ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

Release time：2023-04-13
author：AMEYA360
source：网络
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　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”、“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

　　ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC“BM60212FV-C”裸芯片，这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。此外，根据Apex Microtechnology委托外部机构进行的一项调查，与分立元器件组成的结构相比，使用裸芯片构建这些关键部件可减少67%的安装面积。

　　“

　　Greg Brennan, President, Apex Microtechnology表示：

　　“Apex Microtechnology主要以大功率、高精度模拟、混合信号*解决方案为业务组合，我们的模块还适用于医疗设备、航空航天和人造卫星等要求苛刻的应用。由于要为各种应用产品提供电力，所以我们的目标是设计出符合严格标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为Apex Microtechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够如期将产品交付给最终用户。未来，Apex Microtechnology将会继续开发模拟和混合信号创新型解决方案，助力解决各种社会课题。另外，我们也很期待与ROHM展开更深入的合作。”

　　”

　　“

　　Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：

　　“APEX Microtechnology是一家为工业、测试和测量等众多应用领域提供大功率模拟模块的制造商，很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业，能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案，并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与APEX Microtechnology协力，通过更大程度地发挥ROHM在功率电子技术和模拟技术方面的潜力，为提高大功率应用的效率做出贡献。”

　　据悉，电源和电机占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和Apex Microtechnology在功率电子和模拟技术领域都拥有强大的优势，双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后，通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合，双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案，从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。


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ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
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ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板

　　中国上海，2026年6月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。　　近年来，可穿戴设备、移动设备、IoT设备等电池供电的电子设备已在各种场景中得到广泛应用。为提高设计灵活性并增加新功能，这些设备中所搭载的元器件不仅要实现小型化，还需满足低功耗要求以延长电池续航时间。ROHM始终在推进满足市场需求的电源IC开发工作。在这过程中诞生的升降压电源IC “BD83070GWL”，自2019年投入市场以来，凭借其业界先进的高效率和超低消耗电流性能，为提升电池供电应用的价值做出了贡献。此次，作为更适用于尖端应用的解决方案，ROHM新开发并开始提供实现了超小型安装面积“BD83070GWL参考板”。　　“BD83070GWL”是一款升降压DC-DC转换器*1IC，其开发目标是成为通过小型电池等供电的电子设备的“低功耗环保器件的标杆”，实现了高达97%的效率和2.8μA的超低静态电流。　　此次开发的参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计,由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成，实现了12.87mm²(3.3×3.9mm)的超小型安装面积。因此，与采用普通升降压电源IC(包括内置线圈型)的配置相比，该参考板在安装面积方面具备显著优势。此外，作为参考设计，ROHM还公布了包括电路图案和物料清单(BOM)等在内的设计信息，这不仅便于客户评估使用，还能轻松扩展应用于客户的量产设计。　　新参考板已于2026年6月开始供应(样品价格：13,000日元/个，不含税)，并已开始网售。　　ROHM将通过提供性能优异的电源IC和参考板，为电池供电应用的进一步小型化和节能化提供支持。　　<应用示例>・可穿戴设备(智能手表、智能戒指、生物感测设备等)　　・移动设备(AR/VR设备、智能手机等)　　・物联网设备(AI传感器节点、BLE设备、智能锁、小型无人机等)　　・小型电池供电设备(无线耳机、数字钥匙、电动牙刷等)　　<术语解说>*1) DC-DC转换器、降压、升压、升降压　　电源IC的一种，具备将直流电(DC)转换为直流电(DC)的电压转换功能。通常有降低电压的“降压”和提高电压的“升压”型产品。“升降压”型产品可根据输入电压切换升压和降压。
2026-06-24 10:38 reading：191
AMEYA360 × ROHM | 扫码解锁直播抽奖，一键直达原厂技术社区！
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AMEYA360 × ROHM | 扫码解锁直播抽奖，一键直达原厂技术社区！

　　作为 ROHM(罗姆半导体) 的官方授权代理商，AMEYA360 一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应。除稳定供货外，我们也持续输出专业技术服务，解决大家电路设计各类难题。　　这周三(6月24日)14:00-16:00，AMEYA360将联合ROHM 带来一场直播，带大家聊聊当下AI服务器市场真实行情与技术走向，并重点拆解适配AI电源系统的ROHM全系核心器件，包含碳化硅功率器件、MOS管、驱动IC、二极管与模拟芯片。　　点击下方卡片，或扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，赢取精美礼品，现金红包、京东E卡、充电宝、数据线等礼品等你拿!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN　　移动端入口：　　第 1 步：　　进入首页，依次点击 [注册 & 登录] ➔ [新用户注册 & 登录] 跳转至 MyROHM 页面。　　已有 MyROHM 账号： 直接登录即可。　　无 MyROHM 账号： 填写基础信息提交注册。　　第 2 步：　　提交后，您的邮箱会收到一封邮件，打开邮件，点击正文中的激活链接(URL)，激活您的账号。　　第 3 步：　　账号激活后，系统会自动发送第二封邮件，打开邮件，点击信中的论坛链接可直接登录论坛，或直接返回活动页面，输入账号密码登录论坛。　　第 4 步：　　成功登录论坛后，为了您的隐私安全，请完成最后一项配置：　　点击右上角 [我的个人资料] ➔ 点击 [编辑]。　　修改默认昵称(注意： 请避免使用包含个人真实姓名、公司名称等可识别身份的昵称)。　　点击右下方 [保存] 按钮，即可正式开启社区交流!　　买罗姆正品器件，找官方授权代理商 AMEYA360;攻克研发技术难题，上 ROHM官方技术论坛!赶紧预约直播并扫码登记信息，这周三直播间，我们不见不散!
2026-06-22 10:06 reading：223
ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列
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ROHM | 支持高速接口ESD保护二极管 - RESDxVx系列

　　RESDxVx系列是一款兼具超低电容与低动态电阻特性、专为高速通信设计的ESD保护二极管。　　无论是消费电子、车载还是工业设备，即使在Gbps级高速接口应用中，也能将对通信信号的影响控制得更低，同时实现出色的IC保护性能。　　本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。另外，还可前往官网查看产品新闻。　　超低电容可有效抑制信号劣化，同时兼顾高速通信的信号质量和IC保护　　实现高速接口规格所需的超低电容(0.2pF级)　　低动态电阻(Rdyn)，高箝位保护性能，实现业界先进的保护性能　　不仅实现了低电容量，还降低了与其存在权衡关系的动态电阻Rdyn(0.3Ω以下)，从而实现了更出色的钳位性能。　　适用于车载设备、消费电子及工业设备等广泛的市场领域　　产品阵容中新增两种小型封装产品
2026-06-18 09:58 reading：322
ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流
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ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流

　　单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长，数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限，业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性，并阐述下一代电源架构的应用方法路径。　　AI功耗爆增：　　48VDC正面临物理壁垒　　全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮，为更大程度地提升每平方米的算力，服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。　　图1：预计到2030年，全球AI服务器的耗电量将超过800TWh，接近1000TWh。出处：国际能源署(IEA)　　解决方案就在欧姆定律中：　　提高电压即可降低电流　　减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下，电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时，所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比，因此，从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。　　在这种情况下，目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。　　两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴，但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言，必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。　　HVDC改变电源电路：　　SiC和GaN所发挥的作用　　一旦电压架构发生变化，电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中，转换效率即使微幅提升，都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%，便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。　　提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比，这些宽带隙半导体的开关速度更快，损耗更低。　　实现示例：适用于800VDC的　　电源单元电路结构　　ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下：　　图3：ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT　　图4：适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
2026-06-18 09:47 reading：336
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