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芯旺微底盘<span style='color:red'>芯片</span>荣获2025汽车工业巅峰奖最佳技术产品奖

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芯旺微底盘芯片荣获2025汽车工业巅峰奖最佳技术产品奖

　　夯实品质安全基座，助推产业向上发展。12月19日，2025(第三届)中国汽车工业质量大会在上海开幕，深入探讨新形势下汽车工业的质量发展路径，现场颁发了“汽车工业巅峰奖”、“供应商质量百强榜”及“中国汽车推荐度研究(NPS)产品综合口碑奖”等，以表彰在产品质量、技术创新与用户体验等方面表现卓越的企业及车型。芯旺微电子底盘专用芯片SMC6008AF依托技术、质量和市场端的强劲实力，安全、质量及可靠性广受市场认可，荣获2025汽车工业巅峰奖最佳技术产品奖。　　以质立身领跑车规芯片赛道　　芯旺微电子作为综合性的车规芯片供应商，始终将芯片质量视为企业的立身之本与竞争根基，长期致力于推动国产车规芯片在质量标准与可靠性上对标国际一线厂商，以技术突破与品质坚守，为汽车领域车规芯片的全面国产化进程注入强劲动力。为打造具备国际竞争力的芯片产品，芯旺微电子构筑起一条软硬协同的质量护城河。围绕企业核心质量方针、全维度质量体系认证成果、专业化质量团队架构与长期质量战略目标，建立了覆盖芯片全生命周期的管理方法，落地研发阶段全流程质量管控措施，以及完善的车规芯片测试体系。同时，为筑牢质量防线，芯旺微电子还重磅打造硬核基础设施—— 通过CNAS 认证的专业实验中心和投建面积达 5500 平方米的现代化 FT 测试工厂。　　从管理体系到硬件设施的全方位能力，共同构建起支撑高品质、高可靠、高安全车规芯片研发与生产的赋能体系，为公司持续输出满足汽车行业严苛标准的芯片产品，提供了坚实稳固的保障。　　安全为本筑牢车规芯片安全防线　　为保障芯片产品的安全可靠性，芯旺微电子已搭建起一套完备的功能安全体系。不仅顺利通过ASIL-D 级功能安全流程认证与ASIL-B 级功能安全产品认证，更持续攻坚技术高地，全力推进符合 ASIL-D 级要求的功能安全产品研发，向着更高安全等级稳步迈进。目前，芯旺微电子已从功能安全概述、安全文化建设、产品安全开发流程、安全审核机制等多个维度，完成了功能安全领域的管理实践落地与战略布局规划。　　参与行标制定深化产业发展　　作为全国汽车标准化技术委员会汽车功能安全标准化促进中心汽车芯片研究组成员，芯旺微电子积极参与汽车芯片功能安全相关标准的研究工作，旨在为行业的功能安全开发、测试评价、审核评估以及标准落地应用提供专业建议与指导。同时作为中国汽车芯片产业创新战略联盟和中国汽车工程学会的成员单位，参与《节能与新能源汽车技术路线图3.0》的编撰工作，与行业专家共探中国汽车芯片的技术图谱和未来发展趋势。不仅如此，作为中国工业协会成员单位，还共同参与了AUTOSEMO白皮书-《车载芯片技术》篇章的编撰。　　芯旺微电子始终以“质量立身、安全筑基、标准引领”为发展主轴，在车规芯片这条高门槛、长周期的赛道上稳步前行。从产品研发到体系认证，从硬件投入到标准共建，公司逐步构建起覆盖技术、质量、安全与生态的完整能力矩阵。未来，芯旺微电子将继续深耕车规芯片领域，以更可靠的产品、更完善的体系、更开放的生态，推动国产芯片在汽车工业中实现从“可用”到“引领”的跨越，为中国汽车产业的智能化、安全化升级持续注入核芯动力。

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芯旺微

发布时间：2025-12-23 14:38 阅读量：194 继续阅读>>

3通道线性LED驱动器 | 力芯微推出车规级3通道线性LED驱动<span style='color:red'>芯片</span>

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3通道线性LED驱动器 | 力芯微推出车规级3通道线性LED驱动芯片

　　产品概述　　随着汽车照明设计的日益复杂化，市场对车灯驱动芯片的稳定性、调光灵活性以及故障诊断能力提出了极高的要求。　　力芯微推出的ETQ62630，是一款专为汽车LED照明应用打造的高性能 3通道线性恒流驱动器。它支持 5V至40V 的宽输入电压范围，每个通道可提供最高 150mA 的恒流输出。通过并联输出模式，单芯片更可实现高达 450mA 的驱动电流，有效满足高亮度照明需求。　　ETQ62630 具备卓越的调光性能，支持模拟调光及每个通道独立的 PWM 调光，可灵活应用于日行灯、位置灯、雾灯、尾灯及车内照明等场景。针对汽车应用的高可靠性要求，该芯片集成了强大的故障诊断功能，能够检测开路、短路(包括单颗LED短路)及过热故障。　　此外，其特有的故障反馈引脚支持多达 15 个器件并联至同一总线，实现级联故障保护。ETQ62630 符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，在 -40°C 至 +125°C 的宽温环境下均能稳定运行，为汽车照明系统提供了高可靠性的解决方案。　　产品特性　　宽输入电压范围：5V 至 40V，适应汽车电气环境　　3通道LED驱动：支持模拟调光和独立的PWM调光功能　　可调节恒定输出电流：　　- 单通道最大电流：150mA　　- 并联模式最大电流：450mA　　- 高精度：当 Iout > 30mA 时，通道间精度 ±1.5%，器件间精度 ±2.5%　　低压差设计：　　- 60mA时，每通道最大压差仅400mV　　- 150mA时，每通道最大压差仅0.9V　　全面的故障诊断与保护：　　- 开路和短路检测功能　　- 具备每通道LED串电压反馈，可检测单颗LED短路故障　　- 独立的故障引脚用于报告单颗LED短路　　级联保护功能：故障引脚支持连接多达15个器件，共享开路、短路及热关断信号　　智能热管理：具备可编程的热电流折返功能，防止LED闪烁及过热　　车规级可靠性：符合 AEC-Q100 Grade 1 标准，工作环境温度范围 -40°C 至 +125°C　　管脚定义　　典型应用　　功能框图

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发布时间：2025-12-23 11:06 阅读量：199 继续阅读>>

芯旺微电子荣获<span style='color:red'>芯片</span>联盟2025年度突出贡献单位奖

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芯旺微电子荣获芯片联盟2025年度突出贡献单位奖

　　为凝聚产业链上下游力量，共建我国汽车芯片产业创新生态,12月17日-19日，中国汽车芯片产业创新战略联盟全体成员大会在上海召开，同期举办2025年度突出贡献单位颁奖，芯旺微电子凭借技术、市场和生态方面的优势，荣获中国汽车芯片产业创新战略联盟2025年度突出贡献单位。　　| 技术引领：不止于MCU，实现底盘驱动芯片的全新突破　　作为综合性的车规半导体供应商，芯旺微电子已完成控制类、驱动类和通信类的多元化布局。重磅推出的底盘专用芯片SMC6008AF，不仅成功突破国外芯片的技术垄断与供应限制，更凭借累计近300万公里全程保持“零ABS故障”的卓越运行表现，赢得市场高度认可。这一里程碑式的突破，既标志着芯旺微电子完成从技术攻坚到规模化稳健发展的关键跨越，更宣告国产汽车底盘专用芯片实现了从 “0 到 1” 的强势突围，为中国汽车半导体产业自主化进程注入强劲动能。　　| 市场标杆：KungFu系列车规级MCU累计出货量突破2亿颗　　截止目前，KungFu 内核的控制芯片累计出货量已突破10亿颗，其中车规级MCU累计出货量超2亿颗，并在底盘转向、刹车等高安全性系统中实现超1000万颗规模化应用，全面辐射底盘、动力、车身、座舱和智驾五大域，展现出卓越的产品性能与市场竞争力，独立KungFu内核生态迎来出货量与产品线的双重高速增长期。　　| 生态构筑：全方位保障车规芯片供应链安全　　为筑牢车规芯片供应链安全防线，芯旺微电子致力于打造全国产化的KungFu生态圈，不仅自研KungFu 内核，更打通从 IC 设计、晶圆加工制造、封装到测试的全链条国产化闭环，构建了完全属于自己的汽车芯片终测线，实现三温CP测试、三温FT测试，同时通过自主设计芯片、自建 Wafer 产线、FT 测试工厂及 CNAS 认可可靠性验证实验室，实现了从设计到测试的全流程闭环。　　与此同时，芯旺微电子还自研了MCU开发仿真软件，具备完全自主可控的软件开发编译、调试仿真系统的全套能力，用户可在自主工具链上进行全栈芯片开发，进一步提升了芯片开发的自主性和安全性。此外，芯旺微电子还积极协同产业链合作伙伴开展战略合作，共同推动中国汽车芯片制造能力和水平的提升，保障了真正意义上的供应链安全。　　自加入芯片联盟以来，芯旺微电子积极响应联盟组织开展的各项活动和项目，旨在共同推动国产汽车芯片技术的创新发展及在汽车领域的应用。在2025年度重点参与了中国芯展区、WICV拼多多创新车模项目、节能与新能源汽车技术路线图参编等，通过联盟的优秀平台将芯旺微电子基于自研KungFu内核的车规芯片产品做集中专业的展示，发挥各方优势，为提升汽车产业链、供应链安全，增强国内汽车供应链自主可控能力赋能。

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发布时间：2025-12-22 14:16 阅读量：207 继续阅读>>

富瀚微发布FH8852V301: 智能高清网络摄像机SoC<span style='color:red'>芯片</span>

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富瀚微发布FH8852V301: 智能高清网络摄像机SoC芯片

　　富瀚微FH8852V301是一颗具备专业安防图像品质智能网络摄像机处理器Soc芯片。集成0.5TOPS算力的轻智能神经网络处理引擎，满足摄像机人车检测，宠物检测等大多数AI智能要求;集成高性能的ISP图像处理模块和视频编码器，具备优异的图像处理能力和编码能力。　　产品型号：FH8852V301　　分辨率：4M25fps　　视频编解码：H.265编码　　AI算力：0.5T　　视频输出：网络　　DDR：内置64MB

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富瀚微

发布时间：2025-12-19 13:45 阅读量：270 继续阅读>>

16×8恒流LED矩阵驱动<span style='color:red'>芯片</span>| 力芯微推出ET61626

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16×8恒流LED矩阵驱动芯片| 力芯微推出ET61626

　　产品概述　　在智能设备普及的今天，LED点阵屏成为信息交互的重要窗口，它不仅能够清晰展示设备状态、时间、温度等信息，还能通过动态效果增强用户体验，选择一颗高效、稳定的驱动芯片，是确保显示效果清晰、运行可靠的关键。力芯微推出了一款专为LED矩阵显示设计的高性能恒流驱动芯片ET61626，单芯片最大支持16×8 LED点阵，最多128颗LED。　　ET61626显示效果细腻，每颗LED支持256阶PWM调光，可实现平滑的亮度过渡与丰富的灰度表现，整体电流支持64档调节，适应不同亮度环境与功耗要求，内置消隐功能，有效避免鬼影，提升视觉清晰度。稳定可靠，内置双重过温保护(125℃降流/150℃关断)，保障芯片长时间稳定工作，支持死区时间可调，避免扫描冲突，提升显示稳定性，具备掉电复位功能，系统异常时可快速恢复。灵活节能，支持宽电压供电与低功耗睡眠模式，适配各类电池供电与便携设备，封装采用SOP28(18mm×7.5mm)、EQSOP28(9.8mm×3.8mm)和QFN28(4mm×4mm)可适应不同空间需求。　　产品特性　　电源电压范围 2.7~5.5V　　最大应用点阵16×8，最大驱动128个LED　　16路恒流驱动，输出电流最大30mA　　整体电流支持64档调节　　每点支持256级辉度调节　　I2C通讯接口　　内置时钟模块　　内置上电复位模块　　内置睡眠模式　　内置消隐功能　　封装：SOP28(18mm×7.5mm)、EQSOP28(9.8mm×3.8mm)和QFN28(4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用

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发布时间：2025-12-19 10:37 阅读量：271 继续阅读>>

电源<span style='color:red'>芯片</span>或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

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电源芯片或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

　　在电子设备中，电源芯片和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，起着调节电压、电流和功率管理的重要作用。然而，当电源芯片或MOSFET出现严重发烫时，可能会引起设备故障、降低性能甚至造成损坏。本文将探讨电源芯片或MOSFET严重发烫的可能原因，并提供解决方法。　　1. 原因分析　　1.1 高负载工作　　原因：过大的电流负载可能导致电源芯片或MOSFET处于超负荷工作状态，加剧其内部损耗，进而引起发热问题。　　解决方法：优化设计，确保合理匹配负载和芯片功率，减少负载电流，避免超负荷运行。　　1.2 过电压或过电流　　原因：过电压或过电流情况下，电源芯片或MOSFET容易受到损害，产生异常发热。　　解决方法：添加保护电路，如过电压保护、过电流保护等，及时切断电路以保护元件免受损伤。　　1.3 散热不良　　原因：不良的散热设计或散热器失效可能导致电源芯片或MOSFET无法有效散热，从而产生过热现象。　　解决方法：改进散热设计，增加散热面积、使用更高效的散热器或风扇，确保元件能够有效散热。　　1.4 环境温度过高　　原因：工作环境温度过高会影响元件的散热效果，使电源芯片或MOSFET更容易发热。　　解决方法：优化设备安装位置、通风条件，降低工作环境温度，提高散热效率。　　1.5 质量问题或老化　　原因：电源芯片或MOSFET本身质量问题或长期使用导致老化也可能引起发热异常。　　解决方法：定期检查维护电路元件，避免使用劣质元件，及时更换老化严重的电源芯片或MOSFET。　　2. 解决方案　　2.1 合理设计　　根据实际需求选择符合要求的电源芯片或MOSFET。　　合理布局电路板，减少热量堆积区域，优化电路连接方式。　　2.2 添加保护电路　　安装过电压保护、过电流保护等保护电路，预防突发情况给电源芯片或MOSFET带来损害。　　2.3 改善散热　　使用高导热材料，如铜制散热片或热管，提高散热效率。　　添加风扇或风道，增加空气流通量，帮助散热。　　2.4 优化工作环境　　控制工作环境温度，避免高温环境下长时间运行。　　确保设备安装位置通风良好，不受阻碍。　　2.5 定期检查和维护　　定期检查电源芯片或MOSFET是否正常工作，有无明显损伤或老化迹象。　　及时更换质量问题或老化严重的元件，确保设备正常运行。　　电源芯片或MOSFET严重发烫可能会对设备稳定性和寿命造成影响，通过合理设计、添加保护电路、改善散热、优化工作环境以及定期检查维护，可以有效预防和解决电源芯片或MOSFET发热问题，确保设备运行稳定可靠。

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电源芯片

发布时间：2025-12-18 15:31 阅读量：261 继续阅读>>

士兰微12英寸<span style='color:red'>芯片</span>生产线项目迎来最新进展

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士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。

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士兰微

发布时间：2025-12-18 14:44 阅读量：300 继续阅读>>

保险丝熔断或<span style='color:red'>芯片</span>烧毁，通常是什么原因导致的？如何检查

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保险丝熔断或芯片烧毁，通常是什么原因导致的？如何检查

　　在电子设备中，保险丝熔断或芯片烧毁是常见的故障现象，可能会导致设备无法正常工作甚至损坏其他部件。本文将探讨保险丝熔断或芯片烧毁的原因以及如何通过检查来准确定位问题，为电子设备维修提供指导。　　1. 保险丝熔断或芯片烧毁的原因　　1.1 保险丝熔断　　过载电流：当电路中的电流超出保险丝额定电流容量时，保险丝将熔断以保护电路和设备。　　短路故障：电路中的短路故障会导致大电流瞬间流过保险丝，引发保险丝熔断。　　1.2 芯片烧毁　　过热：长时间工作或环境温度过高可能导致芯片内部温度升高，进而造成芯片烧毁。　　电压突变：电路中的电压波动或过高电压可能会对芯片产生不利影响，引发芯片烧毁。　　2. 如何检查保险丝熔断或芯片烧毁问题?　　2.1 视觉检查　　保险丝：检查保险丝是否断裂或熔化，确认是否熔断。　　芯片：观察芯片表面是否有明显烧焦、黑化等迹象，判断是否烧毁。　　2.2 测试仪器使用　　万用表：使用万用表测量保险丝的电阻值，若显示无限阻抗则表示熔断，需要更换。　　红外热成像仪：通过红外热成像仪检测芯片周围温度异常，判断是否存在过热情况。　　2.3 电路分析　　追踪电路：通过电路图追踪信号路径，检查可能引起故障的元器件或连接处。　　排除故障源：逐步排除可能导致保险丝熔断或芯片烧毁的故障源，例如短路、过载等问题。　　2.4 温度监测　　温度计：在设备运行期间使用温度计监测芯片周围温度，避免过热情况发生。　　保险丝熔断或芯片烧毁是电子设备常见的故障现象，通常由于过载、短路、过热或电压波动等因素引起。通过视觉检查、测试仪器使用、电路分析和温度监测等手段，可以快速准确地定位问题所在，进行有效维修和调试。维修人员应注意安全操作，根据具体故障情况采取相应处理措施，保证设备正常运行，并提高设备的稳定性和可靠性。

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保险丝

发布时间：2025-12-18 14:24 阅读量：251 继续阅读>>

江苏润石科技：16位八通道、250kSPS AD转换<span style='color:red'>芯片</span>RS1438

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江苏润石科技：16位八通道、250kSPS AD转换芯片RS1438

　　RS1438是一款16位的八通道AD转换芯片，采用PulSAR架构设计，单端输入或者伪差分输入(对GND)，最高支持250kSPS的转换速率。　　RS1438为非同步采样，内部采用高速选择开关选通输入通道，并内置有2.5V/4.096V低温漂基准源，工作电压支持2.3V至5.5V，提供兼容SPI、Mircowire、QSPI和DSP的串行通信接口，在工业现场数据采集、各种仪器仪表测量设备\分析设备上有着广泛的应用。　　RS1438是在AD7689的参数基础上，基于现有工艺条件、尽可能实现相当的参数指标，并对部分参数做了优化，以使其能满足更多的应用场景。　　其主要参数特性如下：　　Ø 16位/无丢码　　Ø 8通道输入，可配置为单端、差分(对GND)、伪双极输入　　Ø 转换速率最高250kSPS　　Ø INL：±1.5LSB(Typ) / ±3LSB(Max)　　Ø DNL：±0.4LSB(Typ)　　Ø 动态范围91.5dB　　Ø 模拟信号输入范围0V~VREF　　Ø 支持多种基准源　　内置2.5V、4.096V基准源　　外接缓冲(REFIN)电压最高可以到4.096V　　外接基准源电压最高可以到VDD　　Ø 集成温度传感器　　Ø 通道序列器，可选单端滤波，繁忙指示　　Ø 无流水延迟，SAR架构　　Ø 单电源2.3V~5.5V工作电压，逻辑接口支持1.8V~5.5V　　Ø 兼容SPI、MICROWIRE、QSPI和DSP的串行接口　　Ø 低功耗：　　3.5mW at 2.5V/200kSPS　　14.6mW at 5V/250kSPS　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　随着RS1438系列ADC的推出，润石科技SAR架构的ADC已量产6颗，涵盖了12bit、14bit和16bit，进一步丰富了ADC产品线，从而为用户提供更为全面方便的选择。RS1438封装和管脚定义　　RS1438提供QFN4X4-20封装，管脚定义和软件时序完全兼容AD7689，欢迎各界工程师朋友索样品鉴评测。

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润石

发布时间：2025-12-18 11:42 阅读量：295 继续阅读>>

纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样<span style='color:red'>芯片</span>

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纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样芯片

　　纳芯微今日宣布正式推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。作为纳芯微经典产品NSI1311系列的全面升级，NSI1611系列基于其领先的电容隔离技术，在性能与适配性上实现双重突破。　　其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时，能够保持1Gohm的高阻输入，可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;同时部分料号亦兼容传统0~2V输入，为客户提供更灵活的器件选择。　　NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中，差分输出均为固定增益，单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项，进一步满足不同系统架构与设计需求。　　在新能源汽车与工业自动化领域，对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求，隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点，能够同时支持新项目设计与存量平台升级，为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机(OBC)等汽车应用，以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。　　创新宽压+高阻输入　　精度抗扰双重提升　　以新能源汽车主驱系统为例，随着其母线电压进一步提升至800V，以及SiC/GaN器件的应用，控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。　　市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V，而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时，将其拓展至0~4V，突破前代及行业同类产品的输入范围限制，带来精度和抗干扰的双重升级，在适配更高母线电压的同时，降低了设计复杂度和开发周期。　　抗干扰能力增强：NSI1611采用宽压输入时，参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化，其芯片EOS能力大幅提升，且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试，CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中，宽压输入能够保证采样信号更纯净，大大提升了系统运行的稳定性，降低终端应用的失效风险。　　采样精度再升级：0~4V的宽压输入范围可扩大分压比，结合优化的信号调理设计，在保持高阻输入的同时显著降低输入误差，让测量数据更接近真实电压值，为系统的精准控制提供可靠数据;在采样误差测试中，相比前代产品NSI1311系列，NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势，在满量程800V母线电压系统中，当输入电压100V时，NSI1611的采样误差相比NSI1311降低超30%，误差低于1.2%。　　NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线　　单端/差分输出灵活选择　　简化设计更高效　　凭借深刻的系统级理解，NSI1611系列基于前代产品的应用痛点，全新加入单端输出版本，并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择，适配多元化的系统配置需求，可帮助客户简化选型和设计：　　简化设计、降低BOM成本：NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC接口，彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路，不仅直接降低了BOM成本，还简化了PCB布局与器件选型复杂度，为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。　　增益自适应适配多元需求：比例增益版本(NSI1611S33/NSI1611S50)可通过REFIN引脚进行配置，使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围，最大化利用ADC的动态范围，提升了整体信号链的有效位数与采样精度，进一步满足多元化的高精度测量需求。　　同时，NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02，与纳芯微NSI1311完全引脚兼容，客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换，显著降低迁移成本。　　多项参数优化　　性能全面升级　　随着系统功率密度的提升，对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化，在全面升级器件可靠性和性能的同时，亦优化了器件成本，为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。　　车规级可靠性保障：NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求，工作温度覆盖-40℃~125℃，隔离耐压高达5700Vrms，最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV，适配汽车高温高压严苛环境，可在极端场景下确保隔离的可靠性。　　精度参数全面进阶：NSI1611系列的输入偏置电压Vos(Offset Voltage)指标优化至±0.8mV，相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV，精度表现实现巨大提升;此外，增益温漂(Gain Drift)从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃，全温区精度稳定性进一步提升;非线性误差、温漂(Offset Drift)维持在行业优异水平，有效加快了系统开发的标定流程;同时，NSI1611系列的采样带宽达到330kHz，适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制，满足高动态响应需求。　　功耗优化更节能：相比前代产品，NSI1611系列功耗表现进一步优化，助力终端产品降低能耗。对比前代，NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA，Idd2由6.3mA降低至4.7mA(均为典型值Typ.)，NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%，可助力客户打造更节能的汽车电子系统，提高新能源汽车的续航里程。　　EMI表现更优异：NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术，大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中，NSI1611的辐射发射(RE)指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度(3dB～6dB裕度即可满足工程需求)，可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境，可以减小对系统其他部件的电磁干扰，有效减少系统电磁兼容整改工作量，加快产品上市进度。　　封装和选型　　NSI1611系列选型表　　丰富的“隔离+”产品　　满足多元化应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。

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纳芯微

发布时间：2025-12-17 16:06 阅读量：364 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

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