ROHM开发出300mA输出的小型车载LDO稳压器“BUxxJA3DG-C系列”

发布时间：2022-09-28 13:59
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：3314

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）中的传感器和雷达等性能日益提升的小型车载应用，开发出LDO稳压器*1IC“BUxxJA3DG-C系列”：BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C

ROHM开发出300mA输出的小型车载LDO稳压器“BUxxJA3DG-C系列”

　　近年来，在汽车领域，随着事故防止和自动驾驶技术的创新，对安全性能的要求日益提高。与此同时，车载ADAS中搭载的传感器和雷达的性能越来越高（为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压），这就要求向它们供电的电源IC尺寸更小，并能支持更大的电流。

　　ROHM利用所拥有的DC-DC转换器IC和LDO稳压器丰富的产品阵容，为汽车领域的ECU（电子控制单元）和ADAS等广泛的车载应用提供节能和小型化解决方案。为了满足性能日益提升的ADAS传感器等的电源需求，此次ROHM又开发出在输出电流方面表现出色的低输出噪声小型LDO稳压器系列产品。

　　新产品作为针对车载领域的二次侧*2电源应用而开发的LDO稳压器，满足应用产品对小尺寸、标准输出电压扩展等方面的基本要求。此外，尽管产品尺寸非常小（2.9mm×2.8mm），却支持高达300mA的输出电流，同时还覆盖了下限低至1.7V的输入电压范围，这在同等LDO系列中是很少见的，所以产品也适用于1.8V的电源系统。不仅如此，在输出噪声较低的LDO稳压器中，其噪声仅为55Vrms，比普通产品低约40%（输出电压为3.3V的产品相比），可用于需要更纯净电源的应用，有助于ADAS传感器和雷达等的小型化和性能提升。

　　新产品已于2022年8月开始暂以月产6万个（样品价格150日元/个，不含税）的规模投入量产。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台可购买。

　　今后，ROHM将继续开发有助于车载应用进一步节能和小型化的电源IC，不断为汽车行业的发展贡献力量。

ROHM开发出300mA输出的小型车载LDO稳压器“BUxxJA3DG-C系列”

　　新产品阵容

　　新产品“BUxxJA3DG-C系列”满足对车载产品的基本要求，比如125℃工作、符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q100”、车载二次侧LDO稳压器所需的小封装尺寸以及输出电压扩展需求。

　　此外，尽管体积非常小，却支持高达300mA的输出电流，同时，该系列产品还覆盖了1.7V至6.0V的更宽输入电压范围。即使在1.7V输入电压、300mA输出电流条件下也能稳定工作，因此也可用于1.8V的电源系统（适用产品：BU12JA3DG-C）。不仅如此，输出噪声降低至55?Vrms，比一般产品低约40%（输出电压3.3V的产品相比），这使其对传感器等微小的电信号输出不容易产生影响（有助于提高精度），因此非常适用于对噪声敏感的、而且日益小型化和性能提升的车载产品的电源。

　　应用示例

　　◇ 传感器、雷达、摄像头等车载ADAS系统相关

　　◇ 仪表盘、抬头显示器（HUD）等信息娱乐系统相关

　　适用于对噪声敏感的车载产品的二次侧电源以及其他广泛的应用领域。



（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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　　上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。　　如图所示，MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。　　SiC-MOSFET体二极管的正向特性　　下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs=0V的绿色曲线基本上表示出体二极管的Vf特性，。Vgs为0V即MOSFET在关断状态下，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以说是体二极管的Vf-If特性。如“ROHM SiC基础篇：为何SiC能成为新能源主力器件?”中“何谓碳化硅”中提到的，SiC的带隙更宽，Vf比Si-MOSFET大得多。　　而在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下，电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态，下面还给出了MOSFET的截面图。　　SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性　　MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数这一点在SiC肖特基势垒二极管一文中也已说明过。不言而喻，MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间(trr)。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比较。　　如图所示，示例的Si-MOSFET的trr较慢，流过较大的Irr。而SiC-MOSFET SCT2080KE的体二极管速度则非常快。trr、Irr均为几乎可忽略的水平，恢复损耗Err已经大幅降低。　　AMEYA36优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。
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　　上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。AMEYA360 作为 ROHM 官方授权代理商，可为工程师提供 SiC 器件选型、驱动调试等配套技术支持。　　与IGBT的区别：Vd-Id特性　　Vd‑Id 特性是晶体管的基础特性，下文对比了 25℃与 150℃条件下的 Vd‑Id 特性表现。　　观察 25℃下的特性曲线可以发现，SiC‑MOSFET 与 Si‑MOSFET 的漏极电流 Id 会随漏源电压 Vds 呈线性上升;而 IGBT 存在导通阈值压降，因此在小电流区间内，MOSFET 器件的 Vds 更低(对应 IGBT 为集电极电流、集电极‑发射极电压)。Vd‑Id 特性本质上也反映器件的导通电阻特性。依据欧姆定律，相同 Id 条件下 Vd 越小，导通电阻就越小;特性曲线斜率越陡峭，导通电阻性能越优异。　　IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围)，在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题，但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时，低功率范围的效率并不高。　　与之相对，SiC‑MOSFET 能够在更宽的工作区间维持较低的导通电阻。　　另一方面，温度升至 150℃时，Si‑MOSFET、SiC‑MOSFET 的特性曲线斜率均会变小，导通电阻随之上升。不过 SiC‑MOSFET 受温度影响幅度更小：25℃时导通性能接近的器件，高温环境下二者差距会进一步拉开，SiC‑MOSFET 导通电阻的温度漂移显著更低。　　与IGBT的区别：关断损耗特性　　前文多次提及，SiC 功率器件具备出色的开关性能，可实现大功率工况下的高速开关。下面具体对比其与 IGBT 的开关损耗差异。　　IGBT 器件关断时，受自身器件结构影响会产生拖尾电流，造成关断损耗增大，这是 IGBT 固有的特性。　　对比关断波形能够看出，SiC‑MOSFET 从原理上不存在拖尾电流，因此关断损耗可以做到很低。本次测试中，SiC‑MOSFET 搭配 SBD 肖特基势垒二极管方案，相较于 IGBT 搭配 FRD 快速恢复二极管方案，关断损耗 Eoff 降低 88%。　　还有一点需要注意：IGBT 的拖尾电流会随着工作温度升高而增大。另外，想要实现 SiC‑MOSFET 高速开关，需要合理配置外部栅极电阻 Rg，这一点在前面对比 Si‑MOSFET 的章节中已经做过说明。针对栅极电阻调试、驱动电路设计等实操问题，AMEYA360 可提供技术协助。　　与IGBT的区别：导通损耗特性　　接下来看开关导通时的损耗。　　IGBT 开通瞬间会出现图中蓝色 Ic 波形红色虚框所示的电流分量，该电流主要来自二极管反向恢复电流，是 IGBT 开通损耗的主要来源。值得留意：搭配 SiC‑SBD 使用时，凭借其优异的反向恢复特性，MOSFET 的开通损耗可以得到有效抑制;而配套 FRD 使用时，开通损耗会和 IGBT 拖尾电流一样，随温度升高进一步增大。　　综上，从开关损耗整体表现来看，SiC‑MOSFET 性能明显优于 IGBT。　　注：以上数据均来自 ROHM 内部测试环境。受驱动电路等外部条件影响，实际测试结果会存在一定差异。　　AMEYA36优势料号　　SCT4018KRC15：　　1200V, 18mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　SCT4026DLLTRDC：　　750V, 61A, 9引脚SMD，沟槽结构，碳化硅(SiC) MOSFET　　SCT4036DLLTRDC：　　750V, 46A, 9引脚SMD, 沟槽结构, SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4045DLLTRDC：　　750V, 37A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC(碳化硅)MOSFET　　SCT4036KRC15：　　1200V, 36mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET　　AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，可提供上述全系列SiC器件的选型参考、样品申请、现货供应及配套技术支持，助力工程师快速完成SiC方案评估与落地。欢迎联系Ameya获取更多ROHM SiC产品信息与支持。
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