纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!

发布时间:2026-07-03 09:50
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:678

  纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1,该产品集成3路BUCK和1路LDO,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。

纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!

  随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展,车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面,智驾应用正在推动单车多摄像头、800万像素高清化部署;内部感知方面,DMS/OMS 等舱内监测系统也在法规和安全需求驱动下快速增长。

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  车载摄像头布局趋势

  摄像头数量增加与分辨率提升,对摄像头模组电源系统提出了更高要求。OEM 和 Tier 1 不仅需要在有限模组空间内实现更高集成度和更小型化设计,也需要确保电源噪声不会影响图像质量;同时,摄像头模组还需满足车规 EMC、可靠性和功能安全要求,并能够灵活适配不同图像传感器和平台方案,帮助客户缩短开发周期。

  针对上述趋势,NSR90332XX-Q1 通过多路电源集成、低噪声设计、EMI 优化和全面诊断保护机制,为车载摄像头模组提供更高集成度、更易适配、更可靠的电源管理方案。该产品支持 I²C 配置输出电压和上下电时序,可帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的复用效率。

  低噪声电源设计

  保障高清摄像头图像质量

  在车载摄像头向更高清分辨率升级的过程中,图像传感器和高速信号链对供电质量更加敏感。电源噪声可能通过图像传感器模拟电源、SerDes 或相关信号链进入成像链路,导致噪点、画质下降或稳定性问题。

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  NSR90332XX-Q1典型应用框图

  NSR90332XX-Q1 在多路电源输出噪声、LDO PSRR 以及电源纹波等方面进行了优化。其中,LDO PSRR 可达 -60 dB@100 kHz,LDO 输出噪声低至 15.77 μVRMS,Buck 2/3 输出噪声低至 313.6 μVRMS,支持车载摄像头实现更清晰、更稳定的图像输出。

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  低噪声性能与其他市场方案对比

  每路电源EMI优化

  助力满足车规CISPR 25要求

  车载摄像头模组通常具有空间紧凑、线束复杂、靠近高速信号链等特点,同时需要在整车复杂电磁环境中长期稳定工作,系统 EMI 控制已成为摄像头模组设计中的关键挑战。NSR90332XX-Q1 集成展频功能(Spread Spectrum),可通过频域能量分散降低开关频率处的EMI峰值发射,实现约10~20 dB的峰值发射降低,帮助客户应对CISPR 25 Class 5等车规EMC设计要求;同时支持多 BUCK 错相控制,进一步降低多路电源同时开关带来的噪声叠加风险。

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  通过展频功能降低EMI峰值

  通过展频功能与多 BUCK 错相控制协同优化,该产品无需增加额外外围器件即可改善系统 EMI 表现,有助于降低 BOM 成本和 PCB 面积压力。

  面向ASIL B功能安全设计

  集成全面诊断与保护机制

  随着摄像头在 ADAS、DMS、OMS、电子后视镜等应用中的作用不断提升,摄像头模组电源系统也需要具备更高的故障检测和保护能力。对于安全相关应用而言,电源轨异常不仅可能影响单个摄像头模块的稳定工作,也可能进一步影响整车感知系统的可靠性。

  NSR90332XX-Q1 可支持客户实现 ISO 26262 ASIL B 等级的系统功能安全设计,集成多种诊断与保护机制,可对各路电源轨进行电压和电流监控,并支持过压保护、欠压保护、过流保护、过载故障检测、短路到地检测等功能。当检测到异常状态时,芯片可根据故障类型快速关闭对应输出通道或触发复位/掉电保护,帮助系统提升故障检测能力和安全设计完整性。

  协同SerDes产品

  构建从供电到传输的车载摄像头系统方案

  NSR90332XX-Q1 可与纳芯微车规级 SerDes 芯片组协同,围绕车载摄像头模组的关键电源轨供电与高清视频传输需求,构建从电源管理到数据传输的一站式系统方案。

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  典型车载摄像头模组供电架构

  纳芯微 SerDes 芯片组基于全国产供应链、支持 HSMT 公有协议,产品包括单通道加串器 NLS9116 和四通道解串器 NLS9246,可面向 ADAS 与智能座舱中的摄像头数据的高速传输场景,与车载摄像头 PMIC 形成组合方案,帮助客户提升系统集成度和平台适配效率。

  封装与选型

  NSR90332XX-Q1 采用 4.00 mm × 4.00 mm、QFN24 封装,并支持 wettable flanks(可润湿侧翼),便于车规应用中的焊点外观检测与可靠性验证。该产品满足 AEC-Q100 Grade 1 要求,支持 -40°C 至 125°C 宽温工作范围,可满足车载摄像头模组对高可靠性和长期稳定工作的要求。如需了解 NSR90332XX-Q1 更多产品信息或申请样片,请联系 sales@novosns.com。

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  QFN24 封装

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2026-08-14 10:08 阅读量:254
纳芯微丨高密度AI服务器电源:HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
  文章导读  高密度服务器电源设计:高压、高频、高功率密度和多相控制,带来哪些新的芯片设计要求;  隔离+:800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;  驱动:SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;  采样:高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;  实时控制:多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。  五大落地路径  电源设计应对高密度设计需求  AI服务器功率和功率密度不断提升,对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战,设计主要从以下五个方向进行优化:  大功率回路硬件扩容  一方面选用大规格功率半导体器件,或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构,通过多个功率子模块协同工作,针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率,是当前大功率PSU的主流设计思路。  系统架构高压化(HVDC高压直流)  800V高压母线方案大范围普及,通过提升系统额定电压降低回路传输电流,减少线缆、铜排的传导损耗,同时缩减母线铜材占用空间,从系统层面提升整机功率密度。  开关电源高频化  利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性,提高电源开关频率,缩小变压器、电感、电容等无源器件体积,是提升电源功率密度的重要技术路径。  软开关拓扑+开关速率优化  通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗,并通过降低损耗减小散热器尺寸,进一步节省PCB板卡空间。  液冷散热+高密度PCB布局  采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局,提高机箱内部空间利用率。  以上五项优化主要集中在功率主回路,高压、高频和高密度设计也会影响控制回路,对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。  四类芯片设计挑战  高压、高密度带来更高性能要求  隔离类IC  高压安规、抗扰能力与集成化设计要求  高压化是AI电源的重要趋势,隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面,承担系统安规防护作用,在800V及更高电压系统中,主要面临四方面技术要求:  满足安规隔离耐压要求,保障系统用电安全;  高频开关带来节点电位快速跳变,芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度,降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;  随着开关频率提升,控制环路响应加快,隔离芯片需要更低的信号传输延时,保障主控与功率侧信号同步;  800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求,分立器件方案会占用更多PCB面积,多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。  针对上述需求,纳芯微采用第三代电容隔离架构,并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件,设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs,实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps,信号传输延时可控制在15ns以内,满足高速控制链路需求。  基于自研隔离技术,纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵,覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品,并推出二合一、三合一等集成化产品,如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片,可通过单颗器件集成多项功能,减少外围器件数量和电路复杂度。  纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求,基于在光储1500V高压应用中的技术积累,相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线,并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等,其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求,8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求,适配不同功率等级PSU的选型。  驱动类IC  大电流、高抗扰、集成负压,适配新一代功率器件  随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用,隔离驱动芯片面临三方面更高要求:  大功率器件通常具有更大的结电容,同时电源开关速度不断提升,驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电,因此需要更强的拉灌电流能力;  驱动异常可能导致功率器件失效,因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;  高开关频率下死区时间缩短,对驱动通道的延时一致性提出更高要求,同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。  纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类,可适配不同功率器件的驱动需求:  高性能隔离驱动:产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等,部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A,可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。  GaN专用隔离驱动芯片:GaN器件导通阈值较低、开关速度快,对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断,占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路,可直接实现负压关断,减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格,为不同应用提供相应选型。  纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节,并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。  采样与信号处理IC  多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求  AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂,对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等,不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点,需要根据具体应用选择。  功率密度优先的设计中,集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能,减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景,则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。  以霍尔电流传感器为例,纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品:  800V高压AIDC应用:耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;  54V/12V低压电源:4×4mm小型封装、100A量程;  大功率SST等高电流应用:200A以上大量程线性霍尔产品  实时控制专用MCU  高主频、多通道,满足电源实时控制需求  电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求,叠加开关频率提升,对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。  纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz~400MHz Cortex-M7单核/多核架构,针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置,适配不同功率等级的服务器电源:  7系列实时控制MCU:双400MHz Cortex-M7内核,搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道,可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;  5系列实时控制MCU:240MHz单核Cortex-M7,配置16路PWM输出,可用于PSU、DC-DC电源等应用;  1系列实时控制MCU:200MHz单核Cortex-M7,适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。  面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势,纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。  以整机PSU为例,除上述四类产品外,还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件,满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。  同时,纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持,根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数,协助进行器件选型和方案优化,为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
2026-08-13 09:49 阅读量:235
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