比MiniHPD还小！<span style='color:red'>士兰微</span>SDualPAK把两套三相逆变器塞进140×86 mm底板
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比MiniHPD还小！士兰微SDualPAK把两套三相逆变器塞进140×86 mm底板

　　传统双电控的集成思路通常从结构入手：缩小低功率侧、合并底板、压缩端子间距。这种方法可以减少外形尺寸，却会挤占内部布线空间。当DBC上的铜路变细、换流回路变长，寄生电感随之上升。SiC器件开关速度较快，原本不算突出的布线差异会被放大为电压尖峰、动态不均流和栅极振荡。　　士兰微提出的SDualPAK方案没有继续压缩传统平面布局，而是采用的ZPAK的3D互联封装方案，将P1和P3的相位交错合封起来。前者控制杂感并提升芯片得房率，后者减少两套三相模块之间的重复结构。两种设计共同指向一个目标：在140×86 mm的底板上容纳两套三相逆变器，也就是说其SDualPAK双电控模块总尺寸可以做的小于一个MiniHPD的尺寸!　　01.简单“拼小”为什么会把杂感做大P1+P3双电控常见的做法是分别为两台电机配置功率模块。士兰微给出的参考方案中，MiniHPD与MiniPACK组合后的底板尺寸约为235×72 mm;如果使用两个ZPAK，总尺寸约为200×70 mm。两种方案都保留了相对独立的三相模块结构，因此底板、封装边界、DC连接和安装空间存在一定重复。　　进一步集成时，设计者往往会优先压缩功率较小的P1部分。问题在于，传统模块的DBC既用于放置芯片，也承担桥臂之间的功率布线。封装面积缩小后，芯片仍需占据基本空间，最先被压缩的就是铜路宽度和走线间距。这会直接改变换流回路的寄生参数。功率器件关断时，杂感会产生附加电压。SiC器件的(di/dt) 较高，即使寄生电感只增加几个纳亨，也可能产生明显的关断过冲。如果多个芯片并联，走线电感不一致还会导致栅源电压和开关时序出现偏差。一颗芯片先导通，另一颗后导通;关断时又可能出现相反的速度差异。电流分配失衡后，局部芯片会承受更高的电流和温度。也就是说，P1和P3简单拼成一个模块，为追求体积而压缩P1区域，容易使P1走线变细，最终形成较大的杂感。问题的根源不在于能否把六个半桥放进去，而在于缩小之后如何保留合理的功率回路。ZPAK的处理方法是把一部分主功率走线从DBC平面转移到封装上方。在HPD或MiniHPD等常规模块中，DBC既要承载芯片，又要完成DC正负极、上下桥和交流输出之间的连接。芯片周围因此需要预留较大面积用于铜路和端子过渡。士兰微将这种面积称为DBC的“走线占用”。ZPAK利用内部Clip和外围铜排完成功率连接。电流可以从芯片上方引出，不必全部沿DBC横向绕行。DBC由此腾出更多面积放置芯片，主功率路径也能保持较短、较宽。士兰微给出的比较数据显示，ZPAK的芯片可用面积占DBC面积的比例约为70%，HPD约为40%。其功率密度相较MiniHPD提高约60%，相较HPD提高约65%。　　3D走线也为低杂感设计提供了条件。ZPAK的外围母排与内部Clip可以形成叠层结构，使换流电流的去程和回程彼此靠近。两条路径中的电流方向相反，其磁场能够部分抵消，从而降低回路等效电感。士兰微展示的ZPAK参考系统杂感约为10至12 nH，实测结果为12.3 nH;作为对比，普通TPAK系统的杂感约为22 nH。在其展示的测试条件下，较低杂感可使IGBT动态损耗降低约28%。同时，ZPAK系统的DC铜排尺寸比TPAK方案减少约50%。这些数据证明了ZPAK平台控制杂感的潜力，但不能直接视为SDualPAK整机的测试结果。双电控方案加入了共母线、电容和更密集的端子结构，最终杂感仍取决于完整系统的连接方式。02.P1与P3交错合封，重新组织六个半桥SDualPAK的第二项关键设计，是按照相位重组P1和P3的六个半桥。传统双电控通常把P1的三个半桥放在一个三相模块中，再把P3的三个半桥放在另一个模块中。SDualPAK改用三只双半桥模块。每只模块同时容纳P1的一相和P3的一相，排列方式分别为P1-U与P3-U、P1-V与P3-V、P1-W与P3-W。　　其“P1&P3交错合封”指的是物理封装和端子排列。与PWM交错控制无关。模块的交流端子依次形成P1-U、P3-U、P1-V、P3-V、P1-W、P3-W，两套三相输出在空间上交替出现。士兰微给出了两种主要的桥臂分组方式。一种方式让同一套逆变器使用连续分布的三个半桥;另一种方式让P1使用三只模块中的第一半桥，P3使用三只模块中的第二半桥。这种布局减少了两只独立三相模块之间重复的封装边界、安装空间和DC侧结构。SDualPAK底板尺寸由两只ZPAK的200×70 mm缩小到140×86 mm，也小于一只143.5×117 mm的MiniHPD。　　“尺寸再减小约40%”需要结合比较口径理解。140 mm相较235 mm确实缩短约40.4%，相较两只ZPAK的200 mm缩短30%。如果按底板面积计算，SDualPAK相较235×72 mm方案缩小约28.8%，相较200×70 mm方案缩小约14%。士兰微并没有给出厚度，因而暂时无法证明模块总体积缩小40%。SDualPAK的尺寸收益主要来自结构重组，杂感控制则依赖ZPAK的3D走线。交错合封消除重复空间，Clip和叠层母排避免压缩空间后出现细长功率路径。两种设计缺一不可。　　03.模块本体变小后，系统设计成为新的瓶颈SDualPAK把两套三相逆变器压缩到140×86 mm，但驱动、电容和采样电路不会同步缩小。士兰微在2026xEV论坛演讲中列出了四项系统设计难点。　　第一项是驱动电路。六个半桥包含12个功率开关位置，需要布置相应的驱动IC和隔离电源。当前ZPAK方案中，每颗芯片及隔离电源约占21×24 mm的板面积。模块缩小之后，驱动板可能比功率模块更难布置，还要满足相间爬电距离和抗干扰要求。　　第二项是DC-link电容。P1和P3共用直流母线后，电容不能简单按照两套独立逆变器的容值相加。两台电机在不同工况下可能分别处于驱动或发电状态，母线纹波存在叠加或抵消的可能。工程团队需要根据复合工况重新定义纹波电流、容值和热负荷。　　第三项是六相电流采样。两套三相逆变器需要六路交流电流检测。MLX无磁芯方案单个仍需占用约30 mm板宽，采样结构很可能削弱功率模块带来的尺寸收益。　　第四项是交流铜排。P1和P3端子按照相位交错排列，必须分别连接到两台电机的三相绕组。士兰微认为可以让一套铜排向上、另一套向下，连接本身并非无法解决，但铜排层叠、绝缘距离和装配工艺仍需与整机结构协同设计。　　除此之外，量产项目还要验证两套逆变器之间的热耦合、共母线故障传播、EMC和保护策略。三只双半桥模块共用紧凑底板后，任何一处局部失效都可能影响另一套电机控制，故障隔离的重要性高于两只独立模块方案。　　按照士兰微披露的进度，SDualPAK仍处于Pre-A样件开发阶段，面向2027年以后的项目。现有资料能够说明它的结构逻辑，也能证明ZPAK平台具备低杂感能力，但尚不足以判断整套双电控的量产成本与可靠性。　　总结　　SDualPAK最值得关注的地方，是它改变了双电控功率级的组织方式。六个半桥不再按两台电机分成两个封装，而是按U、V、W三相重新配对。这样的结构为双电控释放了尺寸空间，ZPAK的3D走线则补上电气性能这一环。下一阶段的竞争不会只发生在功率模块内部，而会转移到驱动、电容、采样和保护系统能否跟上这块140×86 mm的功率核心。
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发布时间：2026-07-29 09:19 阅读量：239 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子获颁工信部人形机器人与具身智能标委会三项工作组成员证书
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士兰微电子获颁工信部人形机器人与具身智能标委会三项工作组成员证书

　　7月15日，工业和信息化部人形机器人与具身智能标准化技术委员会(MIIT/TC8)2026年度全体会议暨“标准周”活动在浙江绍兴开幕，士兰微电子作为MIIT/TC8成员单位受邀出席本次会议，并获颁标委会三项工作组成员证书。今年3月，士兰微电子正式成为标委会工作组成员，同步加入WG1总体工作组、WG2肢体与部组件工作组、WG6安全工作组，在标准制定、产品验证、技术突破等多维度全面参与人形机器人与具身智能产业标准体系建设。公司人形机器人产品专家、系统应用专家、功能安全专家、创新应用标准化核心专家出席本次活动。　　三大工作组，深度参与　　在WG1总体工作组，士兰微电子已围绕元器件名称、功能及应用等内容，为行业标准《人形机器人术语》提交建议，助力行业术语统一和规范应用。　　在WG2肢体与部组件工作组，士兰微电子结合自身技术与产品布局，选报参与CC感知模组、CD执行模组、CE通信模组、CG芯片模组和CH能源模组等方向的标准化工作，为人形机器人核心部组件的规范化和产业化贡献专业力量。　　在WG6安全工作组，士兰微电子选派具备功能安全专业背景、长期从事人形机器人MCU相关工作的功能安全专家参与安全标准研讨，持续跟踪整机安全、功能安全及未来芯片级安全要求的发展趋势。　　标准·产品·技术，三位一体　　依托IDM模式与齐全的技术门类，士兰微电子在功率半导体、MCU、MEMS传感器、模拟芯片及驱动器件等核心产品线上均具备深厚的量产能力，产品矩阵覆盖人形机器人从感知识别到执行落地的关键环节。士兰微电子的半导体产品目前也已在多家头部机器人企业的量产产品中批量应用。作为MIIT/TC8三大工作组成员，公司将从人形机器人芯片与元器件视角为标准框架提供专业参考，依托在半导体领域深厚的技术积累与制造优势，将制造实践中的技术边界与安全要求反哺标准研制，牵头领域内的元器件级标准，开发适配标准规范的半导体产品，并为标准规范的制定提供测试资源。　　未来，士兰微电子也将充分发挥标准制定、产线验证方面的经验与资源，以标准引领创新，以安全护航产业，推动标准从“框架先行”走向“技术扎根”，为人形机器人与具身智能产业安全、健康、高质量发展贡献士兰力量。
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发布时间：2026-07-16 13:55 阅读量：356 继续阅读>>
重磅发布|<span style='color:red'>士兰微</span>电子推出国产首款Grade 0 ASIL-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310
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重磅发布|士兰微电子推出国产首款Grade 0 ASIL-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310

　　Part 01　　产品概述　　士兰微电子正式推出SZ9310三半桥低压电机栅极驱动芯片，系国内首款同时取得德国莱茵TÜV ISO26262 ASIL-D最高功能安全认证与AEC-Q100 Grade 0最高温区车规可靠性认证的车身预驱芯片。凭借全栈自研核心技术，该产品解决国内高功能安全等级车身驱动芯片供给缺口，打通高端车载预驱芯片国产化替代关键环节。　　硬件架构上，SZ9310支持三路半桥拓扑，可驱动6颗外置功率NMOS;芯片集成全覆盖硬件诊断电路与分层故障保护逻辑，满足整车ASIL-D系统安全设计需求，适配电动助力转向EPS、整车制动系统等功能安全关键部件，满足车载极端工况下高可靠、高稳定运行需求。　　士兰微电子为SZ9310配套交付全套标准化FMEDA安全分析文档，能够显著降低客户整车功能安全认证工作量，缩短项目研发与量产导入周期;同时该芯片可优化车载电控整机BOM成本、提升系统安全冗余，加速高等级国产功能安全芯片规模化装车应用。　　立足汽车电子核心领域，士兰微电子坚持自主研发迭代，持续输出高性能、高合规车规级芯片。公司高功能安全产品线布局稳步推进，即将陆续推出多款ISO26262 ASIL-B/D等级器件，包含SZ9310配套PMIC、车载eFuse、车身IMU姿态传感器等多品类芯片，打造完整国产高安全车载芯片解决方案，为国内汽车电子产业链高质量发展提供核心支撑。　　Part 02　　SZ9310产品特点　　AEC-Q100认证，Grade 0： -40°C~150°C　　输入电压范围：5.5V~50V　　NMOS功率桥自举栅极驱动　　具有可调死区时间的交叉开关保护　　栅极驱动电压电流可配置　　集成3路电流采样放大器，放大器增益和失调可配置，失调大小通过管脚输出　　多种可配置诊断功能及诊断验证功能　　Part 03　　SZ9310应用框图　　Part 04　　SZ9310封装图　　Part 05　　应用场景　　SZ9310芯片在EPS中的系统应用　　SZ9310芯片在制动系统中的应用　　Part 06　　功能安全证书(德国莱茵TÜV 认证)
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发布时间：2026-07-09 10:13 阅读量：495 继续阅读>>
国产eFuse登上2026 Intel DCDC大会舞台，<span style='color:red'>士兰微</span>48V 30A大电流智能eFuse来了！
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国产eFuse登上2026 Intel DCDC大会舞台，士兰微48V 30A大电流智能eFuse来了！

　　AI 算力爆发，48V 高压直流配电已成数据中心、AI 服务器、工业电源主流架构，大电流、高可靠、智能化电源保护器件缺口持续扩大。围绕48V 母线高密度配电、高电流热插拔、系统安全冗余、整机能效提升这四大核心需求，48V 大电流 eFuse 是当下算力电源最刚需核心器件之一。　　2026 Intel DCDC大会现场，作为国内 IDM 功率半导体龙头士兰微电子携全新自研48V 30A 大电流集成 eFuse正式亮相，面向 AI 服务器推出国产化高性能智能保护方案，与全球一线电源厂商同台竞技，补齐国产 48V 大功率热插拔保护核心短板。　　士兰微自研48V 30A智能eFuse SDF1783，专为48V AI服务器供电系统优化，其技术亮点如下：　　输入电压支持8~80V(ABS 100V)，30A 连续电流;　　内置100V低导通电阻MOSFET;　　集成高精度IMON 监测;　　通过主动 SOA 保护或软启动控制浪涌电流;　　支持PMBus V1.3协议;　　集成芯片温度传感器;　　可编程保护：欠压(UV)、过压(OV)、过流(OC)、短路(SC)、过温(OT)、热关断(TSD)、FET 健康状态;　　集成黑匣子功能;　　高电流应用支持并联操作;　　QFN43 (7x7mm) 封装，符合intel封装定义;　　兼容 IPC2221B 和 IPC9592B 高压间距。　　48V 30A智能eFuse SDF1783作为当前AI服务器48V供电系统的核心组件，该产品专为过流及其他电源故障防护而设计，确保从供电网络到核心设备的电力传输既可靠又高效，其核心价值在于：　　高集成度，一颗芯片搞定保护链路——集成控制器、功率管、栅极驱动器及电流传感器等多个关键模块，显著减少外部元件数量，助力工程师在有限PCB空间内实现更紧凑的布局。　　大电流承载能力，30A满足AI服务器严苛需求——AI服务器板卡功耗持续攀升，对电源路径保护的电流能力要求越来越高。30A的承载能力，直击AI服务器高功率密度的核心痛点。　　全方位保护，确保系统高可靠性——提供可编程的过流、短路、过压、欠压、过热等多重保护机制，确保MOSFET在每个瞬态时刻都工作在SOA安全区内，保障AI服务器不间断运行。　　支持热插拔——允许系统在运行时安全连接或断开设备与DC总线，极大提高了AI服务器的可维护性。
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发布时间：2026-07-06 11:05 阅读量：504 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子亮相第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会
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士兰微电子亮相第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会

　　峰会速递　　6月12日，2026第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会(华南站)在深圳举行。大会以“核心智变·能效跃迁”为主题，聚焦数字电源领域前沿技术发展趋势，围绕光储充、800V超充与第三代半导体、AI服务器电源等热点方向展开深入交流。　　作为大会同期举办的重要论坛之一，第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会汇聚了来自新能源、电力电子及半导体产业链的专家学者和企业代表，共同探讨光储充领域关键元器件技术创新与产业发展路径。　　会上，士兰微电子负责光储技术市场的黄经理作题为《士兰新型功率器件为储能带来的机遇和挑战》的技术报告，围绕光储产业发展趋势及新型功率器件应用需求，分享了士兰在IGBT和SiC MOS等功率半导体领域的技术积累与应用实践。　　针对光储系统对高效率、高可靠性和高功率密度的需求，报告重点分享了士兰IGBT芯片技术的发展成果。通过持续推进工艺升级和产品迭代，士兰新一代IGBT产品在降低损耗、提升功率密度和提高工作结温等方面取得积极进展，可有效减少系统并联器件数量，帮助客户实现更优的系统设计和成本控制。在光储应用案例中，结合优化控制策略，系统损耗和器件结温均得到明显改善，为光储设备长期稳定运行提供了有力支撑。　　在第三代半导体领域，报告介绍了士兰SiC MOS芯片的技术演进路线及应用成果。相比传统硅基器件，SiC MOS具有成本低、开关损耗低、工作频率高、功率密度高等优势，能够进一步提升光储系统转换效率和系统集成度。依托士兰微电子自主研发的1200V系列SiC MOS产品及配套解决方案，士兰已形成覆盖户用光储、工商业光储、电站储能等应用场景的SiC MOS产品布局，为客户提供更加高效可靠的功率器件选择。　　经过多年持续投入，士兰微电子已形成覆盖芯片设计、制造、封装测试等环节的IDM经营模式，拥有完善的研发体系和制造平台，在功率器件领域建立了较为完整的产品矩阵和产业基础。当前，随着新能源装机规模持续增长和储能市场快速发展，功率半导体正迎来新的发展机遇。未来，士兰微电子将持续加大在IGBT、SiC MOS等核心功率器件领域的研发投入，不断提升产品性能和技术水平，积极推动新型功率器件在光储充等新能源应用场景中的创新应用，为行业高质量发展贡献力量。
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发布时间：2026-06-16 10:33 阅读量：565 继续阅读>>
展会速递 | <span style='color:red'>士兰微</span>电子亮相2026ATC上海国际汽车技术及零部件展览会
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展会速递 | 士兰微电子亮相2026ATC上海国际汽车技术及零部件展览会

　　现场直击　　6月3日，2026ATC上海国际汽车技术及零部件展览会在上海新国际博览中心隆重开幕，会场分设“汽车底盘展”、“汽车动力展”、“汽车热管理展”、“汽车测试展”四大展会，数百家国内外汽车行业上下游企业与专业观众纷至沓来，展现出汽车领域蓬勃热烈的行业生机。作为深耕半导体领域多年的IDM企业，士兰微电子受邀，携士兰车规级半导体产品参加本次展览，与行业友商和客户深度交流、共襄盛举。　　车规级半导体是士兰微电子的重点发展方向之一，在汽车电气化应用中，士兰微电子不仅能提供包括单管、PIM模块及SiC器件在内的功率半导体与化合物半导体产品，还能够提供涵盖智能开关、电源管理、MCU&DSP、驱动类IC、标准IC及MEMS传感器的一站式汽车IC产品。　　本次随展亮相的士兰汽车产品就囊括了OBC、底盘转向/刹车、主驱电控、汽车空调压机IPM在内的整套解决方案与器件产品：　　SSM2R1PB12EZ1BTFM　　ZPAK-SiC全桥模块　　创新技术：基于自主研发的 G4 SiC 芯片技术开发，采用三相全桥拓扑结构，专为 HEV/PHEV/EV 汽车主驱逆变器打造。　　卓越性能：模块内置高性能 Tsense 传感器，采样精度更高、速度更快。　　结构优势：创新的 ZPAK 封装与拓扑结构带来极低的杂散电感，搭配叠层母排设计，系统杂感可控制在 13nH 以内。　　客户价值：兼具低导通电阻、高电流密度与高阻断电压等级，为严苛工况下的主驱逆变器运行提供坚实、可靠的保障。　　SGM1000PB8BB1TFM_TR2　　三相全桥拓扑模块　　创新技术：基于自主研发的 FSV++ IGBT 芯片技术开发，采用三相全桥拓扑结构，是专为 HEV/PHEV/EV 汽车主驱逆变器应用打造的重磅功率器件。　　核心优势：在功率密度、电流输出能力、电热耦合性能、系统集成度与长期可靠性上实现了大幅突破。　　综合价值：通过深度优化单体成本与整体系统设计成本，以更高效、更可靠、更具性价比的一体化方案，为新能源汽车电驱系统带来核心性能与价值的双重提升。　　士兰EPS系统解决方案　　安全护航：直击底盘系统对高功能安全与高可靠性的严苛要求。　　全栈布局：提供适用于 EPS 的全品类封装及全覆盖阻值 MOSFET;用于驱动 MOSFET 且具备 ASIL D 最高等级功能安全认证的预驱芯片 GDU-SZ9310;同样具备 ASIL D 最高等级功能安全认证且为 MCU 及传感器等模块供电的电源管理芯片 PMIC-SZ4981;用于车载通信的CAN 芯片SQJ1042以及其余配套的逻辑芯片、LDO等等。更多的配套芯片正陆续推出，敬请期待。　　士兰空调压机SiC IPM　　高集成度：模块内部集成了6个 1200V/40A 的 SiC MOSFET，并集成了高压栅极驱动电路、欠压保护、过流保护及温度输出功能。　　灵活控制：输入逻辑全面兼容 3.3V/5V 系统;提供3个独立的负直流端，精准满足电流检测需求。　　高效散热：采用 DBC 封装设计，具备极低热阻。　　应用场景：广泛适用于汽车空调压缩机、汽车高压电子风扇及主动悬架系统。　　除展出产品外，士兰微电子芯片工程技术部部门经理李磊于6月4日下午在E7展馆会议室分享了以《超高压电驱平台下功率半导体的“零缺陷”之路：良率攻坚与可靠性工程》为题的技术报告，面对当前行业迈向高压、超高压电驱平台的趋势，深度解析士兰微电子将如何通过工艺革新与严苛的可靠性工程，攻克良率瓶颈，全面展示士兰在车规级品质把控上的硬核实力。　　一直以来，士兰微电子坚持IDM发展模式，持续深化功率半导体、化合物半导体等领域的技术迭代。展会现场，士兰新能源汽车电驱主控、OBC、底盘转向/刹车及汽车空调压机IPM模块等解决方案引发广泛关注，未来公司将强化与全球伙伴的生态协作，为智能汽车、绿色能源及数字化社会提供更高效的产品和解决方案。
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发布时间：2026-06-05 15:09 阅读量：748 继续阅读>>
喜报 | <span style='color:red'>士兰微</span>电子B7功率模块荣登“2026国产车规芯片新品十强”榜首
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喜报 | 士兰微电子B7功率模块荣登“2026国产车规芯片新品十强”榜首

　　5月20日，第十三届汽车电子创新大会暨2026车规半导体技术应用展(AEIF 2026)在上海开幕。本届大会以“软件定义汽车，智算重构生态”为主题，汇聚了来自全国各地的汽车电子领域专家、企业高管及产业链决策者。会上，士兰微电子B7功率模块产品荣获“2026国产车规芯片新品十强”及金芯奖“卓越产品奖”殊荣。　　本次“2026国产车规芯片新品十强”评选由中国集成电路设计创新联盟、AEPC汽车电子专业委员会、《中国集成电路》杂志社联合组织。依托“艾思齐”标准，评审组首先对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》收集的、来自127家企业的341款产品进行严格筛选，挖掘出了处理器、MCU、功率半导体、存储器等领域实现突破的一批国产新秀，产生“2026国产车规芯片新品TOP 30”。　　为进一步遴选出年度标杆产品，评审组从TOP 30的这批头部国产车规芯片中优选出了一批表现优异的芯片，进入当天上午AEIF 2026会议现场的闭门答辩环节。由长安、东风、上汽、上汽大众、北汽、蔚来、小鹏、理想等车企用户单位，联合电子、联创电子等一级供应商甲方评委，上海汽车芯片工程中心、上海交通大学、中国汽车技术研究中心、国家汽车芯片质量检验检测中心、中国集成电路设计创新联盟等行业有关独立第三方专家组成的豪华评审团近20位评委(其中共计11家甲方评委)，依据“艾思齐”标准四大核心维度进行严格的现场质询与独立评分。　　经过现场答辩评审，最终评选出10家公司的产品获得“2026国产车规芯片新品十强”称号。士兰微电子应用于新能源汽车领域的B7功率模块SGM270SS8B7TFM 在此次评选中脱颖而出，荣登榜首。　　士兰SGM270SS8B7TFM功率模块　　该产品采用士兰微自主开发的Trench-Field-Stop五代IGBT工艺，具备低杂散电感、高阻断电压、高功率密度、高可靠性等优异特点，并结合创新设计结构带来高灵活性，使产品性能达到行业领先水平。在大会晚宴阶段举行的颁奖仪式上，该产品同时获评金芯奖“卓越产品奖”。　　作为国内领先的IDM企业，士兰微电子已基于FS V和FS V++的IGBT平台及先进封装平台，成功拓宽并布局了更多元的新产品矩阵，包括具备更大电流能力的IGBT模块SGM480SS8B7HTFM，以及封装SiC芯片的TPAK及TPAK PLUS封装产品。通过构建高性能、多维度的产品矩阵，士兰微正全面满足从主流到高端、全功率段的新能源汽车应用需求，持续以创新的芯片重构绿色出行生态。　　本次大会期间，士兰微还随会展出了SGM500PB8BA2TFM_TR2、SSM2R1PB12EZ1BTFM、SGM350PP8E2ETFM等具有代表性的汽车电子功率器件及功率模组产品。未来，随着士兰汽车电子产品矩阵的不断丰富与技术迭代的持续深入，士兰微电子将继续以创新的芯片赋能绿色出行，为中国汽车电子产业贡献更多力量。　　士兰汽车电子明星产品　　链接：关于“AEPC车规芯片健康指数标准”——AsaChi “艾思齐”　　在车载芯片国产化加速突破、资本聚焦高端核心领域的行业背景下，主机厂及Tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、拥有自主知识产权的芯片企业作为国产化合作对象，投资机构也需寻找具备长期发展潜力的企业群作为战略投资方向。但目前行业缺乏适用的综合性指标作为遴选依据。　　针对这一痛点，AEPC汽车电子专业委员会组织相关行业专家，推出行业首个综合性评价指标——“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称AsaChi“艾思齐”)，填补了国产车规芯片健康度量化评估的行业空白。该标准由AEPC整合科研机构、高等院校、头部整车企业、Tier1供应商、芯片检测认证机构等多方资源联合打造，涵盖芯片可靠性、实体可靠度、整车配套成熟度、知识产权与工具四大核心维度，细化为AEC-Q测试合规度、制造基地、前装供货经验、国产第三方IP及EDA工具占比等10余项可量化评估指标，采用“企业自测+专家评审”双轨评分机制，确保评估结果的客观性与权威性，将为整车厂、Tier1厂商及投融资机构的决策提供科学依据。
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发布时间：2026-05-25 10:22 阅读量：751 继续阅读>>
破解人形机器人空间困局，<span style='color:red'>士兰微</span>小型化+高集成全栈杀手锏有何亮点
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破解人形机器人空间困局，士兰微小型化+高集成全栈杀手锏有何亮点

　　电子发烧友网报道(文/莫婷婷)2026年，人形机器人产业正迎来从“技术炫酷”向“实用价值”跨越的关键节点，行业正式步入规模化爆发的前夜。然而，相较于传统的工业机械臂，人形机器人面临着颠覆性的工程挑战：全身数十个甚至超过60个关节的协同控制、应对高频冲击负载的动态平衡，以及在极其有限的肢体空间内实现高算力与高功率的兼容。　　面对这些严苛需求，作为国内拥有完整IDM模式的半导体企业，士兰微凭借其在功率半导体、MEMS传感器、控制及电源芯片领域的深厚积累，正在为具身智能提供一套全栈式解决方案。　　极致小型化：破解关节与灵巧手的空间挑战　　人形机器人的核心痛点之一在于“空间”。士兰微电子系统应用专家邵陈懋指出，针对人形机器人的关节控制和驱动，目前士兰微正在推动小型化和智能化方案。公司主推集成电流采样放大器、具备完善保护和监测功能的小封装三相预驱IC，包括适用于24V、48V电驱系统的预驱产品，后续还将陆续推出适应于72V及更高电压的产品，以满足人形机器人关节驱动器在各类电压平台下日益小型化和智能化的需求。　　在灵巧手这一空间最为受限的部位，士兰微推出了全新的高集成度驱动方案，新型驱动IC将6颗NMOS功率管直接集成到预驱芯片中，并内置了三路电流采样放大器电路，做成一颗小体积封装的驱动IC。　　这种高集成度设计简化了硬件设计，显著缩小了PCB布板面积，适配灵巧手内部有限的空间。邵陈懋透露，目前该系列产品覆盖12V、24V、48V等不同电压等级的应用工况，未来还将持续推出更高集成度的灵巧手用All in one产品，将在驱动产品的基础上进一步集成MCU、DCDC和LDO，为灵巧手驱动器提供高度集成的单芯片解决方案。　　为了让机器人拥有类人的灵活度，其关节模组和灵巧手必须在极小的体积内爆发强大的动力，这给半导体器件的功率密度和集成度提出了新的技术要求。如何在实现小型化的同时，保证产品的关键性能?　　针对这一难题，士兰微充分发挥其IDM模式优势。目前，士兰微拥有多条8吋、12吋硅基芯片生产线和6吋、8吋SiC芯片生产线，具备晶圆制造和封装测试的完善工艺开发、品质管控能力，也具有丰富的芯片设计和研发能力，可保证半导体产品在实现小型化的同时保证关键性能。　　就在今年1月，士兰微宣布“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”正式开工，将于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力，加上二期规划，形成年产54万片的产能，该产线将聚焦人形机器人、汽车、大型算力服务器等高端应用。这一布局将极大地提升士兰微的自主制造能力，为人形机器人提供更精密的半导体器件。　　跨形态复用：以工业级可靠性应对动态冲击　　与传统机器人相比，人形机器人的关节数量多，四足形态不少于12个关节，人形形态目前最多有超过60个关节，这对控制的实时性提出了很高的要求。同时，随着人形机器人的任务泛化要求越来越高，负载冲击的不确定性也对设计包络和裕量提出了更高的要求。针对上述新需求和严要求，士兰微将原本用于大型白电、工业伺服、车载等领域的方案适应性完善后，跨形态复用到了人形机器人领域，助力人形机器人客户企业的降本增效、成熟应用。　　与传统机器人按固定轨迹重复作业不同，人形机器人需要应对复杂多变的负载冲击，还要求底层硬件具备极高的实时性和鲁棒性。　　针对高实时性通信控制需求，士兰微推出的SC32F89512系列MCU，在原有基础上进一步集成了CAN-FD和EtherCAT通信接口，有效解决了多关节协同控制中的低时延通信难题，确保机器人动作的精准同步。　　面对负载冲击的不确定性，士兰微提供了高耐压、低导通内阻且具备强过载能力的MOS管产品，为关节电机驱动提供坚实的功率保障。　　同时，针对机器人电池宽电压范围及母线电压波动等恶劣工况，士兰微将原本适配短交通领域的72V~96V DCDC技术复用至机器人领域。例如，输入电压范围达10V~150V的SD4946C系列DCDC产品，已被多家客户应用于关节电源的一级转换，提升了系统的整体稳定性。　　士兰微的车规级DCDC产品SDQ3430也完美适配关节二级电源的高频、高效应用需求，可为机器人关节提供全套的关节DCDC方案。　　邵陈懋进一步介绍，具体到人形机器人肢体末端应用中，灵巧手和腿部面临的技术瓶颈并不相同。对于灵巧手而言，最大的挑战在于小型化条件下的高精度运动感知与实时控制。对于腿部而言，最大的技术瓶颈则在于动态平衡控制和复杂运动工况下的稳定可靠感知。同时，可提供高精度、高PSRR的LDO产品SK1033在高精度感知传感器的供电领域有非常广阔的应用前景。　　另外大量应用于AI人工智能、算力领域的高性能DCDC电源以及EFUSE产品SK4783，也与机器人的智能应用、关节热插拔场景极其匹配，士兰微将聚焦全栈式、高集成度的算力电源方案，匹配人形机器人高算力、小型化的应用需求。　　士兰微量产的六轴IMU，主要从惯性感知和运动状态反馈等方面满足不同部位的需求。在灵巧手方向，士兰微的产品可嵌入手腕、手部模组或手指关节附近，用于检测微小姿态变化、动作加速度、角速度变化及异常冲击，为精细动作控制、抓取过程监测和运动补偿提供基础数据支撑。同时，面向电容式力传感器的布局，重点提升了触觉与受力量测能力。　　小结：全栈布局加速具身智能落地　　士兰微认为，即将到来的规模化、产业化将使人形机器人的出货量成倍乃至指数倍增加。增强大脑的算力能力、丰富多模态模型、提高人形机器人泛化任务能力，正在助力人形机器人在智能制造、商业服务、智慧家庭等领域加速落地。士兰微对2026年的市场行情持乐观态度，预计市场将迎来起量发展。　　为了迎接这一浪潮，士兰微已制定了清晰的新品规划。公司将在MOS/GaN功率器件、DCDC电源管理、预驱/驱动芯片、MCU控制芯片以及MEMS传感器等五大核心领域持续推出新品，并大力发展相关合封产品。通过提供半导体层级的全套解决方案，士兰微将推动具身智能从实验室走向更多应用场景。
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发布时间：2026-05-18 10:13 阅读量：1113 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit
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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。
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发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：2244 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>5.5kW PSU方案助力算力供电升级
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士兰微5.5kW PSU方案助力算力供电升级

　　当前算力数据中心正朝着800V直流母线架构加速演进，士兰微电子凭借在半导体各细分领域的深厚积累，构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案，可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品，全面覆盖算力电源SST、HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用，为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。　　方案介绍　　下图为由“图腾柱PFC+LLC”组成的5.5kW PSU。　　在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中，快管承担高频硬开关动作，开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度，需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC MOSFET。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品(料号为SCDP65R040NB2LB)满足上述应用场景的需求，可显著降低高频工况下的能量损耗，提升系统整体转换效率，同时减少散热压力，支持更高频率、更高功率密度的电源设计，满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。　　PFC慢管工作在工频整流状态，导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异，同时兼顾浪涌电流能力的超结 MOSFET(料号为SVSP60R022LBS5)，在工频导通期间的损耗有效降低，提升系统效率与热稳定性。　　在 LLC的SR位置，中重载情况下软关断，轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET(料号为SVGP081R8NL5-3HF)具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点，能帮助客户提升半载和满载效率，优化轻载时EMC表现。　　士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后，士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域，迭代推出更多先进产品，助力各电源客户实现更高的效率目标。
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发布时间：2026-04-30 10:13 阅读量：1112 继续阅读>>

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