE小哥重点介绍了ROHM与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计，配备ROHM的PMIC，符合ISO 26262及ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定高效的电源管理支持。　　ROHM车载营业部高级经理Jojo专场介绍：　　深度解读AI服务器核心优势　　直播的高潮环节，ROHM车载营业部高级经理Jojo亲自为AMEYA360平台观众进行专场介绍。Jojo在ROHM展台C位区域，详细解读了ROHM在AI服务器和汽车电子领域的技术布局。　　Jojo首先回顾了ROHM的发展历程：“罗姆自1980年起步，目前全球销售额已达到480亿日元，其中一半来自汽车业务。我们在车载领域的增长非常迅速，客户采用率和产能扩张都非常显著。”　　在AI服务器方面，Jojo重点介绍了ROHM的宽禁带半导体产品线：“罗姆在碳化硅(SiC)领域布局非常早，2000年就开始了碳化硅业务，是一家非常传统的碳化硅IDM企业——从晶圆到最终产品，不管是单管还是模块，全部自主完成。”他透露，ROHM目前已推出第四代SiC MOSFET，并计划在明年推出第五代产品。在氮化镓(GaN)方面，ROHM同样拥有650V耐压产品，广泛应用于AI服务器电源。　　Jojo还特别提到，ROHM在AI服务器电源领域与英伟达、地平线、新石等国内外MCU厂商深度合作，提供配套电源方案。“现场展出的811系列、390系列、393系列产品，就是给英伟达Orin和SoC做配套的电源方案。其实在很多电动车、电瓶车上也都有应用，正在做测试。希望各位客户多多考虑和使用。”　　谈及ROHM的IDM优势，Jojo强调：“从材料到成品，我们在每一道工序上都坚持高品质生产，实现了卓越的可追溯性和供应链优化。无论是封装还是模块，我们都可以在AI服务器上做小型化、高效的方案。　　ROHM展台亮点速览：　　四大展区全面覆盖　　本届展会，ROHM设立了AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，全方位呈现其在半导体领域的综合技术实力。　　AI服务器展区：涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。重点展示适用于48V热插拔电路的100V功率MOSFET、第5代SiC MOSFET，以及具备业界超低开关损耗和10µsec短路耐受能力的1200V IGBT。　　车载展区：展示面向SoC的PMIC(与芯驰联合开发的X9SP参考设计)、用于汽车多屏显示器的SerDes IC，以及搭载SiC模块的5kW~100kW三相逆变器参考设计。　　工业设备展区：展示650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列)和AC/DC用PWM方式DC/DC转换器，助力工业设备电源小型化和效率提升。　　应用案例展区：集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化方案演示，让观众直观感受ROHM技术从器件到系统的落地价值。　　AMEYA360 × ROHM：　　官方授权代理，正品保障一站式采购　　作为ROHM的官方授权代理商，AMEYA360一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应和专业的技术服务。除了稳定供货，AMEYA360还持续输出专业技术支持，帮助客户解决电路设计中的各类难题。　　无论是AI服务器所需的SiC MOSFET、GaN HEMT、功率MOSFET，还是车载电子所需的PMIC、SerDes IC、LED驱动器，亦或是工业设备所需的AC-DC转换器、IPD智能开关——AMEYA360均可提供一站式正品采购服务。　　欢迎广大工程师和采购朋友通过AMEYA360平台咨询或购买ROHM全系列产品。
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发布时间：2026-07-03 15:44 阅读量：752 继续阅读>>
诚邀您莅临N1馆705 | 上海永铭<span style='color:red'>AI服务器</span>领域电容解决方案亮相2026慕尼黑电子展
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诚邀您莅临N1馆705 | 上海永铭AI服务器领域电容解决方案亮相2026慕尼黑电子展

　　一、前言　　上海永铭电子将于7月1日至3日参加2026慕尼黑上海电子展，进驻上海新国际博览中心N1馆705展位。现场将全面展示新能源汽车电子、AI服务器、无人机&机器人(电机驱动)、能源与工业电力四大领域电容解决方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　二、AI服务器全场景电容解决方案　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、存储数据可靠性提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器电源、主板、存储三大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　1)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　2)AI服务器主板　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　3)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。　　【部分优势规格推荐】　　三、从一颗电容到整柜算力，永铭全程守护　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。更多技术细节与选型支持，欢迎莅临N1馆705展位，与永铭工程面对面交流。　　为避免现场排队，您可扫描下方邀请函中的观众预登记二维码，提前完成注册，快速入场。7月1日至3日，永铭在上海新国际博览中心N1馆705，期待您的莅临!
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发布时间：2026-06-29 14:21 阅读量：699 继续阅读>>

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