低内阻，小封装 | 维安150-250V MOSFET高效助力高功率电源升级

发布时间：2026-11-09 09:27
作者：AMEYA360
来源：维安
阅读量：174

　　随着Al等行业发展，配套电源的功率密度也大幅提升和快速迭代，功率MOSFET 小型化、高功率密度是核心发展趋势。

低内阻，小封装 | 维安150-250V MOSFET高效助力高功率电源升级

　　维安推出基于创新工艺的150V-250V MOSFET产品，具有低内阻、小封装及高可靠性特征。已在高功率DC-DC、激光电源、通信/服务器电源、照明等场景得到广泛应用。

　　采用创新工艺，产品参数和国际一线品牌几乎一致，参数对比如下：

　　1 器件参数对比

低内阻，小封装 | 维安150-250V MOSFET高效助力高功率电源升级

　　如上表WMK115N15DXG 导通内阻略低，其他参数相当。

　　实际电源测试对比如下:

　　2 测试数据

　　2-1 测试平台

　　35V/7A开关电源，输出同步整流位置使用WMK115N15DXG;LLC主控芯片使用L6599。

低内阻，小封装 | 维安150-250V MOSFET高效助力高功率电源升级

　　2-2 效率对比

低内阻，小封装 | 维安150-250V MOSFET高效助力高功率电源升级

　　测试效率来看，维安WMK115N15DXG轻载效率略高，满载效率略低，平均效率相当。

　　2-3 波形应力对比 测试平台

　　输入230VAC, 输出36V 7A电压电流应力如下。 可以看出WMK115N15DXG VDS开通下降时间和关断爬升较短;VDS尖峰应力更小。

　　WMK115N15DXG

　　VDS最大电平： 73.876V;

　　DS上升时间： 380.4nS;

　　DS下降时间：195.6nS;

　　ID Max：11.47A

　　xxx111N15N3G

　　VDS最大电平：82.336V;

　　DS上升时间：674nS;

　　DS下降时间：339.6nS;

　　ID Max：10.47A;ID Min：-0.819A

　　2-4 温升对比

　　输入230VAC, 输出36V 7A 在环境温度25℃下，

　　WMK115N15DXG与xxx111N15N3G器件表面最高温度分别是65.1℃和65.3℃，温升接近。

　　3 维安 150V DXG产品系列

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