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思瑞浦TPT1463Q车载CAN收发器，以SIC技术与卓越EMC性能护航行车安全

　　在汽车智能化、电动化加速推进的当下，CAN总线作为整车电子系统的 “神经网络”，数据传输稳定性直接关乎行车安全。思瑞浦深耕车载芯片领域，全新推出汽车级CAN收发器 TPT1463Q，凭借出色抗干扰设计，通过IEC62228-3国际标准与德国大众VW80121-3标准规范认证，为全球车企提供高可靠、高性能解决方案。　　全流程国产化供应链自主可控　　为客户排忧解难　　TPT1463Q不仅性能对标国际一流水平，更实现全流程国产化：　　晶圆环节：采用国内成熟汽车级工艺平台，核心材料与制造流程本土供应，规避国际供应链波动影响;　　封装环节：采用国内头部企业汽车级封装方案，提供SOP14与DFN14两种封装形式，DFN14封装支持AOI检测，兼顾小型化与生产可靠性;　　测试环节：全项测试由国内具备汽车电子认证资质的实验室完成，保障性能符合车载标准，缩短研发与量产周期。　　全流程国产化既保障供应链稳定安全，又能通过本土产业链协同降本，为国内车企提供高性价比自主可控方案。　　全项通过IEC+VW双标准　　为车企提供新选择　　随着汽车智能化、电动化升级，整车电子模块数量激增，电磁环境愈发复杂，对核心器件的EMC性能要求更为严苛。思瑞浦TPT1463Q凭借卓越的芯片设计，不仅通过了IEC62228-3各项标准规范，更通过了大众集团VW80121-3，2023-12对CAN FD-SIC标准要求，实现无特殊条件备注下全测试向量通过Class-3最高等级。涵盖四大核心测试维度，全面覆盖车载场景电磁干扰风险，在抗干扰功率、瞬态防护等关键指标上设置更高阈值，充分验证芯片在复杂车载环境中的稳定性。　　VW 80121-3, ed. 06-2022　　IEC 62228-3　　具体测试表现如下表：　　TPT1463Q IBEE/FTZ-Zwickau 认证测试结果　　EMC性能再提升　　为客户降本增效　　TTPT1463Q的优异EMC性能源于针对车载复杂干扰场景的创新硬件设计。其内置总线对称性调节电路，优化总线输出信号对称性以削弱电磁辐射，无额外屏蔽措施时仍可能满足整车EMC要求，帮助客户简化设计、减少PCB板面积占用、降低系统成本。　　TPT1463Q CE测试结果　　高抗扰电路设计：　　TPT1463Q内置 “差分信号增强单元”，兼顾高速通信和高抗扰性能，在2Mbps/5Mbps高速通信场景下，无需依赖行业常规的共模电感即可实现高抗扰性能，在BCI大电流注入测试中，无共模电感情况下在0.1-400MHz全频率范围干扰功率最高200mA，仍能稳定通信，这一性能既保障强干扰环境下高速传输稳定，又节省外围器件成本与PCB空间，降低故障风险，提升系统可靠性。　　TPT1463Q DPI测试结果　　TPT1463Q在5Mbps速率下DPI测试结果>Class3　　(无总线共模电感)　　IOPT测试通过　　为整车总线互联互通保驾护航　　TPT1463Q通过C&S互联互通一致性与兼容性测试(IOPT 测试)，在2M/5Mbps不同速率下的复杂组网异构场景中，展现出与国际竞品的良好通信能力，具备与整车CAN总线上下游设备的无缝对接能力，可与其他C&S认证CAN收发器无障碍通信，无需车企投入大量资源进行整车兼容性测试，缩短车型研发周期。　　TPT1463Q C&S认证测试结果　　此外，C&S参考CiA 601-4专项测试规范，搭建特定振铃网络模拟复杂车载信号干扰场景，重点考察接收端表现。TPT1463Q依托出色的SIC振铃抑制电路设计，有效抑制信号振铃，保障干扰环境下数据可靠通信，充分验证了其在复杂车载通信场景的稳定性与兼容性。　　SIC振铃网络　　TPT1463Q振铃抑制表现　　TPT1463Q功能优势　　为客户提供更优方案　　TPT1463Q的CAN SIC功能通过精准电路设计构建完整振铃抑制机制。当总线电平从显性转隐性出现振铃时，内置电路实时捕捉电平边沿变化，快速激活抑制模块，动态调整总线电平以维持信号完整性，大幅降低误码率，确保CAN FD在复杂拓扑环境中高速可靠通信。　　无SIC功能表现　　有SIC功能表现CAN SIC功能的价值在于解决CAN FD协议在复杂星型拓扑、高传输速率场景下的信号振铃问题;在复杂组网条件下为车载提供高效可靠的通信网络。　　TPT1463Q产品优势：　　通信速率突破上限：实测速率高达10Mbps，远超CAN FD标准的5Mbps，满足ISO11898标准对8Mbps的要求，传输延迟更低，适配智驾、座舱等高数据量传输场景。　　多模式切换、控耗适配新能源：支持Normal、Standby、Listen-only、Sleep四种工作模式，休眠模式通过INH控制实现超低功耗，可通过总线远程唤醒或KL15信号本地唤醒，匹配新能源汽车低功耗需求;　　误码率显著降低：强效抑制信号振铃，强电磁干扰环境下仍能精准传输数据，保障车辆控制系统稳定运行。　　组网灵更灵活：打破传统CAN FD适用局限，多节点复杂星型组网下仍保持高质量总线电平波形，拓扑设计更灵活。　　宽压供电降设计复杂度：VIO采用1.7~5.5V宽压供电，直接兼容车载MCU、传感器等不同电子模块，无需额外电压转换电路，简化系统设计。

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思瑞浦

发布时间：2026-01-12 13:02 阅读量：276 继续阅读>>

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极海 & Vector | Vector MICROSAR Classic OS成功适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器

　　近日，国际著名汽车软件系统服务商Vector基于AUTOSAR标准的软件开发平台MICROSAR Classic OS已成功适配极海量产的G32A14xx系列汽车通用微控制器，全面支持深度定制和移植，助力智能汽车电控供应商稳定、高效、符合行业标准地实现系统开发。　　Vector MICROSAR Classic OS支持适配极海G32A14xx系列汽车通用微控制器意味着：　　降低开发门槛与风险：通过MICROSAR工具链进行配置，大幅缩短开发周期;　　确保符合AUTOSAR标准：适配保证应用软件可以与硬件解耦，提高可复用性和可移植性;　　满足功能安全要求：符合ISO 26262功能安全标准，助力客户构建满足ASIL-B/D要求的系统;　　提供长期支持与维护：提供长期技术支持、bug修复和更新，这对于汽车产品长达10-15年的生命周期至关重要。　　极海G32A14xx系列汽车通用微控制器基于Arm® Cortex®-M4F内核设计，相继通过了AEC-Q100 Grade1车规可靠性认证和ISO 26262 ASIL-B功能安全产品认证，并先后与50+Tier1厂商完成模组开发和测试，实现了规模量产。该系列产品可移植性强，且在产品定义、迭代升级和应用验证方面充分协同，目前已成功应用于BCM、BMU、充电桩、座椅控制器、T-box、OBC车载充电机、HVAC暖通空调系统等汽车细分应用。　　极海自主研发的G32A14xx AUTOSAR MCAL软件包，主要包括AUTOSAR 定义的标准模块和CDD拓展的非标准模块，均严格遵守AUTOSAR CP V4.3.1 MCAL SWS、SRS规范以及BSW General要求进行开发设计。所交付的软件均通过业界主流第三方工具平台的单元测试、集成测试、静态代码分析、动态代码配置功能验证，在代码质量和规范上皆具有较高的保障和交付标准;提供的示例代码，在软件安全性、集成性、可移植性、便捷性等方面均可满足国内外客户需求。

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极海

发布时间：2025-12-29 14:43 阅读量：368 继续阅读>>

蝉联<span style='color:red'>SiC</span>和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣

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蝉联SiC和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣

　　12月4日，2025行家说第三代半导体年会“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举行。行家极光奖被誉为产业“金标杆”，华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”与“中国GaN器件十强企业(润新微)”称号，蝉联“双十强”荣誉彰显了行业对华润微在第三代半导体领域技术实力与市场地位的高度认可。　　华润微依托IDM商业模式优势，在第三代半导体领域深耕多年，产品技术规模国内领先，SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长。　　华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”　　在SiC领域，公司最新SiC MOS G4与JBS G3平台已全部量产，基于MOS G4平台开发了650V/1200V两大电压共数十颗产品，陆续通过AEC-Q101认证;相较于G2代产品，G4代产品RSP下降20%，Ron温升系数也优化下降，功率密度和转换效率显著提升。器件支持QDPAK、TOLT、MSOP等顶部散热封装，适用于OBC、AI服务器电源等高功率密度场景。模块方面，基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封装的主驱模块产品完成系列化，最低导通电阻仅1.6mΩ，系统损耗再降一档，目前部分产品已实现批量上车。　　技术布局上，8英寸SiC MOS于2025年8月顺利产出，参数、良率均达预期，已经开始产品系列化工作。2200V高压平台完成验证并启动系列化，公司实现650V-2200V全电压段一站式覆盖，自有晶圆产线掌握核心工艺，良率与质量管控满足高端车规，新能源汽车、充电桩、光伏、数据中心等标杆客户均已稳定批量提货。　　华润微电子再度荣膺“中国GaN器件十强企业(润新微)”　　在GaN领域，华润微在技术迭代、产能建设与客户合作等多个维度取得关键突破。针对不同电压等级GaN器件，公司采取双轨技术路线：在650V及以上高压器件领域，公司首先采用D-mode技术路线并依托6英寸晶圆产线实现规模化量产。其中，600V-900V产品已完成G3迭代,且进入了量产阶段,G4平台的大功率工控类产品已成功通过客户验证，并完成DFN、TOLL、TOLT、TO-252、TO-247、TO-220等多类封装规格的拓展适配，G5平台已启动研发。　　在40V-650V器件领域，公司同步采用E-mode技术路线，并依托8英寸晶圆产线进行生产。G1平台的工艺开发已经完成，其中40V双向充电OVP保护器件已通过可靠性验证，进入小批量试产阶段并进入国内头部手机用户供应商序列;40V单向、80V、100V、650V等不同规格的器件研发持续推进。此外，华润微已在GaN E-mode外延结构及器件领域完成多项自有专利布局，为后续角逐高端市场竞争构筑起坚实的技术壁垒。　　产能建设方面，公司外延中心正式投用，产能稳步提升;8英寸E-mode外延能力打通，计划于年底启动研发。 D-mode和E-mode成熟工艺平台加速迭代，产品供应持续扩大;新建平台开发工作持续稳步推进，预计在较短时间内会形成产品交付能力。华润微GaN产品具有高效率、低能耗、高频率、小体积等优点，可广泛应用于手机快充、数据中心电源、5G通信电源、高端电源、伺服电机、车载信息娱乐系统及汽车、人工智能计算芯片供电、人形机器人、激光雷达等应用领域。　　在全球数字化与智能化浪潮中，以SiC和GaN为代表的第三代半导体正迎来前所未有的市场机遇期。未来，华润微电子将坚持技术引领，坚定全产业链布局，加速SiC和GaN产品迭代与产能释放，以更高效、更可靠的半导体解决方案，助力客户实现价值突破，携手产业链伙伴共同推动第三代半导体产业的创新升级与可持续发展。

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华润微

发布时间：2025-12-09 14:28 阅读量：509 继续阅读>>

上海永铭丨第三代半导体落地关键：如何为GaN/<span style='color:red'>SiC</span>系统匹配高性能电容解决方案

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上海永铭丨第三代半导体落地关键：如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

　　引言：氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。　　当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统能否稳定落地的关键瓶颈。　　永铭电子(Ymin)，作为高性能电容器解决方案专家，深度理解第三代半导体应用对被动元件的苛刻需求，致力于与芯片方案商协同，共同攻克从“器件突破”到“系统可靠”的最后一公里。　　一、协同价值：为何GaN/SiC系统对电容提出更高要求?　　第三代半导体器件的高频开关特性(可达MHz级)、高温工作能力(结温>150℃)与高压耐受性，在提升系统效率与功率密度的同时，也对供电网络中的电容提出了更严苛的性能指标：　　高频场景挑战　　GaN/SiC电源拓扑的高开关频率带来更高频的电流纹波与噪声，要求电容具备超低ESR/ESL，有效抑制高频开关噪声，避免开关损耗增加与电磁干扰(EMI)超标。在通信基站电源、机器人控制器等应用中，高频噪声抑制能力直接决定系统稳定性。　　高温高压场景挑战　　新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器等应用环境恶劣，电容必须在高温、高纹波电流下保持长寿命可靠性，避免因容值衰减或失效导致系统故障。车载充电机(OBC) 与充电桩模块更要求电容在高温下仍保持稳定性能。　　高功率密度场景挑战　　工业电源、服务器电源等追求小型化与高效化，电容需在有限体积内实现更高容值、更高耐压与更低损耗，支撑系统整体功率密度提升。变频器系统与数据中心供电设计尤其面临空间布局受限与散热设计挑战。　　二、永铭电容解决方案：为GaN/SiC系统构建高可靠供电基座　　永铭电子基于多年技术积累，构建了全面的电容产品矩阵，为不同GaN/SiC应用场景提供精准匹配：　　1. 铝电解电容系列：覆盖全功率等级需求　　· 引线型/贴片型铝电解电容：适用于紧凑型电源模块，兼顾性能与空间效率，解决系统效率降低问题　　· 牛角型铝电解电容：专为高功率密度工业电源、光伏储能设计，具备优异散热性能，应对高温容值衰减挑战　　· 螺栓型铝电解电容：针对风电变流器、工业电机驱动等超大功率应用，保障长寿命可靠性　　2. 高分子电容系列：迎接高频化挑战　　· 高分子固态铝电解电容：极低ESR，适用于高频DC-DC转换器，有效解决高频开关噪声与EMI超标问题　　· 高分子混合动力铝电解电容：兼顾高容值与高频特性，为GaN/SiC电源拓扑提供优化解决方案　　· 叠层高分子固态铝电解电容器：超低ESL设计，完美匹配MHz级开关频率，提升系统效率优化　　3. 特殊应用电容系列：应对极端工况　　· 导电高分子钽电解电容：高可靠性选择，适用于航空航天等高要求场景　　· 薄膜电容：高dv/dt承受能力，适合谐振转换拓扑，应对高功率密度设计需求　　· 超级电容：提供瞬时大功率支撑，保障AI服务器电源等场景的关键数据安全　　· 多层陶瓷片式电容：超小尺寸，满足芯片级滤波需求，解决空间布局受限难题　　三、共赢未来：从“器件选型”到“系统协同”的深度合作　　永铭技术团队愿与芯片及方案商携手，在第三代半导体落地过程中实现：　　早期系统共建　　在GaN/SiC电源架构设计阶段，永铭电子提供电容选型仿真与拓扑适配建议，助力新能源汽车电驱系统与光伏储能逆变器的高频噪声抑制设计。　　可靠性协同验证　　联合开展高温、高湿、高纹波等极限工况测试，确保电容与器件寿命匹配，为车载充电机(OBC) 与工业伺服电源提供长寿命可靠性保障。　　参考方案共推　　打造“GaN/SiC+永铭电容”的优化供电方案，提升数据中心供电与通信基站电源的系统竞争力与市场接受度。　　四、即刻携手，共筑第三代半导体落地之路　　永铭电子拥有业内最完整的电容产品线，从传统铝电解到先进高分子电容，从引线封装到表贴封装，从常规应用到极端环境，我们能为您的GaN/SiC系统提供最合适的电容解决方案。　　在光伏储能逆变器的高温环境中，在AI服务器电源的高频挑战下，在新能源汽车电驱系统的功率密度要求前——永铭电容始终是您可靠的能量伙伴。　　让我们以电容之稳，成就第三代半导体之进。

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永铭

发布时间：2025-12-04 14:34 阅读量：450 继续阅读>>

村田电子：采用<span style='color:red'>SiC</span>的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？

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村田电子：采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？

　　碳化硅(SiC)半导体器件正逐渐替代硅IGBT，成为电动汽车(xEV)中功率电子技术中的关键器件。特别是在主逆变器中使用SiC功率半导体，能够提升电动汽车的续航能力，降低电池成本，并将主逆变器的体积减小一半，大大提高车辆布局设计的灵活性。　　然而，SiC功率管是基于高速开关的技术，所需的结温也不断提高，一些SiC模块的额定运行温度可以超过200°C，这对SiC的内置或周边元件提出了高温要求。特别是功率模块内置的热敏电阻，要实现更精确的高温检测，需要耐高温，且更靠近功率器件。而传统热敏电阻应用中，热敏电阻与半导体之间的焊盘是分开的，远离半导体器件影响温度检测的精度。　　应对上述技术挑战，村田制作所开发并成功商品化了“FTI系列”的功率半导体用NTC热敏电阻。该产品采用树脂模塑结构、且支持引线键合，可用细金属线连接半导体芯片和电极，从而将该产品设置在功率半导体附近，准确测量温度，并减少贴装面积，提高设计灵活性并降低系统成本。　　FTI系列工作温度确保范围为-55°C至175°C，适合用于产生大量热量的汽车动力总成用途——比如汽车逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。村田近期发布的产品选型指南《xEV功率电子解决方案》中，详细介绍了“FTI系列”的特性、参数、以及未来的新品规划。　　该技术指南的内容还包括村田Y电容器、吸收电容器在xEV的功率电子中的解决方案以及应用案例。

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发布时间：2025-11-05 13:22 阅读量：515 继续阅读>>

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：585 继续阅读>>

华润微电子第四代<span style='color:red'>SiC</span> MOS主驱模块批量上车

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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。

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发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：779 继续阅读>>

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思瑞浦推出TPT1169xQ 全面升级CAN SIC，支持8Mbps高速通讯

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出集成Watchdog、LDO和CAN SIC收发器的汽车级SBC系统基础芯片TPT1169xQ产品系列。该系列产品具有超低功耗、更强EMC性能, 支持CAN SIC (Signal Improvement Capability) 和局部网络唤醒(Partial Networking)功能，以及多重诊断和保护等特点，可广泛应用于车身电子、车载照明系统、HVAC系统、智能辅助驾驶系统等多种汽车电子应用中。　　TPT1169xQ产品系列符合ISO 11898-2:2024规范要求, 支持CAN SIC ((Signal Improvement Capability))8Mbps通信速率，IEC61000-4-2，接触放电ESD能力达到±8kV，确保了其在汽车网络中的卓越性能和可靠性, 同时该产品也顺应市场需求, 实现了100%全面国产化供应链, 为全国产化产品矩阵再添一员。　　目前TPT1169xQ是国内首款采用全国产供应链且通过多家车厂和Tier1认证并量产的CAN SIC SBC。　　思瑞浦100%全国产化供应链车载接口全系列产品矩阵，全面助力汽车设计国产化率提升, 保证供应链安全。　　01产品优势　　LDO稳压器　　LDO V1 输出5V/3.3V，最大输出电流250mA，精度±2%，可以通过外部PNP晶体管进行电流扩展，提高输出电流能力，给系统的MCU或其他负载供电。　　LDO V2/VEXT输出5V，最大输出电流150mA，精度±2%，给CAN收发器和其他在板负载供电;VEXT提供对电池、接地的短路保护。　　控制和诊断　　支持16位、24位和32位SPI，用于配置、控制和诊断，灵活应对不同应用场景。　　支持本地唤醒、远程唤醒和选择性唤醒，以及唤醒源识别功能，降低功耗且快速响应系统需求。　　集成可配置的超时和窗口看门狗(8ms~4096ms)，提供故障安全和监控功能。　　LDO支持过压和欠压保护，短路保护，过温报警和关机保护等。　　专用LIMP输出管脚指示系统故障。　　通过非易失性存储器(Multiple Time Programmable, MTP)进行不同的上电和跛行功能等配置，满足各种应用不同配置的需求。　　恢复出厂预设值，系统复位进入强制正常模式。　　遵循功能安全开发流程，在设计中加入功能安全机制，如电源故障检测，窗口看门狗以及复位，LIMP故障输出(跛行模式输出)，可以提供功能安全相关的文档，包括功能安全手册、FMEDA、FIT等文档，可以支持诊断覆盖范围、失效模式分布、故障率计算等功能安全评估，帮助系统通过ISO26262 ASIL-B认证。　　支持CAN SIC振铃抑制功能　　总线振铃一般是CAN总线的通信过程中，由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因，使得信号在传输线上多次反射，进而产生的一种振荡现象。振铃现象可能会对CAN总线的通信质量产生负面影响，甚至有可能导致通信失败。TPT1169xQ产品系列采用自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率 (如下图)。TPT1169xQ具有优异的CAN信号改善功能，可以提高通讯速率、大幅抑制网络中的信号振铃效应，减少通讯误码率，从而提高整车网络通信速率和组网方式的灵活性。如下图所示，传统的CAN FD只适用于简单的总线架构的组网方式，在复杂的星型架构上，总线波形振铃现象和通讯误码率会大幅增加。　　通过德国C&S实验室CAN SIC互操作性测试　　C&S是德国Communication & System Group实验室的简称。C&S实验室成立于1995年，拥有超过25年的车用网络通信开发和测试经验，是业界公认的测试通信接口互联互通、一致性和兼容性的权威认证机构，与全球领先的各大知名车企均有合作，C&S出具的认证报告也获得行业的一致认可。　　通过C&S兼容性测试，意味着CAN收发器具备与整车CAN总线的上下游设备互联互通的能力，可直接和其他通过C&S认证的CAN收发器无障碍通信，无需再对整车进行繁琐的兼容性测试。　　EMC优化　　实际应用中，CAN收发器芯片在传输信号的过程中遇到汽车环境中的多种电磁干扰源，如何有效忍受外部电磁干扰，确保信号正确传输，从而增强系统的稳定性是所有车规级芯片面临的问题。系统级BCI (Bulk Current Injection，大电流注入), 可以用来评估芯片抗干扰能力。TPT1169xQ产品系列可以在总线没有共模电感滤波的情况下，2Mbps通信可以满足多数系统级BCI 106dBuA (200 mA)的测试要求。在降低系统复杂度与BOM成本的同时，提升系统的可靠性。　　02产品特性　　•CAN收发器：符合ISO 11898-2:2024 和SAE J2284-1到SAE J2284-5 标准，以及CiA601-4物理层标准　　•支持标准CAN和CAN FD SIC，数据传输速率高达8Mbps，提升信号质量的同时满足高速通信需求　　•低功耗：支持超低功耗睡眠模式，同时支持本地唤醒 (WAKE脚和唤醒源识别) 和局部网络唤醒(Partial Networking, PN)，降低系统功耗，提升能效　　•内置两路LDO：5V/3.3V 主LDO，输出电流250mA;5V 辅LDO，输出电流150mA　　•串行外设接口：通过16-, 24-或32-bit串行外设接口 (Serial Peripheral Interface, SPI) 进行模式控制　　•看门狗：支持Window窗口模式、Timeout超时模式和Autonomous自主模式　　•总线故障保护：±45 V　　•总线引脚保护：±8kV IEC61000-4-2接触放电　　•封装：DFN3.5X5.5-20L，芯片封装工艺有利于AOI自动光学检测　　•AEC-Q100 Grade 1标准　　03典型应用　　TPT1169xQ产品系列集成高速CAN收发器和两路LDO，还具有看门狗、SPI接口和LIMP输出，同时包括监控和诊断等功能，以“高集成+高可靠”为核心，为汽车电子提供从通信、供电到安全监测的一站式解决方案。

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思瑞浦

发布时间：2025-09-30 14:20 阅读量：714 继续阅读>>

罗姆与英飞凌携手推进 <span style='color:red'>SiC</span> 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

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罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。

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罗姆

发布时间：2025-09-26 09:43 阅读量：615 继续阅读>>

茂睿芯推出国内首款直驱<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S

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茂睿芯推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S

　　一、前言　　碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体，SiC MOSFET因其高耐压、高频开关、耐高温、低通态电阻、低开关损耗和内阻随温度漂移小等特点，已广泛应用于高频、高压功率系统，如新能源汽车与充电桩、光伏与储能、航天、航空、通信等领域。目前，碳化硅(SiC)已经得到大批量验证，其可靠性远优于传统硅(Si)器件。在传统工业级电源中，面对高母线电压下功率器件耐压不足的问题往往需要双管反激拓扑来解决，从而导致成本升高。市面上的方案通常为固定频率、无谷底导通，随着母线电压越高开关损耗越大，即使使用了SiC方案，通常也需要额外的SiC专用驱动芯片，还需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中集成。在消费领域中，随着碳化硅产能的扩张和良率提升，成本正在快速下降，SiC功率器件也已经逐步渗透到消费级产品中，尤其是PD快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景。随着第三代半导体发展，国内已有直驱GaN方案，但面向消费级市场直驱SiC的专用PWM控制器，国内仍处于空白，针对上述这些问题，茂睿芯推出了国内首款小6 pin直驱SiC MOSFET的flyback AC/DC产品-MK2606S。　　二、MK2606S引脚图　　三、MK2606S典型应用场景　　四、MK2606S关键产品特征　　支持16~30V宽VCC供电　　驱动电压16V，可以直驱SiC MOSFET　　支持135kHz开关频率　　专有的软起机方案，在开机时可以降低次级同步整流尖峰　　抖频功能，优化系统EMI　　恒功率、Line OVP功能可开放　　SOT23-6封装　　MK2606S一图了解　　五、MK2606S直驱SiC方案在工业辅源上的优势　　1、工业辅源现阶段应用痛点　　由于母线电压高，1200V耐压的Si MOSFET难以选择，且价格高，通常需采用双管反激配800V Si MOSFET，方案略复杂;　　现有工业辅源方案通常为固定开关频率，各负载段效率难以优化;　　目前搭配的为诸如Nxx1351, Uxx28x45, Uxx2844, 都没有QR模式，开通损耗大，尤其母线电压越高时，开通损耗越大;　　为SiC辅源优化的PWM少;　　即使采用SiC MOSFET，仍需要额外加SiC驱动器和供电电路，还需要考虑上电时序等诸多问题;　　2、MK2606S 应用优势　　MK2606S可以直驱SiC，省去驱动器和供电电路，其SiC耐压做得更高，选型更容易，同时采用QR模式，降低了开关损耗等等。　　六、MK2606S直驱SiC方案在适配器上的优势　　1、MK2606S直驱SiC方案大内阻可替小内阻Si方案　　众所周知，碳化硅(SiC)的内阻随温度变化小，由下图可见，对比常温25℃和高温100℃的SiC和Si内阻曲线，Si的Rdson上涨了1.6倍，而SiC Rdson无明显上涨。　　注：通过采用48W 12V/4A适配器评估，工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　上表可见，在输入90Vac满载12V/4A老化30min，虽采用了MK2606S+大内阻的SiC方案，但效率比小内阻的Si方案仍要优秀，高出0.1%。　　2、MK2606S 直驱SiC方案比Si方案温度更低　　工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　实验可见，在效率相差很小的前提下，MK2606S +SiC方案比传统PWM +Si方案MOS表面温度低11.8℃，这也是得益于SiC比传统Si具有更优异的导热率。　　SiC的热导率尤为突出，比Si和GaN都要好，所以在效率相当的条件下，SiC的温度要低于Si，这一特性在实际的产品应用中，能大大降低散热材料带来的额外成本上升，譬如在适配器产品中甚至可以去掉散热器，进一步提高产线生产效率和降低人工组装成本。　　MK2606S+大内阻SiC方案可替小内阻Si方案，且效率更高、导热更好、温度更低!　　七、MK2606系列选型表　　八、结语　　茂睿芯作为国内一站式解决方案的集成电路厂商，始终走在行业前沿。早在氮化镓(GaN)技术兴起之初，茂睿芯便率先推出直驱式GaN控制芯片，并针对PD快充市场优化推出多功能集成芯片MK2697G，该产品至今仍是广受市场欢迎的主流方案之一。当前，随着碳化硅(SiC)技术广泛应用，茂睿芯再次把握产业趋势，推出面向工业与消费类电子领域的直驱SiC专用PWM控制器MK2606S。

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茂睿芯

发布时间：2025-09-22 15:24 阅读量：687 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
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