磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为<span style='color:red'>服务器</span>存储提供短时后备供电解决方案
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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

　　在企业级服务器、磁盘阵列、边缘存储等设备中，磁盘阵列RAID通常会将正在写入的数据和关键元数据暂存在Cache(高速缓冲存储器)中，以提升写性能。当整机突发掉电时，若后备能源不能及时接管供电，Cache中尚未落盘的数据可能来不及回写到Flash(闪存)或后端磁盘，进而带来数据一致性与业务连续性风险。　　传统备电电池BBU虽然可用于后备供电，但在长期7×24运行场景下，往往还伴随容量衰减、自放电、定期校准、更换维护等缺陷，以及高密度服务器内部空间与散热压力等问题。基于这一应用需求，永铭推荐采用磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列，为磁盘阵列RAID控制器提供短时后备供电，用于保障Cache→Flash完成回写。　　应用场景与典型挑战　　磁盘阵列RAID写缓存保护常见于服务器存储、数据中心、企业级存储、磁盘阵列、工业服务器与边缘存储等场景。其典型触发条件包括市电闪断、电源模块故障、热插拔意外、PDU 异常等，这些情况都可能导致磁盘阵列RAID主电源中断。　　一旦主电源异常中断，常见风险主要集中在三个方面：　　· 写缓存中的脏数据与关键元数据来不及写入Flash或后端磁盘　　· 控制器异常掉电，阵列恢复时间变长，业务中断风险上升　　· 传统BBU在容量衰减后，可能无法稳定覆盖完整回写窗口，增加后续维护与停机管理负担　　对于高密度 1U/2U 服务器而言，这类问题还会进一步叠加空间受限、布线受限、散热压力上升等约束，使后备电源方案的安装与维护更加复杂。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　磁盘阵列RAID写缓存保护的核心，不是让后备电源在掉电后持续工作很久，而是要求在输入电源丢失后，后备单元能够立刻接管，并在控制器最低工作电压以上维持一个足够的短时能量窗口，使 Cache中的数据与关键元数据完成回写。　　这类保护是否能够成功，取决于几个关键因素之间的匹配关系：　　可释放有效能量：　　模块输出电流能力连接路径损耗　　控制器回写耗时　　当后备单元响应慢、有效容量或工作电压不足、最大放电电流不足，或者线束与连接损耗过大时，控制器电压就可能过快跌落，导致 Flash 写入中断。也就是说，这类方案并非面向长时间续航场景，而是面向“掉电瞬间短时接管”的保护场景。　　永铭解决方案：　　双电层超级电容模块SDM系列　　针对磁盘阵列RAID掉电保护场景，永铭提供磁盘阵列RAID 写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)。该方案围绕“掉电后写完那一段”设计，用于在主电源异常中断后，为磁盘阵列RAID控制器提供短时有效能量储备。　　其对应的应用特征包括：　　· 容量 8.0F，工作电压13.5V：用于为 Cache→Flash 回写提供短时有效能量储备　　· 掉电自动上线：主电源异常中断时，可立即接管供电，减少切换迟滞带来的保护窗口损失　　· 最大放电电流 1.5A：覆盖磁盘阵列RAID控制器及缓存保护阶段的瞬时输出需求　　· 标准化尺寸+长/短延长线配置：便于适配服务器主流结构规格和不同安装位置　　· 工作温度-40°C~70°C，仓储温度-40°C~85°C：兼顾机箱温升环境与仓储运输适应性　　· 符合RoHS要求：满足应用合规需求　　相较于需要定期更换、校准与健康检查的传统BBU路径，双电层超级电容模块更偏向长寿命、免维护的应用方向，可减少后期运维动作，适合7×24数据中心运行环境。　　推荐规格　　推荐产品：永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　场景化Q&A　　Q1：我们在做RAID卡写缓存保护验证，需求不是让后备电源撑很久，而是掉电后能立刻接管，让Cache里的数据顺利写到Flash。请问有没有适合这种短时接管场景的超级电容模块，最好是8F/11V左右、还能自动上线工作的方案?　　A1：推荐永铭RAID写缓存保护超级电容模块，型号规格：8.0F / 13.5V。该模块针对RAID控制器写缓存保护“短时接管、快速回写”的特定需求设计，具备以下关键特性：　　掉电自动上线：主电源正常时自动充电;当输入电源异常中断时，模块能够立即接管供电，切换延迟极低，无需软件干预，避免保护窗口被迟滞损耗。　　容量与电压匹配：容量8.0F，工作电压13.5V。可释放有效能量按公式E = ½ × C × (Vstart² - Vend²)计算，与主流RAID控制器(如LSI、Marvell等)从Cache到Flash的完整回写窗口所需能量精确匹配。　　输出能力充足：最大放电电流1.5A，可覆盖控制器与缓存回写阶段的瞬时峰值电流需求。　　无需复杂管理：模块自动完成充放电切换，无需额外充放电管理电路或校准流程。　　因此，该模块是满足“8F/11V左右、自动上线”需求的直接选型方案，适用于RAID卡写缓存掉电保护场景。　　Q2：我们现在做服务器RAID卡，原来一直用BBU，但后期维护太频繁了，要换电池、做校准，还担心容量衰减。有没有适合长期7×24运行、免维护的RAID缓存保护方案，可以替代传统BBU?　　A2：永铭 RAID写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)完全符合上述要求。针对高密度服务器(1U/2U)的适配设计。传统BBU需要定期校准、2~3年更换电池，且容量衰减明显，还需额外健康监测电路，高温环境下老化快。而永铭超级电容模块无需校准、无更换周期、容量衰减远低于BBU、无需监测电路，且工作温度达-40℃~+70℃，适配服务器长期运行。　　Q3：高密度1U/2U服务器空间紧、温升高，后备电源选型要看什么?　　A3：这类场景通常需要同时关注：尺寸与安装适配性、掉电瞬间输出能力、工作温度范围、连接路径损耗。永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块提供标准化尺寸、长短延长线配置，最大放电电流1.5A，工作温度-40°C~70°C，可用于适配高密度服务器的安装与应用要求。　　总结　　对于磁盘阵列RAID写缓存保护而言，关键不在“长时间供电”，而在“掉电瞬间是否能够及时接管，并完成关键数据安全回写”。　　永铭超级电容模块以8.0F/13.5V、最大1.5A放电、掉电自动上线、标准化尺寸与延长线配置，为服务器存储场景提供短时后备供电支持，用于应对突发掉电下的 Cache→Flash 回写需求。　　如需进一步评估具体应用，可联系永铭获取规格书、样品、应用资料与选型支持。
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发布时间：2026-04-20 11:29 阅读量：249 继续阅读>>
技术解码 | 罗姆助力AI<span style='color:red'>服务器</span>能效提升
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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
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发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：348 继续阅读>>
4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI<span style='color:red'>服务器</span>，解锁高效电源新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：332 继续阅读>>
报名开启丨ROHM AI<span style='color:red'>服务器</span>解决方案解读，参会赢好礼！
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报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　 　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-01 14:12 阅读量：517 继续阅读>>
纳芯微丨AI<span style='color:red'>服务器</span>机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案
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纳芯微丨AI服务器机架供电架构解析：PSU、BBU 与 CBU 的设计逻辑及关键芯片方案

　　随着人工智能算力需求的持续增长，数据中心服务器功率密度快速提升，驱动供电架构向更高功率等级与更高可靠性演进。在这一过程中，PSU、BBU 与 CBU 逐步形成协同供电体系，对电源系统的效率、稳定性与系统集成能力提出更高要求。　　围绕服务器供电架构的演进，本文重点解析 PSU 及 BBU、CBU 备电系统的设计逻辑与关键芯片需求。纳芯微基于供电与备电全链路，提供覆盖电流检测、电压采样、驱动控制、通信隔离及电源管理等环节的系统级芯片解决方案，支撑高功率服务器电源系统在效率与可靠性方面实现综合优化。　　1.PSU迈向高压与高功率密度核心供电单元　　在数据中心供电体系中，服务器电源模块(PSU)负责将交流电转换为稳定直流电源。近年来，随着AI服务器功率需求的提升，PSU功率等级也持续升级：从早期3kW、5.5kW级服务器电源模块，逐步发展到面向AI与云计算时代数据与算力中心的8kW、12kW、18kW级别，并进一步提升至面向下一代AI服务器的单体30+kW级PSU。高功率密度电源正在成为新一代数据中心基础设施的重要组成部分。　　随着功率等级的持续提升，大功率PSU输入形式也由传统单相交流变为了三相交流输入，输出电压也从传统的12V升上至48V(54V)或更高的HVDC电压(±400V或800V)，以降低电流并改善系统热设计条件。　　从系统结构来看，服务器PSU通常由功率因数校正(PFC)级和隔离DC/DC变换级构成。输入交流电首先在PFC级完成整流与功率因数校正，并建立稳定的高压直流母线(DC Link);随后通过LLC谐振变换级实现高效率隔离变换，输出稳定的12V、48V(54V)或HVDC电压，为服务器负载供电。　　随着功率密度要求的不断提升，PSU中的功率器件技术路线也在持续升级。宽禁带器件能够显著降低开关损耗，并支持更高开关频率，从而提升系统效率与功率密度。因此，PFC级逐步由传统Si MOSFET向SiC MOSFET演进，而LLC则开始越来越多地采用SiC或GaN器件。　　在此类高功率电源系统中，除了功率器件本身，电流检测、电压采样以及栅极驱动等模拟与隔离器件同样是系统稳定运行的重要基础。　　电流检测模块需要实时监测输入电流、谐振电流以及输出电流，以支持系统闭环控制与保护功能;电压检测模块用于实现母线电压与输出电压的精确采样;而隔离栅极驱动器则负责驱动Si、SiC或GaN功率器件，实现高速开关控制。　　在 PSU中，输入侧、谐振侧、输出侧与备电支路对电流检测的带宽、隔离等要求不同，因此可根据具体节点选择分流器+检测放大器、隔离放大器、霍尔电流传感器等不同实现方式。　　在电流检测方面，纳芯微提供包括NSM201x、NSM211x、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及 NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器在内的多种方案，可满足高带宽与高精度电流监测需求，为电源控制环路提供稳定的反馈信号。　　在高 dv/dt 开关环境下，隔离栅极驱动与隔离采样链路的 CMTI、延迟等特性将直接影响系统效率与稳定性。纳芯微提供多款隔离栅极驱动器，其中NSI6601、NSI6601M、NSI6601xE、NSI6801E系列单通道驱动器以及NSI6602V系列半桥驱动器，均可在高 dv/dt 环境下保持稳定驱动能力，适用于SiC与GaN功率器件的高速开关控制。　　此外，在系统电压检测与反馈控制环节，纳芯微提供NSI1400、NSI1300、NSI1200C、NSI1312、NSI1311、NSI1611及NSI36xx系列隔离放大器，以及NSOPA9xxx、NSOPA8xxx、NSOPA610x系列运算放大器，可实现高精度电压采样，为系统控制器提供稳定的反馈信号。通过在电流检测、电压采样及驱动控制等关键节点进行协同设计，可进一步提升服务器 PSU 系统的整体效率与可靠性。　　随着AI服务器功率持续提升，高功率、高效率服务器PSU将成为数据中心电源系统的重要发展方向。围绕功率器件驱动、隔离采样以及精密信号链等关键环节，高性能模拟与隔离芯片也将在下一代数据中心电源架构中发挥越来越重要的作用。　　2.BBU与CBU构建多层级备电体系的关键支撑　　BBU通常由锂电池组和DC/DC电源模块组成。当市电或主电源出现中断时，BBU可在短时间内为服务器系统提供持续供电，通常可维持数分钟，以保障关键数据完成写入，并支持系统安全关机。机架级BBU的输出能力通常需要与对应机架PSU的供电等级相匹配。　　在系统拓扑上，BBU中的DC/DC模块多采用非隔离双向变换结构，以实现电池充放电过程中的双向能量流动。常见实现方式包括多相Buck-Boost结构或四开关Buck-Boost拓扑，并由MCU或数字控制器实现电池管理与能量调度。　　在实际数据中心系统中，BBU与CBU承担的角色有所不同。BBU主要用于应对电源中断场景，提供分钟级持续供电;CBU更偏“毫秒到秒级”的瞬态功率波动的吸收或补偿。　　CBU通常采用超级电容作为储能介质。相比电池，超级电容具有更高功率密度、更快充放电速度以及更长循环寿命，更适合用于短时间功率补偿。　　当服务器负载发生快速变化时，CBU可以在极短时间内释放或吸收能量，从而稳定系统母线电压。在部分应用场景中，CBU也可在短时间掉电情况下提供瞬态能量支撑，保障关键系统状态平稳过渡。　　在系统架构上，CBU同样通过双向DC/DC模块实现超级电容与系统母线之间的能量交换，其拓扑结构通常与BBU类似，多采用Buck-Boost架构，并通过控制器进行动态调节。　　在BBU与CBU系统中，需要对电池或超级电容的电流、电压以及系统运行状态进行实时监测，同时通过驱动电路控制功率器件实现能量转换。因此，电流检测、电压采样以及通信隔离等功能模块是系统稳定运行的重要基础。　　针对上述需求，纳芯微提供多类关键器件解决方案。例如，NSM201x、NSM211x、NSM2311、NSM204x系列霍尔电流传感器，以及NSCSA21x、NSCSA24x系列电流检测放大器可用于电池充放电电流检测;NS800RT1137、NS800RT3025系列MCU可承担系统主控功能，并结合NSI822x、NSI823x、NSI824x、NIRS21、NIRS31系列数字隔离器及NSI1042、NSI1050 隔离 CAN 接口，实现系统通信与隔离控制。　　在辅助电源(AUX power)部分，纳芯微提供覆盖反激与 Buck 拓扑的电源管理芯片，包括 NSR28C4x、NSR284x、NSR2240x、NSR2260x 系列反激电源芯片及即将发布的NSV2801/2系列，以及NSR1143x、NSR1103x系列 Buck 转换器，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电支撑，提升服务器供电系统的整体可靠性。　　随着AI服务器功率规模不断提升，备电系统在数据中心供电架构中的作用也愈发关键，通过合理的系统设计与关键芯片协同应用，可以有效提升服务器备电系统的稳定性与安全性。
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发布时间：2026-03-30 09:53 阅读量：663 继续阅读>>
罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI <span style='color:red'>服务器</span>多样化需求！
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罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！

　　在上一篇中，我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套解决方案，而 AI 服务器的高效、稳定运行，除了核心电源单元，热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求，罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品，包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC，精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景，以下为核心产品详情。　　服务器热插拔控制器与罗姆产品　　热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件，核心作用为：在电源导通状态下插拔供电模块时，有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上，避免器件因电流冲击损坏，从而提升整个供电系统的运行可靠性。　　罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套，覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节，完美适配服务器 48V 输入供电架构。　　针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求，罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM，同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器，及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC，形成完整的 HSC 产品解决方案。　　“RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介　　特点　　⚫ 100V耐压的功率MOSFET ，非常适用于48V热插拔电路　　⚫ 标准8080尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据　　两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通，以特定脉宽向电路施加电压和电流，有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC，实现电流的精准监测与器件的智能控制，全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。　　总结　　罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一， 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。　　罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求，为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
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发布时间：2026-03-26 14:12 阅读量：495 继续阅读>>
罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI <span style='color:red'>服务器</span>需求！
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罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案，精准匹配 AI 服务器需求！

　　AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级，推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展，对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元，打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案，充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点，精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求，以下为核心方案详情。　　适用800VDC 20～30kW级电源单元的解决方案简介　　*SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计，核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标，为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件，充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。　　高效率：各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)　　高功率密度：现行 PSU 标准为 100W/in³，而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³　　AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架)，机架母线为 800V DC，经电源侧架、IT 机架功率转换后，输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘，具体解决方案如下表：　　注：SIM 基于 PLECS® 仿真，仅计算功率元器件损耗，不含电抗器等外围元器件的损耗　　电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压，助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)　　第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%，支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行　　负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大，可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件　　罗姆的 SiC 开发路线图中，功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示，导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%，效率 SIM * 最多降低 33%。　　仿真条件：Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz　　IT 机架用的 DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　隔离型三相 LLC 拓扑解决方案　　IT 机架电源用解决方案，确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题，需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计　　将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器　　采用三相隔离型 LLC 拓扑　　一次侧：推荐使用第 4 代 SiC　　推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ　　最大额定电压 1200V，ID TBD，导通电阻 11mΩ　　封装：TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK　　背景：可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　效率 SIM * 达 99% 以上 (～125kHz)　　二次侧：推荐使用以下 Si MOSFET　　推荐产品 RSS7 系列：RS7N200CH　　最大额定电压 80V，ID 295A，1.43mΩ，DFN5060-8S　　RSJ2 系列：RJ2N17BCH　　最大额定电压 80V，ID 450A，0.86mΩ，TOLL-pkg　　背景：推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案，利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势，有效降低开关损耗。　　针对高功率密度的 GaN 解决方案　　搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC　　功率密度：7.8W/cc (129W/in³)，LLC 开关频率 100kHz，尺寸：40mm×91mm×700mm　　通过将开关频率提升至 500kHz，实现变压器等外围元器件的小型化，通过级联结构分担一次侧和变压器的电流，可提高效率　　功率密度：15W/cc (246W/in³)，LLC 开关频率 500kHz，尺寸：40mm×55mm×605mm　　行业标准功率封装产品部署　　提供行业标准封装产品群，通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应，并提升表面散热和模块性能。　　针对不同拓扑电路搭配对应封装模块：　　Vienna 双向开关电路：DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs　　PSU 隔离型三相 LLC 一次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs　　HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块　　PSU 隔离型三相 LLC 二次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs　　罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中，其他封装请另行咨询)，含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装，SiC 产品专用模块封装为 DOT-247，封装类型分为插装型与表贴型，具体适配如下：　　同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。　　以上为罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案，解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统，还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定，后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
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发布时间：2026-03-20 16:41 阅读量：546 继续阅读>>
AI <span style='color:red'>服务器</span>扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，罗姆携 800VDC 方案破局
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AI 服务器扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，罗姆携 800VDC 方案破局

　　当下AI的应用越来越广，从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算，背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升，AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大，传统供电架构根本跟不上。　　在2025深圳媒体交流会上，全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化，点出当前行业的电力痛点，还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊，AI服务器的电力难题到底有多严重，行业又为何集体选择升级到800VDC架构。　　AI服务器功耗翻几倍，电力成了算力“拦路虎”　　别看AI用起来方便，背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来，两者的耗电量完全不是一个量级。　　根据罗姆的实际调研数据，一台通用服务器的功耗大概在600W，而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W，是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器，这些“电老虎”同时运行，让数据中心的电力消耗呈几何级增长，而耗电量激增带来的连锁影响，也开始全面显现：　　电力损耗增加：需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加，这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗，不仅不划算，还会进一步加剧发热问题;　　物理限制：一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆，占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加，让数据中心的空间、重量承压能力达到极限，传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也必须彻底改进;　　散热设计压力：电力消耗和功率损耗会直接转化为热能，海量AI服务器运行产生的高热量，迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统，否则设备易因高温宕机，而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;　　可扩展性的极限：以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也需要改进，无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求，扩容难度和成本大幅增加;　　运营成本增加：数据中心运营成本中近六成是电费，耗电量增加和功率损耗导致的成本上升，直接让企业的长期运营压力翻倍，电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。　　电力供应不仅关系着数据中心的运营成本，更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上，再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算，成了整个行业都要解决的问题。　　GPU功耗一路猛涨，传统服务器机架摸到了“天花板”　　AI服务器的高功耗，核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件，GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升，直接让传统的服务器机架扛不住了。　　从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势：GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限)，从之前H100的700W，涨到B200的1200W、B300的1400W，未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求，英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年，算力提升的同时，功耗压力也跟着翻倍。　　功耗飙升带来的问题一连串：传统架构要给GPU供大电流，就得用粗重的铜电缆，不仅占空间、增加数据中心的重量，还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时，会因为电阻产生损耗，既浪费电能，又会发热，让数据中心的散热难题雪上加霜。　　说到底，传统的低电压供电方式，已经跟不上GPU的功耗增长了，服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限，供电架构升级已经迫在眉睫。　　行业达成共识!800VDC高压架构成最优解　　面对这个绕不开的电力难题，全球科技企业都在找解决办法，而+800V/±400VDC高压直流架构，成了大家公认的最优解。　　这个架构的推出，背后有两大重量级阵营推动：一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目，提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准，两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。　　为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势，从效率、成本、扩展性等方面全方位优化，精准破解了耗电量激增带来的各类问题：　　1.扩容更轻松，从100kW到1MW无缝衔接　　基于800VDC架构，数据中心不用大规模改造原有电力设施，就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署，完美突破传统架构的可扩展性极限，不管是现在的AI服务器，还是未来更高算力的设备，都能适配，实现无缝扩容。　　2.效率更高，端到端电力利用率提升5%　　和目前主流的54V供电系统比，800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升，在海量AI服务器长期运行的情况下，能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗，减少发热量，同时省下大量电能，大幅降低数据中心的能耗成本。　　3.减少铜材使用，省钱又减损耗　　800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流，对应的电缆就能更细，直接减少了铜材的使用量，降低硬件成本;同时电流变小，电缆的电阻损耗也会减少，从根源上缓解能源浪费和发热问题，不用再依赖超粗的铜质电缆，也解决了数据中心的空间与重量问题。　　4.更可靠，破解散热与维护的麻烦　　传统的服务器机架电源，为了防止停机，往往要多装备用模块，不仅占空间，还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外，从根本上解决机架内的散热难题，无需构建复杂的液体冷却系统，同时降低了运营成本中电费的占比，在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。　　5.适配未来，能支撑超高功率机架　　800VDC架构从设计之初，就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求，为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间，不用因为算力升级再反复改造供电架构，也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。　　明日预告电源单位迎升级，半导体厂商迎来新挑战　　AI服务器向800VDC架构升级，直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革，这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。　　从目前的情况来看，主流的电源单元功率是5.5kW/个，一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个，一层机架72kW;而随着800VDC架构落地，下一代电源单元会全面贴合新的行业规范，朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。　　这对半导体器件的要求也变得更高：需要能扛住800VDC高压、适配大电流，同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说，AI服务器的供电升级，本质上是半导体技术的比拼，谁能做出适配800VDC架构的核心器件，谁就能抓住行业机遇。　　后文预告　　800VDC高压架构的升级浪潮已经来了，半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业，早已提前布局，不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案，还和头部电源厂商深度合作，甚至推出了专属的热插拔控制器产品。　　接下来，我们就来详细说说，罗姆到底拿出了哪些硬核技术，破解AI服务器的供电难题，成为行业升级的核心助力!
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发布时间：2026-03-20 16:39 阅读量：554 继续阅读>>
罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI<span style='color:red'>服务器</span>发展
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罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

　　当前AI算力需求爆发式增长，数据中心供电向高效化、绿色化升级，800V高压直流架构渗透率提升，SST等核心技术加速迭代，行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开，聚焦行业核心痛点，搭建技术交流与合作对接平台。　　全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛，公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50，发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲，深度解读AI服务器供电痛点，分享前沿电源技术解决方案，彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。　　AI 硬件的急速成长，带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展，现有的48VDC 配电系统，以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题，包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能，更高效，更智能，成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商，充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验，为AI服务器提供包括SiC，GaN，Si-MOS，DrMOS，模拟IC等电源解决方案，助力AI服务器向更加ECO的未来发展!　　4月25日AI算例论坛概要　　名称：AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛　　■主办：21世纪电源网　　■ 会场：深圳湾万丽酒店　　■ 时间：2026年4月25日　　■ 地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号　　■交通：9号线高新南站A出口步行3分钟　　赞助企业
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发布时间：2026-03-12 17:50 阅读量：532 继续阅读>>
纳芯微：以“一站式”“隔离+”理念重构<span style='color:red'>服务器</span>电源核心竞争力
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纳芯微：以“一站式”“隔离+”理念重构服务器电源核心竞争力

　　在人工智能技术爆发式增长的推动下，服务器作为数字经济的核心基础设施，正面临着功率密度、能效水平和可靠性的严苛挑战，这让服务器电源的技术演进与产品升级成为行业关注的焦点，也为产业链相关厂商带来了历史性的发展机遇。仅以最热门的AI服务器电源为例，根据Valuates Reports的统计数据，2024年全球AI服务器电源市场规模为28.46亿美元，预计到2031年将增长至608.10亿美元，2025–2031年复合增长率高达45%。　　纳芯微战略市场总监郑仲谦在接受记者采访时表示：“服务器电源是纳芯微泛能源业务领域的重要市场之一(纳芯微泛能源领域包括发电端、输电端、用电端的相关应用)，随着能源转型持续推进及AI技术的带动，该领域将保持良好的成长态势。当前，纳芯微在服务器电源领域已占据相对领先地位，可提供包括功率器件、功率驱动、传感器、电源管理、信号链、MCU等在内的完整解决方案，覆盖从前级UPS到AC/DC、DC/DC PSU，再到板级DC/DC的完整供电链条。”　　服务器电源行业：高压化、高效化与高功率密度并行　　当前，全球服务器电源行业正经历三大核心趋势的深度变革。其一是供电架构高压化演进，随着AI服务器功率从几十千瓦跃升至百千瓦级别，传统低压供电架构已难以满足需求，800V或正负400V高压HVDC架构成为主流方向，推动电源器件向更高电压、更高带宽适配升级。　　其二是服务器电源的能效标准持续提升，超越钛金级的能效要求成为行业追求。比如，在80 Plus官网上推出了红宝石级认证：要求230V、227V/480V的内部冗余电源中，PFC在50%负载下的转换效率达到96.5%，且功率因数不低于0.96;100%负载下要求转换效率达到92%，且功率因数不低于0.96。这种对功率的极限压榨，倒逼电源系统在采样精度、驱动效率和电源转换效率上实现突破。　　其三是第三代半导体(氮化镓、碳化硅)的应用普及，这些材料具有优异的特性，可显著降低开关损耗，从而大幅提高功率开关的工作频率，显著提升电源方案的功率密度。而这样的高功率密度方案，需要配套更高驱动强度、更快响应速度、更高可靠性的元器件方案。　　因此，上述趋势对相关元器件应用有着积极的带动作用。比如，纳芯微技术市场经理刘舒婷指出，传统应用中，仅PFC功率因数校准前存在1-2个采样点;随着服务器电源向HVDC(400V、600V、800V)演进，电源模块功率提升至25-30千瓦，为满足效率要求，采样点数量大幅增加——当前一个PSU系统的采样点已达到十几个，整体市场规模实现数倍增长。另外，PSU、DC电源模块、BBU、高压应用等场景的市场机会持续释放，推动整体市场规模不断扩大，为具备核心技术优势的企业提供了广阔的增长空间。　　在这些趋势和机遇背后，国产厂商获得了大量创新机会。当前，服务器电源市场呈现“海外主导、国产突围”的竞争格局——在DC电源模块、VCORE供电等核心领域，海外厂商凭借先发优势和标准制定权占据主导地位，800V电源架构等标准也多由海外企业提出。但在PSU、UPS及二级DC电源供电等领域，国内产业链参与度较高，成为国产厂商的核心突破口。纳芯微等国内企业凭借对本土客户需求的深刻理解、快速的定制化响应能力和完整的产品解决方案，在隔离、采样、驱动等关键器件领域逐步实现进口替代，市场占有率持续提升。尤其是在“隔离+”相关产品领域，纳芯微产品指标领先国内友商，具备较强的竞争力，出货量位居国内第一，形成了良好的市场口碑与客户基础。　　纳芯微一站式解决方案：全链路覆盖服务器电源核心需求　　如上所述，纳芯微针对服务器电源全链条提供一站式解决方案。该方案整合隔离、功率器件、传感器、MCU等多条产品线，能够为PSU、BBU、CBU等核心场景提供完整的器件支持与系统级解决方案。　　在PSU场景中，纳芯微的产品布局覆盖从输入侧整流与功率因数校正(PFC)，到高压DC母线，再到隔离DC/DC变换及输出侧的关键功能模块。具体包括：　　电流与电压采样环节：纳芯微提供霍尔电流传感器(如NSM201x、NSM211x、NSM204x)、电流采样方案(NSCSA21x、NSCSA24x)，以及隔离放大器与隔离比较器(如NSI1300、NSI1400、NSI1611、NSI22C1x)，用于PFC输入侧、母线电压及LLC谐振腔等关键节点的电流、电压监测与保护。　　隔离与驱动环节：针对Si、SiC及GaN功率器件的应用，纳芯微布局了单通道隔离驱动(NSI6601、NSI6601M、NSI6801、NSI6801E)，以及非隔离驱动(如NSD1026V、NSD1624、NSD262x)，覆盖从PFC到隔离DC/DC级的多种拓扑需求。　　控制与通信环节：纳芯微提供MCU(如高端算力NS800RT7系列，中端算力NS800RT5/3系列，超高性价比入门级NS800RT1系列)、数字隔离器(NSI83xx系列)、隔离I²C(NSI8200)、隔离ADC(NSI130x系列)等器件，用于实现控制侧与高压功率侧之间的安全隔离与可靠通信。　　辅助电源(AUX power)环节：纳芯微提供反激与Buck类电源管理芯片，包括反激电源NSR28C4x、NSR284x、NSR224/60x和将于今年发布的NSV2801/2系列，以及Buck转换器NSR1143x、NSR1103x，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电。　　在BBU与CBU场景中，针对备电与电压稳定需求，纳芯微同样在采样监测、功率驱动、控制通信及辅助供电环节形成完整布局，满足双向DC/DC架构的数字或模拟控制需求。具体包括：　　采样与监测环节：纳芯微提供霍尔电流传感器(NSM201x、NSM211x、NSM204x)以及电阻式电流采样芯片(NSCSA21x、NSCSA24x)，用于对锂电池或超级电容的充放电电流及功率回路状态进行实时监测。　　功率级驱动环节：针对BBU & CBU中双向DC/DC拓扑所使用的功率器件，纳芯微提供单通道隔离驱动产品(NSI6601、NSI6601M、NSI6801)，以及非隔离驱动器件(NSD1026V、NSD1624、NSD262x)，以满足不同功率级结构下的驱动需求。　　控制与隔离通信环节：纳芯微提供隔离RS-485(NSI8308x)、数字隔离器(NSI83xx系列)等器件，用于连接能量存储系统中的控制单元、采样模块与功率级，实现高压环境下的安全通信。系统控制可采用MCU(如高端算力NS800RT7系列，中端算力NS800RT5/3系列，超高性价比入门级NS800RT1系列)完成能量管理与控制策略的执行。　　辅助电源(AUX power)环节：纳芯微提供反激与Buck类电源管理芯片，包括反激电源NSR28C4x、NSR284x、NSR224/60x和将于今年发布的NSV2801/2系列，以及Buck转换器NSR1143x、NSR1103x，为控制、驱动、采样及通信模块提供稳定供电。　　“隔离+”技术：筑牢服务器电源安全防线　　作为纳芯微服务器电源一站式解决方案的核心，该公司隔离器件基于“隔离+”理念实现了多维度技术突破，形成了区别于行业同类产品的独特优势，成为保障服务器电源安全、可靠、高效运行的关键支撑。　　纳芯微技术市场经理谭园表示，“隔离+”是纳芯微隔离产品的核心理念。“隔离+”中的“+”体现在三个维度：增强绝缘的安全防线、全生态的产品矩阵、深度赋能的应用理解。　　一是增强绝缘提升安全。纳芯微提供功能绝缘、基本绝缘、增强绝缘等多等级产品，其中增强绝缘产品超越基本隔离标准，能为对单极绝缘有强需求的系统构筑更稳固的高低压安全边界。且纳芯微针对增强绝缘产品提供对应的认证证书、更高的绝缘等级及长期工作电压，以确保产品寿命。　　二是全产品生态整合。以电容隔离技术IP为核心，衍生出数字隔离器、隔离接口、隔离采样、隔离驱动等完整产品组合，进而实现变压器集成的IC级隔离电源解决方案。这一组合性、延展性的概念能够适配更多场景，为客户提供更高集成度、更小尺寸的产品。　　三是深度赋能应用。基于隔离技术和产品，满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源的需求，实现系统级的安全、可靠与高效。　　隔离电源：以集成式+分立式方案适配多元应用场景　　随着电子系统对安全性和抗干扰能力要求的日益提升，隔离电源已成为服务器电源设计中的关键环节，即提供电气隔离供电的电源模块。　　在实际电路中，设计人员常使用的隔离器件(如数字隔离器、隔离接口、隔离驱动器)通常需要两个独立的电源供电：原边电源(VDD1)和副边电源(VDD2)，且原边与副边不共地，核心目的是实现信号隔离，切断地回路干扰并保护系统安全。然而，如果供电电源本身不隔离，那么信号路径的绝缘意义将大打折扣，整个子电路仍无法实现真正的电气绝缘。因此，为隔离器件配备独立的隔离电源是系统的“强需求”，纳芯微的隔离电源IC产品，正是为了解决这一设计痛点而生。　　纳芯微技术市场经理谭园指出，纳芯微隔离电源产品提供集成式与分立式两种形态，形成优势互补。其中，集成式方案是纳芯微极具特色的方案，将变压器直接集成在芯片内部，实现高度集成化设计，方案尺寸极小且可靠性强、功能完善;分立式方案的核心特点是变压器外置于IC，用户需要自行搭配变压器、副边整流二极管等外围器件，灵活性强但尺寸较大，且变压器外置增加了潜在的失效点。　　在集成式隔离电源领域，纳芯微全新量产的NSIP9xxx系列是极具竞争力的一款产品。该系列产品是5V转5V、0.5W功率的高集成度隔离电源产品，可集成IO接口与隔离通信接口，特别适合对功率密度和板级空间有严格要求的应用场景，例如PC PSU的对外通信、BBU与BMS之间的通信等。　　NSIP9xxx系列具有四大显著优势：　　高集成度小型化：仅需输入输出电容即可工作，无需额外分立器件，与某些传统方案相比，体积有机会缩减至1/10;　　卓越可靠性：内置变压器避免了线圈断裂、运输震动、人工安装等传统风险，无需点胶固定等额外工艺步骤，且该系列产品温度范围宽，可满足严苛环境要求;　　优异EMC性能：该系列产品基于统一IP设计，辐射纹波小，满足严格电磁兼容标准，尤其是辐射(RE)性能;　　全面产品特性：该系列产品安规认证齐全，具备增强绝缘证书，隔离耐压水平优异，VIOSM(浪涌电压)、VIORM(重复工作电压)参数较高，涵盖车规、工业级产品。　　NSIP93086和NSIP9042是NSIP9xxx系列中极具代表性的产品。其中，NSIP93086集成隔离RS485接口与0.5W闭环控制DC/DC，提供宽体16脚、宽体20脚(SOW20)两种封装，尺寸与常规隔离器件相当但功能丰富。谭园称：“对于需要隔离RS485接口，且深受供电方案复杂、板级空间紧张、BOM成本高企困扰的客户而言，这款产品是理想选择。”　　NSIP9042与NSIP93086的核心区别在于集成隔离CAN接口与0.5W DC电源，同样提供16脚、20脚两种紧凑封装，以增强绝缘实现三种功能集成于一颗芯片。　　除了高度集成的NSIP9xxx系列，针对AI服务器电源中大量的灵活设计需求，纳芯微推出了分立式方案NSIP3266。这是一款内置全桥拓扑控制器的芯片，旨在为隔离驱动提供简洁、低成本且易于设计的供电选择。　　服务器电源包含大量功率级，除12V、48V等低压场景外，AC/DC、PFC、PSU等场景均存在隔离驱动需求。尤其是在追求高效率的场景中，功率级拓扑(如多电平)的路数增加，带动驱动供电路数增多，如何以简洁、低成本的方式实现供电(例如一带多的供电架构)是行业挑战。NSIP3266以五大优势赋能这类场景创新：　　宽耐压范围：对前级电源限制小，适应性强;　　集成软启动：无需MCU控制，省去副边限流电阻;　　内置晶振：集成晶振，开关频率自主控制，不占用MCU资源;　　全面保护：集成的欠压、过流、过温保护均为自恢复模式;　　高效率设计：在Demo测试中表现出优异的能效比。　　隔离采样：为高压系统构建安全精准的“信号桥梁”　　在服务器电源以及工业驱动、新能源汽车三电系统等高压应用场景中，核心的技术难点在于如何安全、准确地从高压侧采集信号并传输至低压侧，同时确保低压控制侧免受干扰。在这些应用中，隔离采样产品至关重要。　　纳芯微技术市场经理刘舒婷以服务器电源(PSU)的典型架构为例进行解读：PFC级对输入交流电进行整形和升压，LLC谐振变换器高效完成DC/DC转换，最终形成稳定输出。在整个功率链路中，安全准确地监测电压和电流至关重要。纳芯微的隔离采样芯片被部署于多个关键监测点，包括PFC级输入电压/电流检测、PFC级输出电压检测、LLC谐振腔电流检测与快速过流保护、DC/DC输出电流检测，这些芯片确保了系统在各工作状态下均能可靠运行，并及时响应异常状况。　　根据应用场景和功能需求的不同，纳芯微的隔离采样产品主要分为三类：　　隔离电压采样：用于监测系统各关键节点的电压信号。　　隔离电流采样：用于精确检测回路中的电流。　　隔离比较器：专用于快速硬件保护，如过流、过压的即时关断。　　在这三大隔离采样产品领域，纳芯微拥有丰富的产品组合。隔离电压采样方面，从王牌产品0-2V单端输入的NSI1311，演进至差分输入的隔离运放NSI1312、差分输入的隔离ADC NSI1316，同时推出自带隔离电源的电压采样NSI1361X系列;隔离电流采样方面，从主流产品NSI1300演进至迭代系列NSI1400/1200C，同样推出集成隔离电源的NSI360X系列;隔离比较器方面，纳芯微推出了新型隔离比较器NSI22C12，集成窗口比较器、隔离通道及高压侧LDO，相当于小型电路模块，可直接完成过压或过流保护，特别适用于服务器电源LLC谐振腔的快速过流保护需求。　　为了更好地满足市场对高可靠性、高功率密度及低设计难度的需求，纳芯微在隔离采样领域持续创新。比如，纳芯微集成隔离电源的NSI36xx系列能够帮助设计人员简化设计、降本增效。纳芯微上一代王牌产品NSI13XX需要分别为高压侧和低压侧供电，这在浮地采样等无可用隔离电源的场景下，不仅增加了工程师的设计难度，也占用了较大的PCB面积。NSI36xx系列的出现打破了这一局限，它仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作，省去了复杂的高压侧供电电路。这一改进不仅显著降低了电源设计复杂度，还能节省30%-50%的板级面积，在空间受限的场景中优势巨大，同时可降低10%-20%的整体BOM成本。　　同时，NSI36xx系列里还拥有NSI36CXXR这样的差异化新品，集成了内部隔离比较器和差分转单端运放。其中，集成比较器可在1μs左右时间内检测异常状况并触发保护机制，大幅提升系统安全性和可靠性;新增的比例输出架构可直接与后级ADC匹配，减少信号调整电路的设计需求，降低设计成本，同时充分利用后级ADC的满量程，显著提升系统采样精度。　　NSI1611则是纳芯微最新推出的0-4V输入隔离电压采样运放，具有两大系统级优势：　　对地抗扰能力提升：将输入地干扰视为小型电压源，输入范围扩大一倍后，相同扰动电压的影响减小一半，抗扰动能力自然增强。　　系统采样精度优化：理论分析与计算显示，输入范围扩大后，在0-600V系统中，尤其是中低压侧，新款NSI1611(绿色曲线)相比老款NSI1311(红色曲线)的精度提升显著。　　输入形式方面，NSI1611提供单端或比例输出可选。比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片的Reference引脚，芯片自主完成差分转单端转换及简单自适应放大，帮助客户充分利用后级ADC满量程，提升整体采样精度。　　此外，在隔离比较器方面，纳芯微NSI22C12作为一个高集成度的单芯片方案，有效替代了传统CT方案和分立方案。其内部集成窗口比较器，支持正负阈值设定;集成内部隔离通道，比较后可直接输出隔离数字信号;高压侧集成高压LDO，供电范围从传统的3.5V-5V拓展至3.1V-27V，可直接接入驱动供电，使用简单高效;通过外接电阻即可高精度设置保护阈值，灵活用作过流、过压或过温保护;最核心优势是保护延迟极短，最大仅250纳秒，远超其他方案。　　结语　　在AI技术持续赋能、服务器电源向高压化、高效化、集成化加速演进的背景下，纳芯微以“隔离+”为核心的一站式解决方案正迎来广阔的市场空间。凭借深厚的技术积累、完整的产品布局与持续的创新能力，纳芯微不仅为服务器电源客户提供了安全、可靠、高效的器件支持，更通过技术突破与生态构建，推动着行业技术边界的持续拓展。　　面向未来，郑仲谦表示，纳芯微将继续从以下方面提升服务器电源产品的竞争力：其一，联合国内第三代半导体头部厂商，深化技术合作;其二，基于800V等已推出的标准，联合PSU客户、传统光伏客户(转型高压HVDC拓扑)，共同突破DC电源模块、VCORE供电等领域;其三，随着国内核心AI芯片的发展，同步提供配套产品，为国产算力筑牢能源底座。
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发布时间：2026-03-05 11:46 阅读量：630 继续阅读>>

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