士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

Release time：2025-12-10
author：AMEYA360
source：士兰微
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　　近日，在深圳举办的“2025行家极光奖”颁奖典礼上，士兰微电子凭借在碳化硅(SiC)领域的持续创新与深厚积累，一举斩获三大奖项：“中国SiC器件IDM十强企业”、“中国SiC模块十强企业”以及“第三代半导体年度创新产品”。

士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

　　此次获奖，不仅是对士兰微电子全产业链整合能力与技术实力的高度认可，也体现了我们在SiC器件与模块领域的行业引领地位。作为国内少数具备设计、制造、封测一体化能力的IDM企业，我们始终致力于实现关键技术自主可控，保障产能稳定供应，助力客户实现更优成本与更高性能。

　　荣获“年度创新产品”的ZPAK 4 Die SiC模块(型号：SSM2R1PB12EZ1BTFM)，是杭州士兰微电子股份有限公司和致瞻科技(上海)有限公司联合开发的高性能功率模块。该产品采用自主研发的第四代平面栅SiC芯片，在极小体积内实现高功率密度与低系统杂感，并内置高精度温度采样功能，响应更迅捷，性能更稳定，为新能源汽车客户提供高效可靠的系统解决方案。

　　每一份荣誉，都是前进的动力。士兰微电子将继续深耕第三代半导体技术，坚持以创新驱动发展，以更优质的产品与服务，与客户携手共进，助力产业升级，共创绿色高效的未来。


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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级
行业新闻

士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
2025-12-10 17:20 reading：264
士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级
热门应用

士兰微推出高集成SoC方案，全面支持PD3.2 AVS协议，助力快充客户快速升级

　　摘要　　快充行业迎来新一波技术迭代，士兰微电子多款高集成SoC方案全面支持PD3.2 AVS协议，为移动电源、旅行充电器和电动工具等设备带来高效、安全、便捷的快充体验。　　01 技术前瞻　　近日，苹果正式发布iPhone 17系列，宣布全系支持基于USB PD 3.2 SPR AVS协议的全新40W动态快充，可实现“约20分钟充至50%”的极速体验。这一变化不仅带动了官方配件升级，也极大推动了第三方快充配件市场的技术演进。　　作为国内领先的集成电路IDM企业，士兰微电子早已布局多协议快充领域，其推出的SD59D24与SD59D25系列高集成快充SoC芯片，兼容支持PD 3.2 AVS、PPS、UFCS等多种主流快充协议，可为不同功率、不同应用场景提供完整解决方案，助力客户迅速响应市场变化，抢占先机。　　02 多口大功率移动电源的理想选择　　针对多设备用户和高端移动电源市场，士兰微推出多款支持多口输出、智能功率分配的快充控制芯片：　　SD59D24B：集成4路USB端口(最多AACC配置)，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置8路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度CCCV控制单元，实现锂电池充放电管理。　　SD59D24C：同样支持4路USB端口，侧重双C口配置，集成4路PWM驱动和高精度ADC，适用于追求C口普及的快充移动电源方案。兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。　　SD59D25 / SD59D25A：均集成3路USB接口，支持双C口配置，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4，UFCS等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。　　03 突破性二合一解决方案：旅行充电器+移动电源　　SD59D25AC是一款创新型的二合一控制芯片，既可作为移动电源使用，也可切换为旅行充电器模式。支持PD3.2.SPR AVS、UFCS等最新协议，内置TL431和光耦控制接口，可直接控制AC-DC电源模块，实现充电器模式的恒压恒流输出。　　该芯片极大提升了产品集成度，减少外围元件，加速产品开发周期，是兼具便携性与多功能性的理想选择。　　04 140W大功率移动电源&电动工具快充方案　　针对高端用户和大功率应用，士兰微也提供了专业的解决方案：　　SD59D25H：支持140W输出功率，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，集成3路USB接口，支持数字通信和负载控制，适用于大功率移动电源、户外电源等高端应用场景。　　SD59D25S：专注于单口大功140W快充，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，适用于电动工具、高端单口充电设备等对体积和功率密度有较高要求的领域。
2025-11-10 13:46 reading：873
士兰微电子入选2025民企“研发投入”与“发明专利”500强双榜单
企业动态

士兰微电子入选2025民企“研发投入”与“发明专利”500强双榜单

　　近日，中华全国工商业联合会发布“2025民营企业研发投入500家”与“2025民营企业发明专利500家”两大权威榜单。士兰微电子凭借在研发领域的持续深耕与突出的自主创新能力，成功登上双榜。尤其在“发明专利500家”榜单中，士兰微电子跻身“软件和信息技术服务业”发明专利数量前五位。　　作为国内IDM龙头企业之一，士兰微电子始终专注于核心技术自主研发与积累。现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站，拥有半导体产品设计研发人员700余人，芯片制造、封装、测试等技术研发人员4300余人，研发队伍中拥有博士、硕士超过500人;公司设有杭州、上海、西安、成都、无锡、厦门、北京等研发中心，以及化合物半导体技术研究院。截至2024年年底，已申请国内专利1800余项、境外专利40余项。　　此次入选民营企业研发投入与发明专利双500强榜单，是对士兰微电子在科技创新方面的高度肯定。面向未来，士兰微电子将继续稳步加大研发投入，持续提升专利质量与技术成果转化效率，致力于为客户提供更全面、优质、可靠的产品与服务，努力成为全球卓越的半导体供应商。
2025-11-10 13:43 reading：625
士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”
行业新闻

士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”

　　近期，国家发改委、能源局联合印发了《新型储能规模化建设专项行动方案(2025—2027年)》，发挥新型储能支撑建设新型能源体系和新型电力系统作用，培育能源领域新质生产力，进一步扩大内需，推动新型储能规模化建设和高质量发展。　　这标志着新型储能发展进入规模化建设新阶段。“光伏+储能”已不再是可选项，而是必然趋势。对于逆变器厂商而言，这既是机遇，也是挑战——如何打造更高效率、更可靠、更能适应市场化竞争的光储产品?　　一、逆变器迎来“升维”挑战　　当前，光伏行业正经历新一轮的变革。一方面，光伏、储能应用场景对逆变器的效率、功率密度要求高，主流光伏组串逆变器的功率正从320kW向450kW+迈进，设备亟需“减重增肌”;另一方面，储能装机规模激增，光储深度融合对逆变器的转换效率、功率密度和长期可靠性提出了近乎苛刻的要求。　　与此同时，全国范围内新能源上网电价市场化改革全面推进，光伏电站的收益将直接由市场交易决定。这意味着，逆变器的每一分效率提升、每一处可靠性增强，都将直接转化为电站业主的真金白银。　　核心的突破口，就在于逆变器的“心脏”——功率半导体。　　二、士兰微三电平拓扑模块的特点　　面对行业挑战，士兰微电子基于完全自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术，推出了SGM600TL14D6TFD三电平拓扑模块。它并非简单的部件升级，而是为应对下一代光储2kV系统设计的功率器件半导体解决方案。　　该方案采用最新的FS5+IGBT芯片技术，实现光伏新能源转换效率最大化;采用士兰自主开发D6封装：可选焊接和压接，可满足2kV系统安规要求。　　01 为何它能提升效率?　　核心在于“三电平拓扑”与“低损耗芯片”　　“三电平拓扑”结构相比传统的两电平拓扑有两方面的优势：一是可以用低电压规格芯片满足高电压应用场景，一般来说，功率器件的电压越低，同等条件下损耗越低，采用低电压规格芯片可以提升效率;二是三电平技术开关电压只有半bus电压，开关损耗近似只有两电平的一半，也可带来效率的提升;另外，开关电压减半，dv/dt也近似减半，可降低功率器件开关的电磁干扰。　　假如把传统的两电平技术比作单档位的汽车，提速慢且费油。那么三电平技术则像一台多档位变速器，换挡更平顺(开关损耗降低近一半)，运行更安静(电磁干扰EMI显著减小)，从而让能量转换一路“畅通无阻”。　　更重要的是，士兰SGM600TL14D6TFD模块采用了士兰微最新一代FS5+微沟槽IGBT芯片，其本身的导通损耗和开关损耗就更低。“低VCE(sat)”特性让电流通过时的“阻力”更小，如同拓宽了高速公路，减少了拥堵和能量浪费。　　02 为何它能助力设备小型化?　　秘诀是“高电流密度”与“高开关频率”　　组串电站光伏逆变器的发展趋势是提升功率，且逆变器体积要小、重量不能增加太多。士兰SGM600TL14D6TFD模块具有“高电流密度”与“高开关频率”的特性，可以提升芯片的通流能力、降低功率器件的损耗，提升逆变器的效率。　　“高电流密度”意味着在同样大小的芯片面积上，能通过更大的电流，这直接允许逆变器在功率大幅提升的同时，不必被迫使用更庞大的散热系统。　　同时，“低开关损耗”使得逆变器可以运行在更高的开关频率下，低损耗使得散热器尺寸更小，减小了外围无源器件的体积和成本，从而降低了整机成本。　　这带来的直接好处是：逆变器后端的电感和电容等磁性元器件的体积可以做得更小。两项技术结合，共同实现了逆变器“功率提升，体积不增”的轻量化设计。　　03 为何它更可靠?　　凭借“正温度系数”与“铜底板技术”　　光伏、储能应用场景对逆变器的可靠性要求越来越高，光伏逆变器和储能变流器生命周期长，对模块的长期可靠性要求高，对模块的芯片和封装都提出了严苛的要求，芯片和封装175℃结温下要求满足长期可靠性要求，封装要求满足高功率循环和温度循环能力。　　在需要多芯片并联的大功率模块中，最怕的就是“有的芯片忙死，有的芯片闲死”。“正温度系数”就像一个自动调节系统：当某个芯片因电流过大而温度升高时，其自身电阻会略微增大，从而抑制电流的继续增加，实现了芯片间的“均富济贫”，确保了系统在高温下的稳定运行。　　此外，模块采用的“铜底板技术”其导热性更好，能快速将芯片产生的热量均匀散开，避免局部“高烧”。这不仅提升了散热效率，其更大的热容量还能“熨平”温度波动，显著提升模块在严苛环境下的使用寿命。　　三、客户价值：从技术参数到商业收益的直观转化　　对于逆变器制造商和终端电站投资者而言，SGM600TL14D6TFD模块带来的价值是清晰可量化的：　　支持功率跃迁：当前光伏组串电站整机大多为320kW，士兰SGM600TL14D6TFD模块支持整机功率提升至500kW@16kHz、450kW@24kHz，且支持系统电压提升到2kV。　　显著降低系统成本：对于一个既定容量的电站，逆变器用量可减少约40%，相应的电缆、施工、土地等建造成本也随之下降。据某行业标杆客户参考数据，按100G瓦的装机容量计算，在整个光伏电站的生命周期里，因电压提升就可以带动收益约165亿元人民币。　　提升市场竞争力：在电价市场化交易中，更高的逆变器效率意味着在同等光照条件下能有更多电力上网交易，直接提升电站收益;模块的高可靠性也保障了电站在沙漠、沿海、高海拔等多样环境下的长期稳定运行，减少运维开支。　　四、携手士兰，共创光储未来　　士兰微电子作为国内少数拥有“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全产业链能力的IDM企业，始终致力于以持续稳定的产能供应、敏捷高效的技术响应以及具备竞争力的成本优势，为客户创造长期价值。　　在光储充赛道，士兰微电子已打造出覆盖Si基IGBT分立器件与模块、MOS分立器件，SiC基MOS分立器件与模块、SBD分立器件，以及Si基和SiC混合模块方案的完整产品矩阵。这些产品在功率密度与能效方面表现卓越，助力系统效率不断突破。　　展望未来，士兰微电子期待与您同行，以自主“芯”动力，共创光储新标杆，携手迈进绿色能源新时代。
2025-11-10 13:40 reading：482
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