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瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向<span style='color:red'>AI</span>数据中心和机器人应用的低压GaN FET

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瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET

　　全新100V增强型GaN先进功率晶体管系列实现更高功率密度和业界卓越的优值性能　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型(E-mode)GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。　　新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值(FOM)性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。　　当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。　　在800V高压直流(HVDC)电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。　　广泛的GaN产品组合实现　　更高效率、功率密度与设计灵活性　　基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷(Qg)和低输出电荷(Qoss)最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复(Qrr=0)特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。　　快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行;低导通电阻RDS(on)则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压GaN器件可将开关损耗降低多达40%至70%，并在系统层面实现最高两倍的功率密度。　　新款GaN晶体管提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB，从而加快设计实施。多样化封装选项结合宽范围RDS(on)(5mΩ至1.2mΩ)，使设计人员能够在同步整流、多相降压转换和电机驱动等不同功率等级和应用之间灵活扩展。　　Akhil Nair, Senior Director, Low-Voltage GaN at Renesas表示：　　采用下一代GaN技术的客户正在为AI服务器、机器人、工业电机驱动和可再生能源系统寻求更高效的电源转换方案，并希望在日益紧凑的系统中实现这一目标。我们的低压GaN系列不仅提供设计人员期待的GaN效率、开关性能和功率密度，还显著降低了客户从现有硅MOSFET设计迁移至GaN方案的门槛。　　硅兼容封装中的高性能GaN　　全新GaN系列基于增强型(E-MODE常关型)GaN技术打造，可在便捷的硅兼容封装中发挥GaN的性能优势。这有助于设计人员充分利用GaN带来的效率和功率优势，并简化从现有硅基设计的迁移。　　全新低压GaN系列的主要特性　　相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗　　开关损耗大幅降低40%至70%　　通过降低每个周期的开关能量并支持高频运行，实现功率密度翻倍　　更高开关频率有助于减小磁性元件尺寸、降低整体系统损耗，从而缩小系统占板面积　　优化热管理可减少风扇和主动散热需求，降低系统复杂度和BOM成本　　此外，凭借每个电源级更低的总能耗，全新GaN系列可帮助设计人员实现可持续发展目标。该系列通过减少热管理和气流管理所需风扇尺寸、支持使用更小的磁性元件并缩小整体PCB占板面积，助力AI数据中心和工业应用实现能效目标。

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发布时间：2026-10-10 10:54 阅读量：143 继续阅读>>

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瑞萨丨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心

　　与TOLT封装相比，双面散热(DSC)设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度。　　在8mm × 8mm封装中实现低至20mΩ的导通电阻，为650V同类产品中导通电阻超低的产品之一。　　采用业界标准PQFN封装尺寸，并配套完整的控制器、驱动器和MCU产品阵容，为800V设计提供单一供应商解决方案。这些解决方案将于10月12日至15日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的OCP全球峰会上展出。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650V GaN器件，面向800V高压直流(HVDC)AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超紧凑型双面散热(DSC)PQFN封装，导通电阻低至20mΩ，处于650V同类产品超低导通电阻之列，可在更小空间内实现更高的功率处理能力。目前，瑞萨已向主要AI数据中心OEM和ODM客户提供该器件样品。　　该器件基于瑞萨第四代升级版GaN架构打造，专为下一代AI数据中心的兆瓦级功率需求而设计，支持最高700V工作电压。其目标应用包括将800V电压降至48V、12V或6V的DC/DC中间总线转换器(IBC)级，以及侧挂式电源机架中的电池备份单元(BBU)和电容器组单元(CBU)级。　　随着机架功率从约120kW迈向兆瓦级，空间与散热能力已成为进一步提升系统功率的关键制约因素。不同于传统的顶部散热封装，新器件可同时通过顶部和底部散热，使顶部热阻降低10%。此外，其8mm × 8mm PQFN封装的占板面积较现有10mm × 15mm TOLT封装缩小57%。　　该器件充分发挥瑞萨第四代升级版650V GaN技术的优势，包括:　　低栅极电荷、低输出电容、内置具有极低反向恢复特性的续流二极管，以及无需负栅极偏置即可工作的高阈值电压。　　该器件可搭配标准硅栅极驱动器使用，并支持MHz级开关频率，从而减小无源元件并降低整体BOM成本，无需专用增强型GaN驱动器。　　John Wiggenhorn, Senior Product Line Director of High-Voltage GaN at Renesas表示：　　建设兆瓦级AI数据中心的客户，在达到功率极限之前，就已面临电路板空间不足和散热余量受限的问题。凭借瑞萨率先推出的采用双面散热技术的650V GaN器件，我们可从器件上下两侧进行散热，并显著缩小占板面积，使设计人员无需重新设计电路板或增加更多散热硬件，即可通过中间总线传输更高功率。此外，该器件延续了客户现有硅栅极驱动方案的简便操作，因此升级极为便捷。　　全新双面散热(DSC)PQFN封装由瑞萨与主要AI基础设施客户共同定义，采用业界标准封装尺寸，为客户提供灵活的供应选择。该GaN器件与瑞萨辅助电源控制器、栅极驱动器及MCU搭配使用，可为向800V架构转型的OEM、ODM和超大规模数据中心运营商提供一站式电源解决方案。　　瑞萨已完成该方案的芯片级验证。基于该新器件打造并由瑞萨RA6T3 MCU控制的6kW、800V转48V LLC直流变压器(DCX)参考设计，功率密度达到2.6kW/in³。模块级测试显示，其满载效率比采用同等TOLT封装的电路板高出0.21%。更小的封装还可节省PCB空间，并使FET之间的布局更加匹配。基于全新DSC 8mm × 8mm封装平台的800V转12V及6V DC/DC IBC参考设计同样可实现类似的性能提升、可扩展性和功率密度水平。

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发布时间：2026-10-08 16:30 阅读量：194 继续阅读>>

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瑞萨丨EK-RA8P1斩获elexcon 2026“最受工程师喜爱的AI开发板TOP10”

　　2026年9月9日–11日，elexcon 2026深圳国际电子展暨嵌入式展在深圳国际会展中心(宝安)盛大举办。展会期间，由elexcon联合21ic电子网发起的「端侧AI开发板人气评选」结果同步揭晓，瑞萨电子EK-RA8P1凭借卓越的边缘AI性能与完善的开发生态，荣获“最受工程师喜爱的AI开发板TOP10”奖项。瑞萨电子市场经理胡玮作为企业代表上台领奖。　　EK-RA8P1评估套件是瑞萨电子专为RA8P1 MCU打造的高性能评估平台，搭载RA8P1 MCU，集成1GHz Arm® Cortex®-M85内核与125MHz Arm® Cortex®-M33内核，配备1MB MRAM与2MB SRAM，板载64MB OSPI/QSPI闪存及64MB SDRAM。用户可通过瑞萨灵活配置软件包(FSP)和e²studio IDE快速开发AI与IoT应用，套件提供示例项目包可供下载，加速概念验证进程。　　该套件标配7.0英寸1024×600 LCD板与500万像素摄像头模块，预装性能演示程序，可快速实现语音、视觉与实时分析AI开发。接口方面支持双通道MIPI DSI显示、MIPI-CSI2摄像头、USB高速、千兆以太网及PDM麦克风音频编解码;生态上兼容Arduino® Uno R3、mikroBUS、Qwiic®、Grove®及Pmod™等主流扩展标准，板载SWD/JTAG调试，快速上手。　　此次EK-RA8P1荣获“最受工程师喜爱的AI开发板TOP10”，正是瑞萨电子在边缘AI领域坚持技术创新、生态开放和产业赋能的最好证明。瑞萨电子以EK-RA8P1等高性能开发平台，让端侧AI开发更高效、更易用，赢得了工程师群体的喜爱与认可。未来，瑞萨电子将持续深耕边缘AI领域，聚焦高性能、低功耗的AI芯片与开发平台创新，并依托先进技术、完善生态与高可靠的解决方案，进一步赋能智能家居、工业自动化、智慧城市等关键领域，推动边缘AI在多元场景中的规模应用。

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发布时间：2026-09-29 10:58 阅读量：231 继续阅读>>

从场景出发，向<span style='color:red'>AI</span>而行｜佰维存储亮相GMIF2026，全面呈现云边端创新实力

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从场景出发，向AI而行｜佰维存储亮相GMIF2026，全面呈现云边端创新实力

　　9 月 23 日，由深圳市存储器行业协会与北京大学集成电路学院联合主办的第五届GMIF创新峰会在深圳圆满举行。作为存储产业一年一度的重要盛会，GMIF立足存储器全产业链，持续汇聚全球存储原厂、主控、模组、封测、设备材料、服务器、云服务及终端应用等领域的产业力量，已成为洞察行业趋势、展示创新成果、促进产业合作的重要平台。　　本届峰会以“AI存储，驱动未来”为主题，吸引2700余名专业观众报名参会。峰会现场人气高涨，主论坛座无虚席，展区交流热烈。产业链上下游企业代表与技术专家围绕AI推理、企业级存储、云边端协同等议题展开交流，共同探讨AI基础设施新周期下的技术方向与发展机遇。　　峰会期间，佰维存储董事长孙成思发表主题演讲，公司携企业级、AI端侧、工车规及PC OEM等领域的创新产品亮相，并荣获“杰出企业级存储创新奖”。GMIF2026“佰维杯”高尔夫友谊赛同期举行，进一步拓展产业交流与合作空间。　　01　　场景定义AI存储协同客户做好产品创新　　在峰会主论坛上，佰维存储董事长孙成思发表《场景定义AI存储：云边端场景下的佰维实践》主题演讲，分享佰维对AI存储发展趋势的判断与实践。　　随着AI从集中训练加速走向规模化推理，存储需求正由数据中心向边缘和终端延伸。云、边、端对容量、性能、功耗、尺寸及可靠性的侧重各不相同，存储产品需要从具体场景出发，与客户平台和实际应用深度匹配。　　佰维在AI端侧市场取得的成果，印证了这一发展路径。根据弗若斯特沙利文统计，按2025年相关收入计，佰维已成为全球最大的AI新兴端侧半导体存储解决方案供应商。其背后，AI 端侧存储的高性能、低功耗来自存储介质、主控芯片和固件算法的协同优化，小尺寸、高集成和高可靠则由先进封装与测试能力提供支撑。　　面向未来，佰维将进一步把产品协同前移至定义阶段。依托介质特性研究与筛选、主控与固件开发、晶圆级先进封测及量产交付能力，公司能够与客户、平台及算力芯片厂商开展深度协同，从产品开发之初便共同确定性能、功耗、封装形态和可靠性要求，使存储产品与具体平台及应用场景精准匹配。　　通过前置协同，佰维能够帮助客户缩短开发与验证周期，优化整机空间、能效和系统性能，进一步提升产品竞争力。这也是佰维对“场景定义AI存储”的实践：以完整的技术能力承接场景需求，与客户共同定义产品、共同推动创新落地。　　02　　云边端创新产品集中亮相　　峰会展区，佰维集中展示了覆盖云、边、端的创新存储产品。　　面向云端数据中心和AI服务器，佰维带来企业级PCIe SSD、SATA SSD、CXL DRAM及RDIMM等产品。其中，企业级PCIe 5.0 QLC SSD最高容量达61.44TB，以大容量、高密度和企业级可靠性，服务AI数据湖、云存储及大数据分析等应用。　　面向边缘计算、智能汽车与工业设备，车规级UFS、工业宽温级SSD等产品，为智能座舱、自动驾驶、工业控制及边缘计算提供高可靠存储支持。　　面向AI手机、AI PC及智能穿戴，ePOP5x、Mini SSD和LPDDR5X CAMM2等产品，以高性能、低功耗和紧凑形态，支持AI眼镜、智能手表及AI PC等新型终端持续创新。　　覆盖云、边、端的产品矩阵，集中呈现了佰维在不同AI应用领域的技术积累，也展现了公司将场景需求转化为产品能力和客户价值的实践成果。　　03　　荣获杰出企业级存储创新奖　　在GMIF2026年度颁奖典礼上，佰维存储荣获“杰出企业级存储创新奖”，企业级存储创新能力与市场进展再获行业认可。　　目前，佰维已形成覆盖SATA SSD、PCIe SSD、CXL DRAM模组及RDIMM的企业级产品体系。相关产品已通过PCI-SIG、UNH-IOL以及20余家主流服务器平台和操作系统的兼容性验证，并进入头部OEM厂商、AI服务器厂商及互联网企业的供应体系，PCIe SSD、SATA SSD等产品实现批量供货。　　以产品研发为基础，以平台适配和稳定交付为支撑，佰维正在推动企业级存储由产品布局加速走向规模应用，为数据中心、云计算及AI服务器提供高性能、高可靠的存储支持。此次获奖，是对佰维企业级存储综合实力与产业实践的认可。

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发布时间：2026-09-28 11:29 阅读量：255 继续阅读>>

以高性能模拟芯片，全链路赋能 <span style='color:red'>AI</span> 计算｜杰华特亮相数贸会

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以高性能模拟芯片，全链路赋能 AI 计算｜杰华特亮相数贸会

　　01　　展会速览　　第五届全球数字贸易博览会 “数贸・芯场景” 集成电路应用生态展于2026年9月23至27日在杭州大会展中心隆重举行。本次展会以“场景无界，芯联万物”为宗旨，以应用场景为牵引、产业链协同为内核，构建了一体化联动格局。杰华特携新港海岸亮相人工智能展区先导馆，带来了VRM多相电源、E-fuse、POL负载点电源，以及时钟与高速接口芯片，全面展现AI服务器供电Demo的核心方案。　　展会期间，杰华特产品线总监王思蕴受邀出席《算力芯片产业创新论坛》，并发表主题演讲《云边端全链路：杰华特高可靠VR供电方案，释放AI全场景算力》，从AI 算力爆发下电源的行业痛点、云‑边‑端全链路电源芯片布局、面向 AI 数据中心的高可靠供电关键技术与量产产品落地方面，分享了杰华特在 AI 算力供电领域的具体实践与技术优势，现场反响热烈。　　围绕当下市场与行业热点应用，展位还吸引了政府领导、产业链伙伴及众多专业观众驻足参观、沟通交流。让我们带领大家直击现场，一探究竟。　　02　　明星产品　　杰华特深耕服务器CPU供电领域，已推出成熟的多相电源整体解决方案，产品覆盖从输入端保护到CPU核心电压调节的全流程。核心方案包括VRM多相电源、E-fuse、POL负载点电源等AI服务器供电Demo，构建起覆盖“计算—互连—存储—通信”的全链路模拟解决方案。　　JWH637G2　　EVM(JWH637G2+JWH7079D+JWH70674)(多相类别)一款三电源轨多相控制器，搭配JWH7079D/JWH70674 SPS，共同组成符合Intel® VR14.Cloud规范的完整方案。　　JWH637G2支持SVID接口，具备快速瞬态响应能力，并内置完备保护与遥测机制;SPS采用杰华特自有BCD工艺，具备极低导通电阻、精准的检测、小尺寸封装及多重故障保护，在实现高效率的同时，确保了高可靠性。　　JWH633G2　　一款双环路、16相、支持PWM-VID/AVSBus多相控制器。提供16路PWM输出，并支持灵活的相序和电源轨配置。　　JWH633G2支持DCR、RON、DrMOS IMON三种主流电流采样方案，还集成了全维度的系统保护机制，包括可编程的输入欠压/过压、输出欠压/过压/过流、过温保护，以及DrMOS故障检测功能。　　JWH636G2　　一款双环路、16相、支持SVI3/AVSBus多相控制器。完全兼容杰华特及多家厂商的功率级。JWH636G2提供16相PWM输出,并可灵活配置为A/B双路运行(最高A路16相、B路8相)，同时集成相位交错与动态切相(APS)技术，以优化不同负载条件下的供电效率。　　NCS8510　　NCS8510 是一款支持 USB Type-C 接口的 10Gbps 双向线性中继器，覆盖 4 通道设计，兼容 USB 3.2 Gen 1/Gen 2 和 DP 1.4 协议，适用于高速数据传输与显示应用。　　该器件在 4.05GHz 频率下提供最高 10dB 的线性均衡能力，可有效补偿长距离传输或劣质线缆带来的信号衰减。其通道方向与均衡强度支持引脚配置(Pin Strap)和 I²C 编程两种方式灵活设定，接口电压支持 3.3V 和 1.8V 电平，便于与各类主控系统无缝衔接，为 Type-C 接口的高速信号完整性提供高性价比的增强方案。　　NCS8612　　NCS8612 是一款 12 Gbps 交流/直流耦合 HDMI 转接驱动器，支持交流和直流耦合 TMDS 输入，数据速率高达 12 Gbps，兼容 HDMI 1.4b、HDMI 2.0b 和 HDMI 2.1 FRL，支持基于 AUX 的 I2C，可编程接收端数据通道均衡器增益高达 16 dB(HDMI 2.0)，支持全局或独立通道控制 EQ、预加重、输出摆幅和压摆率，可通过片上电阻或片外电阻调节 TMDS 输出幅度。

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发布时间：2026-09-28 10:33 阅读量：127 继续阅读>>

恩智浦丨在边缘规模化部署可信物理<span style='color:red'>AI</span>：如何做，才能更高效？

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恩智浦丨在边缘规模化部署可信物理AI：如何做，才能更高效？

　　AI持续快速演进，但有一个趋势变得明朗——智能正逐步向数据产生的源头靠拢。在机器人、工业自动化、智能基础设施和自主系统等领域，AI正从感知阶段迈向生成与行动阶段。系统越来越要求具备实时解析信息、做出决策并迅速响应的能力，而无需依赖数据往返云端。　　随着AI深入物理世界，开发人员需要既能扩展智能、又能兼顾功耗、内存、安全性和系统复杂性的平台。　　超越“边缘AI”的范畴　　随着AI应用加速普及，“边缘AI”已成为行业共同关注的焦点。如今几乎每个平台都宣称具备一定程度的AI推理能力。然而，对于嵌入式开发人员而言，挑战往往不在于添加AI功能，而在于如何在现有功耗预算、安全要求和嵌入式架构内成功实现AI部署。　　当团队试图在不增加功耗的前提下将智能引入现有嵌入式系统时，往往会带来集成复杂性，或引发新的信息安全与功能安全问题。开发人员越来越需要同时平衡多项因素，包括：　　AI性能　　高能效　　嵌入式集成　　硬件架构　　存储要求　　信息安全　　开发便捷性　　长期可扩展性　　AI的成功部署，取决于在提供智能的同时，保留嵌入式系统最核心的特性：行为可预测、功耗预算可控以及开发流程高效简洁。　　AI工作负载正在改变边缘计算　　AI正从孤立的感知任务，演进为能够解析场景、做出决策并实时行动的完整系统。语音、视觉、传感器和控制系统正日益动态地协同工作，推动边缘侧实现智能化和自主化。　　以在工业仓库环境中导航的移动机器人为例，它可能需要：　　解析多路摄像头数据流　　检测物体并对其进行分类　　融合多种传感器信息　　了解环境场景　　实时做出导航决策　　与周围系统保持通信　　这些任务非常重要，因为它们通常需要同时运行并实时处理，从而给边缘的处理、内存和电源资源带来较大压力。尽管应用处理器不断进步，但对低延迟AI推理的需求增长通常更为迅速。挑战在于，如何在无需完全重构系统架构的前提下提升AI能力。　　边缘AI正在改变物理空间，同时也给嵌入式开发人员带来新的挑战。　　在不增加复杂度的前提下扩展智能　　专用AI加速为系统设计引入了不同的模式。开发人员需要的系统架构，不仅要能支持神经网络推理，还要能支撑把业务逻辑与物理访问或控制网关连通起来的完整的端到端AI工作负载，而不是让主处理器承担所有任务。这要求专用AI加速硬件来运行高级工作负载，同时由主处理器继续承担系统级管理职责。　　恩智浦Ara240独立神经处理单元 (DNPU) 正是基于这一理念设计而成。作为专用AI配套处理器，Ara240使开发人员能够独立于系统架构的其余部分来扩展AI性能。　　高级AI工作负载，包括计算机视觉、多模态Transformer模型 (如视觉语言模型 (VLM)和大语言模型 (LLM))，均可分流至DNPU，而主处理器继续负责管理连接、安全、用户界面和实时控制等任务。这种方法帮助客户在不重新设计整个平台的情况下，引入更先进的AI能力。这种架构分离带来的优势包括：　　系统实时响应能力　　能效优化　　本地处理，增强隐私保护并降低带宽要求　　通过工作负载隔离提升安全性　　随工作负载演进而灵活扩展的AI性能　　内存可灵活扩展　　在本地处理AI还可减少对云资源的依赖，同时将敏感数据始终保留在设备端。与恩智浦应用处理器配合使用，Ara240帮助开发人员构建更加灵活、面向未来的边缘AI系统，能够紧跟AI模型与工作负载的演进步伐。　　Ara240独立神经处理单元。　　借由eIQ AI软件开发环境让AI落地　　硬件加速只是解决方案的一部分。开发人员同样需要软件工具来简化模型开发和优化，并支持在多种处理环境下可靠部署。　　恩智浦eIQ AI软件开发环境提供模型优化、部署和性能调优工具，帮助开发人员从实验验证走向量产阶段，覆盖恩智浦微控制器 (MCU)、微处理器 (MPU) 和AI加速器产品线。　　对常见AI框架的支持以及可扩展的部署工作流程，有助于降低集成复杂度，同时让开发人员能够在多代产品中复用AI方面的投入。结合恩智浦硬件平台与生态系统合作伙伴的支持，eIQ有助于加速从概念验证 (POC) 到量产就绪系统的落地过程。　　Ara软件开发套件 (SDK) 将是eIQ AI软件的组成部分，允许开发人员编译模型以进行基准测试或部署，并在Hugging Face上的Ara240 Model Zoo模型库中运行已针对Ara240优化的现有模型二进制文件。　　打通技术与部署之间的壁垒　　仅靠强大的芯片不能解决当前AI开发面临的所有挑战。构建嵌入式系统的团队仍然需要开发平台、软件支持、系统集成指导以及长期产品策略 (即生命周期支持)。这正是生态系统协作发挥关键作用之处。　　F&S和Gateworks等系统供应商，连同其他生态系统合作伙伴，致力于将处理技术转化为部署就绪的平台，从而在设计初期就降低复杂度。开发人员不必从零开始进行硬件设计，而是可以基于已经包含内存布局、电源管理、散热考量、软件支持和生命周期规划的解决方案起步。　　加速机器人与功能安全发展　　随着AI工作负载不断扩展，许多开发人员面临一个熟悉的挑战：将原本分散在不同领域的多重要求整合到一起。现代系统越来越需要将Linux环境、AI框架、编译器、实时响应能力和功能安全架构融合于单一平台之中。　　这在机器人和智能自主系统领域尤为突出，开发人员可能需要同时管理多路摄像头数据流、运行AI推理、支持Robot Operating System 2 (ROS 2)等框架，并确保安全导向的操作。　　F&S通过集成式嵌入式平台来应对这一挑战，将硬件、软件和长期支持整合为完整的开发方案。其支持不仅限于模块交付，而是延伸至整个项目生命周期，涵盖硬件定制、Linux板级支持包 (BSP) 支持、散热设计考量、安全集成和生命周期管理。　　以我们的i.MX 95应用处理器与Ara240 DNPU的组合为例，二者结合构建出一个可扩展平台，适用于机器人、机器视觉、自主系统及安全导向应用。在该架构中，i.MX 95负责系统级管理 (如连接、安全和控制功能)，Ara240则为高级神经网络工作负载提供专用AI加速支持。　　对开发人员而言，这意味着可以在不放弃熟悉的Linux和ROS开发环境的前提下，构建融合AI、实时响应与功能安全的系统。随着自主系统能力的持续提升，平衡智能、控制与可信度变得愈发重要。　　F&S的M.2 Ara240 AI加速器，为边缘带来了真正的生成式AI性能。　　将工业AI落地于可部署系统　　对于众多嵌入式开发人员而言，挑战不在于单纯添加AI功能，而在于降低将AI系统推向生产环节的复杂度。　　Gateworks通过帮助将可扩展AI平台引入实际部署场景，为恩智浦的边缘AI和机器人战略提供有力支撑。　　从零开始构建工业硬件，需要在电源管理、散热设计、内存配置、软件集成和长期维护等方面投入大量精力。随着AI工作负载从传统计算机视觉向多模态和生成式AI应用演进，这些挑战愈发突出。　　Gateworks通过其围绕恩智浦技术打造的工业级单板计算机、AI加速模块和开发套件，有效简化了这一流程。以GW11062-1开发套件为例，它将恩智浦i.MX 95应用处理器与Gateworks基于恩智浦Ara240 DNPU的GW16168 AI加速器相结合。该集成平台为开发人员提供了即用型环境，可用于评估和部署高级边缘AI应用，有助于显著缩短开发周期并加快产品上市进程，尤其在前沿AI模型支持方面表现突出。　　i.MX 95与Ara240的组合构建了一种可扩展的架构，连接、安全、用户界面和控制等系统功能保留在主处理器上运行，而AI推理工作负载则分流至专用加速硬件。这一方案使开发人员能够在不重新设计整体系统架构的前提下，灵活提升AI能力。　　通过提供部署就绪的硬件和软件，Gateworks帮助开发人员更快地从概念验证 (POC) 迈向量产阶段，应用场景涵盖自主移动机器人、工业自动化、智能能源系统和智能基础设施等领域。　　Gateworks基于恩智浦Ara240 DNPU的M.2 AI加速器，在边缘提供高性能、低功耗的AI推理能力。　　展望未来　　边缘AI正从概念验证演示走向实际系统。　　开发人员需要构建的产品，应能在极短的响应窗口内完成观察、聆听、感知、理解和决策，同时平衡信息安全、功能安全、性能和功耗等方面的约束。　　满足这些期望，仅靠增加计算资源远远不够，还需要具备可扩展能力的系统架构，以及能够帮助开发人员将创意转化为可部署系统的生态合作体系。　　行业正从单纯增加AI功能，转向构建能够在物理世界中感知、推理和行动的系统。成功的关键在于平衡智能与嵌入式设计的实际限制，这些限制涵盖功耗、内存、信息安全、功能安全以及整体系统复杂度。　　边缘AI的未来，不会仅由模型规模或基准测试性能来定义，而取决于智能如何高效地部署到安全、可扩展且注重节能的系统中，以解决实际问题并加速产品上市进程。

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发布时间：2026-09-24 11:55 阅读量：261 继续阅读>>

破局<span style='color:red'>AI</span>服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

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破局AI服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

　　过去两年，AI算力需求以每年数倍的速度增长。单机架功率从早期的几十千瓦，正在向数百千瓦乃至更高迈进。英伟达最新的GB200 NVL72系统，单机架功率已达到120kW级别。而下一代Rubin Ultra平台的设计目标已经指向600kW以上，甚至兆瓦级机架。　　但一个被忽视的事实是：算力越强，电源系统面临的压力越大。　　传统数据中心供电架构中，12V或48V母线在千瓦级功率下，电流可达数百安培甚至更高。这意味着仅仅在线缆和连接器上的导通损耗，就足以让整个系统的效率下降几个百分点。效率损失1%，对于一个350kW级别的电源系统而言，就是3.5kW的纯浪费——这不仅是电费问题，更是散热设计和运营成本的连锁压力。　　更关键的是，低压大电流路径的损耗并非线性增长。以48V架构为例，当机架功率达到600kW时，理论电流将超过12,500A。即使假设铜排总电阻仅为1毫欧，传输损耗也将高达156kW，占总功率的26%。这已经不是在“省电”，而是在“堵漏”。　　问题的根源在哪里?　　在一套完整的AC-DC或DC-DC电源链路中，功率器件承担着最关键的开关与转换任务。它的导通损耗和开关损耗，直接决定了系统的效率上限。　　传统硅基MOSFET在高电压下存在一个物理极限：击穿电压与导通电阻之间存在正相关关系——要提高耐压，就必须增加漂移区厚度、降低掺杂浓度，而这直接导致导通电阻显著上升。这一矛盾在高压、高频场景下被进一步放大：开关损耗随频率上升，而为了维持效率被迫降低开关频率，又会导致变压器和电感体积增大。在寸土寸金的服务器机柜里，这几乎是不可接受的。　　破局思路：从器件层面找回效率　　第三代半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，正是针对这类场景的破局关键。SiC材料具有宽禁带、高临界击穿场强和高热导率等优势，在650V及以上高压场景中，可以用更薄的漂移区实现更低的导通电阻，同时支持更高开关频率和更高工作结温;GaN HEMT则基于AlGaN/GaN异质结形成高迁移率二维电子气，具备极低的栅极电荷、输出电容和反向恢复电荷，特别适合600V至650V及中低压高频高效场景。二者结合，可在PFC、DC-DC、同步整流等环节显著降低导通损耗与开关损耗。　　在服务器电源、通讯电源等能源电源应用中，SiC MOSFET与GaN HEMT的低导通损耗、低开关损耗和优异高频特性，能够帮助设计者在有限空间内实现更高的功率密度。　　以安森德半导体的第三代半导体产品线为例，目前已有成熟产品落地：　　SiC MOSFET 系列：　　以 ASC360N65Q1H (N MOS) 为代表，采用Trench工艺，耐压达650V，内阻低至360mΩ。该器件具有高开启电压(抗干扰能力强)、开关速度快的特点。配合DFN5*6封装，散热性能好，应用稳定，非常适用于开关电源、高压DC-DC驱动以及快速开关场景，具备高功率密度、输出线性好和能效高等优势。　　GaN MOSFET 系列：　　以ASDM15GN65TE / ASDM23GN65P 为代表，耐压650V，内阻低至100mΩ。该系列具备高频高效、高耐压、耐高温、高可靠性的特点，能实现节能降耗、小体积、低重量和高功率密度。其应用领域覆盖氮化镓锂电池充电器、PD快充及大功率适配器，非常适合作为AI服务器电源系统的高密度辅助电源或高效供电模块。　　AI算力的竞赛不会停步。从行业趋势来看，供电架构正在从传统的12V/48V母线向50V乃至800V高压直流演进，机架功率的每一次跃升，都在把电源设计推向新的边界。设计者需要更“聪明”的器件来跟上节奏。　　如果你正在为高功率密度电源的效率和散热问题头疼，欢迎关注安森德半导体公众号，我们将为您提供更加优质的解决方案。

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安森德

发布时间：2026-09-24 11:28 阅读量：288 继续阅读>>

<span style='color:red'>AI</span>存储赋能千行智能升级海康存储亮相第五届GMIF创新峰会

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AI存储赋能千行智能升级海康存储亮相第五届GMIF创新峰会

　　9月23日，以“AI存储驱动未来”为主题的第五届GMIF创新峰会在深圳拉开帷幕。本届峰会由深圳市存储器行业协会与北京大学集成电路学院联合主办，立足Token经济全新视角，汇聚存储产业链上下游核心企业、行业专家与从业者，共同探讨AI浪潮下存储技术的迭代方向、产品变革趋势与全新市场机遇。　　峰会上，海康存储携全系存储产品矩阵亮相，集中展示适配工业控制、车载应用、消费电子等应用场景的存储解决方案，精准响应AI时代制造业及各行业智能化转型带来的存储新需求、新挑战。　　01　　全系产品矩阵亮相　　全方位适配AI多元场景存储需求　　本次峰会展示区，海康存储展出了从数据中心到消费电子的全系列产品，涵盖R1 DDR5 RDIMM服务器内存、D300系列企业级固态硬盘、工业级PTS13/PTS11 PCIe固态硬盘、车规级eMMC 5.1 MLC、车载专用USB闪存盘、存储卡、移动固态硬盘等品类。　　产品矩阵可适配AI训练推理、云计算、工业自动化、智能汽车、消费电子等多元场景，展现了海康存储在固件算法、系统级验证方面的全栈研发落地能力，为各行业智能化应用提供稳定可靠的存储保障。　　面向AI算力场景，R1 DDR5 RDIMM服务器内存通过寄存器信号优化与8位奇偶校验纠错机制，提供16/32/64GB多容量规格，频率覆盖4800/5600/6400MHz，为AI服务器构筑兼具高带宽与高可靠性的内存底座，确保海量数据在计算核心与存储系统之间高效流转。　　面向数据中心升级需求，D300系列企业级固态硬盘适配操作系统启动与温数据存储场景，依托自研钽电容断电保护技术，有效规避断电数据丢失风险，为HDD向SSD迭代提供平滑替换路径，助力数据中心提质增效、轻量化升级。　　02　　深耕存储核心技术　　赋能AI时代数据基础设施　　在工业控制领域，海康存储工业级eMMC 5.1遵循JEDEC eMMC5.1协议，支持-25℃至85℃宽温工作，提供8GB至128GB容量选择，广泛应用于工业自动化、AIoT、智慧安防、轨道交通等场景;PTS13 PCIe Gen4×4固态硬盘顺序读取速度可达7090MB/s，为工业AI推理与机器视觉提供高吞吐存储支撑。　　在车载领域，车规级eMMC 5.1 MLC系列通过AEC-Q100及IATF16949体系认证，可在-40℃至105℃严苛环境下稳定运行，全面适配ADAS驾驶辅助、IVI车载娱乐、EDR行车记录等主流车载系统，为智能汽车数据安全、设备稳定运行筑牢存储根基，助力车载智能场景规模化落地。　　当前，随着AI智能搜索、企业智能Copilot、自动驾驶及多智能体协同技术加速落地迭代，Token的价值维度持续延伸，不再局限于大模型调用的基础计量单位，已然成为衡量AI基础设施运行效率、成本结构与生产能力的核心指标。AI存储正从后台数据存储的单一定位，升级为支撑Token生成、缓存、检索、调度与数据沉淀的关键底座。　　立足Token经济发展浪潮与行业存储需求增长，海康存储正以全品类、全场景存储产品矩阵为核心支点，持续深耕存储核心技术，不断优化固件算法与系统验证能力，持续完善工业控制、车载应用、消费电子等多场景解决方案。　　未来，海康存储将联动产业链上下游伙伴，筑牢AI数据基础设施根基，持续挖掘存储产业价值，共同助力千行百业的数字化与智能化升级，推动AI存储产业高质量发展。

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海康存储

发布时间：2026-09-24 11:23 阅读量：267 继续阅读>>

兆易创新丨全新GD5F05M7，小尺寸存储赋能端侧 <span style='color:red'>AI</span> 穿戴

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兆易创新丨全新GD5F05M7，小尺寸存储赋能端侧 AI 穿戴

　　端侧 AI 带动穿戴设备爆发　　AI 眼镜、AI 戒指尺寸与续航压力陡增　　兆易创新全新 GD5F05M7 SPI NAND Flash　　3×3mm 超小封装，释放 PCB 空间　　优异待机功耗，延长设备续航　　支持坏块管理，保障数据可靠　　512Mb 容量，支持两种电压模式　　适配 AI 穿戴、小型 IPC　　样品已开放，支持送样测试~

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兆易创新

发布时间：2026-09-23 11:53 阅读量：271 继续阅读>>

佰维邀您相聚GMIF2026 | 场景定义存储，共话云边端<span style='color:red'>AI</span>新实践

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佰维邀您相聚GMIF2026 | 场景定义存储，共话云边端AI新实践

　　当AI从大规模训练走向规模化推理，从云端数据中心加速延伸至边缘设备和智能终端，存储正在由数据承载部件，进一步成为影响算力效率、应用体验与系统可靠性的关键基础设施。　　9月23日，由深圳市存储器行业协会、北京大学集成电路学院联合主办的第五届GMIF创新峰会将在深圳举行。本届峰会以“AI存储，驱动未来”为主题，立足存储全产业链，以Token经济为关键视角，集结全球存储与半导体产业链上下游的头部企业、顶尖技术专家与行业领袖，共同探讨AI基础设施新周期下的存储价值重构与生态协同。　　作为国内领先的存储解决方案厂商，佰维存储将再次亮相GMIF创新峰会。峰会期间，佰维存储董事长孙成思将出席主论坛并发表主题演讲，现场将集中展示佰维覆盖企业级、AI端侧、工车规及PC OEM等领域的创新存储产品，并赞助GMIF2026“佰维杯”高尔夫友谊赛，与产业伙伴共同探索AI存储的创新方向与合作机遇。　　01　　演讲前瞻:场景定义AI存储，云边端场景下的佰维实践　　AI时代，并不存在一套适用于所有场景的存储标准答案。本次峰会主论坛中，佰维存储董事长孙成思先生带来的《场景定义AI存储：云边端场景下的佰维实践》主题演讲，将结合AI推理与云边端协同趋势，重点分享佰维如何将不同场景的真实约束，转化为可量产、可验证、可持续交付的存储产品，并介绍企业级SSD、Mini SSD、ePOP5x以及工车规存储等代表性产品背后的技术协同实践。　　02　　展区看点:云边端全场景产品矩阵亮相　　峰会期间，佰维将在深圳湾万丽酒店3楼C5展位集中展示覆盖企业级、AI端侧、工车规及PC OEM等领域的创新产品。从最大容量达61.44TB的企业级PCIe 5.0 QLC SSD，到封装厚度仅0.51mm的ePOP5x;从面向智能汽车与工业边缘的车规级UFS、工业宽温SSD，到服务AI PC创新形态的Mini SSD、LPDDR5X CAMM2，佰维云边端存储产品矩阵将集中亮相。　　与佰维一起，共同定义下一代AI存储　　AI基础设施的新周期已经开启，存储产业的竞争也正在从单一参数领先，走向系统价值的定义与兑现。面向云、边、端不断分化的应用需求，佰维将持续深化场景洞察、产品创新、技术协同与稳定交付能力，让真实场景成为产品创新的起点，让存储更好地支撑AI系统效率与终端体验。　　佰维存储诚挚邀请全球客户、产业伙伴及媒体朋友莅临GMIF2026，与我们共同探讨AI时代的存储新价值，共同定义下一代AI存储!

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发布时间：2026-09-22 09:43 阅读量：292 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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