<span style='color:red'>ROHM</span>开发出汽车内饰用RGB贴片LED,减少由混色引起的色差问题
  ROHM推出一款面向汽车内饰的RGB贴片LED*1“SMLVN6RGBFU”,非常适用于仪表盘和CID(Center Information Display)*2等车内功能和状态显示用的指示灯*3,以及脚灯和门把手灯等装饰照明应用。  有助于车内功能和状态显示用的指示灯和装饰照明实现目标颜色  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出一款面向汽车内饰的RGB贴片LED*1“SMLVN6RGBFU”,非常适用于仪表盘和CID(Center Information Display)*2等车内功能和状态显示用的指示灯*3,以及脚灯和门把手灯等装饰照明应用。  近年来,随着汽车电子化程度的提高和功能多样化的发展,车速自动控制、车距检测、车道线检测等各种驾驶辅助功能得以广泛应用。为了用仪表盘等的指示灯显示这些功能的工作状态,业内对于能够表现各种颜色的RGB贴片LED的需求日益高涨。另外,对使用RGB贴片LED来打造车内空间的舒适感和奢华感的内饰产品的需求也在不断增加。在这种背景下,ROHM利用自有的元件技术,通过精细地控制RGB元件的发光特性并提高混色性能,开发出色差更小的RGB贴片LED。  通常,要想使RGB贴片LED发出目标颜色的光,需要可以精准地控制其红、绿、蓝(RGB)发光元件的颜色和亮度的技术,以及能够提高混色性能的技术。ROHM利用其从元件制造阶段就能融入优势技术的一贯制生产体系,成功地抑制了元件的色差问题,实现了优于普通产品的色彩表现。另外,通过元件的混色控制技术,减少了RGB贴片LED混色时容易发生的色差,有助于实现汽车内饰等所需的目标颜色。此外,ROHM还利用与所需规格相匹配的色度仿真系统,提供精细配色支持。  新产品已于2023年2月开始暂以月产30万个的规模投入量产(样品价格:500日元/个,不含税)。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市),后期工序的生产基地为ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(中国)。另外,新产品已于2023年5月开始电商销售,从Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。  今后,ROHM将继续秉承“质量第一”的理念,开发适用于车用照明领域的先进产品,为打造安心舒适的车内环境贡献力量。  <色度仿真系统>  SMLVN6RGBFU为每个色度等级设置了调整系数,并提供更接近目标颜色的配色支持。通过同时提供RGB贴片LED新产品和高精度的色度仿真,可以实现更精细的配色效果。  <应用示例>  ◇用来显示功能和状态的指示灯:仪表盘、CID、导航、音响、加热器控制等  ◇装饰照明:脚灯、顶灯、门把手灯、杯架灯等  <电商销售信息>  开始销售时间:2023年5月起  电商平台:Ameya360  新产品在其他电商平台也将逐步发售。  ROHM开发出汽车内饰用RGB贴片LED,减少由混色引起的色差问题  <术语解说>  *1) RGB贴片LED  通过光的三原色——R(Red,红色)、G(Green,绿色)和 B(Blue ,蓝色)三种元件组合,可以产生各种颜色的LED。  *2) CID(Center Information Display)  位于汽车驾驶舱中控台部位的液晶显示器。近年来,CID的用途除了汽车导航系统和信息娱乐系统的显示之外,还发挥着空调等车载功能的操作单元的作用。  *3) 指示灯  为驾驶员显示车辆状态的装置。
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发布时间:2023-06-07 10:20 阅读量:2813 继续阅读>>
罗姆<span style='color:red'>ROHM</span>确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 ​
  全球知名半导体制造商罗姆ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。  近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。  在这种背景下,ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”,成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns,达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中,又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。  目前,ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作,计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN™系列”等GaN器件相结合,将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。  未来,ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心,追求应用的易用性,积极开发解决社会课题的产品。  日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示:“多年来,GaN作为能够实现节能的功率半导体材料一直备受期待,但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下,ROHM建立了高可靠性GaN器件的量产体系,并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的控制IC开发。这对于促进GaN器件的普及而言,可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能,就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面,日本有包括ROHM在内的很多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模块,需要整个国家通力合作,为实现无碳社会贡献力量。”  <背景>  在追求电源电路小型化时,需要通过高频开关来减小外围元器件的尺寸,而这就需要能够充分激发出GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。这次,为了实现包含外围元器件的解决方案,ROHM确立了非常适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术,该技术中还融入了ROHM引以为豪的模拟电源技术之一“Nano Pulse Control™”技术 。  <控制IC技术详情>  该技术采用了在ROHM的垂直统合型生产体制下融合了电路设计、工艺和布局三大模拟技术而实现的“Nano Pulse Control™”技术。通过采用自有的电路结构,将控制IC的最小控制脉宽由以往的9ns大幅提升至2ns,这使得以48V和24V应用为主的应用,仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作(从最高60V到0.6V)。该技术非常适合与GaN器件相结合,实现高频开关,从而助力外围元器件小型化,对采用了该技术的DC-DC控制器IC(开发中)和采用了EcoGaN™技术的电源电路进行比较时,后者的安装面积比采用普通产品时可减少86%。
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发布时间:2023-05-29 13:37 阅读量:2797 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
  全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。  据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次,为了助力各种电源系统的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。  新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc. (以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,达到了业界超高水平。因此,新产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,新产品还内置ESD*3保护器件,将抗静电能力提高至3.5kV,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此,新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。  ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并不断致力于进一步提高器件的性能。另外,除了元器件的开发,ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。  什么是EcoGaN™  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
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发布时间:2023-05-24 13:02 阅读量:2710 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开始量产具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT
  全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。  据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC(Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产;2023年3月,又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次,为了助力各种电源系统的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。  新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.(以下简称“台达电子”)的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.(以下简称“碇基半导体”)联合开发而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指数(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,达到了业界超高水平。因此,新产品可以大大降低开关损耗,从而能够进一步提高电源系统的效率。另外,新产品还内置ESD*3保护器件,将抗静电能力提高至3.5kV,这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此,新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作,从而有助于外围元器件的小型化。  新产品已于2023年4月起投入量产(样品价格 5,000日元/个,不含税),并已开始网售,通过Ameya360等电商平台可购买。  ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并不断致力于进一步提高器件的性能。另外,除了元器件的开发,ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。  <什么是EcoGaN™>  EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。      <应用示例>包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统
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发布时间:2023-05-18 16:22 阅读量:3005 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>罗姆:在打印机用激光二极管市场的优劣势分析
  打印机是我们工作和生活中常见的一类OA产品,根据不同的工作方式,主流的打印机可以分为:激光打印机、喷墨打印机和针式打印机。相比喷墨打印机和针式打印机,激光打印机具有分辨率高、打印速度快、坚固耐用等特点,因此被广泛地应用于银行、学校、政府机构、医疗机构、保险、大型企业等场景中。近年来,随着中国国内的激光打印机产品研发速度加快,不断孕育出新的市场需求,中国激光打印机的市场需求越来越大。  激光打印机示意图  激光二极管被称为打印机的光之“笔”  激光打印机脱胎于上世纪八十年代末的激光照排技术,流行于上世纪九十年代中期。激光打印机和复印机的工作原理基本相同,均采用了静电照相技术,即将待打印的内容转换为感光鼓上的以像素点为单位的位图图像,再通过静电成像将文件转印到纸上,具体工作流程可以总结为以下三个步骤:  1. 激光二极管(LD)发射光,通过多边形反射镜旋转,实现在感光鼓上的扫描。  2. 激光二极管光照射的部位被消除静电,因此调色剂不附着。  3. 通过加热器将调色剂定影在纸上,完成印刷。  从组成结构的角度来看,激光打印机的核心部件包括三部分:感光鼓、包含多边形反射镜的激光扫描光学系统以及激光器。其中,在激光打印机、复印机的光学系统中,激光二极管被称为光之“笔”。  激光扫描光学系统  罗姆在打印机用激光二极管市场的产品阵容与优势  罗姆在激光二极管市场拥有30年以上的实绩,自1984年开发出用于CD机的780nm激光二极管以来,不断开展激光业务,继而面向激光打印机和传感器扩充了产品阵容。如今,在激光打印机、复印机用激光二极管市场中,罗姆已成为重要的供应商之一。  罗姆在激光二极管市场拥有30年以上的业绩实绩  凭借长期积累的器件设计经验和技术,罗姆的激光二极管产品具有优异的脉冲响应等特性,非常易用,可提升激光打印机的打印清晰度、色彩自然度。目前,产品阵容涵盖650nm-670nm、780nm-800nm波段,功率在7mW-25mW区间的低速用单光束以及高速用双光束产品。  罗姆激光打印机用激光二极管产品线阵容  在上述产品阵容中,RLD78NZM5是单光束激光二极管的畅销型号,具备激光打印机高品质打印所要求的全部特性,10年来其作为低速激光打印机使用光源,拥有较高的供应量。此外,实现高品质打印需要非常稳定的脉冲响应特性,RLD78NZM5凭借罗姆独自开发的波导设计技术及高散热性封装,具有1ns以下的脉冲上升和下降时间(Tr,Tf),其脉冲波形也保持近似矩形的形状。除了脉冲响应特性外,罗姆拥有专用于激光打印机的器件设计技术,不仅用于单光束产品,也应用于双光束产品,助力实现高品质打印。  激光二极管光脉冲波形  此外,RLD2BPNG3是用于高速打印的双光束激光二极管代表型号。双光束激光二极管除了单光束要求的特性之外,还必须尽量减少各光束之间的特性偏差。由于两行同时显像,特性差别过大则会使打出的字或者颜色浓淡不均匀。比如,RLD2BPNG3的驱动电压偏差被控制在0.1V以下。罗姆凭借30多年来不断改进的晶体生长技术和化合物半导体工艺技术,实现了非常稳定的器件特性。  【小结】  基于以上产品特点,罗姆的激光打印机用激光二极管的市场先进地位得到持续性巩固。未来,罗姆将继续为中国的高品质激光打印机研究开发贡献力量。
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发布时间:2023-05-10 11:30 阅读量:3556 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”、“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。  ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外,Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC“BM60212FV-C”裸芯片,这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。此外,根据Apex Microtechnology委托外部机构进行的一项调查,与分立元器件组成的结构相比,使用裸芯片构建这些关键部件可减少67%的安装面积。  “  Greg Brennan, President, Apex Microtechnology表示:  “Apex Microtechnology主要以大功率、高精度模拟、混合信号*解决方案为业务组合,我们的模块还适用于医疗设备、航空航天和人造卫星等要求苛刻的应用。由于要为各种应用产品提供电力,所以我们的目标是设计出符合严格标准的产品,并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中,ROHM作为Apex Microtechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色,使得我们能够如期将产品交付给最终用户。未来,Apex Microtechnology将会继续开发模拟和混合信号创新型解决方案,助力解决各种社会课题。另外,我们也很期待与ROHM展开更深入的合作。”  ”  “  Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:  “APEX Microtechnology是一家为工业、测试和测量等众多应用领域提供大功率模拟模块的制造商,很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业,能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案,并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与APEX Microtechnology协力,通过更大程度地发挥ROHM在功率电子技术和模拟技术方面的潜力,为提高大功率应用的效率做出贡献。”  据悉,电源和电机占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和Apex Microtechnology在功率电子和模拟技术领域都拥有强大的优势,双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后,通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合,双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案,从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
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发布时间:2023-04-13 17:25 阅读量:2850 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载和工业设备中的大功率应用,开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外,ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到业界超小级别的“PSR330”和“PSR100”,还计划推出0.2mΩ的产品,以进一步增强“PSR系列”的产品阵容。  在工业设备的功率模块中,早已出现了内置分流电阻器的产品。近年来,在xEV的主驱逆变器中,为了减小外壳尺寸,在模块两侧配置散热机构的薄型功率模块逐渐增加,在其中内置分流电阻器的需求也日益高涨。然而,以往的金属板分流电阻器较厚,有可能会影响功率器件的散热效率。另外,要想降低分流电阻器的厚度,还需要对多种焊接材料进行测试和评估。对此,ROHM利用垂直统合型生产体系的优势,可小批量测试各种焊接材料。通过积极响应市场需求的灵活开发体系,成功开发出业界超薄的功率分流电阻器。  PSR350利用ROHM垂直统合型生产体系的优势,通过优化材料和制造工序,以12W级额定功率实现了约为以往产品一半高度的0.85mm超薄封装。越来越多的车载主驱逆变器等产品开始采用双面散热功率模块,而ROHM的新产品使其内置功率器件芯片(IGBT或SiC MOSFET)和功率分流电阻器成为可能,这将有助于主驱逆变器的小型化发展。  与PSR350一样,PSR330通过优化材料和制造工序,缩小了产品尺寸,预计将以15W额定功率实现同级产品中业界超小的6464尺寸(6.4mm×6.4mm),与同等额定功率的以往产品相比,尺寸缩小约65%,因此非常有助于减少各种大功率应用的安装面积。同时,ROHM计划将PSR100的下限电阻值由以往的0.3mΩ扩展至0.2mΩ,并推出相应的新产品,以支持更大电流检测应用。  新产品“PSR350”已经以月产100万个的规模投入量产(样品价格500日元/个,不含税)。另外,“PSR330”和“PSR100”的0.2mΩ产品计划于2023年11月开始提供样品。这些新产品的前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。  今后,ROHM将不断提高金属板分流电阻器的性能,继续为大功率应用的小型化和节能化贡献力量。  <关于PSR系列>  PSR系列是ROHM覆盖功率范围最高的金属板分流电阻器系列,在功率不断提高的车载设备和工业设备中的应用咨询与日俱增。通常,电阻器的额定功率和产品尺寸之间存在权衡关系,一般认为很难同时确保这两项值都满足需求。而ROHM的优势在于垂直统合型生产体系,可通过小批量试制来缩短开发周期。通过材料和制造工序的优化,以小尺寸实现了高额定功率,不仅如此,与同等额定功率的普通产品相比,新产品的电阻温度系数也显著降低,这将有助于应用产品的小型化和可靠性提升。  <应用示例>  新产品均支持大电流检测用途,非常适用于配备电机和锂离子电池的应用产品。  ·  车载:EPS、电动压缩机、主驱逆变器、OBC、DC-DC、BMS等  ·  工业设备:工业设备用功率模块、功率调节器、电动工具、光伏逆变器、服务器电源、UPS(不间断电源)、基站电源等  ·  消费电子设备:白色家电(空调、吸尘器、冰箱、洗衣机)等
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发布时间:2023-04-04 16:54 阅读量:3028 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1“PrestoMOS”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。  近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路,越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面,针对使用MOSFET时所产生的噪声,主要通过添加部件和改变电路图案等措施来处理,而这些措施需要花费相应的工时和成本,如何减少工时和成本已成为必须要攻克的课题。然而,通常情况下,由于降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何同时满足这两个参数的要求,也是必须要解决的课题。  在这种背景下,ROHM于2012年实现了具有业内超快反向恢复特性的Super Junction MOSFET PrestoMOS?的量产,并且,由于该系列产品可大大降低设备的功耗而受到市场的高度好评。在此基础上,此次ROHM又推出“R60xxRNx系列”3款新产品,新产品通过优化结构而同时实现了业内出色的低噪声特性和业内超快的反向恢复时间。  新产品不仅继承了PrestoMOS?的特点——超快反向恢复时间(trr*2)特性,同时还进一步降低了噪声。通过改进自有的Lifetime控制*3技术实现了40ns业内超快反向恢复时间,与普通产品相比,其开关损耗降低约30%,有助于进一步降低设备的功率损耗。另外,通过采用新开发的自有Super Junction结构,与普通产品相比,与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15dB(在ROHM测试条件下,比较40MHz时的表现)。新产品实现了业内优异的特性,有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。  新产品已于2022年12月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格500日元/个,不含税)。另外,新产品已于2023年3月开始网售,通过Ameya360,Sekorm等电商平台均可购买。  今后,ROHM将继续开发不同封装和低导通电阻产品,不断扩大高耐压MOSFET的产品阵容,通过助力各种设备降低功耗,来为解决环境保护等社会课题做出贡献。  <了解PrestoMOS>  Presto意为“非常快”,是源于意大利语的音乐术语。  PrestoMOS?是ROHM自有的功率MOSFET品牌,该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点,还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。  *PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  反向恢复时间与功率损耗的关系  <应用示例>  ◇冰箱  ◇换气扇  ◇风扇电机  还适用于配备小型电机的各种设备。
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发布时间:2023-03-31 14:13 阅读量:2465 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的数据中心电源模块
  ROHM罗姆开发的第3代SiC肖特基二极管(以下简称“SBD”)成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”,并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。  近年来,随着以AI(人工智能)和AR(增强现实)等技术为代表的IoT领域的发展,全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言,其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下,SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。  Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示:  “通过使用SiC功率器件,可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时,SiC功率器件还可以提高开关频率,因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门,我们此次之所以选择ROHM,除了ROHM产品的可靠性高以外,还在于ROHM的服务支持非常迅速,从试制阶段开始就能提供样品。此外,我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET,相关产品可以满足我们的性能要求。”  Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:  “能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持,我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业,在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案,并取得了骄人的业绩。今后,ROHM将继续与Murata Power Solutions携手,通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力,从而进一步提升电源系统的能效。”  关于Murata Power Solutions  Murata Power Solutions是一家设计、制造和销售DC-DC电源、AC-DC电源、磁性器件、数字式面板仪表、数据中心解决方案的企业。产品阵容涵盖标准品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的产品广泛应用于通信、计算机、工业控制设备、医疗保健、能源管理系统等全球主要市场领域的电子设备。  关于Murata Power Solutions的数据中心电源模块  Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列产品阵容中新增了高效率功率因数校正型前端电源模块“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等产品,可以实现多个电源模块并联工作。另外,“1U前端”系列还支持热插拔,具有过热、过电流、过电压等异常检测和保护功能。该系列产品不仅可以为服务器、工作站、存储系统等12V电源系统提供高可靠性、高效率的电源,而且产品还具有薄型尺寸(1U),有助于削减系统的安装面积。  关于ROHM的SiC功率器件  ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来,作为SiC功率元器件领域的领军企业,一直在推动先进产品的技术开发。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量(QC)小、损耗低且开关速度高的特点。而且,与第2代SBD相比,其抗浪涌电流能力更出色,VF值更低。  支持信息  ROHM在官网特设网页中,介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况,同时,还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持资料,欢迎浏览。
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发布时间:2023-03-16 10:39 阅读量:2847 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>罗姆小型低损耗肖特基势垒二极管“RBR/RBQ系列”的产品阵容进一步扩大
  RBR系列:低损耗且效率更高,用更小封装实现同等性能  ROHM的小型高效率肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)产品在车载设备、工业设备和消费电子设备等众多应用中拥有出色的应用实绩,此次,其产品阵容中又新增了12款“RBR系列”产品和12款“RBQ系列”产品。至此,这两个系列的产品阵容总计已达178款产品。另外,这两个系列中均有符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品。  随着各种应用产品对更低损耗的要求提高,与其他二极管相比,正向电压VF(以下简称“VF”)更低的低损耗SBD应用越来越广泛。然而,如果为了降低损耗而降低VF,则具有权衡关系的反向电流IR(以下简称“IR”)会变大,热失控的风险会增加,因此,在SBD选型过程中,很重要的一点是需要根据用途和目的对VF特性与IR特性进行平衡考量。  ROHM进一步增强了满足VF特性和IR特性平衡需求的SBD产品阵容,并致力于扩充支持更大电流、更高电压和小型化的产品阵容。此次扩充产品阵容的RBR系列具有IR得到抑制且VF更低的特点,有助于降低损耗。同样,RBQ系列通过平衡VF特性和IR特性,可降低热失控的风险。  下面介绍RBR系列的亮点。  RBR系列的亮点1  具有低VF特性,损耗更低  RBR系列不仅保持了与低VF特性存在权衡关系的低IR特性,与相同尺寸的ROHM以往产品相比,VF降低约25%,损耗更低,不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备,还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。  另外,与同等性能产品相比,RBR系列的芯片尺寸更小,使得ROHM小型封装的产品阵容得以进一步扩充。例如,以往3.5mm×1.6mm尺寸(PMDU封装)的产品,现在可以替换为RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸(PMDE封装)的产品,这样可以减少约42%的安装面积。  RBR系列的亮点2  新增的小型封装产品有助于进一步节省空间  在RBR系列中,此次新增了12款2.5mm×1.3mm的PMDE封装产品(消费电子设备和车载领域各6款)。至此,该系列已经拥有140款产品(耐压:30V/40V/60V,电流:1A~40A),丰富的产品阵容可以满足节省空间乃至降低损耗的需求。  应用示例  车载充电器  LED前照灯  汽车配件  笔记本电脑
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发布时间:2023-02-02 14:48 阅读量:2752 继续阅读>>

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