低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

发布时间：2026-08-31 10:28
作者：AMEYA360
来源：维安
阅读量：145

　　2026年6月1日开始实施 《家用电冰箱耗电量限定值及能效等级》GB 12021.2-2025。核心变化是，能效指标大幅度提升，准入门槛大幅度提高，耗电量限定值准入门槛提高30%~40%，预计约20%以上的高耗能产品将被淘汰。为应对该国标的执行，倒逼企业在高效压缩机、隔热材料、控制系统三大核心领域技术升级。

　　冰箱材料成本进一步增加，为应对行业发展及降本的需求， 维安(WAYON) 开发出FR-MOSFET应用于冰箱压缩机变频控制。

　　MOSFET与

　　IGBT器件的特点与对比

低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　MOSFET与IGBT器件对比

低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　MOSFET与IGBT效率的对比

　　1

　　轻载区间(<150W)

　　MOSFET(红色曲线)效率显著高于 IGBT(蓝色曲线)。

　　MOSFET 开关速度为 ns 级，开关损耗极低;轻载下开关损耗是总损耗主要部分，IGBT 存在电流拖尾，开关损耗大，因此轻载效率劣势明显。

　　2

　　中载交叉点(约 150W)

　　两者效率曲线交汇，此时两种器件的开关损耗 + 导通损耗总和基本持平。

　　3

　　重载 / 满载区间(>150W)

　　IGBT 效率反超 MOSFET 且持续上升，MOSFET 效率开始回落。

　　重载时导通损耗成为主要损耗来源，IGBT 饱和压降VCE(sat)固定，大电流下导通损耗增长平缓;MOSFET 导通损耗随电流平方上升(P=I2RDS(ON))，大电流下导通损耗快速恶化，效率下降。

　　FR-VDMOSFET与

　　IGBT实测对比

　　A、器件损耗对比：

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　　FRMOS 的开关损耗低于IGBT。

　　B、耗能对比：

低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　FRMOS 能耗相较于IGBT降低了15.8%。

　　C、温升对比

低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　环境温度26℃的情况下，IGBT与维安FRMOS的温升基本一致。

　　典型应用：电机驱动

　　基于以上对比，维安开发的FR‑VDMOSFET，适用于 200W 以下冰箱压缩机驱动，更好的适配冰箱工况，提升效率，降低成本。

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　　推荐选型

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