上海永铭丨AI<span style='color:red'>服务器</span>高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏电流可靠性支撑Pin-to-Pin替代
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上海永铭丨AI服务器高温大纹波工况下，IDC3系列牛角铝电解电容以漏电流可靠性支撑Pin-to-Pin替代

　　本文摘要　　AI服务器电源中的DC Link直流母线与板级滤波电容，需要长期承受高温、大纹波和连续负载变化。漏电流若在运行中出现异常漂移，可能放大器件发热和失效风险，并进一步影响设备维护成本与交付稳定性。永铭IDC3系列围绕氧化膜、电解液、密封、连接工艺和出厂筛选建立控制路径，并提供全温区电气数据及Pin to Pin验证基础，帮助客户把可靠性评估前置到选型与导入阶段。　　AI服务器高负荷运行下 为什么漏电流值得提前评估　　在AI服务器中，牛角铝电解电容承担母线滤波、储能和板级滤波等任务。设备从启动到高负载计算，电容面对的不只是额定电压和容量，还包括温度循环、持续纹波、峰值电流以及多并联时的一致性要求。对于7×24小时运行的系统，可靠性判断不能只停留在出厂时的单点参数。　　漏电流风险通常存在一条逐步发展的路径。阳极箔氧化膜的微小损伤、杂质带来的局部腐蚀、电解液修复能力不足，都会为电流异常提供起点。温度上升后，离子迁移和水合反应加快，氧化膜可能出现变薄、微裂纹或针孔;漏电流的增加又会带来额外焦耳热，使电解液挥发和膜层修复能力下降。对服务器客户而言，关键问题因此不只是“当前数值是否合格”，更是这一风险能否被识别、控制和验证。　　IDC3如何从制造环节控制漏电流风险　　IDC3的控制逻辑从失效诱因出发，将材料、结构与工艺串联起来。高纯度阳极铝箔和满足450至500V耐压要求的化成氧化膜，为膜层致密性提供基础;工作电解液兼顾导电和膜层修复作用，并对氯离子、硫酸根等有害杂质及水分含量进行控制。　　在长期高温工况下，密封能力直接影响电解液保持状态。IDC3采用优质板材加膜的密封结构，降低电解液挥发干涸的风险。连接环节采用激光焊接替代传统点焊或铆接，资料显示可降低接触电阻，使ESR降低约30%，同时改善焊接一致性，为多并联应用中的电流分配控制提供支持。结合原材料、生产环境洁净度和杂质管控，风险控制不再只依赖终检，而是前移到关键制造环节。　　IDC3关键规格与全温区电气特性　　选型时，20℃下的额定容量只是起点。系统实际运行会经历低温启动、常温运行与高负荷升温，因此需要同时观察容量和ESR随温度变化的轨迹。IDC3两种常用规格的基础参数如下。　　图1：IDC3 475V1670uF与475V2270uF规格、电气参数及漏电流内规格值　　在120Hz测试条件下，475V 1670µF规格的容量平均值由−40℃的1261.58µF变化至105℃的1570.92µF，ESR平均值由1135.86mΩ降至18.82mΩ。475V 2270µF规格的容量平均值由1732.03µF变化至2111.30µF，ESR平均值则由984.24mΩ降至17.68mΩ。两个规格虽然容量等级和尺寸不同，但都建立了从低温到高温的连续数据观察基础。　　图2：IDC3 475V 1670uF 30×100容量与ESR高低温测试结果　　换到更大容量的IDC3 475V 2270uF 35×100，同样可以看到完整的温度变化过程。容量平均值从-40℃的1732.03uF逐步变化至105℃的2111.30uF;ESR平均值则从984.24mΩ下降至17.68mΩ。　　图3：IDC3 475V 2270uF 35×100容量与ESR高低温测试结果　　IDC3通过这两组规格的高低温测试数据，让客户能够更直观地看到器件从低温到高温的电气特性变化，为后续选型和应用验证提供依据。　　当然，容量和ESR的温度特性解决的是“不同温度下电气参数如何变化”的问题，而AI服务器客户更加关注的漏电流异常，则需要从氧化膜质量、杂质控制、电解液修复能力以及高温加速机制等方面进一步判断。也就是说，只有把全温区电气特性与漏电流可靠性放在同一个应用场景中理解，才能更完整地评价牛角铝电解电容在AI服务器中的长期使用风险。　　从出厂筛选到高温存储 用数据验证漏电流表现　　IDC3的漏电流测试条件为20℃下施加额定电压5分钟后测量。针对服务器应用，内部以规格值的30%作为加严内控窗口，旨在进一步收窄潜在差异。高温存储验证则关注器件在严苛环境后的恢复表现：在105℃下存储1000小时，恢复至20℃后测试，漏电流维持在初始规格范围内。　　图4：两种IDC3规格初始漏电流与105℃/1000h高温储存后漏电流数据　　这些数据的意义并不在于替代完整的系统级验证，而在于为项目早期筛选提供可追溯的依据。客户仍应按照实际电压、纹波、散热条件与寿命目标开展应用验证。　　永铭Pin to Pin替代，为第二供应源评估提供起点　　对已采用日系同类方案的客户，第二供应源的价值不只是增加一个料号，更在于建立经过规格匹配和验证的供应选择。　　IDC3 475V 1670µF Φ30×100mm　　可对应475V 1600µF 30×100mm应用;　　IDC3 475V 2270µF 35×100mm　　可对应475V 2200µF 35×100mm应用。　　两类规格引脚间距一致，可作为Pin to Pin替代验证的起点。　　从样品申请、规格核对、台架测试到整机导入，客户可以分阶段推进评估，在确认可靠性要求的同时，降低单一供应来源带来的项目不确定性。具体替代关系及导入结论仍需结合客户的电路条件和验证流程确认。　　Q&A　　Q：永铭IDC3如何保证漏电流的稳定　　A：通过氧化膜致密性、阳极箔与电解液杂质控制、电解液的膜层修复能力、密封可靠性、激光焊接一致性以及出厂前的加严筛选。　　Q：全温区容量和ESR数据，选型该看什么?　　A：AI服务器会经历低温启动、常温运行和高负载升温，20℃单点参数不能完全代表全温区表现。以475V/1670µF为例，120Hz下容量平均值从-40℃的1261.58µF到105℃的1570.92µF，ESR平均值从1135.86mΩ降至18.82mΩ。这些数据用于评估低温启动和高温负载时的电气裕量，实际选型还要结合纹波电流、散热条件和寿命目标。
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发布时间：2026-10-16 10:24 阅读量：230 继续阅读>>
杰华特如何破解AI<span style='color:red'>服务器</span>供电瓶颈？
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杰华特如何破解AI服务器供电瓶颈？

　　AI 服务器犹如一台全力冲刺的专业赛车，GPU 是输出澎湃性能的发动机，而 DrMOS 则是保障动力稳定释放的高速功率执行单元。　　随着算力密度不断攀升，AI 服务器的运行工况也愈发严苛。整机性能上限，不再仅仅由 GPU 算力决定，供电系统的瞬态响应能力、功率密度、长期可靠性与方案适配性，同样是不可忽视的核心要素。　　本文带你厘清 VRM 控制器与 DrMOS 的协同工作逻辑，拆解杰华特 DrMOS 产品核心优势与完整产品矩阵，一览面向 AI 服务器的全链路电源解决方案。滑动阅览，一同探寻算力背后的供电力量!
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发布时间：2026-10-15 13:32 阅读量：247 继续阅读>>
破局AI<span style='color:red'>服务器</span>电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择
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破局AI服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

　　过去两年，AI算力需求以每年数倍的速度增长。单机架功率从早期的几十千瓦，正在向数百千瓦乃至更高迈进。英伟达最新的GB200 NVL72系统，单机架功率已达到120kW级别。而下一代Rubin Ultra平台的设计目标已经指向600kW以上，甚至兆瓦级机架。　　但一个被忽视的事实是：算力越强，电源系统面临的压力越大。　　传统数据中心供电架构中，12V或48V母线在千瓦级功率下，电流可达数百安培甚至更高。这意味着仅仅在线缆和连接器上的导通损耗，就足以让整个系统的效率下降几个百分点。效率损失1%，对于一个350kW级别的电源系统而言，就是3.5kW的纯浪费——这不仅是电费问题，更是散热设计和运营成本的连锁压力。　　更关键的是，低压大电流路径的损耗并非线性增长。以48V架构为例，当机架功率达到600kW时，理论电流将超过12,500A。即使假设铜排总电阻仅为1毫欧，传输损耗也将高达156kW，占总功率的26%。这已经不是在“省电”，而是在“堵漏”。　　问题的根源在哪里?　　在一套完整的AC-DC或DC-DC电源链路中，功率器件承担着最关键的开关与转换任务。它的导通损耗和开关损耗，直接决定了系统的效率上限。　　传统硅基MOSFET在高电压下存在一个物理极限：击穿电压与导通电阻之间存在正相关关系——要提高耐压，就必须增加漂移区厚度、降低掺杂浓度，而这直接导致导通电阻显著上升。这一矛盾在高压、高频场景下被进一步放大：开关损耗随频率上升，而为了维持效率被迫降低开关频率，又会导致变压器和电感体积增大。在寸土寸金的服务器机柜里，这几乎是不可接受的。　　破局思路：从器件层面找回效率　　第三代半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，正是针对这类场景的破局关键。SiC材料具有宽禁带、高临界击穿场强和高热导率等优势，在650V及以上高压场景中，可以用更薄的漂移区实现更低的导通电阻，同时支持更高开关频率和更高工作结温;GaN HEMT则基于AlGaN/GaN异质结形成高迁移率二维电子气，具备极低的栅极电荷、输出电容和反向恢复电荷，特别适合600V至650V及中低压高频高效场景。二者结合，可在PFC、DC-DC、同步整流等环节显著降低导通损耗与开关损耗。　　在服务器电源、通讯电源等能源电源应用中，SiC MOSFET与GaN HEMT的低导通损耗、低开关损耗和优异高频特性，能够帮助设计者在有限空间内实现更高的功率密度。　　以安森德半导体的第三代半导体产品线为例，目前已有成熟产品落地：　　SiC MOSFET 系列：　　以 ASC360N65Q1H (N MOS) 为代表，采用Trench工艺，耐压达650V，内阻低至360mΩ。该器件具有高开启电压(抗干扰能力强)、开关速度快的特点。配合DFN5*6封装，散热性能好，应用稳定，非常适用于开关电源、高压DC-DC驱动以及快速开关场景，具备高功率密度、输出线性好和能效高等优势。　　GaN MOSFET 系列：　　以ASDM15GN65TE / ASDM23GN65P 为代表，耐压650V，内阻低至100mΩ。该系列具备高频高效、高耐压、耐高温、高可靠性的特点，能实现节能降耗、小体积、低重量和高功率密度。其应用领域覆盖氮化镓锂电池充电器、PD快充及大功率适配器，非常适合作为AI服务器电源系统的高密度辅助电源或高效供电模块。　　AI算力的竞赛不会停步。从行业趋势来看，供电架构正在从传统的12V/48V母线向50V乃至800V高压直流演进，机架功率的每一次跃升，都在把电源设计推向新的边界。设计者需要更“聪明”的器件来跟上节奏。　　如果你正在为高功率密度电源的效率和散热问题头疼，欢迎关注安森德半导体公众号，我们将为您提供更加优质的解决方案。
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发布时间：2026-09-24 11:28 阅读量：339 继续阅读>>
三展联动启幕：泰晶科技亮相行业盛会聚焦AI光模块与<span style='color:red'>服务器</span>新机遇
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三展联动启幕：泰晶科技亮相行业盛会聚焦AI光模块与服务器新机遇

　　9月9-11日，2026 IICIE国际集成电路创新博览会盛大启幕。本届展会以"跨界融合·全链协同，共筑特色芯生态"为主题，与CIOE中国光博会、ELEXCON第23届深圳国际电子展暨嵌入式展三展同期举办，总规模达34万平方米，汇聚工业、汽车、物联网、光电等领域专业决策者，贯通"芯片-器件-光电-应用"全产业链。　　立足光电产业变革，泰晶科技本次重点展示光模块、服务器高基频振荡器供应服务能力，三大主攻场景同步亮相：　　AI服务器：高基频、30fs级超低抖动差分晶振、312.5MHz　　光通信：800G→3.2T光模块DSP时钟　　汽车电子：2000+款车规晶振，TCXO/SPXO/RTC全系列　　展会期间，泰晶科技现场拜访参展芯片平台展位，与中兴微电子、华润微电子、比亚迪半导体、爱特微、北京君正、澜起科技、紫光国微、广立微、复旦微电子等行业翘楚深入交流，集中对接面向AI算力、消费电子、智能汽车等赛道的芯片架构创新与RISC-V生态落地带来的时频方案需求。　　从AI算力到光电融合，从光模块到车规晶振，泰晶科技以高基频、超低抖动、全系列车规时频方案，持续为"芯片-器件-光电-应用"全链条提供关键时钟支撑。未来，泰晶科技将继续深化与芯片平台及光电产业链协同，共筑特色芯生态。
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发布时间：2026-09-14 11:56 阅读量：334 继续阅读>>
无惧AI<span style='color:red'>服务器</span>突发负载——松下双电层电容器EDLC中国首发！
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无惧AI服务器突发负载——松下双电层电容器EDLC中国首发！

　　峰值负荷不可避免　　所以要“本地储存，瞬时释放”　　AI服务器同时启动、训练任务集中输入、以及瞬断恢复时的突入电流—— 数据中心真正的挑战不是“稳态”，而是瞬时峰值。 为适应这些挑战而实施的过度设计可能导致PSU效率下降，UPS和断路器冗余减少，甚至空调超调。　　松下机电的革新答案　　Panasonic的EDLC(双电层电容器) 可以安装在机架下游(直流母线)、可用区(Zone)或配电柜正下方的任意位置。 它在本地储存瞬时能量，并以高速释放，向上游设备提供平稳电流。 因此，PSU 可维持在高效工作区，而UPS和配电系统则降低了误切断的风险。 峰值发热量也减少，使空调和布局更具灵活性。　　“不切断，不过热，不太大”——用一个“储存并利用” 的简单电源架构来实现这一点。　　“瞬时峰值”交给EDLC　　“稳态”留给PSU　　简单的角色划分实现了　　从电源到空调的全面优化　　结合高循环寿命与早期劣化监测(电压/温度/ESR)，实现计划性点检与预防性更换，减少突发维护。　　EDLC特点　　瞬间储存，需要时高速释放　　EDLC具有高输出、快速响应和长循环寿命，能够吸收PSU、UPS和配电面临的“瞬时峰值”。因此，上游设备能够维持稳定的运行范围，缓解发热、空调和布局的限制。
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发布时间：2026-09-14 10:07 阅读量：341 继续阅读>>
士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力<span style='color:red'>服务器</span>电源迈向能效新高度
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士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度

　　AI算力需求爆发叠加数据中心能效标准持续升级，服务器电源已从满足基础能效迈入极致高效、高功率密度的迭代阶段。功率器件的导通与开关损耗，是制约服务器电源效率、散热与整机性能的核心因素。数据中心供电架构向800Vdc母线架构演进趋势下，导通电阻、栅极电荷的微小差异，都会显著放大整机功耗与温升问题。　　士兰微依托自研先进屏蔽栅沟槽SGT G3+工艺平台，面向AI服务器PSU高功率密度需求，推出两颗新一代80V N沟道功率MOSFET：SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE，以1.2mΩ典型导通电阻与85nC典型栅极电荷的优异组合，精准平衡导通损耗与开关损耗，具备业界领先的FOM(品质因数)。　　封装选型　　● SVGP081R4NL5S-3HE：PDFN 5*6(单面散热)，热量通过底部焊盘向 PCB 散热，兼容常规 PCB 设计，适合常规散热条件的服务器电源设计。　　● SVGP081R4NL5SCE-3HE：PDFN 5*6 DSC(双面散热)，芯片顶部可外接散热器，底部+顶部双面导热，热阻显著降低，大幅提升大电流下的载流能力，助力功率密度提升。　　产品核心参数速览　　SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE专为高功率密度、高效率服务器电源应用打造。在新一代SGT工艺平台下，实现了单位面积导通电阻(RSP)、品质因数(FOM)、输出电容(Coss )的三重突破，以均衡的损耗控制与优异的高频性能，完美适配AI数据中心高密、高效、高可靠应用场景。　　01 更低导通电阻，让大电流路径更“冷”　　在PDFN5×6封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE将最大导通电阻做到1.4mΩ，典型值仅1.2mΩ，单位面积导通电阻(RSP)较上一代降低27%，导通损耗显著降低，有效降低高密度电源模块的热管理压力，散热设计得以简化，系统可靠性同步提升。　　02 开关损耗大幅降低，让高频开关更“省”　　栅极电荷Qg典型值为85nC，品质因数FOM(Qg × RDS(on))= 119，较上一代产品FOM值降低35%，与国际一线品牌产品同属行业第一梯队。FOM是衡量MOSFET导通损耗与开关损耗平衡能力的关键标尺。更小的Qg带来更快的开关速度与更低的驱动损耗，意味着在每次开关动作中“省”下更多能量。　　03 更小输出电容，让高频转换更“快”　　输出电容Coss典型值为1950pF，对比国际最先进工艺平台同规格产品减小约10%，在高频开关应用中优势凸显。输出电容决定了器件开关过渡的速度，在服务器电源高频化的趋势下，更小的输出电容意味着更快的开关过渡、更低的开关损耗，为更高开关频率的设计提供了空间。　　04 双重散热方案，让器件选型更“活”　　同一封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE与SVGP081R4NL5SCE-3HE分别支持单面散热与双面散热，两种散热路径使得选型更灵活。双面散热外形在底部散热基础上增加顶部导热通道，约20%~30%的热量经由顶部散发，能够减少热量向PCB积聚。使用不同材料和厚度的导热硅脂进行热仿真，相比同规格标准PDFN5×6封装，双面散热的热阻降低约66%，PCB的发热量(Tpcb-Ta)降低约30%，PCB自身温度降低，板上其他元器件(如电容、连接器)的热应力同步减小，有助于延长整个系统的寿命，实现器件同规格具备双选择。　　在AI服务器电源系统中，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可部署于PSU的两个关键位置：PSU内部DC-DC副边同步整流(SR)，以及电源输出侧的ORing FET。　　图1 数据中心典型供电架构　　在DC-DC转换级，副边SR管承担大电流传导与高频开关任务。以LLC谐振拓扑为例，SR管工作在ZVS(零电压开通)条件下，开通损耗可忽略，损耗主要来自导通压降与关断过程。因此，低RDS(on)是降低导通损耗的核心，低Qg有助于降低驱动损耗与关断损耗，低Coss可减小死区期间的充放电损耗。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE以1.2mΩ典型RDS(on)、85nC Qg与1950pF Coss的均衡参数，适配高频LLC同步整流需求。　　图2 服务器一次电源PSU内部拓扑(图腾柱PFC+LLC)　　在服务器电源架构中，ORing FET通常串联于各PSU输出支路，常态下持续导通传输负载电流，故障时快速关断以实现隔离与防电流倒灌。因其几乎不参与开关动作，导通损耗(I²R)为主要损耗，低RDS(on)是核心选型指标;同时需具备足够的SOA与雪崩耐量，以承受热插拔及故障切换带来的瞬态应力。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE典型RDS(on)仅1.2mΩ，可有效降低大电流路径的发热与压降，提高电源工作效率。　　图3 电源输出侧ORing FET 示意图　　此外，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可进一步拓展至人形机器人等高景气赛道。以机器人关节模组为例，其低频大电流工况下，RDS(on)的毫欧级差异将被持续放大为显著的功耗与温升差异，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE 助力应用降低损耗和温升，满足系统对高效率与高可靠性的双重需求。　　全球AI服务器功率需求正高速增长，单颗处理器电流将突破10,000安培。在AI算力场景下，MOSFET 的RDS(on)和FOM每1%的优化对AI电源能效提升至关重要。顺应行业发展趋势，士兰微依托全新SGT工艺平台，重磅推出SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE两款器件。产品在导通电阻、栅极电荷、输出电容等核心关键参数实现全方位提升，高度适配 AI 服务器电源、具身智能等高要求应用场景，是理想的功率器件选型方案。
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发布时间：2026-08-28 11:00 阅读量：426 继续阅读>>
纳芯微丨高密度AI<span style='color:red'>服务器</span>电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
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发布时间：2026-08-13 09:49 阅读量：451 继续阅读>>
诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭AI<span style='color:red'>服务器</span>领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展
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诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭AI服务器领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展

　　PART01前言　　上海永铭电子将于8月26日至28日参加2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(PCIM Asia)，进驻深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28。现场将全面展示新能源汽车电子、AI服务器、无人机&机器人(电机驱动)、能源与工业电力四大领域电容解决方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、存储数据可靠性提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器电源、主板、存储三大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　PART02　　AI服务器全场景电容解决方案　　1)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　2)AI服务器主板　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　3)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。针对PLP的备用电源，永铭有双电层超级电容方案应对。5串组成13.5V模组匹配12V平台，多组并联扩流扩容。　　【部分优势规格推荐】　　PART03　　从一颗电容到整柜算力　　永铭全程守护　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。更多技术细节与选型支持，欢迎莅临16号馆 D28，与永铭工程师面对面交流。为避免现场排队，您可扫描下方邀请函中的观众预登记二维码，提前完成注册，快速入场。8月26日至28日，永铭在深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28，期待您的莅临!
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发布时间：2026-08-11 13:25 阅读量：467 继续阅读>>
美光丨基于第六代AMD EPYC的智能体AI：为应用程序<span style='color:red'>服务器</span>带来代际性能提升
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美光丨基于第六代AMD EPYC的智能体AI：为应用程序服务器带来代际性能提升

　　我们评估了第六代 AMD EPYC™ 在智能体应用程序服务器工作负载上的代际性能提升。2026 年 7 月 22 日，AMD Advancing AI 大会现场。　　“我们需要一艘更大的船。” — 布罗迪警长　　随着 AI 的使用向智能体模式转变，对数据中心基础设施的要求也会随之提高。这将导致每台服务器的 CPU、内存、存储性能和密度目标值都相应提高，但理想的智能体应用程序服务器应该是什么样的? 又该如何进行测试呢?　　我的团队构建了一个基准测试，用于模拟智能体 AI 可能对您的基础设施施加的工具调用工作负载，并与 AMD 数据中心生态系统应用工程团队合作，于 7 月 22 日在 AMD Advancing AI 大会上进行了演示。我们测试了第五代 AMD EPYC 128 核 CPU，AMD 测试了他们的新型第六代 AMD EPYC 256 核 CPU。第六代 AMD EPYC CPU 搭配美光® DDR5-8000 内存和 9650 PCIe® 6.0 NVMe™ SSD，性能提升了 3.8 倍，CPU 能效提高了 2.9 倍。　　幸好，AMD 为我们打造了一艘更大的船。　　智能体应用程序服务器　　智能体 AI 部署运行在两个不同的计算层级上。推理运行在 AI 集群上，该集群利用加速器密集型主机来运行语言模型和智能体框架。每当智能体调用工具时，该请求就会离开 AI 集群并到达应用程序服务器。应用程序服务器执行工作，将结果返回，然后智能体决定下一步做什么。　　图 1：智能体 AI 数据流。此基准测试用于表征应用程序服务器(橙色高亮部分)。　　应用程序服务器正是我们着手要表征的对象。当每台主机有数百次工具调用时，CPU、内存和 NVMe 子系统决定了响应时间。这是一个关于存储、内存和计算的整体问题。　　智能体基准测试设计　　我们对生产环境中的智能体工作流进行了剖析，并设计了一项测试，使用真实应用程序来模拟应用程序服务器常见的操作。　　编码智能体拉取资产、查找构建元数据并检索源代码树。　　文档分析智能体获取文档、查询策略数据库并搜索语料库。　　运维智能体拉取日志文件、查询指标存储并检索运行手册。　　数据分析智能体拉取原始导出数据、查询目录数据库并搜索先前的报告定义。　　具体细节有所不同，但工作负载特征相似。　　图 2：四个代表性智能体工作流映射到三种基准应用程序：S3 GET 用于资产和语料库获取，MariaDB® 用于元数据和会话查找，ripgrep 用于文本和代码搜索。　　对象存储：针对本地 MinIO™ 端点的 S3 GET 流量。智能体获取文档、图像、向量分片和 RAG 语料库块。我们使用了混合对象大小分布(每个容器 500 × 1 MiB，500 × 10 MiB，190 × 50 MiB)来对 NVMe 层的吞吐量进行压测。　　针对 MariaDB 的结构化查询：每个周期 50 次查询，涵盖五种查询模式(点查询、范围扫描、聚合、有序扫描、去重)。这展示了智能体如何访问其元数据、会话和长期记忆存储。　　使用 ripgrep 进行代码和文本搜索：每个周期在完整的 Linux 内核和 CPython 源代码树中进行 100 次 ripgrep 搜索。文本搜索非常消耗 CPU，且会占用主机内存，它常见于编码智能体、日志分析智能体以及在语料库中查找引用的工作流中。　　每个智能体都在其独立的 Docker™ 容器中运行，内存限制为 4GB。每个容器运行一个周期：1,190 次 S3 GET 请求，50 次 MariaDB 查询，以及 100 次 ripgrep 搜索。　　AMD Advancing AI 与第六代 EPYC CPU　　在 AMD Advancing AI 2026 大会上，AMD 发布了第六代 AMD EPYC 服务器 CPU，旨在为智能体 AI 时代提供领先的性能。AMD 将业界领先的核心密度(每插槽高达 256 个核心和 512 个线程)与具备业界最高频率 5GHz 的 AI 主机节点，以及业界领先的 PCIe 6.0 I/O 子系统相结合，后者使每链路带宽较上一代翻倍。AMD 将其定位为用于扩展具备密集计算能力的智能体的理想 AI 主机节点，并作为一个广泛的、针对工作负载优化的产品组合，以支持通用工作负载、数据库、存储和 CPU 推理，从而保障企业的日常运营。　　全新的第六代 AMD EPYC 系统支持美光 DDR5-8000 DRAM，数据速率较第五代 AMD EPYC 系统所使用的 DDR5-6400 提高了 25%，内存通道也从 12 个增加到 16 个。这些改进使得峰值内存带宽从第五代 EPYC 系统的 614 GB/s 提升至第六代 EPYC 系统的 1,024 GB/s，实现了 1.7 倍的提升，并且每个插槽具有更大的容量，足以容纳数百个并发智能体的工作集。　　存储也实现了代际飞跃。美光 9650 SSD 是首批投入量产的 PCIe 6.0 数据中心 SSD 之一，它利用翻倍的接口带宽，在智能体主机生成的混合 I/O 负载下，能更快地返回对象和语料库读取数据。第六代 AMD EPYC 系统采用了 PCIe 6.0 美光 9650 驱动器，而第五代 AMD EPYC 系统则使用了 PCIe 5.0 美光 9550。　　性能结果　　关键指标是每秒智能体操作数 (AOPS)，即容器内所有运行工作负载完成的操作数总和除以完成操作所需的时间，反映了整个系统处理操作的速度。第六代 EPYC CPU 持续达到 2,185 AOPS，而 Turin 为 581.4 AOPS，提升了 3.8 倍。这是在 2 倍容器数量的情况下实现的，意味着第六代 EPYC CPU 在几乎一半的时间内完成了两倍的工作量。　　总体智能体性能　　图 3(左一)：总 AOPS：第六代平台为 2,185，第五代平台为 581.4。　　图 4(右一)：每个物理核心的 AOPS：第六代平台为 8.5，第五代平台为 4.5。　　我们的测试结果显示，第六代平台的总 AOPS 是第五代平台的 3.8 倍。这有效地衡量了系统完成 1,190 次 S3 GET 请求、50 次 MariaDB 查询以及 100 次 ripgrep 搜索的速度(乘以已部署容器数量)。第六代 EPYC 系统在 157 秒内完成了 343,040 次操作，而第五代 EPYC 系统在 299 秒内完成了其半数的操作。从单核性能来看，在运行两倍数量的容器和两倍数量的核心时，第六代 EPYC 系统实现的单核 AOPS 高出 1.9 倍。　　应用程序延迟与工作负载的关系　　即使运行容器的数量翻倍，第六代 AMD EPYC CPU 在所有工作负载下仍能提供更低的应用程序延迟。S3 充分利用了美光 9650 在 PCIe 6.0 接口下的混合 I/O 性能，MariaDB 受益于整个系统的性能提升，而 ripgrep 则高度依赖 CPU。　　图 5：各工作负载的容器平均延迟。　　CPU 性能　　第六代 EPYC CPU 在所有核心上的平均利用率为 33%，而第五代 EPYC CPU 的平均利用率为 87%，但这并不能反映全部情况。在整个测试过程中，两款 CPU 都经常出现利用率飙升至 100% 的情况。　　图 6：每个活动窗口期间的 CPU 利用率：平均值和峰值测量结果。　　存储性能　　图 7(左一)：测得的平均和峰值总存储读取吞吐量。　　图 8(右一)：测得的平均和峰值总存储读取 IOPS。　　存储工作负载非常复杂，其中 S3 驱动大块随机 I/O，MariaDB 使用 16KB I/O，而 ripgrep 则发出 4KB 及更小的 I/O。使用两块硬盘时，美光 9650 可飙升至 53 GB/s(170 万 IOPS)，非常接近每块硬盘 28 GB/s 的理论最大值。这证明了 9650 不仅能够处理极高的吞吐量，而且在复杂的混合 I/O 工作负载下也能保持稳定运行。　　CPU 封装功耗与能效　　图 9(左一)：测得的 CPU 封装 RAPL 平均功耗和峰值功耗。　　图 10(右一)：测得的每封装瓦特 AOPS：第六代平台为 5.2，第五代平台为 1.8。　　第五代 EPYC CPU 的 CPU 封装 RAPL(运行平均功耗限制)平均功耗为 320.6W，峰值功耗为 456.4W。第六代 EPYC CPU 的平均功耗为 422.8W，峰值功耗为 604.7W。由于更高的 TDP 和两倍的核心数量，第六代 EPYC CPU 功耗也更高，但也利用这些功率完成了更多的工作。从效率来看，第五代 EPYC CPU 的每 CPU 封装瓦特 AOPS 为 1.8，而第六代 EPYC CPU 为 5.2，CPU 能效提升了 2.9 倍。　　推动数据中心的 AI 发展　　AMD 和美光开发了此基准测试，旨在展示每个主机在智能体数量和种类增加时的系统性能。IDC 预测，到 2029 年，全球将有超过 10 亿个活跃部署的 AI 智能体，每天执行 2170 亿次操作，并消耗 3.7 万亿个词元和 API 调用以处理这些负载1。Gartner 预计，智能体 AI 支出在 2026 年将达到 2019 亿美元，并有望在 2029 年达到 7530 亿美元2。在机架层面，这意味着每个主机有更多的智能体，每个智能体有更多的并发 I/O，并且服务器内的每个子系统同时承受更大的负载。　　第六代 AMD EPYC 系统在运行 256 个容器的情况下持续达到 2,185 AOPS，总 AOPS 比上一代提升了 3.8 倍，每核心 AOPS 提升了 1.9 倍，能效提升了 2.9 倍。
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发布时间：2026-08-06 13:46 阅读量：540 继续阅读>>
4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，AI<span style='color:red'>服务器</span>PSU输出端国产替代方案
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4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，AI服务器PSU输出端国产替代方案

　　01　　一颗电容卡住AI算力供应链命脉　　AI算力需求正以指数级增长，驱动服务器电源、数据中心、算力基础设施向大功率、高密度、7×24小时不间断运行加速演进。　　在这一架构下，PSU(电源供应单元)主功率级输出端与48V DC BUS(直流母线)的滤波与Hold-up(储能/掉电保持)性能，直接决定了整机的稳定性与使用寿命。　　目前行业普遍选用 NCC、Nichicon 等日系固态电容，但海外产能受限，产品交期普遍达到 10 周以上，叠加采购成本持续上涨，该元器件已成为整机供应链中的薄弱环节。针对这一关键位，永铭推出NHT 63V 270μF(10×16)与NHX 63V 470μF(10×21)两款固液混合电容，直接对标日系同规格主力型号，依托本土4周交付能力实现降本稳供，是成熟的国产替代方案。　　02痛点深度剖析：日系电容以来英法三重失效　　长期采用NCC等日系电容，会在供应链、成本、技术适配三大维度形成多重风险，直接转化为企业实实在在的损失，具体如下：　　注意：日系电容规格适配成本偏高，难以同时兼顾交期、成本与 AI 服务器大功率严苛工况要求。　　03　　永铭NHT/NHX系列，全场景国产替代　　针对日系电容的各类短板，永铭依托本土研发与生产优势，打造 NHT、NHX 两大系列固液混合电容，实现性能对等、无缝替换、降本稳供三大核心价值。　　3.1 选择永铭的三大核心优势　　1. 无缝兼容，零改板成本　　产品电气性能、封装尺寸全面对标日系主流型号，支持Pin-to-Pin 直替，无需修改PCB 电路板，省去改板、重新验证的时间与工程费用。　　2. 本土智造，交付提速　　依托国内自有工厂生产，常规交付周期压缩至4 周，相比日系 10 周以上交期大幅缩短，从根源规避断供、延期风险，保障量产节奏。　　3. 品质稳定，综合降本　　产品通过严苛工况验证，可靠性完全匹配 AI 服务器使用要求;同等品质下采购价格优于日系，兼顾产品品质与量产成本　　3.2 核心技术工艺与工况适配　　依托成熟材料体系与结构设计，五大技术维度针对性解决电源运行难题：　　永铭NHT/NHX系列不仅在设计上对标日系，更经过严格的长时间老化测试，用数据证明其在高温高压工况下的稳定性。　　下图为NHT/NHX系列在125℃、额定电压下连续运行4000小时的实测老化数据曲线：　　从图中可以清晰看到：　　容量变化率(蓝线)： 在整个4000小时试验周期内，容量衰减幅度极小，曲线平稳，无明显拐点，证明电介质材料在高温下保持优异的活性与稳定性。　　ESR(等效串联电阻，红线)： 曲线全程保持低位平稳，无异常抬升，说明内部电极与电解液界面稳定，高频滤波性能无衰减。　　漏电流(绿线)： 初始快速稳定后，全程维持在极低水平，无突发尖峰或爬升，表明产品在长期高温应力下绝缘特性可靠，无击穿风险。　　上述数据充分印证：永铭固液混合电容在AI服务器7×24h高温满载工况下，性能劣化曲线平缓，有效延缓电容老化，保障整机全生命周期内的稳定运行。　　3.3 应用效果与客户收益　　技术结果：替换后电容ESR、耐流、耐压、高温寿命指标对标日系，滤波抗扰、抗浪涌性能保持一致。　　客户收益：设备故障率、返修率、停工损失显著下降;依托短交期保障量产，同步优化整机成本与品牌口碑。　　04　　价值论证：综合TCO最优，替代永铭是理性选择　　单纯对比单品价格存在局限性，TCO(全生命周期成本) 才是企业选型的核心依据。永铭 NHT/NHX 系列不止实现产品平替，更能帮助企业规避隐性成本、管控供应链风险：　　零改板降本：Pin-to-Pin 直替设计，无需投入改板、测试、验证成本，缩短项目落地周期;　　短交期避险：4 周稳定交付，告别超长备货周期，释放流动资金，杜绝产线停工损失;　　低运维提效：长寿命、高可靠性设计，减少后期维保、更换成本，全生命周期运维费用更低。　　一句话总结：以对标日系的产品品质 + 4 周极速交期，为企业供应链加装一份“断供险”，用合理采购成本，换取供应链自主可控与长期降本增效。　　为什么这笔投入值得：永铭可直接平替日系电容、省去改板费用;本土短交期规避海外断供与涨价风险，同时全生命周期维保成本更低，综合收益远高于初期投入。　　05　　常见问题答疑Q&A　　Q1：永铭NHT系列能否直接Pin-to-Pin替换Nichicon PCJ系列?封装尺寸和引脚间距是否完全一致?　　A1：能。 永铭NHT 63V270μF(10×16)和NHX 63V470μF(10×21)系列，关键尺寸和电气性能(ESR、纹波电流)对标日系，可实现Pin-to-Pin替换，无需改PCB板。　　Q2：在AI服务器实际运行热点温度85℃下，永铭NHT固液混合电容的预期寿命是多少?是否有第三方测试报告?　　A2： NHT系列额定125℃/4000h长寿命，在85℃实际工况下预期寿命远超此数值。永铭可提供第三方检测报告(125℃/4000h老化测试数据、ESR/漏电流/容量变化趋势曲线)。　　Q3：永铭NHT系列标准品常规交期是多久?紧急订单最快多久能交货?有没有现货库存支持?　　A3： 永铭依托本土工厂自产，常规交期4周左右，远优于日系10周+。紧急订单可联系销售确认现货库存及加急排产方案，最大限度避免产线停工待料。　　总结与行动指引　　永铭 NHT/NHX 系列固液混合电容，凭借对标日系的产品性能与本土高效交付两大核心优势，成为 AI 服务器 PSU 48V 母线电容国产替代的优选方案，助力算力企业实现品质不降、成本下降、供应链自主可控。　　如需产品规格书、免费样品、第三方测试报告、行业落地案例，请联系永铭销售与技术支持团队，获取一对一选型服务。
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发布时间：2026-07-08 10:08 阅读量：711 继续阅读>>

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