
特点
• 高电压:通过特殊设计实现高元件高电压 (750 V)
• 高可靠性:在高温、高湿环境下性能稳定 (85 ℃ 85 %额定负荷,类别温度范围:–55℃~+155℃)
• 高精度:先进的薄膜工艺确保高精度低电阻值容差及低温度系数(低T.C.R.)
• 高性能:适应电流杂音,直线性现象
• 抗ESD性:采用独特的高耐久设计,具有的高耐ESD特性在 (AEC-Q200-002 HBM 4 kV 保证)
• 耐硫化性:通过采用耐硫化性电极材料,实现高耐硫化特性
• 参考标准:IEC 60115-8、JIS C 5201-8、JEITA RC-2133C
• 符合AEC-Q200
• 已应对 RoHS 指令
规格

* 1: 请在产品温度低于规格上限温度的条件下使用。
* 2: 额定电压的计算方法 :以额定电压=√额定功率×电阻值的计算值,或表中的元件最高电压中数值低的一方为准。
* 3: 本公司还有E192系列产品,E192系列将成为定制产品编号,请另行咨询。
性能

* 1: 施加电压的计算方法:以施加电压= √0.1×额定功率×电阻值,或元件最高电压×0.316,取两者中的较小值。

在线留言询价
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
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