<span style='color:red'>士兰微</span>丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代
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士兰微丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代

　　8月28日，为期三天的PCIM Asia Shenzhen 2026进入收官日。本届展会聚焦电动交通、AI数据中心、新能源三大高价值应用场景。作为展会的重要组成部分，同期举办的多场主题论坛覆盖碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体前沿技术，深入探讨电动汽车、碳化硅、电机驱动与运动控制等热门议题，各主题论坛现场座无虚席。　　在国际研讨会“电机驱动与电动化交通专场”上，士兰微PIM产品线杨博士代表公司出席并以《汽车电驱SiC功率模块的低杂感、高功率密度及均流优化设计》为主题做出精彩演讲。　　随着新能源汽车产业加速向高压、高功率密度方向演进，电驱系统对功率模块的体积、效率与可靠性提出了更高要求，传统功率模块在杂散电感、均流特性与封装密度等方面的瓶颈日益突出。　　本次演讲杨博士从电驱系统的严苛需求出发，针对上述行业共性难题，并系统分享了士兰微电子ZPAK高性能碳化硅功率模块，为汽车牵引逆变器提供有竞争力解决方案。　　据介绍，ZPAK碳化硅模块采用士兰与致瞻科技联合开发的ZPAK封装外形，基于士兰自主研发的第四代(G4)SiC-MOSFET芯片，采用士兰独创的3D互联封装方案。芯片可用面积占AMB面积的比例约为70%，而传统HPD模块仅为40%。该模块在900V电压平台夏最大输出电流可达420-450Arms，体积比目前广泛采用的HPDmini模块缩小约60%。　　均流控制方面　　ZPAK-SiC模块采用了一项士兰自主知识产权的创新技术——CBI(电流平衡互连Current-Balancing Interconnection)。确保4颗并联芯片间的动态电流不平衡率极低，仅为5.7%，显著提升了模块的可靠性与一致性。　　杂散电感优化方面　　ZPAK-SiC模块层叠式直流端子设计使系统级杂散电感低至12nH，从而减少40%的开关损耗，为新能源汽车电驱系统提供了更高效、更可靠的功率支撑。　　与市场主流模块相比，ZPAK模块在多项关键指标上实现全面超越：　　功率密度提升54%;　　杂散电感降低43%;　　动态均流改善70%;　　开关损耗降低46%;　　同时具备宽范围的功率可扩展性，可灵活适配不同功率等级的电驱应用需求。　　这一系列数据充分印证了ZPAK模块在新能源汽车电驱领域的领先优势。　　整场演讲干货十足，杨博士深入浅出的技术解读赢得了现场阵阵掌声。演讲结束后，多位参会嘉宾围绕ZPAK模块的车规级可靠性验证、芯片封装、客户导入进展及碳化硅模块规模化量产等话题与专家展开进一步交流，现场气氛热烈。　　未来，士兰微电子将继续深耕碳化硅等第三代半导体前沿领域，持续推动车规级功率模块的技术迭代与产业化落地，携手产业链伙伴共建高效、可靠的新能源汽车电驱生态，为国产功率半导体高质量发展贡献力量。
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发布时间：2026-09-04 13:21 阅读量：186 继续阅读>>
新品发布丨<span style='color:red'>士兰微</span>LED照明驱动领域重磅推出双级非隔离大功率全套片方案
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新品发布丨士兰微LED照明驱动领域重磅推出双级非隔离大功率全套片方案

　　方案概述　　01　　当下工业大功率 LED 照明行业呈现三大核心发展趋势：大功率集成化、调光智能化、能效极致化。市场对一站式完整套片方案的需求日益迫切，旨在降低供应商对接成本，缩短产品开发周期。　　针对这一需求，士兰微电子推出 BOOST+BUCK 双级非隔离大功率全套片：SD7510/10A(前级 PFC-Si/SiC双版本选型)+SD7960(后级 BUCK 恒流)+SD7558C(三合一调光IC)+SDH8592AS(辅助供电) ，功率覆盖 100W~300W，支持 100~277Vac宽压输入。　　士兰微一站式供应全套 PFC、BUCK、辅助供电、调光控制芯片，配套全系列 Si/SiC-MOS 功率器件，真正实现芯片 + 功率器件一体化供货。全方位打造具备超强市场竞争力的大功率工业照明电源解决方案。　　士兰微电子将持续推出适配照明市场的新产品，长期为客户提供稳定、高竞争力的解决方案。　　方案核心亮点　　02　　双版本 PFC 前级，Si/SiC-MOS可选　　SD7510适配Si-MOS控成本，SD7510A直驱SiC- MOS提能效，内置 THD 补偿，满载 PF>0.9、低谐波，轻松满足 IEC 谐波标准。　　双级非隔离通用成熟拓扑结构　　BOOST+BUCK 双级架构，临界 / 断续双模式，负载动态响应性能优异，轻载工况输出电压稳定。　　功率档位覆盖100~300W 功率、100~277Vac 宽电压，适配UFO、High-Bay、隧道灯等照明电源驱动应用。　　智能化三合一调光，支持用户自由定制　　SD7558C 内置 MCU，可自定义调光曲线;兼容 0-10V/PWM 多合一调光，调光深度<3%、全程无频闪，SD7558C 支持 4 档/电流拨码硬件设置，大幅简化 PCB Layout 走线，减少布线难度与出错概率。　　一站式全套芯片 + 功率器件供货　　士兰微自主全套控制芯片 + 可配备Si/SiC-MOS 同步供货，无需多供应商对接，简化采购、缩短研发量产周期，极致降低客户开发供应链成本。　　典型应用原理图　　整机DEMO　　士兰微全套片方案
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发布时间：2026-09-04 10:06 阅读量：199 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度
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士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度

　　AI算力需求爆发叠加数据中心能效标准持续升级，服务器电源已从满足基础能效迈入极致高效、高功率密度的迭代阶段。功率器件的导通与开关损耗，是制约服务器电源效率、散热与整机性能的核心因素。数据中心供电架构向800Vdc母线架构演进趋势下，导通电阻、栅极电荷的微小差异，都会显著放大整机功耗与温升问题。　　士兰微依托自研先进屏蔽栅沟槽SGT G3+工艺平台，面向AI服务器PSU高功率密度需求，推出两颗新一代80V N沟道功率MOSFET：SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE，以1.2mΩ典型导通电阻与85nC典型栅极电荷的优异组合，精准平衡导通损耗与开关损耗，具备业界领先的FOM(品质因数)。　　封装选型　　● SVGP081R4NL5S-3HE：PDFN 5*6(单面散热)，热量通过底部焊盘向 PCB 散热，兼容常规 PCB 设计，适合常规散热条件的服务器电源设计。　　● SVGP081R4NL5SCE-3HE：PDFN 5*6 DSC(双面散热)，芯片顶部可外接散热器，底部+顶部双面导热，热阻显著降低，大幅提升大电流下的载流能力，助力功率密度提升。　　产品核心参数速览　　SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE专为高功率密度、高效率服务器电源应用打造。在新一代SGT工艺平台下，实现了单位面积导通电阻(RSP)、品质因数(FOM)、输出电容(Coss )的三重突破，以均衡的损耗控制与优异的高频性能，完美适配AI数据中心高密、高效、高可靠应用场景。　　01 更低导通电阻，让大电流路径更“冷”　　在PDFN5×6封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE将最大导通电阻做到1.4mΩ，典型值仅1.2mΩ，单位面积导通电阻(RSP)较上一代降低27%，导通损耗显著降低，有效降低高密度电源模块的热管理压力，散热设计得以简化，系统可靠性同步提升。　　02 开关损耗大幅降低，让高频开关更“省”　　栅极电荷Qg典型值为85nC，品质因数FOM(Qg × RDS(on))= 119，较上一代产品FOM值降低35%，与国际一线品牌产品同属行业第一梯队。FOM是衡量MOSFET导通损耗与开关损耗平衡能力的关键标尺。更小的Qg带来更快的开关速度与更低的驱动损耗，意味着在每次开关动作中“省”下更多能量。　　03 更小输出电容，让高频转换更“快”　　输出电容Coss典型值为1950pF，对比国际最先进工艺平台同规格产品减小约10%，在高频开关应用中优势凸显。输出电容决定了器件开关过渡的速度，在服务器电源高频化的趋势下，更小的输出电容意味着更快的开关过渡、更低的开关损耗，为更高开关频率的设计提供了空间。　　04 双重散热方案，让器件选型更“活”　　同一封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE与SVGP081R4NL5SCE-3HE分别支持单面散热与双面散热，两种散热路径使得选型更灵活。双面散热外形在底部散热基础上增加顶部导热通道，约20%~30%的热量经由顶部散发，能够减少热量向PCB积聚。使用不同材料和厚度的导热硅脂进行热仿真，相比同规格标准PDFN5×6封装，双面散热的热阻降低约66%，PCB的发热量(Tpcb-Ta)降低约30%，PCB自身温度降低，板上其他元器件(如电容、连接器)的热应力同步减小，有助于延长整个系统的寿命，实现器件同规格具备双选择。　　在AI服务器电源系统中，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可部署于PSU的两个关键位置：PSU内部DC-DC副边同步整流(SR)，以及电源输出侧的ORing FET。　　图1 数据中心典型供电架构　　在DC-DC转换级，副边SR管承担大电流传导与高频开关任务。以LLC谐振拓扑为例，SR管工作在ZVS(零电压开通)条件下，开通损耗可忽略，损耗主要来自导通压降与关断过程。因此，低RDS(on)是降低导通损耗的核心，低Qg有助于降低驱动损耗与关断损耗，低Coss可减小死区期间的充放电损耗。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE以1.2mΩ典型RDS(on)、85nC Qg与1950pF Coss的均衡参数，适配高频LLC同步整流需求。　　图2 服务器一次电源PSU内部拓扑(图腾柱PFC+LLC)　　在服务器电源架构中，ORing FET通常串联于各PSU输出支路，常态下持续导通传输负载电流，故障时快速关断以实现隔离与防电流倒灌。因其几乎不参与开关动作，导通损耗(I²R)为主要损耗，低RDS(on)是核心选型指标;同时需具备足够的SOA与雪崩耐量，以承受热插拔及故障切换带来的瞬态应力。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE典型RDS(on)仅1.2mΩ，可有效降低大电流路径的发热与压降，提高电源工作效率。　　图3 电源输出侧ORing FET 示意图　　此外，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可进一步拓展至人形机器人等高景气赛道。以机器人关节模组为例，其低频大电流工况下，RDS(on)的毫欧级差异将被持续放大为显著的功耗与温升差异，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE 助力应用降低损耗和温升，满足系统对高效率与高可靠性的双重需求。　　全球AI服务器功率需求正高速增长，单颗处理器电流将突破10,000安培。在AI算力场景下，MOSFET 的RDS(on)和FOM每1%的优化对AI电源能效提升至关重要。顺应行业发展趋势，士兰微依托全新SGT工艺平台，重磅推出SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE两款器件。产品在导通电阻、栅极电荷、输出电容等核心关键参数实现全方位提升，高度适配 AI 服务器电源、具身智能等高要求应用场景，是理想的功率器件选型方案。
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发布时间：2026-08-28 11:00 阅读量：236 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子获得德国莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D等多项认证 加速车规产品布局
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士兰微电子获得德国莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D等多项认证 加速车规产品布局

　　近日，德国莱茵TÜV集团(以下简称“TÜV莱茵”)正式向士兰微电子颁发三项重要认证：ISO 26262 功能安全管理体系ASIL D实践级(ML 3)认证证书、功能安全产品ASIL D认证证书、ISO/IEC 17025：2017目击检测实验室资质认证证书。此次认证标志着士兰微电子已具备符合ISO26262最高等级ASIL D要求的车规产品开发流程和产品实践能力，公司的可靠性试验检验中心也同步通过莱茵目击实验室认证资质，为全品类车规级产品的开发奠定了坚实基础。　　颁证仪式上，士兰微电子资深研发副总裁吴建兴、TÜV莱茵大中华区总裁夏波等双方代表出席。现场分别举行了功能安全管理体系实践级(ML3)认证、栅极驱动SZ931xx功能安全产品(ASIL D)认证，以及ISO/IEC 17025:2017目击检测实验室资质认证的颁证仪式。　　士兰微电子通过TÜV莱茵功能安全管理体系实践级(ML3)认证颁证仪式现场　　士兰微电子栅极驱动SZ931xx通过TÜV莱茵功能安全产品(ASIL D)认证颁证仪式现场　　士兰微电子检验检测中心通过TÜV莱茵ISO/IEC 17025:2017目击检测实验室资质认证颁证仪式现场　　士兰微电子资深研发副总裁吴建兴在发言中表示，士兰微电子自成立以来始终坚持IDM模式，具备芯片设计、制造加工、封装测试一体化能力。这一模式在汽车电子等综合要求严格的领域具有独特优势。经过近三十年的发展，士兰微电子已成为国内排名靠前的半导体公司。针对汽车电子领域，公司依托IDM模式形成了核心竞争力，不仅提升了交付能力和质量控制能力，还通过功能安全项目实践深化了对ISO26262流程和核心团队角色的理解，并将其逐步融入现有IPD流程。吴建兴强调，士兰微电子拥有多条特色产品线，可高效聚焦在汽车电子领域的突破和提升，期待与TÜV莱茵后续开展更多合作。　　士兰微电子汽车电子事业部总经理李海峰指出，汽车是仅次于计算和无线的第三大半导体市场，其2021-2030年复合增长率最高，是士兰微电子重点投入的方向。目前，公司功率器件产品已进入国内头部供应商之列，并与主流整车厂及Tier 1建立了深度合作。为更好满足客户需求，士兰微电子正加快研发与功率器件/功率模块配套的驱动、电源IC、传感器等产品组合，未来将朝着数字化、集成化、功能安全化方向持续深耕车规产品，快速提升国内外汽车客户占比。　　TÜV莱茵大中华区总裁夏波对士兰微电子表示祝贺。他表示，此次体系、产品、实验室四本证书同期颁发，体现了士兰微电子对功能安全的高度重视和团队的高效务实。TÜV莱茵将继续秉承专业、严谨、高质量的认证服务理念，为士兰微电子提供产品功能安全、网络安全等一站式服务与技术保障，助力士兰微电子提升国内外市场综合竞争力。同时，TÜV莱茵将凭借在安全领域的技术优势和法案、法规、标准的深度研究，期待与士兰微电子在风光储充、AIDC、具身智能及人形机器人等新兴应用场景中，共同探索新标准和隔离驱动等新产品方向，加强交流，实现在高可靠性领域的全面合作。　　ISO 26262是全球公认的汽车功能安全标准，涵盖功能安全需求规划、设计、实施、集成、验证、确认等环节，旨在将汽车电子电气系统故障风险降至最低。ASIL D是该标准的最高安全等级。ISO/IEC 17025则是国际通用的实验室认可标准，在集成电路领域具有极高权威性，通过认可的实验室出具的检测报告可在全球100多个国家和地区获得互认。　　此次多项认证的取得，不仅体现了士兰微电子在车规级功能安全开发与检测能力上的持续投入，也为公司进一步拓展国内外汽车电子市场提供了有力支撑。未来，士兰微电子将继续深化功能安全管理实践，携手TÜV莱茵等合作伙伴，推动更高安全等级车规产品的研发与应用，助力汽车电子产业高质量发展。
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发布时间：2026-08-20 09:35 阅读量：272 继续阅读>>
新品速递 | <span style='color:red'>士兰微</span>研发团队推出DCDC芯片SK3910 为人形机器人关节电源注入“高能芯动力”
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新品速递 | 士兰微研发团队推出DCDC芯片SK3910 为人形机器人关节电源注入“高能芯动力”

　　2026年，人形机器人正从实验室样机加速迈向规模化商用。据工信部预测，2026年我国人形机器人产量有望突破10万台。　　然而，在“量产元年”的狂欢之下，每一位人形机器人硬件工程师都深陷一场无声的战役——电源管理的“不可能三角”：高功率密度、长续航、紧凑空间，三者似乎永远无法兼得。　　人形机器人电源管理的三大“生死劫”　　痛点一：48V架构下的“高压焦虑”　　当前主流人形机器人普遍采用48V配电架构，不同关节的功率需求差异较大，从百瓦级到千瓦级不等。髋部、膝盖等大功率关节在峰值工况下电流需求可超过100A。在这样的高压、大电流环境下，母线电压尖峰、反电动势、PWM开关噪声时刻威胁着电源系统的稳定性。传统DCDC转换器耐压不足，一旦遭遇电压瞬态冲击，轻则系统重启，重则烧毁整块驱动板——这不仅是硬件损失，更可能意味着数月研发进度的归零。　　痛点二：散热空间“寸土寸金”　　人形机器人关节追求极致的小型化和轻量化。常规关节直径需控制在100mm以内，腕部、颈部等精细关节更要压缩至50mm以下，还需预留中空空间用于走线。电机、减速器和驱动器高度堆叠，完全没有多余空间安装独立散热部件。小型化封装迫使关节电机功率密度大幅提高，在高负荷、高频运动时，电机和驱动芯片产热迅速、热流密度极高。整机外壳温度需控制在≤55℃，且以被动散热为主——功率器件的温升便成为核心瓶颈。　　痛点三：待机功耗正在“偷走”续航　　当前全球主流量产人形机器人普遍续航时间为2至4小时。在电池容量固定的前提下，唯有通过更高的电源转换效率、更低的待机功耗，才能实现续航能力的突破。机器人待机时，DCDC转换器依然在消耗电流——传统方案的待机功耗可能高达数百微安甚至毫安级，看似微不足道，却在漫长的待机与轻载工况中不断蚕食宝贵的电池能量。　　SK3910：专为高功率密度关节打造的“能效芯”　　面对上述痛点，士兰微研发团队最近推出了一款适合于人形机器人的DCDC芯片SK3910，以三大核心优势，直击人形机器人电源管理的根本难题。　　核心优势一：100V高耐压——为48V系统留足安全裕度　　SK3910拥有6V至100V的超宽输入电压范围，在48V母线系统中提供了2倍的电压裕度。这意味着，无论是电机再生制动产生的电压泵升，还是开关动作引发的电压尖峰，SK3910都能从容应对，为整个关节驱动系统筑起一道坚实的“电压防火墙”。1A的输出电流能力，足以满足关节一级DCDC对传感器、栅极驱动器、控制MCU等负载的供电需求。高耐压不只是参数，更是系统可靠性的底线保障。　　核心优势二：10μA超低待机电流——把每一微安都用在“刀刃”上　　SK3910的超低待机电流低至10μA(典型值)，远低于传统方案。这意味着，当机器人处于待机或轻载状态时，电源管理系统几乎不产生额外的功耗开销。低至 10μA 的静态功耗，拉开了与传统方案的待机功耗差距。对于追求极致续航的人形机器人而言，这份能耗差距日积月累，可能就是 “再多工作半小时” 与 “提前返航充电” 之间的天壤之别。在电池容量固定的前提下，每一微安的节省都在为整机续航 “添砖加瓦”。　　核心优势三：轻载高效91%——从“重载优秀”到“全工况卓越”　　传统DCDC转换器往往在重载时效率可观，却在轻载时效率急剧下滑。而人形机器人恰恰大量工作在轻载和待机状态——传感器持续采样、控制器保持唤醒、通信模块待命接收指令。SK3910在10mA轻载条件下典型效率高达91%以上，配合突发模式操作，确保在极低输出电流下依然保持高效运行。这意味着从待机到满负荷的全工况范围内，SK3910都能将电池能量最大限度地转化为有效功，减少发热、延长续航。　　不止于参数：COT控制，让设计更从容　　除了上述三大核心优势，SK3910在工程可用性方面同样令人惊艳：　　恒定导通时间(COT)控制模式：在保持近乎恒定开关频率的同时，实现优异的负载瞬态响应。当关节电机突然加速或减速时，SK3910能够快速响应电压波动，确保下游负载的供电稳定。　　100kHz至1MHz可编程开关频率：工程师可根据实际需求在效率和外部元件尺寸之间自由优化。追求极致效率可选低频，追求最小占板面积可选高频——设计弹性，尽在掌握。　　完善的保护机制：峰值和谷值电流限幅电路有效防范过载和短路;软启动功能控制输出电压上升速率，消除启动瞬间的电流冲击;过温保护为芯片穿上“防弹衣”。这些保护功能对于人形机器人这种“不容有失”的应用场景至关重要。　　ESOP-8封装：降低热阻的同时增大高压引线间距——在紧凑的关节空间中，更好的散热和更高的安全间距，意味着更高的功率密度和更低的故障风险。　　*注：以上产品参数为典型值，具体规格请以SK3910产品数据手册为准。*　　人形机器人从“能动”走向“灵巧”，从“实验室Demo”走向“工厂部署”，电源管理始终是决定成败的关键一环。　　SK3910以100V高耐压、10μA超低待机电流、轻载91%高效率、至高1MHz高开关频率的卓越性能组合，为工程师提供了一颗真正懂人形机器人关节需求的“能效芯”。　　在空间寸土寸金的关节里，在热管理如履薄冰的挑战下，在续航焦虑挥之不去的现实面前——SK3910让每一瓦特都物尽其用，让每一次充放电都精准高效。　　选择SK3910，就是选择高功率密度关节电源的最优解。　　产品信息速览
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发布时间：2026-08-10 10:13 阅读量：339 继续阅读>>
比MiniHPD还小！<span style='color:red'>士兰微</span>SDualPAK把两套三相逆变器塞进140×86 mm底板
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比MiniHPD还小！士兰微SDualPAK把两套三相逆变器塞进140×86 mm底板

　　传统双电控的集成思路通常从结构入手：缩小低功率侧、合并底板、压缩端子间距。这种方法可以减少外形尺寸，却会挤占内部布线空间。当DBC上的铜路变细、换流回路变长，寄生电感随之上升。SiC器件开关速度较快，原本不算突出的布线差异会被放大为电压尖峰、动态不均流和栅极振荡。　　士兰微提出的SDualPAK方案没有继续压缩传统平面布局，而是采用的ZPAK的3D互联封装方案，将P1和P3的相位交错合封起来。前者控制杂感并提升芯片得房率，后者减少两套三相模块之间的重复结构。两种设计共同指向一个目标：在140×86 mm的底板上容纳两套三相逆变器，也就是说其SDualPAK双电控模块总尺寸可以做的小于一个MiniHPD的尺寸!　　01.简单“拼小”为什么会把杂感做大P1+P3双电控常见的做法是分别为两台电机配置功率模块。士兰微给出的参考方案中，MiniHPD与MiniPACK组合后的底板尺寸约为235×72 mm;如果使用两个ZPAK，总尺寸约为200×70 mm。两种方案都保留了相对独立的三相模块结构，因此底板、封装边界、DC连接和安装空间存在一定重复。　　进一步集成时，设计者往往会优先压缩功率较小的P1部分。问题在于，传统模块的DBC既用于放置芯片，也承担桥臂之间的功率布线。封装面积缩小后，芯片仍需占据基本空间，最先被压缩的就是铜路宽度和走线间距。这会直接改变换流回路的寄生参数。功率器件关断时，杂感会产生附加电压。SiC器件的(di/dt) 较高，即使寄生电感只增加几个纳亨，也可能产生明显的关断过冲。如果多个芯片并联，走线电感不一致还会导致栅源电压和开关时序出现偏差。一颗芯片先导通，另一颗后导通;关断时又可能出现相反的速度差异。电流分配失衡后，局部芯片会承受更高的电流和温度。也就是说，P1和P3简单拼成一个模块，为追求体积而压缩P1区域，容易使P1走线变细，最终形成较大的杂感。问题的根源不在于能否把六个半桥放进去，而在于缩小之后如何保留合理的功率回路。ZPAK的处理方法是把一部分主功率走线从DBC平面转移到封装上方。在HPD或MiniHPD等常规模块中，DBC既要承载芯片，又要完成DC正负极、上下桥和交流输出之间的连接。芯片周围因此需要预留较大面积用于铜路和端子过渡。士兰微将这种面积称为DBC的“走线占用”。ZPAK利用内部Clip和外围铜排完成功率连接。电流可以从芯片上方引出，不必全部沿DBC横向绕行。DBC由此腾出更多面积放置芯片，主功率路径也能保持较短、较宽。士兰微给出的比较数据显示，ZPAK的芯片可用面积占DBC面积的比例约为70%，HPD约为40%。其功率密度相较MiniHPD提高约60%，相较HPD提高约65%。　　3D走线也为低杂感设计提供了条件。ZPAK的外围母排与内部Clip可以形成叠层结构，使换流电流的去程和回程彼此靠近。两条路径中的电流方向相反，其磁场能够部分抵消，从而降低回路等效电感。士兰微展示的ZPAK参考系统杂感约为10至12 nH，实测结果为12.3 nH;作为对比，普通TPAK系统的杂感约为22 nH。在其展示的测试条件下，较低杂感可使IGBT动态损耗降低约28%。同时，ZPAK系统的DC铜排尺寸比TPAK方案减少约50%。这些数据证明了ZPAK平台控制杂感的潜力，但不能直接视为SDualPAK整机的测试结果。双电控方案加入了共母线、电容和更密集的端子结构，最终杂感仍取决于完整系统的连接方式。02.P1与P3交错合封，重新组织六个半桥SDualPAK的第二项关键设计，是按照相位重组P1和P3的六个半桥。传统双电控通常把P1的三个半桥放在一个三相模块中，再把P3的三个半桥放在另一个模块中。SDualPAK改用三只双半桥模块。每只模块同时容纳P1的一相和P3的一相，排列方式分别为P1-U与P3-U、P1-V与P3-V、P1-W与P3-W。　　其“P1&P3交错合封”指的是物理封装和端子排列。与PWM交错控制无关。模块的交流端子依次形成P1-U、P3-U、P1-V、P3-V、P1-W、P3-W，两套三相输出在空间上交替出现。士兰微给出了两种主要的桥臂分组方式。一种方式让同一套逆变器使用连续分布的三个半桥;另一种方式让P1使用三只模块中的第一半桥，P3使用三只模块中的第二半桥。这种布局减少了两只独立三相模块之间重复的封装边界、安装空间和DC侧结构。SDualPAK底板尺寸由两只ZPAK的200×70 mm缩小到140×86 mm，也小于一只143.5×117 mm的MiniHPD。　　“尺寸再减小约40%”需要结合比较口径理解。140 mm相较235 mm确实缩短约40.4%，相较两只ZPAK的200 mm缩短30%。如果按底板面积计算，SDualPAK相较235×72 mm方案缩小约28.8%，相较200×70 mm方案缩小约14%。士兰微并没有给出厚度，因而暂时无法证明模块总体积缩小40%。SDualPAK的尺寸收益主要来自结构重组，杂感控制则依赖ZPAK的3D走线。交错合封消除重复空间，Clip和叠层母排避免压缩空间后出现细长功率路径。两种设计缺一不可。　　03.模块本体变小后，系统设计成为新的瓶颈SDualPAK把两套三相逆变器压缩到140×86 mm，但驱动、电容和采样电路不会同步缩小。士兰微在2026xEV论坛演讲中列出了四项系统设计难点。　　第一项是驱动电路。六个半桥包含12个功率开关位置，需要布置相应的驱动IC和隔离电源。当前ZPAK方案中，每颗芯片及隔离电源约占21×24 mm的板面积。模块缩小之后，驱动板可能比功率模块更难布置，还要满足相间爬电距离和抗干扰要求。　　第二项是DC-link电容。P1和P3共用直流母线后，电容不能简单按照两套独立逆变器的容值相加。两台电机在不同工况下可能分别处于驱动或发电状态，母线纹波存在叠加或抵消的可能。工程团队需要根据复合工况重新定义纹波电流、容值和热负荷。　　第三项是六相电流采样。两套三相逆变器需要六路交流电流检测。MLX无磁芯方案单个仍需占用约30 mm板宽，采样结构很可能削弱功率模块带来的尺寸收益。　　第四项是交流铜排。P1和P3端子按照相位交错排列，必须分别连接到两台电机的三相绕组。士兰微认为可以让一套铜排向上、另一套向下，连接本身并非无法解决，但铜排层叠、绝缘距离和装配工艺仍需与整机结构协同设计。　　除此之外，量产项目还要验证两套逆变器之间的热耦合、共母线故障传播、EMC和保护策略。三只双半桥模块共用紧凑底板后，任何一处局部失效都可能影响另一套电机控制，故障隔离的重要性高于两只独立模块方案。　　按照士兰微披露的进度，SDualPAK仍处于Pre-A样件开发阶段，面向2027年以后的项目。现有资料能够说明它的结构逻辑，也能证明ZPAK平台具备低杂感能力，但尚不足以判断整套双电控的量产成本与可靠性。　　总结　　SDualPAK最值得关注的地方，是它改变了双电控功率级的组织方式。六个半桥不再按两台电机分成两个封装，而是按U、V、W三相重新配对。这样的结构为双电控释放了尺寸空间，ZPAK的3D走线则补上电气性能这一环。下一阶段的竞争不会只发生在功率模块内部，而会转移到驱动、电容、采样和保护系统能否跟上这块140×86 mm的功率核心。
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发布时间：2026-07-29 09:19 阅读量：458 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子获颁工信部人形机器人与具身智能标委会三项工作组成员证书
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士兰微电子获颁工信部人形机器人与具身智能标委会三项工作组成员证书

　　7月15日，工业和信息化部人形机器人与具身智能标准化技术委员会(MIIT/TC8)2026年度全体会议暨“标准周”活动在浙江绍兴开幕，士兰微电子作为MIIT/TC8成员单位受邀出席本次会议，并获颁标委会三项工作组成员证书。今年3月，士兰微电子正式成为标委会工作组成员，同步加入WG1总体工作组、WG2肢体与部组件工作组、WG6安全工作组，在标准制定、产品验证、技术突破等多维度全面参与人形机器人与具身智能产业标准体系建设。公司人形机器人产品专家、系统应用专家、功能安全专家、创新应用标准化核心专家出席本次活动。　　三大工作组，深度参与　　在WG1总体工作组，士兰微电子已围绕元器件名称、功能及应用等内容，为行业标准《人形机器人术语》提交建议，助力行业术语统一和规范应用。　　在WG2肢体与部组件工作组，士兰微电子结合自身技术与产品布局，选报参与CC感知模组、CD执行模组、CE通信模组、CG芯片模组和CH能源模组等方向的标准化工作，为人形机器人核心部组件的规范化和产业化贡献专业力量。　　在WG6安全工作组，士兰微电子选派具备功能安全专业背景、长期从事人形机器人MCU相关工作的功能安全专家参与安全标准研讨，持续跟踪整机安全、功能安全及未来芯片级安全要求的发展趋势。　　标准·产品·技术，三位一体　　依托IDM模式与齐全的技术门类，士兰微电子在功率半导体、MCU、MEMS传感器、模拟芯片及驱动器件等核心产品线上均具备深厚的量产能力，产品矩阵覆盖人形机器人从感知识别到执行落地的关键环节。士兰微电子的半导体产品目前也已在多家头部机器人企业的量产产品中批量应用。作为MIIT/TC8三大工作组成员，公司将从人形机器人芯片与元器件视角为标准框架提供专业参考，依托在半导体领域深厚的技术积累与制造优势，将制造实践中的技术边界与安全要求反哺标准研制，牵头领域内的元器件级标准，开发适配标准规范的半导体产品，并为标准规范的制定提供测试资源。　　未来，士兰微电子也将充分发挥标准制定、产线验证方面的经验与资源，以标准引领创新，以安全护航产业，推动标准从“框架先行”走向“技术扎根”，为人形机器人与具身智能产业安全、健康、高质量发展贡献士兰力量。
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发布时间：2026-07-16 13:55 阅读量：519 继续阅读>>
重磅发布|<span style='color:red'>士兰微</span>电子推出国产首款Grade 0 ASIL-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310
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重磅发布|士兰微电子推出国产首款Grade 0 ASIL-D高功能安全等级车规三相预驱芯片 SZ9310

　　Part 01　　产品概述　　士兰微电子正式推出SZ9310三半桥低压电机栅极驱动芯片，系国内首款同时取得德国莱茵TÜV ISO26262 ASIL-D最高功能安全认证与AEC-Q100 Grade 0最高温区车规可靠性认证的车身预驱芯片。凭借全栈自研核心技术，该产品解决国内高功能安全等级车身驱动芯片供给缺口，打通高端车载预驱芯片国产化替代关键环节。　　硬件架构上，SZ9310支持三路半桥拓扑，可驱动6颗外置功率NMOS;芯片集成全覆盖硬件诊断电路与分层故障保护逻辑，满足整车ASIL-D系统安全设计需求，适配电动助力转向EPS、整车制动系统等功能安全关键部件，满足车载极端工况下高可靠、高稳定运行需求。　　士兰微电子为SZ9310配套交付全套标准化FMEDA安全分析文档，能够显著降低客户整车功能安全认证工作量，缩短项目研发与量产导入周期;同时该芯片可优化车载电控整机BOM成本、提升系统安全冗余，加速高等级国产功能安全芯片规模化装车应用。　　立足汽车电子核心领域，士兰微电子坚持自主研发迭代，持续输出高性能、高合规车规级芯片。公司高功能安全产品线布局稳步推进，即将陆续推出多款ISO26262 ASIL-B/D等级器件，包含SZ9310配套PMIC、车载eFuse、车身IMU姿态传感器等多品类芯片，打造完整国产高安全车载芯片解决方案，为国内汽车电子产业链高质量发展提供核心支撑。　　Part 02　　SZ9310产品特点　　AEC-Q100认证，Grade 0： -40°C~150°C　　输入电压范围：5.5V~50V　　NMOS功率桥自举栅极驱动　　具有可调死区时间的交叉开关保护　　栅极驱动电压电流可配置　　集成3路电流采样放大器，放大器增益和失调可配置，失调大小通过管脚输出　　多种可配置诊断功能及诊断验证功能　　Part 03　　SZ9310应用框图　　Part 04　　SZ9310封装图　　Part 05　　应用场景　　SZ9310芯片在EPS中的系统应用　　SZ9310芯片在制动系统中的应用　　Part 06　　功能安全证书(德国莱茵TÜV 认证)
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发布时间：2026-07-09 10:13 阅读量：745 继续阅读>>
国产eFuse登上2026 Intel DCDC大会舞台，<span style='color:red'>士兰微</span>48V 30A大电流智能eFuse来了！
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国产eFuse登上2026 Intel DCDC大会舞台，士兰微48V 30A大电流智能eFuse来了！

　　AI 算力爆发，48V 高压直流配电已成数据中心、AI 服务器、工业电源主流架构，大电流、高可靠、智能化电源保护器件缺口持续扩大。围绕48V 母线高密度配电、高电流热插拔、系统安全冗余、整机能效提升这四大核心需求，48V 大电流 eFuse 是当下算力电源最刚需核心器件之一。　　2026 Intel DCDC大会现场，作为国内 IDM 功率半导体龙头士兰微电子携全新自研48V 30A 大电流集成 eFuse正式亮相，面向 AI 服务器推出国产化高性能智能保护方案，与全球一线电源厂商同台竞技，补齐国产 48V 大功率热插拔保护核心短板。　　士兰微自研48V 30A智能eFuse SDF1783，专为48V AI服务器供电系统优化，其技术亮点如下：　　输入电压支持8~80V(ABS 100V)，30A 连续电流;　　内置100V低导通电阻MOSFET;　　集成高精度IMON 监测;　　通过主动 SOA 保护或软启动控制浪涌电流;　　支持PMBus V1.3协议;　　集成芯片温度传感器;　　可编程保护：欠压(UV)、过压(OV)、过流(OC)、短路(SC)、过温(OT)、热关断(TSD)、FET 健康状态;　　集成黑匣子功能;　　高电流应用支持并联操作;　　QFN43 (7x7mm) 封装，符合intel封装定义;　　兼容 IPC2221B 和 IPC9592B 高压间距。　　48V 30A智能eFuse SDF1783作为当前AI服务器48V供电系统的核心组件，该产品专为过流及其他电源故障防护而设计，确保从供电网络到核心设备的电力传输既可靠又高效，其核心价值在于：　　高集成度，一颗芯片搞定保护链路——集成控制器、功率管、栅极驱动器及电流传感器等多个关键模块，显著减少外部元件数量，助力工程师在有限PCB空间内实现更紧凑的布局。　　大电流承载能力，30A满足AI服务器严苛需求——AI服务器板卡功耗持续攀升，对电源路径保护的电流能力要求越来越高。30A的承载能力，直击AI服务器高功率密度的核心痛点。　　全方位保护，确保系统高可靠性——提供可编程的过流、短路、过压、欠压、过热等多重保护机制，确保MOSFET在每个瞬态时刻都工作在SOA安全区内，保障AI服务器不间断运行。　　支持热插拔——允许系统在运行时安全连接或断开设备与DC总线，极大提高了AI服务器的可维护性。
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发布时间：2026-07-06 11:05 阅读量：761 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子亮相第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会
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士兰微电子亮相第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会

　　峰会速递　　6月12日，2026第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会(华南站)在深圳举行。大会以“核心智变·能效跃迁”为主题，聚焦数字电源领域前沿技术发展趋势，围绕光储充、800V超充与第三代半导体、AI服务器电源等热点方向展开深入交流。　　作为大会同期举办的重要论坛之一，第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会汇聚了来自新能源、电力电子及半导体产业链的专家学者和企业代表，共同探讨光储充领域关键元器件技术创新与产业发展路径。　　会上，士兰微电子负责光储技术市场的黄经理作题为《士兰新型功率器件为储能带来的机遇和挑战》的技术报告，围绕光储产业发展趋势及新型功率器件应用需求，分享了士兰在IGBT和SiC MOS等功率半导体领域的技术积累与应用实践。　　针对光储系统对高效率、高可靠性和高功率密度的需求，报告重点分享了士兰IGBT芯片技术的发展成果。通过持续推进工艺升级和产品迭代，士兰新一代IGBT产品在降低损耗、提升功率密度和提高工作结温等方面取得积极进展，可有效减少系统并联器件数量，帮助客户实现更优的系统设计和成本控制。在光储应用案例中，结合优化控制策略，系统损耗和器件结温均得到明显改善，为光储设备长期稳定运行提供了有力支撑。　　在第三代半导体领域，报告介绍了士兰SiC MOS芯片的技术演进路线及应用成果。相比传统硅基器件，SiC MOS具有成本低、开关损耗低、工作频率高、功率密度高等优势，能够进一步提升光储系统转换效率和系统集成度。依托士兰微电子自主研发的1200V系列SiC MOS产品及配套解决方案，士兰已形成覆盖户用光储、工商业光储、电站储能等应用场景的SiC MOS产品布局，为客户提供更加高效可靠的功率器件选择。　　经过多年持续投入，士兰微电子已形成覆盖芯片设计、制造、封装测试等环节的IDM经营模式，拥有完善的研发体系和制造平台，在功率器件领域建立了较为完整的产品矩阵和产业基础。当前，随着新能源装机规模持续增长和储能市场快速发展，功率半导体正迎来新的发展机遇。未来，士兰微电子将持续加大在IGBT、SiC MOS等核心功率器件领域的研发投入，不断提升产品性能和技术水平，积极推动新型功率器件在光储充等新能源应用场景中的创新应用，为行业高质量发展贡献力量。
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发布时间：2026-06-16 10:33 阅读量：715 继续阅读>>

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