川土微电子CA-IS3214单通道增强隔离栅极驱动器

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子系统中，栅极驱动器的性能至关重要。川土微电子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先进电容隔离技术的单通道栅极驱动器。它集10A峰值驱动能力、超强隔离耐压与卓越的动态特性于一身，专为驱动SiC MOSFET、IGBT等先进功率器件而优化，旨在为您的电机驱动、新能源及工业电源应用提供高可靠性、高集成度的解决方案。

　　01产品概述

　　CA-IS3214 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达10A/10A 峰值的拉/灌电流能力。

　　CA-IS3214通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40年，同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。

　　CA-IS3214具有控制和驱动侧电源UVLO功能，同时针对SiC和IGBT开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CA-IS3214MxG内置5A峰值电流有源米勒钳位;CA-IS3214SxG和CA-IS3214TSCG具有OUTH和OUTL分离输出配置。

　　CA-IS3214输入IN+/IN–提供CMOS或者TTL逻辑选项，其中CA-IS3214TSCG为TTL逻辑，其它料号为CMOS逻辑。

　　CA-IS3214单通道增强隔离栅极驱动器选型表

　　02特性

　　驱动高达 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT

　　10A/10A 峰值拉/灌驱动电流能力

　　输入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)逻辑

　　宽电源范围：

　　• 3.0V 至 5.5V 输入侧 VCC 电源范围

　　• 高达 33V 的输出驱动电源(VDD – VEE)，具有两种UVLO 选项：B版本：8V;C版本：12V

　　输入引脚上40ns(典型值)脉冲抑制功能

　　延时特性：

　　• 80ns(典型值)传播延迟

　　• 15ns(最大值)脉宽失真

　　• 15ns(最大值)器件间延时匹配

　　SOIC8-WB 封装，爬电距离和电气间隙>8mm，5700VRMS隔离耐压等级

　　高共模瞬态抗扰度：>150kV/μs

　　额定工作电压下隔离栅寿命大于40年

　　工作结温(TJ)范围 ：–40°C至 150°C

　　03 典型应用场景

　　电机逆变器

　　新能源车载充电器

　　光伏逆变器

　　储能变流器

　　充电桩功率模块

　　伺服驱动器

　　变频器

　　UPS及工业电源等

CA-IS3214MxxG典型应用

CA-IS3214SxG和CA-IS3214TSCG 典型应用

　　CA-IS3214系列隔离栅极驱动器，是川土微电子深耕电力电子领域、面向下一代高效功率转换系统精心打造的重要产品。该系列不仅具备强大的驱动性能与坚固的电气隔离能力，更以多样化的功能配置，为设计工程师带来更灵活的选型空间与系统可靠性。

　　在隔离栅极驱动器产品线中，川土微电子致力于为客户提供丰富的隔离栅极驱动器产品解决方案。以单通道隔离驱动为例：

　　电流输入型(光耦兼容)包括CA-IS3211X及新一代CA-IS3211CX系列，实现性能升级与平滑迭代;

　　电压输入型则涵盖CA-IS3212X、CA-IS3213X与CA-IS3214X三大系列，输出峰值电流覆盖4A至15A，适配不同功率等级系统，并提供多种封装与功能组合，长期工作隔离耐压等级从最低400VRMS覆盖到最高2000VRMS，充分满足客户多样化的应用需求和复杂的应用场景。

　　目前，这些产品已在工业自动化与电源能源等领域获得广泛应用，并历经充分的市场验证，性能稳定可靠。

　　未来，川土微电子将继续围绕客户实际应用，深度融合“隔离+驱动”技术优势，进一步拓展隔离栅极驱动器产品组合，坚持通用化与差异化并行，为客户创造更多价值。