APX300 & APX300-S
做半导体、LED、功率器件
MEMS加工的朋友
是不是总被这些难题困住:
想拉高产能却无法批量稳定加工?
LED亮度提不上来、
化合物半导体精细刻蚀精度差?
碰到非挥发性材料、
多种薄膜分层蚀刻束手无策?
今天小编就带大家拆解
松下王牌干式蚀刻解决方案
APX300&APX300-S两大机型
助您覆盖多赛道精密刻蚀需求!
Part.01
两款主力机型 按需精准匹配
01 APX300:批量高产首选,多晶圆同步加工

这是多片式批量蚀刻设备,主打高产能
• 依托LED薄膜高速加工逻辑,整机产能拉满
• 可把基板刻出梯形、锥形等复杂异形结构
• 支持多尺寸托盘批量承载:Φ4英寸晶圆一次放7片、Φ6英寸一次放3片,大批量同步处理,生产效率翻倍
多个晶圆批量处理(托盘规格)

02 APX300-S:单晶圆精细精工,工艺兼容性拉满

搭载成熟稳定的E620制程腔体,高水准单晶圆精细化加工
• 内置海量工艺库,搭配3种专业等离子源:高精度MS-ICP、高速BM-ICP、适配非挥发材料FS-ICP
• 晶圆尺寸全覆盖:4/6/8英寸单片加工,两种气源供给模式自由切换
• 可加装灰化室、清洗室,刻蚀后同步防止二次腐蚀处理,成品良率更高

Part.02
全能蚀刻材质表
可对应行业主流薄膜
对于以下基材、膜层,松下蚀刻机均能稳定刻蚀加工:
• 硅系:深硅Deep-Si、多晶硅
• 绝缘/覆膜:氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺保护膜
• 化合物半导体:GaAs,GaN,InP,AlGaInN等光通信/射频核心材料、碳化硅SiC
• 金属层:铝、钛、钨、铂、铱等各类电极金属
• 特殊基板:蓝宝石、锂酸锂压电材料、PZT磁性基底
从硅功率片到三五族化合物,从金属电极到绝缘保护层,一套设备搞定多层异质膜精准刻蚀。
Part.03
多赛道落地实例
实打实解决生产痛点
化合物半导体的应用实例
从GaAs和GaN的前工序到后工序,提供精确的干式蚀刻工艺:
GaAs Ridge, DBR, MESA, GaAs VIA, GaAs Scribe;
实现高精度干式蚀刻工艺:
AlGaN, GaN Recess, MESA, GaN 元件分离.
拥有各种材料和工序的绝缘膜工程元件库:
InP MESA, 沟槽, InP VIA, Passivation Etch. (Contact, Via, Pad).
利用Beamed-ICP源生产超高密度等离子体 实现SiC VIA工程的高速加工与高GaN选择比并存:SiC VIA.

LED&光通讯半导体
针对GaN蓝光/紫外LED:完成PSS图形蓝宝石基底刻蚀、GaN台面、隔离层、ITO金属电极加工、低损伤工艺助力LED亮度升级;2/4/6英寸多晶圆批量生产,大幅压缩单片加工成本。
光通信GaAs/InP芯片:精准刻蚀VIA通孔、器件台面、保障高速光电器件性能稳定。


功率半导体(SiC/硅基功率器件)
适配新能源车、快充功率芯片全流程刻蚀:离子注入掩膜沟槽、栅极回刻、AlGaN凹槽、多晶硅栅极精细成型、纳米级刻蚀平整度、保障功率器件耐压、散热核心性能。

高频通信&射频器件
SAW声表面波滤波器、射频IDT铝电极精密刻蚀、可精细管控CD关键尺寸;批量模式兼顾产能与均匀度、适配5G/射频前端量产需求。

MEMS、传感器、压电元件
压电PZT、非挥发性磁性材料专属FS-ICP工艺、刻蚀速率稳定、选择比优异;加速度、压力、声学传感器微结构一次成型,微小纹路精度可控。
■ 压电MEMS PZT厚膜蚀刻(FS-ICP等离子源应用)

■ 非挥发性材料蚀刻(FS-ICP等离子源应用)

Part.04
为什么选松下干式蚀刻?
• 产能灵活双路线:批量款冲产量、单晶圆款做高精研发/小批量高端订单
• 工艺门槛低:预制成熟工艺库,拿到手快速投产,不用长时间试错调参
• 材料无短板:罕见兼容压电、磁性、非挥发难加工材料,一台顶多台专用设备
• 良率防护到位:配套原位灰化、清洗工序,减少晶圆转运污染,降低报废率。
• 适配未来制程:8英寸兼容、三五族宽禁带、射频、第三代半导体全赛道工艺持续迭代
第三代半导体、射频、LED、功率器件行业竞争越来越激烈,精度、产能、良率三大指标缺一不可。松下APX300系列干式蚀刻机,用成熟等离子蚀刻技术,帮工厂跳出加工瓶颈,稳定提升产品竞争力。

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| model | brand | Quote |
|---|---|---|
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
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| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
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