<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-IS3217/8-Q1集成隔离ADC单通道栅极驱动器
  在新能源汽车、高效能源转换等关键系统中,功率器件的驱动与保护性能直接影响整机可靠性与能效表现。川土微电子全新推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增强型隔离栅极驱动器,目前已正式量产。该产品集成±10A强驱动、隔离ADC(精度±0.5% ,用于母线采样)、原副边ASC、快速DESAT保护与软关断等多项主动保护功能于一体,以系统级思维重新定义驱动芯片的安全边界,为SiC/IGBT应用提供更高集成度、更高可靠性的驱动解决方案。  01 产品概述  CA-IS3217/8-Q1 是一系列基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器,可用于驱动SiC、IGBT和MOSFET器件。器件具有先进的主动保护功能、出色的动态性能和高可靠性,同时具有高达±10A 峰值的拉/灌电流能力。  CA-IS3217/8-Q1 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离,支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40年,同时具有良好的器件一致性以及>150 kV/μs 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。  CA-IS3217/8-Q1 具有PWM输出的隔离采样功能(ANW版本),可用于温度采样,包含NTC或热敏二极管等,以及母线电压采样等功能。  CA-IS3217/8-Q1 具有以下多重保护功能:快速过流和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源UVLO,同时针对SiC和IGBT开关行为进行了优化,并提高了可靠性。CA-IS3217/8-Q1 全系列采用SOIC-16宽体封装,爬电距离和间隙距离大于8mm。图1 CA-IS17-Q1系统典型应用图  02 特性  5.7 kVRMS耐压等级的单通道隔离栅极驱动器  驱动最高达 2121 VPK的 SiC MOSFET和 IGBT  VDD电源耐压最大 36 V(VDD–VEE)  ±10A 峰值驱动电流能力  内置 5A 峰值电流有源米勒钳位  200ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能  短路故障时 400 mA (IGBT)或1 A (SiC) 软关断  驱动侧和控制侧独立的ASC 输入控制,用于在系统故障时强制开通功率管(CA-IS3217/8LNW-Q1和CA-IS3217/8SNW-Q1版本)  集成隔离ADC功能(CA-IS3217/8ANW-Q1版本),可用于温度采样和母线采样  - AIN范围 0.04 V~4.96 V  - APWM输出精度 ±0.5%  - APWM输出频率 10 kHz  - 200 μA内置电流源可选  过饱和故障时,FLT警告,通过RST/EN复位  快速响应的RST/EN关断/使能  输入引脚上40 ns(典型值)瞬态和脉冲抑制功能  12 V VDD UVLO 和电源READY指示功能  直通死区保护  延时特性:  - 130 ns(最大值)传播延迟  - 30 ns(最大值)脉宽失真  - 30 ns(最大值)器件间延时匹配  高共模瞬态抗扰度:150 kV/μs(最小值)  SOIC-16 宽体封装,爬电距离和间隙距离 >8mm  额定工作电压下隔离栅寿命大于40年  工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C  03 典型应用场景  汽车电驱逆变器  新能源车载充电器(OBC)  汽车高压DC-DC变换器  直流快速充电桩  工业电机驱动、光伏/储能逆变器  04 隔离ADC特性  CA-IS3217/8-Q1 系列集成了高精度隔离SAR ADC功能,将驱动侧AIN 引脚的模拟输入信号经过增强隔离栅传输至控制侧APWM引脚的占空比输出信号,MCU可直接计算占空比信号或外置RC滤波后MCU读取模拟量,如下图所示可实现隔离温度采样或母线电压采样等功能。AIN引脚内部集成一个200μA电流源,精度为±3%,可为热敏二极管提供正向偏压或在温度感应电阻器上产生压降。  AIN电压支持0.04 V - 4.96 V满量程输入,则APWM占空比从99.2% - 0.8%线性变化。不同温度下满量程精度可满足±0.5%,无需校准。APWM工作频率为10 kHz。  APWM占空比满足如下公式:  DutyAPWM(%)= -20 × VAIN +100图2 隔离ADC典型应用图  如下图所示,基于CA-IS3217-Q1 产品实验室实测隔离ADC精度结果,在有效输入0.04-4.96 V范围内,每1 mV 取样一次,其结果在不同温度下满量程总误差约 ±10 mV,可达到 ±0.2% 精度。图3 隔离ADC输入电压与总误差关系  05 小结  CA-IS3217/8-Q1 系列是川土微电子在“隔离+驱动+采样+保护”技术路径上的重要突破。它不仅延续了川土微在电容隔离与栅极驱动领域的技术积累,更通过高度集成化的主动保护策略与可配置采样功能,大幅提升了系统层面的功能安全与设计灵活性。  未来,川土微将继续围绕客户在新能源汽车、能源基础设施等领域的核心需求,持续拓展高性能、高可靠性隔离类芯片产品组合,助力客户构建更安全、更高效的下一代电力电子系统。
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发布时间:2025-12-01 15:09 阅读量:251 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-IS3214单通道增强隔离栅极驱动器
  在追求更高效率、更高功率密度的电力电子系统中,栅极驱动器的性能至关重要。川土微电子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先进电容隔离技术的单通道栅极驱动器。它集10A峰值驱动能力、超强隔离耐压与卓越的动态特性于一身,专为驱动SiC MOSFET、IGBT等先进功率器件而优化,旨在为您的电机驱动、新能源及工业电源应用提供高可靠性、高集成度的解决方案。  01产品概述  CA-IS3214 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性,同时具有高达10A/10A 峰值的拉/灌电流能力。  CA-IS3214通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离,支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40年,同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。  CA-IS3214具有控制和驱动侧电源UVLO功能,同时针对SiC和IGBT开关行为进行了优化,并提高了可靠性。此外,CA-IS3214MxG内置5A峰值电流有源米勒钳位;CA-IS3214SxG和CA-IS3214TSCG具有OUTH和OUTL分离输出配置。  CA-IS3214输入IN+/IN–提供CMOS或者TTL逻辑选项,其中CA-IS3214TSCG为TTL逻辑,其它料号为CMOS逻辑。  CA-IS3214单通道增强隔离栅极驱动器选型表  02特性  驱动高达 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT  10A/10A 峰值拉/灌驱动电流能力  输入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)逻辑  宽电源范围:  • 3.0V 至 5.5V 输入侧 VCC 电源范围  • 高达 33V 的输出驱动电源(VDD – VEE),具有两种UVLO 选项:B版本:8V;C版本:12V  输入引脚上40ns(典型值)脉冲抑制功能  延时特性:  • 80ns(典型值)传播延迟  • 15ns(最大值)脉宽失真  • 15ns(最大值)器件间延时匹配  SOIC8-WB 封装,爬电距离和电气间隙>8mm,5700VRMS隔离耐压等级  高共模瞬态抗扰度:>150kV/μs  额定工作电压下隔离栅寿命大于40年  工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C  03 典型应用场景  电机逆变器  新能源车载充电器  光伏逆变器  储能变流器  充电桩功率模块  伺服驱动器  变频器  UPS及工业电源等CA-IS3214MxxG典型应用CA-IS3214SxG和CA-IS3214TSCG 典型应用  CA-IS3214系列隔离栅极驱动器,是川土微电子深耕电力电子领域、面向下一代高效功率转换系统精心打造的重要产品。该系列不仅具备强大的驱动性能与坚固的电气隔离能力,更以多样化的功能配置,为设计工程师带来更灵活的选型空间与系统可靠性。  在隔离栅极驱动器产品线中,川土微电子致力于为客户提供丰富的隔离栅极驱动器产品解决方案。以单通道隔离驱动为例:  电流输入型(光耦兼容)包括CA-IS3211X及新一代CA-IS3211CX系列,实现性能升级与平滑迭代;  电压输入型则涵盖CA-IS3212X、CA-IS3213X与CA-IS3214X三大系列,输出峰值电流覆盖4A至15A,适配不同功率等级系统,并提供多种封装与功能组合,长期工作隔离耐压等级从最低400VRMS覆盖到最高2000VRMS,充分满足客户多样化的应用需求和复杂的应用场景。  目前,这些产品已在工业自动化与电源能源等领域获得广泛应用,并历经充分的市场验证,性能稳定可靠。  未来,川土微电子将继续围绕客户实际应用,深度融合“隔离+驱动”技术优势,进一步拓展隔离栅极驱动器产品组合,坚持通用化与差异化并行,为客户创造更多价值。
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发布时间:2025-11-21 11:34 阅读量:330 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-IS23101WH磁隔离电流传感器
  在电机控制、新能源系统的复杂电磁环境中,传统电流检测面临共模干扰与隔离安全的双重挑战。川土微电子CA-IS23101WH高精度隔离电流传感器,以差分霍尔传感技术实现共模磁场抑制,5000V电气隔离保障系统安全,为工业提供高可靠、高精度电流检测解决方案。  01产品概述  CA-IS23101WH电流传感器是一款面向工业应用的高性价比隔离电流检测解决方案。该器件集成精密低失调线性霍尔传感器电路,通过在晶圆表面嵌入铜导电路径实现电流-磁场-电压转换:当被测电流流经铜导电路径时产生感应磁场,由集成霍尔IC捕获并转换为比例电压输出。其差分式电流检测机制可有效抑制共模磁场干扰,显著提升强磁场噪声环境下的检测精度。  CA-IS23101WH专为100A电流检测及空间受限型应用设计,采用10引脚宽体SOW10封装,额定工作温度范围为-40°C至+125°C。  02特性  差分霍尔传感,抑制共模磁场,磁滞近乎为零  优异的噪声性能与带宽表现,适用于快速控制环路或高速电流监测应用:400 kHz 带宽,1.2 μs 响应时间  提供两种版本,分别支持 3.3V 和 5V 应用  支持比例输出模式和固定输出模式。固定输出模式便于客户对基准电压 (Vref) 和输出电压 (Vout) 进行 ADC 差分采样,以降低外部共模干扰  支持双向和单向输出模式  支持 自检功能及多种诊断功能:过压保护 (OVP)、过温保护 (OTP)、过流检测 (OCD)、断线检测等  高精度  灵敏度误差:在 -40°C 至 +125°C 范围内,典型值 ±2.5%  非线性度:最大值 ±1%  对称性:最大值 ±1%  可调快速过流故障输出,典型响应时间 1 μs  封装:SOW10  03 应用领域  光伏发电:太阳能逆变器母线电流检测  工业电力:工业电源设备、UPS系统  电机控制:电机驱动器相电流监测  04 典型应用
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发布时间:2025-11-17 14:37 阅读量:340 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-IF1042系列 CAN收发器通过第三方AEC-Q100认证!
<span style='color:red'>川土微电子</span>推出CA-HP6238M高速低失真全差分放大器
  在高性能数据采集和通信系统中,传统设计在实现单端至差分信号转换、驱动高速ADC时,往往面临带宽有限、谐波失真较高以及外部电路复杂等挑战。川土微电子全新推出CA-HP6238M全差分放大器,以490MHz带宽、-85dBc低失真及高度集成的特性,为上述应用提供了一款高性能、高可靠性的解决方案。  01产品概述  CA-HP6238M可用作单端差分信号的转换运放,也可以用作全差分运放。CA-HP6238M的-3dB带宽达到了490MHz,且具有较低的谐波失真。CA-HP6238M内部含有特殊的反馈特性来抑制偶次谐波。  差分输出的CA-HP6238M有效提升了ADC的性能,省去了高性能ADC方案中的变压器的使用,保留了直流及低频信息。输出的共模电压可以由VOCM管脚调整,可以实现输入信号到输出信号的共模调整。  CA-HP6238M的低失真性能满足在通信系统中理想ADC的驱动,可以满足10bit到16bit的高速AD转换。  CA-HP6238M也适合用作中频及基带信号的放大。CA-HP6238M的失调指标和动态指标满足广泛的信号处理的应用。  02特性  适合单端转差分转换  输出共模电压可调  外部可调增益  低谐波失真:20MHz下SFDR为-85 dBc  -3dB带宽在G=1时为490MHz  20ns的快速建立时间(0.01%)  高压摆率:1150V/us  快速过载恢复时间 4.5ns  低输入电压噪声:5 nV/√Hz  失调电压的典型值0.5mV  宽供电范围:±2.25V至±5.5V  0.1dB增益平坦度70MHz  工作温度:-40℃~125℃  封装形式:MSOP8(M)  03 典型应用场景  ADC驱动器:为10位至16位高速模数转换器提供低失真、大摆幅差分信号。  单端至差分转换器:替代传统变压器方案,保留直流及低频分量。  中频与基带信号调理:适用于通信基础设施、测试设备中的信号增益与缓冲。  医疗与工业仪器:用于要求高共模抑制比和信号完整性的精密测量系统。
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发布时间:2025-09-15 10:12 阅读量:713 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-HP6242高速双通道轨至轨输出放大器
  在高速数据采集与高清视频处理的世界里,信号链的精度与速度决定着系统的天花板。传统放大器面临动态范围受限、带宽不足、功耗过高的三重挑战。川土微电子CA-HP6242高速双通道轨至轨输出放大器,以“大带宽+低失真+强驱动能力”的三重优势,为专业视频与高速信号处理系统注入全新动能!  01产品概述  CA-HP6242是一款低功耗,电压反馈、高速运算放大器,可工作在±2.5V或±5V供电电压下。支持单电源供电,输入电压可低于负轨200mV,高至正轨以下1V。输出电压摆幅可达双轨的50mV以内(RL=10kΩ,典型值)。另外,在18MHz范围内,提供0.1dB的增益平坦度、0.02%的差分增益误差和0.04°的差分相位误差。基于这些特性,CA-HP6242适用于专业的视频信号处理,包括摄像头、视频开关及其他任何高速的设备。低谐波失真和快速建立特性使得CA-HP6242可以用于高速ADC的驱动级。  CA-HP6242在±5V供电下的工作电流低至13mA,提供SOIC8(S)、MSOP8(M)两种封装,工作温度覆盖-40℃~+125℃工业级范围。  02特性  满足±2.5V,±5V工作电压  输出摆幅±4.8V(RL=1kΩ,极限值)  输入电压范围低至低于电源低轨200mV  在输入超过工作电压0.4V时没有相位翻转  每通道功耗低至6.5mA  ±5V供电时高速和快速建立:  • 135MHz,-3 dB带宽(G=+1)  • 235V/μs 的电压转换速率  • 16ns的1%的建立时间  视频指标(RL=150Ω, G = +2)  • 18MHz以内0.1dB的增益平坦度  • 0.02%的差分增益误差  • 0.04°的差分相位误差  低谐波失真:-77dBc 最差谐波(5MHz输入信号)  50mA驱动电流  工作温度:-40°C ~125°C  03 典型应用场景  视频系统:专业摄像头信号调理、视频切换矩阵、高清视频传输链路  高速数据采集:高速ADC驱动器、测试测量设备前端缓冲、示波器输入级  医疗成像设备:超声前端信号调理、医疗监控设备模拟通道  工业控制:自动化设备传感器信号放大、高速闭环控制回路  CA-HP6242以“大带宽、低失真、强驱动能力”为核心优势,成为专业视频处理与高速数据采集系统的优选解决方案。其低功耗特性与工业级可靠性,进一步助力客户提升系统能效与鲁棒性。
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发布时间:2025-09-04 16:55 阅读量:635 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-HP6302S高精度双通道RRIO运放
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发布时间:2025-08-22 09:07 阅读量:661 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-RF1947P全新一代高性能四通道射频接收器
  面对日益复杂的电磁环境,高精度信号接收面临严峻挑战。川土微电子特推出CA-RF1947P高性能四通道射频接收器。该器件以自主创新突破技术边界,为无人机、通信基建等关键领域提供高可靠解决方案,让信号接收无惧干扰。  01产品概述  CA-RF1947P是川土微电子推出的全新一代高性能四通道射频接收器。相比前一代产品在线性度、噪声系数、系统时钟抖动等指标上进行了性能提升和优化。  该器件射频接收频率范围为:1.1GHz~2.7GHz。支持四通道同时接收相同频点的射频信号,构成多通道接收机。CA-RF1947P集成了四个独立的下变频接收通道,并集成了低噪声小数频率综合器和系统时钟电路。外接LO模式支持多颗芯片的扩展应用。具有极高的线性度和低噪声特性,仅需少量外部器件即可构建高性能接收机。  CA-RF1947P集成了四路下变频通道,包括混频器和中频放大器等功能模块。器件还集成了宽带的本振信号锁相环和低抖动的系统时钟锁相环。通过级联两颗CA-RF1947P的LO输出管脚和LO输入管脚,即可构建8通道的高性能接收机。  02特性  高度集成的高性能四通道射频接收器  集成四路下变频通道  集成两个频率综合器,分别提供本振和时钟信号  射频输入频率范围:1.1GHz ~ 2.7GHz  典型通道增益1dB ~ 21dB,可按1dB步进编程  高线性度:  带内输出OIP3:>38dBm@10dB Gain  带内输出P1dB:>15dBm@10dB Gain  单路通道移相范围:360°  单路通道移相步进:1°  低噪声系数:8dB @10dB Gain  提供系统时钟30MHz ~ 150MHz,抖动0.7ps  LO输出功率:>0dBm  LO输入功率范围:-5dBm ~ 5dBm  可扩展为8通道  功耗:  高性能模式2.1W  低功耗模式1.7W  封装:QFN56  工作温度范围:-40°C ~ 125°  03 典型应用场景  高精度信号接收:为自动驾驶、物流追踪等提供定位保障  智能无人机系统:确保复杂环境中导航与数据传输链路稳定性  5G通信基础设施:增强基站阵列天线多目标信号处理能力  物联网网关设备:提升密集信号环境下的通信可靠性
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发布时间:2025-08-13 17:43 阅读量:851 继续阅读>>
<span style='color:red'>川土微电子</span>CA-IS3211C光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器
  面对工业与新能源领域对高性价比功率驱动方案的迫切需求,川土微电子基于已获市场验证的CA-IS3211系列产品,推出CA-IS3211C全新一代光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器。CA-IS3211C系列产品通过设计优化与工艺升级,在保障核心性能的前提下降低成本,为光伏/储能系统、工业电机驱动等场景提供更具成本竞争力的解决方案。  01产品概述  CA-IS3211C是一款光耦兼容型5.7kVRMS隔离栅极驱动器,专为驱动MOSFET/IGBT/SiC功率器件设计。其通过模拟二极管输入级替代传统LED,显著提升长期可靠性;支持4A拉电流/5A灌电流峰值输出及30V宽压驱动,兼容双极性电源方案。产品可无缝替换现有光耦驱动器,为工业电源、太阳能逆变器、充电桩、储能变流器等场景提供更高性能、更长寿命的隔离驱动解决方案。  02特性  光耦输入的 5.7 kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器  输出峰值电流:4A 拉 / 5A 灌  最大 30V 输出驱动电源电压  8V 或者 12V VCC 欠压锁定阈值  轨到轨输出  80ns(典型值)传输延迟  25ns(最大)器件对器件延迟匹配  35ns(最大)脉冲宽度失真  150kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI)  隔离栅寿命大于 40 年  输入级最高反向耐压 7V,并支持互锁输入  宽体 SOIC6-WB、SOIC8-WB 和 DUB8 封装  工作结温范围 TJ:-40°C 到 150°C  03 典型应用场景  工业电机控制驱动器  工业不间断电源(UPS)  太阳能逆变器  充电桩  储能变流器
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发布时间:2025-07-30 13:22 阅读量:775 继续阅读>>
一文看懂<span style='color:red'>川土微电子</span>隔离器核心技术!
  一、Pulse-Coding调制解调技术  所谓隔离器,类似于在一颗芯片左右两侧的微距离上实现无线射频收发系统,在这样一个收发系统里面,其实包括发射机和接收机以及隔离介质三部分。  目前主流架构主要包括Pulse调制架构和OOK调制架构。Pulse架构和OOK调制架构的优点是低功耗、低传输延迟、高传输速率,缺点则是在有干扰信号的时候容易丢码或增加码造成传输出错,所以CMTI的能力比较差。  于是市场上就出现了一种需求:既能满足可靠性高,还要达到低功耗。Pulse-Coding调制解调技术就是一种这样的架构。它的原理是采用边沿编码技术,对上升沿和下降沿进行编码,同时在编码结束之后,会进入休眠状态,这样的话就同时克服了抗干扰能力差和功耗低的缺点,同时还集成了一个refresh的技术,确保输入与输出在任何状态下都是一致的。这种架构的CMTI会达到200Kv/uS。  二、增强耐压技术  众所周知,隔离器的耐压主要是由其中间绝缘介质的材料来决定的,而现在主流的绝缘材质有三种:光耦、磁隔、容隔。光耦和磁隔所采用的绝缘介质是聚酰亚胺,容隔的绝缘介质是二氧化硅。  下图的表格可以看到,聚酰亚胺特性大约是300伏每微米,二氧化硅的耐压大约是500伏每微米。同时由于PI也就是聚酰亚胺的制作工艺难度,一般只能做到20um左右,技术较高的话可以做到30um。  二氧化硅的厚度可以达到10~20,乘以2的话能到20~40um,所以容隔的二氧化硅耐压特性是非常好的。  川土微电子的隔离器采用的就是容隔这种架构。容隔还有一个优点,它一般是用两个隔离电容进行串联,耐压就是两个隔离电容耐压之和,可以起到双重保护作用。如果有一个电容出现故障,另外一个电容依旧能作用起到隔离作用。川土微电子为了实现耐压增强的技术,从四方面做了工作:  1.工艺合作开发:川土微电子与一些工厂进行工艺合作开发,提升产品耐压。  2.版图设计:采用圆形电容,实现更高的耐压。  3.超强解调电路设计  4.封装设计  三、高CMTI技术  所谓CMTI就是共模瞬态抗扰度,它是指在原边和副边两个地之间加入一个快速的扰动,然后看传输信号是否出错。它的关键因素是扰动幅度和斜率,幅度一般为1500v,斜率一般是用千伏每微秒的单位来衡量。川土微电子的CMTI技术包含以下三种:  全差分发射及接收机架构技术:创新的高CMTI接收电路(专利保护)  等效共模输入阻抗控制技术:实现接收电路共模电平在CMTI情形下仍能够正常工作  数字滤波技术:以延迟时间或更低的传输码率兑换更优的CMTI性能  四、低EMI技术  由于越来越多的客户对EMI都非常关注,川土微电子针对EMI也实现了以下技术:  抖频技术:将内部时钟频率进行展频,将频谱能量打散,将能量峰值降低。  晶圆上使用金属屏蔽层:在裸芯的顶层铺满金属,用来屏蔽电磁干扰和电场干扰。  Pulse-Coding技术:只在信号边沿发射编码脉冲,降低发射能量。  高增益RX电路设计:只需较小隔离电容值,便能正常解调工作,减小共模耦合。  容隔架构:通过电场传递信号,相比磁隔通过磁场传递信号,辐射天然较小。  五、全集成隔离DC-DC  全集成隔离DC-DC相当于多合一的高度集成的芯片,包括三个部分:隔离电源模组、数字隔离器、数字隔离接口。  这颗集高度集成三合一的产品,能够将左边三者同时集成到一颗芯片里面,可以看到上图右侧,就是这颗芯片的内部结构示意图,芯片内部有平面变压器、隔离器以及接口多颗裸芯合封在一起,将全集成的隔离器芯片的封装尺寸做到业界最小,装在一颗SOW16封装里。同时转化效率达到了53%,这在业界也是非常高的一个指标。  以上,就是川土微电子隔离器的一些核心技术。目前川土微电子的隔离器产品已经广泛应用于工业控制、电源能源、仪器仪表、消费电子、汽车电子等多个领域,未来,川土微电子将持续新品研发,以满足不同客户需求。
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发布时间:2025-07-17 15:26 阅读量:621 继续阅读>>

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