喜报！士兰微荣膺“2025中国MEMS十强企业”，硬核实力再获行业权威认可

发布时间：2026-10-26 09:40
作者：AMEYA360
来源：士兰微
阅读量：145

喜报！士兰微荣膺“2025中国MEMS十强企业”，硬核实力再获行业权威认可

　　10月21日，第七届中国MEMS制造大会暨微纳制造与传感器展览会在苏州盛大召开。在这场汇聚国内外MEMS领域顶尖企业与专家的行业盛会上，备受瞩目的“2025中国MEMS十强企业”榜单正式揭晓。杭州士兰微电子股份有限公司凭借在MEMS传感器领域的深厚技术积累、卓越的市场表现以及持续的产品创新，再次成功斩获“2025中国MEMS十强企业”殊荣。值得一提的是，士兰微已连续多年入选此榜单。 这一长期稳健的表现，不仅是对士兰微在MEMS领域深耕细作的充分肯定，更是对其在国产MEMS产业中领军地位的权威认可。

喜报！士兰微荣膺“2025中国MEMS十强企业”，硬核实力再获行业权威认可

　　中国MEMS制造大会是当前中国MEMS行业最具影响力的会议，该大会由中国半导体行业协会MEMS分会、联合中科院纳米所、苏州纳米城等主办。

　　士兰微电子MEMS业务发展布局作为国内领先的IDM半导体企业，士兰微电子始终坚持在自有产线开发核心芯片工艺平台，这为其MEMS传感器的高质量、高可靠性量产提供了稳定可控的国产供应链保障。目前，士兰微已构建起涵盖消费级、工业级、车规级的完善MEMS传感器产品矩阵：

　　在手机与智能穿戴领域，其加速度计和六轴IMU单元广泛应用于智能手机的转屏、体感游戏及OIS光学防抖，并在智能穿戴设备中实现骨传导等功能，其加速度传感器在国内市场占有率稳定保持在20%-30%左右;

　　在汽车电子领域，车规级碰撞传感器、IMU单元等产品已满足汽车安全和自动驾驶的严苛需求;

　　面向未来，在人形机器人这一新兴赛道上，士兰微提供覆盖关节驱动、运动感知等环节的全栈式半导体解决方案，其IMU传感器如同机器人的“神经末梢”，助力具身智能产业加速规模化落地。

　　面对万物互联与智能化时代的广阔机遇，士兰微将继续坚持IDM模式，以国际顶尖水平为标尺，持续加大研发投入，瞄准高门槛市场攻坚复杂技术。未来，士兰微将不断推出高集成度、高可靠性的MEMS创新产品，为客户破解设计、制造与量产难题，与产业链上下游共创美好“芯”未来!

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　　“安全可靠”是汽车永恒的主题。士兰微推出车规级PMIC产品SZ4981，实现最高功能安全等级ASIL-D、最高可靠性温度等级AEC-Q100 Grade0，助力新能源汽车芯片国产化发展战略。　　近日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团向士兰微车规级多通道电源管理芯片SZ4981颁发ISO 26262 ASIL-D产品认证证书。　　01　　产品概述　　不论汽车工业技术如何飞速成长迭代，安全可靠永远是汽车零部件设计的核心诉求。PMIC + MCU组成的最小系统，承担了实现汽车零部件高功能安全等级、高可靠性的重要任务。然而，高端国产化车规级电源管理(PMIC)芯片仍然长期存在供给缺口，亟需技术实现与量产认证的双重突破。基于此，士兰微电子正式推出车规级多通道PMIC芯片：SZ4981。它将多项指标做到了业内领先水准：　　最高功能安全等级：ISO 26262 ASIL D　　最高温度等级的车规认证：AEC-Q100 Grade0 (TA=-40℃~150℃)　　宽输入电压范围：3V~40V　　Typ.≤50μA极低的休眠静态电流　　目前，SZ4981已广泛应用于汽车各类功能安全需求场景，在电动助力转向(EPS)、主驱逆变器、变速箱控制单元(TCU)、电池管理系统(BMS)、区域控制器(ZCU)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等领域中实现应用落地。已在数十家客户项目中实现量产或系统验证。　　02　　主要参数　　AEC-Q100认证，Grade0：TA=-40°C~150°C　　功能安全符合ISO 26262-2018标准ASIL-D等级　　输入电压范围：3V~40V　　可承受3V冷启动(Cold crank)及42V抛负载脉冲(Load Dump)　　1路Pre_boost及1路Pre_buck　　支持展频功能提升EMI特性　　4路LDO，2路Tracker输出　　两个故障安全信号SS1/2　　多种看门狗：问答式、窗口式　　超长待机时间　　Standby / Sleep多种低功耗模式　　QFN48-7x7封装，可湿性侧翼设计　　03　　应用场景　　电动助力转向系统(EPS)　　主驱逆变器　　电池管理系统(BMS)　　区域控制器(ZCU)　　变速箱控制单元(TCU)　　高级驾驶辅助系统(ADAS)　　04　　典型应用框图　　05　　产品亮点　　ASIL-D功能安全设计　　SZ4981内置独立故障安全状态机，集成 ABIST 模拟自测试、时钟校验与带 CRC/ECC 校验的 SPI 安全通道，可有效检出隐性故障。芯片搭载双看门狗方案，搭配独立 Bandgap 基准的电压监测单元，实现过压、欠压、过热、过流等多类故障分级保护。芯片支持 MCU 错误实时监测，可输出中断、复位信号，同时提供两路具备物理电气独立性、延时可配置的安全状态输出。故障发生时能够快速触发预定义安全状态，构建完整的故障检测 - 上报 - 安全响应闭环，满足 ASIL-D 最高等级功能安全要求。　　休眠模式下的低功耗设计　　SZ4981在休眠模式(Standby)下可实现极低的静态电流，常温下静态电流可控制在typ. 50μA级别。可满足休眠模式低功耗应用场景需求。　　可配置展频功能，提高EMI特性　　SZ4981的开关电源具备可配置的展频功能，通过开关频率的扩展和抖动，提升产品EMI特性。展频的范围可通过SPI配置调整，方便客户根据应用情况自行选择。
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　　协议IC + 全集成Buck-Boost + BMS IC一站式解决方案　　今年4月份，GB 47372-2026《移动电源安全技术规范》正式发布，将于次年4月1日起执行。作为我国的首部移动电源专用强制性国家标准，被业界视为移动电源行业新一轮洗牌的分水岭。　　士兰微电子依托在功率半导体和模拟芯片领域的深厚积累，正式发布基于SD3924 + SD59D23 + SD3992的两串55W新国标移动电源一站式解决方案，构建覆盖协议IC、全集成Buck-Boost转换器、BMS IC的完整移动电源产品矩阵。支持 TFT屏显、USB有线通信、 NFC近场交互等多种实时信息呈现方式，以高集成、高效率、低EMI、开发周期短等显著优势，助力用户打造新一代移动电源旗舰产品。　　方案总览　　士兰新国标方案采用主从架构，以高集成的芯片组合替代传统方案中分散的多颗器件，实现协议协商、功率转换到电池管理的全链路覆盖：　　SD3924作为协议主控，集成4路负载开关控制(3C1A)，全面兼容主流快充协议;负责协议协商，管理充放电功率IC，并直接驱动TFT彩屏，将电池组电压、单节电芯电压、温度、电量等参数在本地实时显示，无需任何外部设备即可掌握电池状态，提供直观的用户视觉体验。　　SD59D23是国内首款55W全集成Buck-Boost转换器，一颗芯片即可实现高效充放电双向功率转换，极大减少了外围器件;采用峰值电流模式控制，确保宽负载范围内的高效率;同时集成三角波扩频调制功能，具备优秀的EMI性能。　　SD3992集成智能监测模块，实现对电池电压、电流、温度等电池状态参数的实时监测，支持1mA超低电流检测;搭载专有电量计量技术，提供高精度库仑计量，误差<1%;同时具备完善的多级异常状态保护能力，通过I2C与协议IC协同工作。　　方案支持PD3.2 AVS、PPS、QC4.0+、FCP、SCP、AFC、BC1.2、UFCS等快充协议，30W~55W灵活功率配置，支持边充边放。整机峰值效率>96.8%，待机功耗在70μA以内。除支持TFT、VDM信息交互方式外，也同样兼容USB、NFC等多种方式满足新国标对数据交互的要求。　　多种新国标数据交互方案，按需选配　　新国标对信息交互提出了强制性要求，士兰提供多种适配方案，覆盖从入门到高端的不同产品定位：　　· TFT屏显方案　　通过SD3924的丰富IO资源直驱TFT屏，实现本地可视化显示，提供出直观的用户交互体验　　· USB方案　　通过3924内置UART/IIC与外置USB芯片进行数据传输，经C口实现数据上报，即插即用，具备广泛兼用性　　· NFC方案　　通过NFC IC与板载线圈实现近场数据读取，适合无屏产品设计，用户将手机置于移动电源上即可查看电池状态　　· VDM方案　　通过PD协议VDM消息实现数据交互，无需额外IC即可将电池信息上传至主机设备，降低系统复杂度，适合定向适配特定手机品牌　　方案优势　　士兰方案以SD3924 + SD59D23 + SD3992三颗芯片即实现全链路覆盖。相较于传统两串移动电源方案“ MCU(含屏驱)+ 协议/桥驱SOC + Ex.MOS + 电量计”架构，所存在的BOM成本高、PCB面积大、多芯片调试复杂、开发周期长等问题;士兰的极致方案“协议(含屏驱)+ DCDC(In.MOS) + 电量计/AFE”，在集成度、效率、EMI、调试周期、BOM成本等方面形成显著优势。　　同时针对新国标各项核心要求的功能设计，在电池状态监测、异常数据存储、充电电压随使用年限动态下调、异常禁用等关键能力上完美契合要求，大幅缩短开发周期并降低认证风险。　　55W@400kHz，EMI裕量>-10dB　　芯片介绍　　01　　SD3924——协议主控IC　　· 移动电源协议主控IC，1~5串电池3C1A应用，支持边充边放　　· 支持PD3.2 AVS、PPS、QC4.0+、FCP、SCP、AFC、UFCS等快充协议　　· 具备I2C、UART、SPI等多种通信接口，灵活对接上位机或手机APP　　· 支持TFT屏显直驱，兼容USB传输、NFC读取等多种新国标数据交互方案　　· 内置高精度设备接入/移除检测和库仑计，支持15mA高精度小电流检测　　· 支持STOP低功耗模式，整机待机功耗<70uA　　· QFN52-6×6　　02　　SD59D23——全集成双向Buck-Boost转换器　　· 国内首款55W全集成双向Buck-Boost转换器，外围极简　　· 具备I2C通信接口，支持12位DAC高精度可编程控制　　· 最大支持1.6MHz，超低EMI设计，整机峰值效率>96.8%@400kHz　　· 支持低功耗模式，待机电流<5uA　　· LQFN20-3.5×4　　03　　SD3992——两串BMS IC　　· 2串锂离子或锂聚合物电池组集成式管理芯片·　　· 2.2V~26V宽工作电压，高边保护N沟道FET驱动器，支持故障条件下I2C通信　　· 双独立ADC模拟前端，同步电流和电压高精度采样，支持1mA超低电流检测　　· 支持一级和二级保护，涵盖单体电芯过压/欠压保护、充放电过流/短路/过载保护、充放电过温/欠温保护、快充/预充超时保护的完善保护体系　　· DFN12-2.5×4　　士兰微电子以SD3924 + SD59D23 + SD3992三芯片方案实现了协议控制、功率转换与电池管理的全链路覆盖，在集成度、功耗、EMI、成本等维度均具备显著优势，并提供TFT/USB/NFC/VDM等多种数据交互方案灵活适配不同产品定位。士兰将持续深耕电源管理领域，助力客户高效完成新国标合规升级，共同推动移动电源行业向更安全、更智能的方向发展。
2026-09-11 09:55 阅读量：447
喜报 | 2026年度“硬核中国芯”大奖，士兰微电子登上领奖台！
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喜报 | 2026年度“硬核中国芯”大奖，士兰微电子登上领奖台！

　　2026年度“硬核中国芯”大奖　　9月10日，第八届“硬核中国芯”评选颁奖盛典在深圳隆重举行。士兰微电子凭借PIM模块SSM2R1PB12EZ1BTFM在众多参评企业中脱颖而出，荣获“2026年度硬核功率器件奖”。　　本届“硬核芯”评选由半导体与电子信息全产业链新媒体平台芯师爷主办，自2019年创办以来已成功举办七届，是国内兼具创新力与行业影响力的芯片评选活动。本届评选共设4大类28项大奖，采用“电子工程师+专家评审”双审评分制——100余位权威专家评审(权重40%)与超50万名电子工程师在线投票(权重60%)共同打分，累计吸引超630家国产芯片企业同台竞技，权威性与市场认可度兼备。　　作为国内领先的IDM半导体企业，士兰微电子在功率半导体领域深耕，已建成覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试的完整产业链。PIM模块SSM2R1PB12EZ1BTFM采用士兰自研GEN IV平面栅SiC芯片，具备优异的杂感和均流设计，在98mm*70mm的体积下可以覆盖250kW功率需求，与同类产品的竞争中具备显著优势，广泛应用于新能源汽车等场景。SSM2R1PB12EZ1BTFM此番从630余家参评企业中突围，靠的正是这种IDM“设计—制造—封测”全链条协同打磨出的产品硬实力。　　近年来，士兰微电子持续加大功率器件领域投入：12英寸特色工艺产线加速爬坡，SiC(碳化硅)功率模块在新能源汽车主驱领域实现批量装车，车规级IPM、IGBT产品线持续扩充。此次获奖，既是对士兰微电子技术实力与产品硬核程度的认可，也是行业与市场对“中国芯”替代之路的信心投票。　　荣誉是里程碑，更是新起点。士兰微电子将持续聚焦功率半导体、模拟电路、智能传感等核心赛道，以IDM全产业链优势推动国产芯片向高端化、自主化迈进。　　关于“硬核芯”评选　　“硬核芯”评选由芯师爷携旗下芯师爷、今日芯闻、国产芯片选型指南三大媒体联合发起，累计汇聚超630家半导体原厂、860余款标杆产品，50万+专业电子工程师在线投票。2026年第八届活动升级为“展·论·评·宣”四位一体模式，与IICIE展会深度融合，实现CIOE、ICIE、Elexcon三展联动，预计触达24万+专业观众。
2026-09-11 09:51 阅读量：457
士兰微丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代
行业新闻

士兰微丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代

　　8月28日，为期三天的PCIM Asia Shenzhen 2026进入收官日。本届展会聚焦电动交通、AI数据中心、新能源三大高价值应用场景。作为展会的重要组成部分，同期举办的多场主题论坛覆盖碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体前沿技术，深入探讨电动汽车、碳化硅、电机驱动与运动控制等热门议题，各主题论坛现场座无虚席。　　在国际研讨会“电机驱动与电动化交通专场”上，士兰微PIM产品线杨博士代表公司出席并以《汽车电驱SiC功率模块的低杂感、高功率密度及均流优化设计》为主题做出精彩演讲。　　随着新能源汽车产业加速向高压、高功率密度方向演进，电驱系统对功率模块的体积、效率与可靠性提出了更高要求，传统功率模块在杂散电感、均流特性与封装密度等方面的瓶颈日益突出。　　本次演讲杨博士从电驱系统的严苛需求出发，针对上述行业共性难题，并系统分享了士兰微电子ZPAK高性能碳化硅功率模块，为汽车牵引逆变器提供有竞争力解决方案。　　据介绍，ZPAK碳化硅模块采用士兰与致瞻科技联合开发的ZPAK封装外形，基于士兰自主研发的第四代(G4)SiC-MOSFET芯片，采用士兰独创的3D互联封装方案。芯片可用面积占AMB面积的比例约为70%，而传统HPD模块仅为40%。该模块在900V电压平台夏最大输出电流可达420-450Arms，体积比目前广泛采用的HPDmini模块缩小约60%。　　均流控制方面　　ZPAK-SiC模块采用了一项士兰自主知识产权的创新技术——CBI(电流平衡互连Current-Balancing Interconnection)。确保4颗并联芯片间的动态电流不平衡率极低，仅为5.7%，显著提升了模块的可靠性与一致性。　　杂散电感优化方面　　ZPAK-SiC模块层叠式直流端子设计使系统级杂散电感低至12nH，从而减少40%的开关损耗，为新能源汽车电驱系统提供了更高效、更可靠的功率支撑。　　与市场主流模块相比，ZPAK模块在多项关键指标上实现全面超越：　　功率密度提升54%;　　杂散电感降低43%;　　动态均流改善70%;　　开关损耗降低46%;　　同时具备宽范围的功率可扩展性，可灵活适配不同功率等级的电驱应用需求。　　这一系列数据充分印证了ZPAK模块在新能源汽车电驱领域的领先优势。　　整场演讲干货十足，杨博士深入浅出的技术解读赢得了现场阵阵掌声。演讲结束后，多位参会嘉宾围绕ZPAK模块的车规级可靠性验证、芯片封装、客户导入进展及碳化硅模块规模化量产等话题与专家展开进一步交流，现场气氛热烈。　　未来，士兰微电子将继续深耕碳化硅等第三代半导体前沿领域，持续推动车规级功率模块的技术迭代与产业化落地，携手产业链伙伴共建高效、可靠的新能源汽车电驱生态，为国产功率半导体高质量发展贡献力量。
2026-09-04 13:21 阅读量：511
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