本文摘要:AI芯片的算力狂奔,正将其供电网络推向极限。核心电压降至0.8-1.2V,单相电流冲击达百安级,导致VRM输出端出现纳秒级(10-100ns)的瞬态电流缺口与MHz级开关噪声干扰。传统电容因ESR高、高频阻抗大,已成为系统稳定的短板,而国际高端方案又存在供应链风险。本文解析供电末端三大核心指标,并以永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器)的实测对标数据为例,为工程师提供一条性能对标国际、供应自主可控的高可靠性取代路径。
前言:供电末端的“隐形守卫”正在重新定义
对在AI服务器追求极致算力的道路上,供电完整性(PI)是稳定性的基石。CPU/GPU的纳秒级负载阶跃如同“电流风暴”,若VRM输出电容无法在控制环路响应前(微秒级)的纳秒级空窗期快速补能,将直接导致核心电压下陷,引发计算错误或降频。与此同时,MHz开关噪声若未被吸收,会干扰高速信号。因此,输出电容已从“基础滤波”升级为“精准保障”的最后储能缓冲与噪声泄放通道。

三大核心指标:为何传统方案力不从心?
纳秒级瞬态支撑:ESR是决胜关键。响应速度取决于内阻,≤3mΩ的超低ESR是满足纳秒级电荷快速释放的刚性门槛。
MHz级噪声抑制:高频阻抗特性至关重要。电容必须在开关频率及其谐波段保持极低阻抗,才能为噪声提供有效对地通路,保障PCIe/DDR等信号完整性。
高温长寿命:匹配数据中心7x24h严酷工况。105℃下2000小时寿命及高纹波电流能力(>10A),是应对长期高温应力、降低运维成本的基础。
方案落地:永铭MPS系列·对标国际的国产化高价值选择
永铭MPS系列直击上述痛点,关键参数与国际一线品牌(如松下GX系列)对标,实测表现卓越。
简述:全温区容量/ESR曲线平滑,2000h老化测试后参数衰减优于行业平均水平,具体数据可在官网查看完整测试数据。
Q&A
Q:如何验证MPS电容在具体项目中的纳秒级支撑能力?
A:建议在目标板上进行实测:使用电子负载模拟芯片的瞬态电流阶跃(如100A/100ns),同时用高频探头监测核心电压的跌落幅度。对比更换MPS电容前后的电压波形,其更低的下陷值(Undershoot)和更快的恢复时间即为直接证据。
结语:算力时代,稳定性同样重要
在算力竞争与供应链自主化的双重驱动下,供电链路的每一个元件都关乎系统竞争力。永铭MPS系列以对标国际的性能实测数据、本土供应链的快速响应与成本优势,为AI服务器供电末端提供了可靠的国产化选择,助力中国AI基础设施行稳致远。
文末摘要
适用场景:AI服务器/高性能计算服务器CPU/GPU的VRM输出端。
核心优势:纳秒级瞬态支撑(ESR≤3mΩ)、高效MHz噪声抑制、高温长寿命(105℃/2000h)、国产化高价值替代。
推荐型号:永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器) (如:MPS471MOED19003R)。
行动号召:获取规格书、完整测试报告与样品,请联系AMEYA360客服。
【测试与数据声明】
1. 数据来源:数据来源与测试声明:
永铭MPS系列数据来源于其官方发布规格书。
松下GX系列规格数据援引自其公开规格书,其关键性能指标(如ESR、纹波电流)已由我方实验室通过自有设备,对采购的样品(样品通过公开渠道采购)在同等测试条件下进行了验证性测试。
本文中的性能对比基于以上来源,旨在进行客观的技术分析。
2. 测试目的:所有测试均在同等条件下进行,旨在为工程师提供客观、可参考的技术性能比对。
3. 局限性说明:测试结果仅对送测样品在特定测试条件下负责。不同批次、不同测试方法可能导致数据差异。
4. 商标与知识产权:文中提及的“Panasonic”、“松下”、“GX系列”等均为其权利人的商标或产品系列名称,仅用于识别对标产品。本文数据对比不构成松下公司对我方产品的任何认可或背书,亦无贬损之意。
5. 开放性验证:我们欢迎基于同等标准和条件的技术交流与验证
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