ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!

发布时间:2026-03-06 11:56
作者:AMEYA360
来源:ROHM
阅读量:1387

  2026年3月5日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板,与ROHM的SiC模块组合使用,可缩减实际设备评估的设计周期。

  在以大功率工作的功率转换电路中,SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性,但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围,支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。

  目前已有三种可与本参考设计配套使用的SiC模块在电商平台上销售,可通过Ameya360平台进行购买。

  关于参考设计

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!

  ※本参考设计旨在供用户利用已公开的设计数据进行开发。如需获取参考设计板或评估套件,请联系AMEYA360客服垂询。(※数量有限)

  关于SiC模块的网售

  可通过登录罗姆官网查看下述新闻稿,或点击下面链接查看电商平台正在销售的SiC模块详细信息:

  新闻稿:ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售

  仿真支持

  为了加快产品的评估和应用,ROHM还提供各种支持资源,通过包括仿真和热设计在内的丰富解决方案,为用户的产品选型提供支持。

  用户可从各参考设计页面下载与评估板相关的各种设计数据,并可从各产品页面下载可与参考设计配套使用的SiC模块产品信息。

  另外,利用ROHM官网提供的仿真工具ROHM Solution Simulator,从元器件选型阶段即可进行系统级验证。

  ■HSDIP20:

  参考设计:

  https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68005

  ROHM Solution Simulator:

  https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_hsdip20

  LTspice®电路模型:

https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_hsdip_ltspice.zip

  ■DOT-247:

  参考设计:https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68006

  ROHM Solution Simulator:

  https://www.rohm.com.cn/solution-simulator/b-006_dcac_inv_3ph_5kw_dot-247

  LTspice®电路模型:

https://fscdn.rohm.com/en/products/library/spice_circuit/application/ltspice/b-006_dc-ac_3-phase_3-wire_inverter_pout=15kw_dot247_ltspice.zip

  ■TRCDRIVE pack™:

  参考设计:

  https://www.rohm.com.cn/reference-designs/ref68004

  其他参考设计

  除本新闻稿中介绍的参考设计外,ROHM还准备了众多可助力用户缩减设计周期的参考设计方案,详情请登录ROHM官网或点击下面的链接:

  参考设计:

  https://www.rohm.com.cn/reference-designs

  应用评估套件:

  https://www.rohm.com.cn/reference-designs

  相关信息

  ・新闻稿(HSDIP20)

  ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!

  ・新闻稿(TRCDRIVE pack™)

  ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!~

  ・新闻稿(DOT-247)

  ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”,可实现更高的设计灵活性和功率密度

  关于“EcoSiC™”品牌

  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计!

  ・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  ・LTspice®是Analog Devices, Inc.的注册商标。

  如需使用其他公司的商标,请遵循权利方规定的使用方法进行使用。


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

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AMEYA360代理丨ROHM SiC核心器件篇:SiC-MOSFET与IGBT的区别
  上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。AMEYA360 作为 ROHM 官方授权代理商,可为工程师提供 SiC 器件选型、驱动调试等配套技术支持。  与IGBT的区别:Vd-Id特性  Vd‑Id 特性是晶体管的基础特性,下文对比了 25℃与 150℃条件下的 Vd‑Id 特性表现。  观察 25℃下的特性曲线可以发现,SiC‑MOSFET 与 Si‑MOSFET 的漏极电流 Id 会随漏源电压 Vds 呈线性上升;而 IGBT 存在导通阈值压降,因此在小电流区间内,MOSFET 器件的 Vds 更低(对应 IGBT 为集电极电流、集电极‑发射极电压)。Vd‑Id 特性本质上也反映器件的导通电阻特性。依据欧姆定律,相同 Id 条件下 Vd 越小,导通电阻就越小;特性曲线斜率越陡峭,导通电阻性能越优异。  IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围),在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题,但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时,低功率范围的效率并不高。  与之相对,SiC‑MOSFET 能够在更宽的工作区间维持较低的导通电阻。  另一方面,温度升至 150℃时,Si‑MOSFET、SiC‑MOSFET 的特性曲线斜率均会变小,导通电阻随之上升。不过 SiC‑MOSFET 受温度影响幅度更小:25℃时导通性能接近的器件,高温环境下二者差距会进一步拉开,SiC‑MOSFET 导通电阻的温度漂移显著更低。  与IGBT的区别:关断损耗特性  前文多次提及,SiC 功率器件具备出色的开关性能,可实现大功率工况下的高速开关。下面具体对比其与 IGBT 的开关损耗差异。  IGBT 器件关断时,受自身器件结构影响会产生拖尾电流,造成关断损耗增大,这是 IGBT 固有的特性。  对比关断波形能够看出,SiC‑MOSFET 从原理上不存在拖尾电流,因此关断损耗可以做到很低。本次测试中,SiC‑MOSFET 搭配 SBD 肖特基势垒二极管方案,相较于 IGBT 搭配 FRD 快速恢复二极管方案,关断损耗 Eoff 降低 88%。  还有一点需要注意:IGBT 的拖尾电流会随着工作温度升高而增大。另外,想要实现 SiC‑MOSFET 高速开关,需要合理配置外部栅极电阻 Rg,这一点在前面对比 Si‑MOSFET 的章节中已经做过说明。针对栅极电阻调试、驱动电路设计等实操问题,AMEYA360 可提供技术协助。  与IGBT的区别:导通损耗特性  接下来看开关导通时的损耗。  IGBT 开通瞬间会出现图中蓝色 Ic 波形红色虚框所示的电流分量,该电流主要来自二极管反向恢复电流,是 IGBT 开通损耗的主要来源。值得留意:搭配 SiC‑SBD 使用时,凭借其优异的反向恢复特性,MOSFET 的开通损耗可以得到有效抑制;而配套 FRD 使用时,开通损耗会和 IGBT 拖尾电流一样,随温度升高进一步增大。  综上,从开关损耗整体表现来看,SiC‑MOSFET 性能明显优于 IGBT。  注:以上数据均来自 ROHM 内部测试环境。受驱动电路等外部条件影响,实际测试结果会存在一定差异。  AMEYA36优势料号  SCT4018KRC15:  1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET  SCT4026DLLTRDC:  750V, 61A, 9引脚SMD,沟槽结构,碳化硅(SiC) MOSFET  SCT4036DLLTRDC:  750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET  SCT4045DLLTRDC:  750V, 37A, 9引脚SMD,沟槽结构,SiC(碳化硅)MOSFET  SCT4036KRC15:  1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET  AMEYA360作为ROHM官方授权代理商,可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持,助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。
2026-10-14 10:13 阅读量:349
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