顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET
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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。
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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：361 继续阅读>>
森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V <span style='color:red'>SiC</span> MOSFET，开启多芯合封新纪元
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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元

　　颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准　　在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科(SGKS)凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封(Co-Packaging)应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块(SiP)合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。　　全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势　　KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。　　• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸(Die Size)仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。　　• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。　　创新0伏关断，简化驱动设计　　在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断(0V Turn-off) 解决方案。　　• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。　　• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。　　卓越性能，源于SiC本色　　作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。　　• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻(RDS(on))。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。　　• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷(Qrr)的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。　　广泛应用，驱动未来科技　　凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。　　• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。　　• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。　　• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。　　结语　　森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。
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发布时间：2026-07-01 09:51 阅读量：422 继续阅读>>
森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET K3M1K200-R
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森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R

　　在新能源产业蓬勃发展的今天，功率半导体器件正朝着更高电压、更高效率、更高可靠性的方向不断演进。森国科(SGKS)作为宽禁带半导体领域的先行者，正式推出全新高压SiC MOSFET—K3M1K200-R。这款产品以2200V的超高阻断电压和1Ω的低导通电阻为核心亮点，专为严苛的工业级高压应用而生，旨在重新定义高压功率转换的效率与可靠性边界。　　卓越性能，源自芯内核　　K3M1K200-R是森国科在高压SiC技术领域深厚积累的结晶，其性能规格在同类产品中展现出显著优势。　　· 2200V超高压平台：　　K3M1K200-R的额定电压高达2200V，为系统设计提供了充足的安全裕量。这一特性使其能够从容应对工业电网波动、感性负载关断等场景下的电压尖峰，确保系统在极端工况下的稳定运行，有效降低了对复杂缓冲电路的依赖。　　· 0.8Ω低导通电阻：　　在实现2200V超高耐压的同时，其典型导通电阻(RDS(on))低至0.8Ω。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更小的温升，直接提升了系统的整体效率和功率密度，尤其适合需要长时间满载运行的工业设备。　　· 增强型N型沟道设计：　　作为一款增强型(Normally-Off)器件，在栅极无驱动信号时处于关断状态，符合工业应用对“失效安全”(Fail-Safe)的严苛要求，极大地简化了驱动电路的设计，提升了系统的本质安全性。　　· 优异的开关特性：　　器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，能够支持高频化应用。其内部集成的体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和快恢复特性，有效降低了开关过程中的能量损耗和电压震荡，使系统运行更加平稳、安静。　　先进封装，可靠耐用　　K3M1K200-R采用经典的TO-247封装，这是工业界广泛认可和验证的成熟封装形式，具备以下核心优势。　　· 高可靠性与通用性：　　TO-247封装具有坚固的内部结构和成熟的制造工艺，确保了器件在长期运行中的高可靠性。其引脚定义和外形尺寸符合行业标准，便于客户进行产品替换和产线升级，降低了导入风险。　　· 成熟的散热方案：　　该封装形式与市面上主流的绝缘垫片、散热器和安装方式完美兼容，客户可以沿用现有的成熟散热方案，无需进行额外的结构开发，缩短了产品从设计到量产的周期。　　· 优化的热阻表现：　　K3M1K200-R的结壳热阻(RthJC)低至3.8℃/W，确保了芯片产生的热量能够高效地传导至外部散热器，有效控制了器件的工作温度，延长了使用寿命。　　市场应用，精准定位　　凭借其独特的性能组合，K3M1K200-R精准锁定了一系列对电压和可靠性有极致要求的高压应用场景。　　· 高压开关电源：　　在通信基站、数据中心服务器等领域的高压输入开关电源中，K3M1K200-R的高耐压特性能够轻松应对整流后的高压母线，其低损耗优势则有助于提升电源的转换效率，满足日益严苛的能效标准。　　· 电容与感性负载驱动：　　在驱动高压电容负载或大功率感性负载(如大型电磁阀、高压电机)的应用中，器件需要承受巨大的瞬态电压冲击。K3M1K200-R的2200V额定电压和坚固的芯片设计，使其成为处理这类“硬开关”工况的理想选择。　　· 辅助电源系统：　　在风电变流器、光伏逆变器等大型电力电子设备中，通常需要独立的辅助电源来为控制电路供电。K3M1K200-R可以作为辅助电源的核心开关器件，直接从高压母线上取电，其高可靠性和宽电压适应能力确保了主设备控制系统的稳定运行。　　· 工业电机驱动：　　在中高压工业变频器领域，K3M1K200-R可用于制动单元或有源前端(AFE)电路，其高频开关能力有助于减小滤波元件的体积，提升整个驱动系统的功率密度。　　K3M1K200-R　　结语　　森国科K3M1K200-R高压SiC MOSFET的推出，不仅是森国科在高压功率器件领域技术实力的有力证明，更是对工业与能源市场迫切需求的精准回应。我们致力于通过不断创新的SiC技术，为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的功率解决方案。K3M1K200-R现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，共同探索高压功率转换的无限可能。
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发布时间：2026-06-30 10:29 阅读量：371 继续阅读>>
森国科推出TOLT封装<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET，引领高效能功率器件新纪元
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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。
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发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：359 继续阅读>>
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的<span style='color:red'>SiC</span>功率技术发展~
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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
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发布时间：2026-06-03 10:41 阅读量：839 继续阅读>>
罗姆的<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：720 继续阅读>>
ROHM开发出第5代<span style='color:red'>SiC</span> MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：798 继续阅读>>
ROHM发布搭载新型<span style='color:red'>SiC</span>模块的三相逆变器参考设计！
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ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计！

　　2026年3月5日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。　　在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。　　目前已有三种可与本参考设计配套使用的SiC模块在电商平台上销售，可通过Ameya360平台进行购买。　　关于参考设计　　※本参考设计旨在供用户利用已公开的设计数据进行开发。如需获取参考设计板或评估套件，请联系AMEYA360客服垂询。(※数量有限)　　关于SiC模块的网售　　可通过登录罗姆官网查看下述新闻稿，或点击下面链接查看电商平台正在销售的SiC模块详细信息：　　新闻稿：ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售　　仿真支持　　为了加快产品的评估和应用，ROHM还提供各种支持资源，通过包括仿真和热设计在内的丰富解决方案，为用户的产品选型提供支持。　　用户可从各参考设计页面下载与评估板相关的各种设计数据，并可从各产品页面下载可与参考设计配套使用的SiC模块产品信息。　　另外，利用ROHM官网提供的仿真工具ROHM Solution Simulator，从元器件选型阶段即可进行系统级验证。　　■HSDIP20：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68005　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_hsdip20　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_hsdip_ltspice.zip　　■DOT-247：　　参考设计：https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68006　　ROHM Solution Simulator：　　https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_dot-247　　LTspice®电路模型：https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_dot247_ltspice.zip　　■TRCDRIVE pack™：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68004　　其他参考设计　　除本新闻稿中介绍的参考设计外，ROHM还准备了众多可助力用户缩减设计周期的参考设计方案，详情请登录ROHM官网或点击下面的链接：　　参考设计：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　应用评估套件：　　https://www.rohm.com.cn/reference-designs　　相关信息　　・新闻稿(HSDIP20)　　ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・新闻稿(TRCDRIVE pack™)　　ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!~　　・新闻稿(DOT-247)　　ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　关于“EcoSiC™”品牌　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　・LTspice®是Analog Devices, Inc.的注册商标。　　如需使用其他公司的商标，请遵循权利方规定的使用方法进行使用。
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发布时间：2026-03-06 11:56 阅读量：1117 继续阅读>>
ROHM全面启动新型<span style='color:red'>SiC</span>塑封型模块的网售！
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ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。　　这些产品可通过Ameya360平台购买。　　<产品型号>样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V　A type (Small) (BST400D12P4A101)HSDIP2015,000日元/个（不含税）750V 4in1 (BST91B1P4K01) 6in1 (BST91T1P4K01、BST47T1P4K01)1200V 4in1 (BST70B2P4K01)DOT-24710,000日元/个（不含税）1200V　半桥 (SCZ4011KTA)　　除上述型号外，其他型号的产品也将陆续发售。　　■TRCDRIVE pack™　　TRCDRIVE pack™是适用于300kW以下xEV(电动汽车)牵引逆变器的二合一(2in1)SiC塑封型模块。该系列产品搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，与普通的SiC塑封型模块相比，可实现1.5倍的业界超高功率密度，非常有助于电动汽车逆变器的小型化。另外，产品采用ROHM自有的引脚排列方式，仅需从顶部按压栅极驱动器电路板即可完成连接，有助于减少安装工时。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用的牵引逆变器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■HSDIP20　　HSDIP20是非常适用于xEV用的车载充电器(OBC)、 电动汽车充电桩、服务器电源、AC伺服等应用的四合一(4in1)及六合一(6in1)结构的SiC模块。该系列产品包括750V耐压6款、1200V耐压7款型号。由于已在小型模块封装中内置各种大功率应用所需的功率转换基础电路，因此有助于缩短客户的设计周期并减小功率转换电路的规模。　　<应用示例>　　车载设备：OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：电动汽车充电桩、V2X系统、AC伺服系统、服务器电源、　　光伏逆变器、功率调节器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■DOT-247　　DOT-247是适用于光伏逆变器、UPS等工业设备的二合一(2in1)SiC模块。该系列产品不仅保持了功率元器件广为采用的“TO-247”封装的通用性，还实现了更高的功率密度。另外，具有半桥和共源两种拓扑，可适配多种电路结构。通过采用搭载多个分立器件的功率转换电路，减少了元器件数量和安装面积，从而有助于实现应用产品的小型化并缩短设计周期。　　<应用示例>　　车载设备：ePTO(电动取力器)、FCV(燃料电池汽车)用的升压转换器　　工业设备：光伏逆变器、UPS(不间断电源装置)、AI服务器、数据中心、　　电动汽车充电桩、半导体继电器、eFuse　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2026-02-26 15:17 阅读量：952 继续阅读>>
ROHM推出二合一<span style='color:red'>SiC</span>模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度
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ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度

　　近日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。　　目前，光伏逆变器虽以两电平逆变器为主流产品，但为了满足更高电压需求，对三电平NPC、三电平T-NPC以及五电平ANPC等多电平电路的需求正在日益增长。这些电路的开关部分混合采用了半桥和共源等拓扑结构，因此若使用以往的SiC模块进行适配，往往需要定制产品。针对这一课题，ROHM将作为多电平电路最小结构单元的上述两种拓扑集成为二合一模块。该模块不仅具备应对下一代功率转换电路的灵活性，还能实现比分立器件更小的电路。　　DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型，通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片，并采用ROHM自有的内部结构，实现了更低导通电阻。另外，通过优化封装结构，其热阻比TO-247降低了约15%，电感降低了约50%。由此，在半桥*1结构中，可实现使用TO-247时2.3倍的功率密度，并能以约一半的体积实现等效的功率转换电路。　　采用DOT-247的新产品有半桥和共源两种拓扑结构，可适配NPC电路*2和DC-DC转换器等多种电路配置。通过在这些配备多个分立器件的功率转换电路中使用该产品，可以减少元器件数量和安装面积，助力实现应用产品的小型化，并大幅削减安装工时和设计工时。　　产品阵容包括750V耐压的4款机型(SCZ40xxDTx)和1200V耐压的4款机型(SCZ40xxKTx)。新产品暂以月产1万个的规模投入量产(样品价格：20,000日元/个，不含税)。另外，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品，也计划开始提供样品。　　为了便于客户在应用设计时立即进行评估，ROHM将陆续提供评估板，敬请联系AMEYA360垂询。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　光伏逆变器、半导体继电器、UPS(不间断电源装置)、ePTO*3、FCV(燃料电池汽车)用升压转换器 AI服务器(eFuse)，EV充电桩等　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)半桥和共源　　由两个MOSFET构成的功率转换电路的基本结构。半桥是将MOSFET上下串联连接，并从其连接点中间输出的方式。通过高低边MOSFET交替进行开关动作，可以切换输出电压的正负极性，该结构作为逆变器和电机驱动电路等高效率功率转换的基本结构而被广泛使用。　　共源是将两个MOSFET的源极引脚相连，并从各自的漏极输出的方式。通过共接源极引脚可以简化栅极驱动电路，适用于多电平逆变器等应用场景。　　*2)NPC系列多电平电路的种类　　NPC(Neutral Point Clamped)是一种将输出电压分割为+、0、-三个电平，可降低开关器件上电压负载的多电平电路方式。产生这种“0V”状态所利用的是中点，即位于正电压和负电压中间位置的连接点。　　T-NPC(T-type NPC)采用将用于稳定中点的二极管替换为MOSFET等开关器件的结构，可实现更高效率的工作。ANPC(Active NPC)通过开关对中点电位本身进行主动控制，从而实现更平滑的输出波形和更高精度的功率转换。T-NPC和ANPC适用于要求更高输出功率和更高效率的应用场景。　　*3)ePTO(electric Power Take-Off)　　利用电动车辆的电机和电池电力来驱动车辆外部工作机器或设备(液压泵、压缩机等)的系统，是传统燃油车辆中使用的PTO(Power Take-Off)的电动化版本，正在环保型商用车和工程作业车中加速普及。
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发布时间：2026-02-26 14:55 阅读量：904 继续阅读>>

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