士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工
2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。
同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。
士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。
公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。
公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。
中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。
活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。
此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
请输入下方图片中的验证码：