扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！-Ameya360 electronic components purchasing network

扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！

Release time：2025-12-15

author：AMEYA360

source：扬杰科技

reading：204

扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！

　　扬杰科技先于12月4日获颁“中国SiC器件IDM十强企业”，彰显其在碳化硅全产业链的垂直整合实力;随后在12月6日，又凭借过硬的产品与技术，一举夺得“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”与“功率器件-IGBT行业-卓越奖”。

　　中国SiC器件IDM十强企业奖项

　　12月4日，2025年行家说三代半年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼在深圳举行，本次大会由行家说主办，聚焦SiC创新应用，SiC&GaN终端应用，技术、市场及未来走势，通过技术演讲、数据报告、高端对话、行业评选和产品展示，进一步探讨SiC 和 GaN 全球市场规模及未来发展空间和挑战。

　　会上，行家说为扬州扬杰电子科技股份有限公司颁发“中国SiC器件IDM十强企业奖项”。

　　SiC MOSFET

　　光伏储能、OBC领域“优质之选”

　　扬杰科技近日推出了杰冠微自产SiC MOSFET产品。卓越的电性性能，高效率，高可靠性与鲁棒性;工艺稳定，品质把控严格;摆脱外部限制，供货稳定，交期可控;更提供全方位的技术支持，为客户投资保驾护航!

扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！

　　产品特点：

　　1.耐高温特性，工作温度(175°C)，出色的散热性能，有着优异的温升表现，提高了产品的可靠性;

　　2.自研工艺，栅氧层质量高，寿命长，阈值电压稳定;

　　2.击穿电压和耐压能力高，通流能力优秀;

　　3.动态性能良好，SiC MOSFET 在开关过程中具有较小的开关损耗和快速恢复时间。

　　国产功率器件行业-车规级-卓越奖

　　功率器件-IGBT行业-卓越奖

　　紧随其后，在12月6日举行的亚洲电源技术发展论坛暨颁奖典礼上，扬杰科技再次凭借在功率半导体领域的出色表现，荣获世纪电源网评选的《国产功率器件行业-车规级-卓越奖》与《功率器件-IGBT行业-卓越奖》。

　　这两项荣誉进一步印证了公司在车规级功率器件及IGBT产品领域的技术领先性与市场认可度，体现了其在多元化功率半导体产品布局上的协同发展与综合竞争力。

　　车规IGBT单管：TO-247-3L

　　给空调压缩机控制器装上“短路防护盾”

　　新一代TO-247-3L封装1200V车规级IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，具有较强的短路能力，产品参数一致性好，可靠性优良，适用于压缩机控制器等各类中低频应用领域。

扬杰科技荣膺SiC IDM十强及车规级、IGBT双项卓越奖！

　　产品特点：

　　1. 精细微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案;

　　2. 电压等级为1200V，电流等级为40A@Tc=100℃ ;

　　3. 低导通损耗，适用于中低频应用领域;

　　4. 具有极强的短路能力(器件在20V的高驱动电压条件下依旧保证10us以上的短路能力)

　　展望未来

　　未来，扬杰科技将继续依托IDM模式优势，加速SiC、IGBT等新产品研发与产业化进程，协同上下游伙伴共建健康生态，以更高效、更可靠的功率半导体解决方案，赋能能源变革与产业升级，持续为我国半导体产业的高质量发展注入强劲动能。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

行业新闻

扬杰科技先进封装项目（一期）隆重开工

　　2025年10月28日上午8时56分，扬杰科技先进封装项目(一期)开工仪式在五号厂区举行。扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震，管委会副主任潘健年，扬杰科技董事长梁勤等领导及参建单位、企业员工代表出席，共同见证这一重要时刻。　　此次开工的先进封装项目，是扬杰科技深耕半导体领域、践行“想赢、敢赢、能赢”企业信念的关键实践。项目占地23亩，计划新建一栋三层混凝土框架结构生产厂房，建筑面积近3.7万平方米，核心是引进建设国际先进水平的封装生产线。这一布局既顺应半导体产业“轻、薄、短、小”技术趋势，也标志着扬杰科技在突破关键技术瓶颈、完善“芯片设计-制造-封装”IDM全产业链布局中迈出关键一步。　　仪式致辞环节，扬建集团党委委员、副总经理张斌代表施工单位发言，承诺将秉持“百年工程创品牌价值”理念，发挥技术与经验优势，协同项目团队严控质量与安全，保障项目顺利竣工、打造精品工程。　　随后，扬杰科技副总裁沈颖发表致辞，她强调，扬杰科技历经“贸易-制造-研发”三次转型的25年发展历程，始终坚守“客户第一、创新卓越”的核心价值观。项目投产后，不仅能显著提升我国先进封装自主生产能力，满足下游消费电子、汽车电子等产业的迫切需求，更将为半导体产业链协同发展与自主可控注入强劲动能。扬杰科技承诺将以“工匠精神”打造绿色制造示范厂房，以“创新基因”建成国际领先的生产线，以“开放姿态”联动产业生态，严格按规划推进项目，确保早竣工、早投产、早见效。　　仪式上，扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震发表重要讲话。他强调，维扬经济开发区党工委高度重视半导体产业链打造，以最大努力提供最优环境。作为园区龙头企业，该项目是扬杰科技在半导体产业布局的又一战略性举措，也是园区产业升级的又一里程碑。他表示，开发区将持续为项目建设提供全方位的服务与支持，始终秉持“好地方事好办”服务理念，以一家人、一条心、一起拼的信念努力为企业创造更好更优的外部环境。随后，仇震宣布“扬杰科技先进封装项目(一期)正式开工”。　　在浓厚氛围中，仇震、潘健年、梁勤、沈颖等主席台领导嘉宾移步奠基区，手持铁锹培土奠基，项目正式启动建设。　　扬州建苑监理等参建单位，扬杰科技标准器件事业部总经理崔群、供应链制造中心总经理唐杉及维开区办公室、招商、投资服务等部门主要负责同志出席了开工仪式。　　此次扬杰科技先进封装项目(一期)的开工，为扬州半导体产业发展注入了新的活力。随着项目的建成投产，扬杰科技将进一步巩固在半导体领域的优势地位，同时也将带动上下游产业协同发展，为国产半导体产业突破技术壁垒、实现高质量发展贡献重要力量。我们期待，明年此刻，这里能机器轰鸣、产销两旺，以优异成绩为扬州半导体产业发展再添新动能。

2025-10-29 10:22 reading：528

model	brand	Quote
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

model

brand

Quote

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

onsemi

ROHM Semiconductor

model	brand	To snap up
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor

model

brand

To snap up

STMicroelectronics

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Infineon Technologies

TPS63050YFFR