<span style='color:red'>扬杰科技</span>荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！
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扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！

　　扬杰科技先于12月4日获颁“中国SiC器件IDM十强企业”，彰显其在碳化硅全产业链的垂直整合实力;随后在12月6日，又凭借过硬的产品与技术，一举夺得“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”与“功率器件-IGBT行业-卓越奖”。　　中国SiC器件IDM十强企业奖项　　12月4日，2025年行家说三代半年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼在深圳举行，本次大会由行家说主办，聚焦SiC创新应用，SiC&GaN终端应用，技术、市场及未来走势，通过技术演讲、数据报告、高端对话、行业评选和产品展示，进一步探讨SiC 和 GaN 全球市场规模及未来发展空间和挑战。　　会上，行家说为扬州扬杰电子科技股份有限公司颁发“中国SiC器件IDM十强企业奖项”。　　SiC MOSFET　　光伏储能、OBC领域“优质之选”　　扬杰科技近日推出了杰冠微自产SiC MOSFET产品。卓越的电性性能，高效率，高可靠性与鲁棒性;工艺稳定，品质把控严格;摆脱外部限制，供货稳定，交期可控;更提供全方位的技术支持，为客户投资保驾护航!　　产品特点：　　1.耐高温特性，工作温度(175°C)，出色的散热性能，有着优异的温升表现，提高了产品的可靠性;　　2.自研工艺，栅氧层质量高，寿命长，阈值电压稳定;　　2.击穿电压和耐压能力高，通流能力优秀;　　3.动态性能良好，SiC MOSFET 在开关过程中具有较小的开关损耗和快速恢复时间。　　国产功率器件行业-车规级-卓越奖　　功率器件-IGBT行业-卓越奖　　紧随其后，在12月6日举行的亚洲电源技术发展论坛暨颁奖典礼上，扬杰科技再次凭借在功率半导体领域的出色表现，荣获世纪电源网评选的《国产功率器件行业-车规级-卓越奖》与《功率器件-IGBT行业-卓越奖》。　　这两项荣誉进一步印证了公司在车规级功率器件及IGBT产品领域的技术领先性与市场认可度，体现了其在多元化功率半导体产品布局上的协同发展与综合竞争力。　　车规IGBT单管：TO-247-3L　　给空调压缩机控制器装上“短路防护盾”　　新一代TO-247-3L封装1200V车规级IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，具有较强的短路能力，产品参数一致性好，可靠性优良，适用于压缩机控制器等各类中低频应用领域。　　产品特点：　　1. 精细微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案;　　2. 电压等级为1200V，电流等级为40A@Tc=100℃ ;　　3. 低导通损耗，适用于中低频应用领域;　　4. 具有极强的短路能力(器件在20V的高驱动电压条件下依旧保证10us以上的短路能力)　　展望未来　　未来，扬杰科技将继续依托IDM模式优势，加速SiC、IGBT等新产品研发与产业化进程，协同上下游伙伴共建健康生态，以更高效、更可靠的功率半导体解决方案，赋能能源变革与产业升级，持续为我国半导体产业的高质量发展注入强劲动能。
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发布时间：2025-12-15 14:13 阅读量：207 继续阅读>>

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