聚合物钽电容
| 终端小型化与高频化趋势对电容提出的新要求
随着M.2 SSD、AI服务器、5G通信设备等下游产品持续向小型化、高性能方向演进,对其中使用的电容的尺寸和电气性能提出了更为严苛的约束。以M.2 SSD为例,其单面布板高度普遍限制在1.5mm以内;而5G RRU高频开关电源则要求有效抑制10MHz以上频段的纹波噪声。
与此同时,终端应用对内部使用的钽电容的高度、高频阻抗特性及长期可靠性提出了更高标准。然而,行业普遍面临进口钽电容交期长、成本高、供应链不稳定等现实问题,亟需一款兼顾高性能、低成本与供应链安全的国产化替代方案。
01
空间、高频与供应的三大制约因素
空间约束:超薄设备内部布局紧凑,多数钽电容方案高度≥2mm,无法适配,PCB设计被迫采用多颗小容量电容并联,增加设计复杂度且占用PCB面积。
高频性能不足:传统引脚式钽电容ESL较高,在10MHz以上高频段滤波效果差,易产生电压尖峰导致芯片误动作、设备宕机,提升产品返修率。
供应链风险:进口同规格薄型钽电容交期长达8-12周,采购成本高出约30%,断供风险直接影响项目交付。
02
永铭技术解决方案
永铭推出TQD15与TQW19两个系列导电高分子钽电容,采用底面端子结构与超薄封装工艺,适配高度敏感的高可靠应用场景,可直接替代松下(Panasonic)TQC/TQS系列、基美(KEMET)T521系列、AVX TCJ系列等进口钽电容的相应薄型规格。
【永铭钽电容核心参数与客户价值】

图1 TQD15 35V 47μF 7.3*4.3*1.5
TQD15系列(典型型号:TQD470M1VD15120RN):
规格:35V 47µF
尺寸:7.3×4.3×1.5mm。相同电压和容量下,松下TQS系列部分型号高度为1.9mm(亦有1.4mm版本),TQD15在1.5mm厚度实现同等规格具有竞争力。
ESR:120mΩ@100kHz(典型值)
纹波电流:1200mA@45℃
工作温度范围:-55~105℃,105℃下2000小时寿命保证-。在服务器7×24小时运行环境下,电容寿命裕量充足,降低售后返修率。
该系列可满足M.2 SSD单面布板的严格限高要求,无需改板即可直接适配,低ESR特性可降低电源温升,提升设备长期运行可靠性。

图2 TQW19 35V 100μF 7.3×6.0×1.9mm
TQW19系列(典型型号:TQW101M1VW19120RN):
规格:35V 100µF。在2mm限高场景下提供100µF大容量支持。
尺寸:7.3×6.0×1.9mm(宽体设计)
ESR:120mΩ@100kHz(典型值)
纹波电流:1800mA@45℃,宽体设计散热性能优异。在AI服务器GPU瞬时大电流冲击下,电容不易过热失效,降低整机的维修成本。
TQW19系列可在2mm限高场景下提供大容量支持,满足SSD PLP掉电保护、AI服务器电源滤波等场景的大容值需求,高纹波能力可承受大电流负载冲击。
| 永铭导电高分子钽电容核心优势
采用底面端子结构,ESL较普通钽电容降低50%,高频滤波性能优异,可有效抑制10MHz以上频段的电源纹波与电压尖峰;
采用≥99.995%高纯度国产钽粉与PEDOT:PSS导电聚合物阴极,漏电流特性优异,失效模式为开路,安全性更高-。即使电容失效,也不会短路烧毁整板,售后维修只需更换单颗电容而非整板;
全国产化原材料,供应链安全可控。交期稳定(标准交期6-8周,急单可缩至4周),项目排产无需提前数月锁仓备货,减少资金占压与库存管理成本。
03
典型应用验证
M.2 SSD PLP掉电保护场景:替代松下TQC/TQS系列,断电保持时间提升15%,相比部分进口竞品ESR降低40%,温升降低10℃,通过2000次异常断电测试。
超薄笔记本CPU滤波场景:替代两颗并联16V/100µF电容,单颗35V/47µF方案高度降低0.4mm,纹波噪声从35mVpp降至22mVpp。
5G RRU电源去耦场景:-55℃低温容量保持率达85%,通过双85测试500小时,满足工业级高低温运行要求。
04
场景Q&A
Q1:M.2 SSD单面布板高度限制≤1.5mm,是否有35V、47µF左右的钽电容可以满足?
A1:永铭TQD15系列导电高分子钽电容典型型号TQD470M1VD15120RN,规格为47µF/35V,高度仅1.5mm,ESR为120mΩ@100kHz,完全适配M.2 SSD单面布板的限高要求。
Q2:我的设计目前用的是松下TQC/TQS系列钽电容,你们是否有Pin-to-Pin替代方案,性能如何?
A2:永铭TQD15/TQW19系列可Pin-to-Pin替代松下TQC/TQS、KEMET T521、AVX TCJ等系列,其中TQD15比同规格松下产品薄21%,成本低25%-30%,交期6-8周(急单可缩至4周),同时断电保持时间提升15%。
Q3:高频开关电源10MHz频段纹波很大,普通钽电容抑制不住,有什么合适的钽电容推荐?
A3:永铭TQD15/TQW19系列采用底面端子结构,ESL较传统钽电容降低50%,搭配120mΩ的低ESR特性,高频滤波性能优异,可有效抑制10MHz频段的电源纹波与电压尖峰,适合5G RRU、工业机器人控制板等高频去耦场景。
Q4:需要1.9mm限高的PLP电容,最大能做到多少容量?我需要100µF/35V的规格。
A4:永铭TQW19系列导电高分子钽电容典型型号TQW101M1VW19120RN,规格为100µF/35V,高度仅1.9mm,纹波电流可达1800mA@45℃,完全满足限高2mm下的大容量PLP电容需求。
总 结
永铭TQD15/TQW19系列导电高分子钽电容通过超薄封装、低ESL结构设计与国产化材料体系,实现了性能、成本与供应链安全的三重平衡,适配M.2 SSD、AI服务器、5G基站、超薄笔记本等对高度敏感的高可靠应用场景,可直接替代松下TQC/TQS、KEMET T521等进口系列。如需获取该系列产品的规格书、测试报告或申请样品,可联系永铭技术支持团队(永铭官网:www.ymin.com)。

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