精密测量告别温漂困扰！思瑞浦TPR70ULTC超低温度系数电压基准模块

发布时间：2026-04-02 10:41
作者：AMEYA360
来源：思瑞浦
阅读量：837

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出超低温漂精密电压基准模块 TPR70ULTC。产品通过创新的闭环控温架构，在–40°C至 80°C的宽工作环境中实现对芯片表面温度的精准控制，使温度漂移低至0.1ppm/°C，满足高端仪器仪表对高稳定度电压基准的苛刻需求，适用于精密测量设备及高可靠性应用场景。本文主要介绍TC0.2ppm/°C方案，如需更高TC精度0.1ppm/°C，可以联系思瑞浦销售团队。

　　01.TPR70ULTC 产品优势

　　创新恒温控制架构

　　针对电压基准芯片对温度高度敏感的特性，TPR70ULTC采用独特的恒温控制设计，利用功率 BJT(双极结型晶体管)对PCB进行闭环加热，为内部电压基准芯片营造出一个“恒温环境” 。通过这种精密控制，系统能够实时调节热量平衡，使芯片表面温度始终稳定在80°C左右，有效抵消了外部环境温度波动对输出电压的影响。

精密测量告别温漂困扰！思瑞浦TPR70ULTC超低温度系数电压基准模块

　　图1、TPR70ULTC闭环温控电路

　　超低温漂表现

　　得益于创新恒温控制架构的加持，TPR70ULTC实现了行业领先的温漂抑制能力。在-40°C至80°C的宽环境温度测试中，模块的温度系数(TC)典型值仅为 0.2ppm/°C。实验测试结果显示，其表现可优至 0.19ppm/°C，大幅提升了系统的测量精度与长期稳定性。此外，针对极致精度需求，思瑞浦还可提供高达 0.1ppm/°C的更高性能定制化方案。

精密测量告别温漂困扰！思瑞浦TPR70ULTC超低温度系数电压基准模块

　　图2、TPR70ULTC输出电压与环境温度的关系

　　优异的长期稳定性和热迟滞性能

　　TPR70ULTC模块在设计上充分考虑了精密系统对重复性和长期可靠性的严苛要求。在长期稳定性方面，TPR70ULTC的长期稳定性可以做到10ppm@1000h。另外热迟滞是衡量电压基准在经历温度循环后回复能力的关键指标，TPR70ULTC在经历热循环(从-40°C到80°C再回到室温)后展现出优异的稳定性。测试结果表明，器件的输出电压在第二个循环时即可达到稳定状态，极大缩短了精密仪器在复杂环境下的预热与稳定时间。同时模块内置软启动功能，启动电流限制在300mA以下，有效降低系统浪涌冲击，确保长期运行的可靠性。

精密测量告别温漂困扰！思瑞浦TPR70ULTC超低温度系数电压基准模块

　　图3、热迟滞性能随温度循环变化(25°C→-40°C→80°C→25°C，首循环)

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　　图4、热滞回与温度循环的关系

　　超低噪声输出

　　在0.1-10Hz低频段，TPR70ULTC模块对由带隙单元引起的闪烁噪声(1/f 噪声)进行了深度优化，具备极低的噪声特性小于5uV/div。同时用户可以在VOUT引脚增加大容量旁路电路来抑制宽带噪声(10Hz~10kHz)，进一步降低噪声输出。

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　　02.TPR70ULTC 产品特性

　　宽输入电压范围：9V至16V;

　　低温度系数：典型值0.2ppm/°C(-40°C至80°C);

　　热迟滞：快速收敛，二次循环即达稳定;

　　低频噪声(0.1-10Hz)：噪声输出小于5uV/div，支持旁路电容优化。

　　03.TPR70ULTC典型应用

　　TPR70ULTC专为高精度测试测量设备设计，广泛应用于数字万用表、精密数据采集系统、校准仪器、自动化测试设备等领域。TPR70ULTC超低温漂带来极高电压基准稳定性，为高精度仪器仪表提供理想选择，特别是在环境温度波动较大的工业现场和计量实验室环境中，能够确保测量结果的一致性。

　　电压基准芯片对温度变化极为敏感。TPR70ULTC通过功率BJT加热PCB形成"恒温环境"，确保电压基准芯片始终处于设定的最佳工作温度点，忽略外界环境温度的剧烈变化，实现超低温漂性能。

精密测量告别温漂困扰！思瑞浦TPR70ULTC超低温度系数电压基准模块

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　　激光雷达需在纳秒量级内向VCSEL注入数十安培的精准电流，既要保证探测距离，又不能在任何情况下灼伤人眼——难点大多集中在发射端这颗驱动芯片上。本文从电压预算、驱动架构、人眼安全到选型，拆解它为何需要60V–80V耐压、20A–50A峰值、ns级边沿。　　图1 车载LiDAR扫描架构分类与演进——机械式/半固态/纯固态，趋势向纯固态电子扫描收敛　　车载LiDAR正转向纯固态2-D可寻址VCSEL阵列，对发射端多通道集成要求更高。dToF测回波飞行时间，发射驱动须在精确时刻注入高峰值、窄脉宽、快边沿脉冲。　　图2 LiDAR系统框图——涵盖发射Tx、接收Rx、电源转换、系统监控与接口，其中蓝色为3PEAK产品覆盖范围　　一、为什么发射驱动需要60V–80V?　　图3　dToF测距信号链——TX发射、目标回波、RX接收到信号处理　　核心约束可用一个公式概括：电流变化越快，回路寄生电感产生的感性压降越大——每nH电感都按V=L·di/dt占去一截电压裕量，同时拖慢脉冲边沿。而边沿每增加1ns，测距误差约增大15cm，约一本书的宽度。　　驱动电压预算：六结、20A、1ns上升时间基线　　各项压降逐一叠加(见上表)，六结即达四十余伏;随多结VCSEL向八结、十结演进、电流加大，电压预算很快逼近80V。约束由此明确：高电压、低电感、快开关。　　二、几十安培，怎么一瞬间放出来?　　图4 2-D Flash LiDAR TX 驱动系统架构——Boost升压、TPM8909Q高边充电、TPM8918Q低边脉冲与VCSEL阵列　　采用“高边充电加低边脉冲”架构，其原理类似相机闪光灯：由高边电路预先将能量储入本地电容，再由低边开关在发射瞬间释放，从而把慢速充电与快速脉冲解耦，停止充电即切断能量源。整条链路含四个模块：Boost升压、高边充电IC、储能电容阵列、低边脉冲IC(见上图)。　　充电拓扑与封装　　充电拓扑有恒流与谐振两种方式：恒流方案电路成熟、时序确定、EMC表现好;谐振方案借LC谐振转移能量、效率更高，适合大电容、高帧率，代价是电路更复杂。封装则在物理上决定回路寄生电感——集成度越高、键合线越少，寄生越小，而在大电流、快边沿下寄生会直接抬高关断过冲，故低寄生封装对高压快脉冲尤为关键。　　2-D 阵列驱动　　阵列驱动是2-D固态路线的核心。传统1-D线阵加机械扫描存在三处短板：任意时刻只有一列发光、光子利用率低，热耗集中在同一组发射器、限制峰值功率，外加扫描光学的损耗与可靠性风险。2-D可寻址 VCSEL面阵改以电子方式逐区点亮，把光能集中到目标区域，单个发射器每帧只承担一小部分脉冲、热负载下降，并省去运动光学。　　由此带来的一项关键能力是高反膨胀抑制：车牌、路牌等强反射目标的回波会使接收端饱和、向邻近像素溢出，模糊甚至淹没周边目标，而 2-D逐区可寻址可对这些已知高反区域单独调低驱动电流或发射器数量，从发射端做区域级功率控制、从源头抑制，又不牺牲其它区域的探测能力。　　实现上有两处关键设计：行列寻址让阵列按“行+列”寻址、控制线数大幅减少，多颗芯片级联即可覆盖整片阵列;双寄存器组的乒乓机制在当前行发光期间预写下一行参数、切换即时生效，几乎不占用时序。系统再以大小波交替兼顾远近——远距用大波保证回波信噪比，近距用小波避免接收端饱和。　　关得太快，会出什么问题?　　图5 TPM8915Q实测光脉冲——脉宽约 6.1ns、上升 / 下降约 1.8ns，关断后可见振铃引起的二次发光　　关断越快脉宽越窄，但回路电感对负向di/dt同样按V=L·di/dt，带来两类风险。一是二次发光：振铃让VCSEL再次正偏，主脉冲后冒出小光脉冲、形成虚假回波，即上图衰减振铃。　　图6 TPM8915Q关断电压振铃实测——约56.5A、回路寄生约3nH下节点对地过冲约110V　　二是过电压：回路电感像急刹车时的惯性一样抗拒电流骤变——电流被快速切断时，它为维持电流而在两端激起反向电压尖峰，实测可达约110V，既冲击器件耐压、又反偏VCSEL。对策是降低回路寄生、将过冲控制在80V以内，并辅以可编程斜率与续流钳位。　　三、芯片坏了，会闪伤眼睛吗?　　图7 正常脉冲模式与低边短路故障模式的对比——后者脉冲退化为连续发光　　VCSEL的单脉冲能量本就超出IEC 60825-1 Class1的MPE一到两个数量级，正常工作全靠不到0.1%的占空比，把平均功率压在安全线内。风险在于故障：一旦低边开关短路，激光便从脉冲退化为连续发光(CW)，占空比跳至100%、平均功率约等于峰值功率，相对安全平均限值可超标上千倍。因此标准要求：任何单一故障下都不得超过 MPE，并达到车规功能安全ASIL B以上。　　人眼安全先从识别链路失效模式及其危害入手：　　双芯片架构在此提供了一道独立兜底：即便低边IC彻底失效，高边仍能停止充电并主动放电，待储能电容能量耗尽后激光自然熄灭——这是将全部功能集成于单颗芯片的纯低边方案难以具备的。　　四、按场景怎么选?　　图8 TPM8915Q 集成功率级驱动系统——WLCSP封装内集成 80V/50A功率级，封装寄生小于0.1nH　　Flash固态多通道：高边加低边　　高边充电IC TPM8909Q与TPM8909AQ给16通道80V储能与 CVD/RVD诊断，低边脉冲IC TPM8918Q与TPM8918BQ给8通道 20A脉冲，级联覆盖2-D阵列。　　扫描式/MEMS：GaN驱动　　外挂第三方GaN FET配GaN驱动IC：车规TPM1025Q、TPM2025Q，工规TPM1020、TPM1025、TPM2025，用于单或少通道EEL、1-D VCSEL。　　单通道高性能：集成功率级　　TPM8915Q在WLCSP 3.35×1.65mm内集成80V/50A功率级，封装寄生<0.1nH，脉宽可窄至1ns。　　全系列覆盖高边充电、低边脉冲、GaN驱动到集成功率级，均有车规与工规版。低成本是规模标配门槛：集成方案把BOM从50+压到20–30颗，下一代充电IC向24通道以上、更高电流、SPI取代并行接口。
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　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。
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