
峰会速递
6月12日,2026第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会(华南站)在深圳举行。大会以“核心智变·能效跃迁”为主题,聚焦数字电源领域前沿技术发展趋势,围绕光储充、800V超充与第三代半导体、AI服务器电源等热点方向展开深入交流。

作为大会同期举办的重要论坛之一,第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会汇聚了来自新能源、电力电子及半导体产业链的专家学者和企业代表,共同探讨光储充领域关键元器件技术创新与产业发展路径。
会上,士兰微电子负责光储技术市场的黄经理作题为《士兰新型功率器件为储能带来的机遇和挑战》的技术报告,围绕光储产业发展趋势及新型功率器件应用需求,分享了士兰在IGBT和SiC MOS等功率半导体领域的技术积累与应用实践。
针对光储系统对高效率、高可靠性和高功率密度的需求,报告重点分享了士兰IGBT芯片技术的发展成果。通过持续推进工艺升级和产品迭代,士兰新一代IGBT产品在降低损耗、提升功率密度和提高工作结温等方面取得积极进展,可有效减少系统并联器件数量,帮助客户实现更优的系统设计和成本控制。在光储应用案例中,结合优化控制策略,系统损耗和器件结温均得到明显改善,为光储设备长期稳定运行提供了有力支撑。
在第三代半导体领域,报告介绍了士兰SiC MOS芯片的技术演进路线及应用成果。相比传统硅基器件,SiC MOS具有成本低、开关损耗低、工作频率高、功率密度高等优势,能够进一步提升光储系统转换效率和系统集成度。依托士兰微电子自主研发的1200V系列SiC MOS产品及配套解决方案,士兰已形成覆盖户用光储、工商业光储、电站储能等应用场景的SiC MOS产品布局,为客户提供更加高效可靠的功率器件选择。

经过多年持续投入,士兰微电子已形成覆盖芯片设计、制造、封装测试等环节的IDM经营模式,拥有完善的研发体系和制造平台,在功率器件领域建立了较为完整的产品矩阵和产业基础。当前,随着新能源装机规模持续增长和储能市场快速发展,功率半导体正迎来新的发展机遇。未来,士兰微电子将持续加大在IGBT、SiC MOS等核心功率器件领域的研发投入,不断提升产品性能和技术水平,积极推动新型功率器件在光储充等新能源应用场景中的创新应用,为行业高质量发展贡献力量。

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