荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器

发布时间：2025-04-02 14:16
作者：AMEYA360
来源：荣湃
阅读量：1399

　　荣湃单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品，设计用于直流工作电压高达2121Vpk的IGBT，Si MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管，芯片内部集成多种保护，如供电欠压保护、退饱和过流保护、软关断、米勒钳位、故障报警等，能够在驱动功率器件的同时监控其工作状态，使其安全运行。适用于电机驱动、光伏逆变、开关电源、车载充电器和充电桩等领域，下图为智能隔离驱动器在逆变电路中的典型应用图。

荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器

　　产品优势

　　Pai8263系列产品是基于荣湃半导体独创的iDivider®(电容智能分压技术) 技术开发，供电电压范围宽，强驱动能力能够直接驱动大功率晶体管，高CMTI提高了系统抗干扰能力，高浪涌抗扰度以及具备高达5700VRMS的隔离耐压能力，适合高频、高压、高可靠性应用场景，内置的保护功能能够有效减少外围保护电路元件数量，使产品设计更加紧凑，有效缩小产品尺寸提高产品功率密度，符合行业发展趋势。

荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器

　　产品主要功能参数

　　Pai8263系列产品逻辑侧光耦型输入，驱动侧供电电压最大可达36V，可以提供+6A/-6A的拉灌电流能力，支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)，集成米勒钳位功能，可调节软关断电流，在应用中更加灵活，产品主要功能参数如下表所示：

荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器

　　产品性能

　　Pai8263系列产品提供退饱和阈值电压分别为6.5V、9.0V以及报警自动复位、信号复位共四个型号，供客户自由选择，产品系列型号信息如下表所示：

荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器

　　以下是Pai8263系列产品触发保护时序图，当检测到管子发生短路或过流故障，输出被强制拉低，在故障期间，输入信号将被忽略。对于Pai8263AE/F，在26us的固定消隐时间后，驱动器将自动重置故障引脚(图2)。对于Pai8263BE/F，驱动器将在下一个输入信号上升沿到来后重置故障引脚(图3)。

荣湃发布单通道智能隔离式栅极驱动器


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：福佑斯20F贴片保险丝为严苛应用保驾护航

下一篇：荣湃发布车规级智能隔离栅极驱动器Pai8265xx系列

在线留言询价

相关阅读
荣湃慕尼黑上海电子展圆满收官！
行业新闻

荣湃慕尼黑上海电子展圆满收官！

　　2026年7月1日-3日，慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心盛大举行。 作为亚洲电子产业标杆盛会，本次展会汇聚1800余家行业头部企业，吸引七万余名产业链从业者参会。聚焦半导体国产化、新能源、车载电子、工业自动化等热门赛道。　　深耕隔离模拟芯片赛道的国家级专精特新小巨人企业——荣湃半导体(上海)有限公司携全系列成熟产品、升级方案及自研新品登陆本次展会。依托独家底层隔离核心技术、完善的车规/工规产品矩阵与一站式技术服务能力，荣湃半导体在展会期间充分展现国产隔离芯片龙头实力，接待大批量行业客户、专业团队深度对接行业需求，本次参展圆满收官，满载行业认可与合作机遇!　　展会现场，荣湃重磅发布全新一代数字光耦 π13xS7xR，产品可高效支持智能设备间的高速数据交互，兼顾设备长期稳定运行与成本效益的双重需求。　　隔离器作为守护系统信号安全、保障整机稳定运转的核心元器件，其性能和可靠性已是行业选型的核心标准。　　荣湃数字光耦π131x6x自2022年上市以来，广受市场信赖。荣湃新一代数字光耦π13xS7xR，采用先进电容隔离技术以及智能分压技术，性能全面加强：　　· 交流耐压：10kVrms (1分钟) ，空气环境下隔离耐压耐受无损坏　　· 浪涌能力：15kVpk 空气中隔离栅可抵御高压浪涌冲击　　· 采用SSOW10超小封装，系统板端占板面积仅40mm²　　· 隔离栅间ESD防护：>11kVpk，空气中隔离栅抗静电击穿　　· 同侧I/O端口ESD防护：>10kVpk　　· 使用寿命：远超20年　　· 优异的空气隔离架构搭配强抗干扰能力，确保系统长期安全稳定运行。　　短暂相聚，长久同行。此次慕尼黑上海电子展的落幕，不是合作的终点，而是荣湃半导体与各行业伙伴深度携手的全新起点。未来荣湃将持续深耕隔离模拟芯片研发，迭代升级核心技术，持续推出高端隔离芯片。　　错过本次展会的朋友，可前往荣湃官www.rpsemi.com和微信公众号查阅全系列产品资料与新品详细规格
2026-07-06 10:58 阅读量：303
荣湃半导体| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型
行业新闻

荣湃半导体| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型

　　随着工业控制自动化、智能化进程的不断深入，工控设备、智能终端等装置在低负载或待机状态下的功率消耗日益受到行业关注，并逐渐成为衡量产品能效水平与技术先进性的重要指标之一。在“双碳”目标及绿色制造理念的推动下，降低待机功耗不仅有助于企业节约运营成本，也是响应节能环保政策、提升产品市场竞争力的关键举措。未来，随着能效标准的日趋严格和用户对可持续性要求的提高，低待机功耗设计将成为工控与智能终端领域的重要发展趋势之一。　　为了避免数字隔离器在输入侧供电丢失时、另一侧的输出端口输出电压不确定导致通讯电路异常，数字隔离器都设计了默认电平功能，可以根据型号选定为高电平或者低电平。一般来说，当数字隔离器的输入端口电压和默认电平吻合时，数字隔离器的电流消耗最低;若输入电平和默认电平相反，数字隔离器的电流消耗就会增加。数字隔离器作为必要的通讯隔离器件，在设备待机时也必须工作、准备传输数据，必然会消耗一部分功率。通过适当的选型和增加部分外围电路器件，可以显著降低数字隔离器在通讯电路处于空闲状态时的电流消耗。本文将从UART、CAN、SPI、RS-485这几种常见的通讯协议入手，解析数字隔离器默认电平的选型方法。　　图 1 隔离式 UART 通讯电路示意图　　UART协议中规定：UART数据帧的起始位总是1位的逻辑0(即低电平)，而数据帧的结束位则是1~2个位的逻辑1(高电平)。所以，物理层的发送-接收信号线在非传输状态时需要保持为高电平，直到有信号需要传输时才切换为低电平。为了满足UART空闲时需要保持为高电平这一特性，使用数字隔离器直接隔离UART物理层的逻辑信号时，需要采用默认电平为高电平的芯片。建议选用Pai122M41-SR。　　图 2 隔离式 CAN 通讯电路示意图　　在ISO11898标准中，规定了CAN总线差分电压小于0.5V时，总线处于隐性状态;当隐性状态持续超过11位的时间长度之后，总线即为空闲。通过查阅CAN收发器的真值表可知，常见的CAN收发器，在CANH、CANL引脚均处于隐性时，TXD、RXD的电位都是高电平。在隔离式CAN通讯电路中，数字隔离器处在MCU和CAN收发器之间，所以数字隔离器的输出默认电平应和CAN收发器保持一致。所以在隔离CAN通讯电路中应选用默认电平为高电平的数字隔离器，建议使用Pai122M61-W5R。　　图 3 隔离式 SPI 通讯电路示意图　　SPI(Serial Peripheral Interface，串行外设接口)协议则更为复杂。在SPI中，决定SCK时钟信号线物理层工作方式的是时钟极性(CPOL)和时钟相位(CPHA)两个参数。CPOL参数设置为0时，时钟信号低电平为空闲状态;反之空闲状态则为高电平。CPHA参数设置为0时，在时钟信号第一个边沿采样;反之则在第二个边沿采样。这两个参数均可以被设置为0或1，所以SPI协议可以定义出四种不同的通讯模式。同时，SPI的片选(CS，Chip select)信号通常为低电平有效。可以通过下面这个表格来确定如何选择合适的数字隔离器。　　图 4 隔离式 RS-485 通讯电路示意图　　半双工模式的RS-485通信中，总线上的每个节点都需要单独控制自己节点RS-485收发器的使能端口(接收使能RE和发送使能DE)才能正确收发数据。　　通常来说，当某一节点处于空闲、不需要向外发送数据时，必须将RS-485收发器A、B总线引脚置为高阻态(即进入总线侦听模式)，避免抢占总线、干扰其他节点通信;同时，当总线处于隐性、空闲时，RS-485收发器的RXD输出信号为高电平，用于指示MCU当前总线处于空闲状态;RS-485收发器的TXD输入信号脚内部一般为上拉、默认电平为高。　　根据以上特性，在理想的情况下，用于控制RS-485收发器RE、DE引脚的信号应为默认低电平;但是用于发送、接收数据的信号应为默认高电平。如果选用默认低电平的隔离器，会导致有两个通道在通信电路空闲时也处于工作状态，增加了电路的电流消耗;若选用默认高电平的隔离器，当VMCU不上电、但是V485上电时，使能信号为高电平、485收发器会占用总线，影响总线其他节点正常收发数据，存在冲突。只需要在数字隔离器输出端口到RS-485收发器使能端口之间增加一个电位反相电路，就可以解决默认电平冲突问题。　　和图5所示的传统隔离RS-485通讯电路相比，图6所示的新电路在RE、DE控制信号线上增加了一级由上拉电阻和下拉三极管组成的反相器。当VMCU不供电、V485供电时，Pai131S71R的VOA输出为高电平，此时三极管导通、RE、DE引脚被下拉至低电平，A、B输出为高阻态;同时，VIC、VOB均为高电平，与Pai131S71R的默认电平相同。反相器电路的上拉电阻可以根据实际通讯的速率继续调大阻值、降低电流消耗。　　不同的通讯协议需要的默认电平不同，有些需要高电平、有些需要低电平。和光耦相比，数字隔离器具有高速率、低延时、低静态功耗的特点。虽然数字隔离器的默认电平相对固定，但是通过选择合适的型号、增加一些外围电路，同样可以显著降低隔离通讯电路的静态功耗，降低设备的待机电流，助力工控行业绿色化发展。
2026-03-26 09:59 阅读量：1088
一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭
行业新闻

一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车 安全要求 第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。
2026-02-03 10:22 阅读量：1215
荣湃 Pai8233X 隔离驱动器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析
行业新闻

荣湃 Pai8233X 隔离驱动器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析

　　Pai8233X是基于荣湃iDivider技术开发的双通道隔离栅极驱动器，具有4A的峰值源电流和8A的峰值灌电流，最高开关频率可达5MHz，适用于MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。输入VCCI支持3V至5.5V的范围，使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。输出侧欠压保护支持6V、9V、12V三种电平，每个器件都支持高达25V的VDD电源电压。具有供电范围广、传输延时低、CMTI能力强等特点。　　01使用注意事项　　为应对高频、大功率等复杂工况下隔离栅极驱动器的误动作与损坏风险，保证系统安全可靠工作，须在系统电路设计及PCB布局时，留意以下芯片使用相关的注意事项。图1 Pai8233X典型应用原理图　　1.1 输入端口滤波器　　为抑制PCB长走线或布局不当引入的输入噪声，建议在INA/INB端口配置RC滤波器(RIN: 0~100Ω，CIN: 10~100pF)。具体参数需在信号抗扰度与传播延时之间取得平衡。　　1.2 供电去耦电容/自举电容　　荣湃Pai8233X系列隔离驱动器的逻辑侧(VCCI)供电范围为3-5.5V，高压侧(VDDA/VDDB)最大工作电压25V。为提高工作鲁棒性并抑制电源噪声，建议在逻辑侧VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF(16V/X7R)的低ESR和低ESL的标贴型多层陶瓷电容器(MLCC)并联组合。同理，在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF(50V/X7R)的MLCC并联组合。需要注意的是，所有去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。　　1.3 栅极驱动电阻　　合理选型栅极驱动电阻可抑制由PCB寄生参数、高电压/电流开关dv/dt、di/dt及体二极管反向恢复引起的振铃，改善EMI表现，并优化开关损耗与驱动速度。电阻值过小可能导致电压过冲与开关过快;电阻值过大则易引起开关速度降低和开关损耗过大，不利于驱动性能。栅极驱动电阻对功率器件的性能与鲁棒性具有重要影响，为了平衡系统效率和电磁干扰性能，设计中应综合考虑系统需求进行选型，其驱动电流峰值可参考下式计算：　　其中，ROH/ROL为驱动芯片导通/关断输出内阻，RON/ROFF为外部栅极导通/关断电阻，RGFET_int为功率管内部栅极电阻(可查对应功率管数据表)。　　1.4 栅极-源极并联电阻/电容　　MOS管的栅漏寄生电容(米勒电容)会在开关过程中导致栅极电压波动。当漏极电压快速变化时，米勒电容会将漏极电压的变化耦合到栅极，可能使栅极电压超过阈值，导致MOS管在关断状态下误导通。在栅极和源极之间并联电阻、电容，可以增加米勒电容电流释放路径，增大栅源电容的容值，分担米勒电容耦合的电压，从而降低栅极电压的波动幅度，减少误导通的风险。此外，并联CGS可以减小谐振频率，减小在开关过程中栅极的振铃幅度，使栅极电压波形更平滑、更稳定。RGS通常在5kΩ~20kΩ之间，CGS通常在100pF~10nF之间，具体可根据实际应用场景进行选择。　　02常见问题汇总　　1、死区时间Dead Time如何设置?　　答：Pai8233X 允许用户通过以下方式设置死区时间(DT)：　　DT引脚连接到VCCI：没有死区时间，A、B两路输出信号可以同时为高。　　DT引脚悬空或通过编程电阻连接到GND：如果DT引脚保持开路，则死区时间(tDT)设置为<15ns。如果DT引脚通过电阻与GND相连，死区时间tDT可以电阻RDT来设置。死区时间可以用公式tDT ≈ 10×RDT来计算。电阻RDT的单位kΩ，死区时间tDT的单位ns。　　当DT功能激活时，如果两个输入同时为高，则两个输出将立即变为低，此功能可以防止直通，并且不会影响正常工作时的死区时间。各种输入输出情况下死区逻辑关系如下图。图2. 输入、输出、死区逻辑关系　　2、DT引脚在芯片上电后还能更改配置模式吗?　　答：DT引脚只有在上电的时刻会去识别配置模式，一旦确定后就无法更改，除非重新下电。但是如果配置模式为接RDT到GND的模式，上电时可以通过更改电阻来修改DT时间，但无法在上电状态下更改成其他的配置模式。　　3、通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间如何选择?　　答：通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间应按照最大值进行选择。即当硬件死区时间大于上位机软件设置的死区时间时，则隔离驱动器将按照硬件死区时间进行工作。当上位机软件设置的死区时间大于硬件死区时间时，则隔离驱动器将按照上位机软件设置的死区时间进行工作。　　4、为了提高驱动器的驱动能力，能否将Pai8233X的两个驱动通道并联使用?　　答：不建议将双通道隔离驱动器的两个通道并联使用。因为并联使用对器件同步性能要求很高，Pai8233X的两个驱动通道之间有传播延时差异(一般<5ns)，且Pai8233X的默认输出状态为低电平。如果通道间出现传播延时差异，可能会导致驱动器上通道与下通道短路，最终无法实现驱动功能。荣湃目前已推出驱动能力更强的双通道隔离驱动器Pai8236X系列，峰值源电流和灌电流均达10A。如果需要更强驱动能力的芯片，可以选择此系列产品。　　5、双通道隔离驱动器如何实现负压偏置电路?　　由PCB布局非理想或MOS封装引线引入的寄生电感，可能导致功率管在开关过程中出现栅极电压振铃。若振铃超过阈值电压，将引发误导通甚至器件击穿的风险。为将振铃电压抑制在安全范围内，施加负栅极偏置是一种常用且有效的解决方案，以下是几种典型实现电路。　　图3显示了一个示例，在二次侧隔离电源上使用齐纳二极管构造一个负电源电压，为驱动器输出提供负压，让开关管实现负压关断。用户可以根据实际需求，选择不同钳位电压的齐纳二极管ZX，实现相应的关断负压值。此电路需要2路独立的隔离电源用于实现半桥配置，并且RZ上存在稳态功耗。图3. 利用2路独立电源输出级上的齐纳二极管生成负偏置　　图4显示了一个使用两组独立/四路电源的解决方案。每组电源VDDX有2路输出(VX+和VX-)。电源VX+决定驱动输出电压，VX-决定负电压关断。此方案比第一个例子所需的电源数量多，但在设置正负电源电压时更具有灵活性。图4. 利用两组/四路电源生成负偏置　　图5所示的方案采用单电源与齐纳二极管生成负偏置，结构简单、成本最低，并兼容自举高侧驱动。但需注意其存在以下局限：(1)负栅极驱动偏置同时受齐纳二极管和占空比共同影响。负偏置的能量来自于驱动信号高电平器件对耦合电容的充电，这意味着占空比决定了每个周期内对耦合电容的充电时间。因此，在此方案中，使用变频谐振转换器等具有固定占空比(约50%)的转换比较有利。(2)高侧VDDA-VSSA必须维持足够的电压来保持在建议的电源电压范围内，这意味着必须保证低侧有足够的导通时间来刷新自举电容器。因此高侧驱动无法实现100%占空比。图5. 利用单电源和栅极驱动路径上的齐纳二极管生成负偏置　　总 结　　为方便客户设计负压关断电路，荣湃现已推出集成负压偏置功能的隔离驱动产品Pai8236XNX。该芯片内部集成负偏压功能，无需外部增加额外电路元器件。
2026-01-08 15:40 阅读量：1009
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码