士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力<span style='color:red'>服务器</span>电源迈向能效新高度
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士兰微丨新一代80V SGT LVMOS，助力服务器电源迈向能效新高度

　　AI算力需求爆发叠加数据中心能效标准持续升级，服务器电源已从满足基础能效迈入极致高效、高功率密度的迭代阶段。功率器件的导通与开关损耗，是制约服务器电源效率、散热与整机性能的核心因素。数据中心供电架构向800Vdc母线架构演进趋势下，导通电阻、栅极电荷的微小差异，都会显著放大整机功耗与温升问题。　　士兰微依托自研先进屏蔽栅沟槽SGT G3+工艺平台，面向AI服务器PSU高功率密度需求，推出两颗新一代80V N沟道功率MOSFET：SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE，以1.2mΩ典型导通电阻与85nC典型栅极电荷的优异组合，精准平衡导通损耗与开关损耗，具备业界领先的FOM(品质因数)。　　封装选型　　● SVGP081R4NL5S-3HE：PDFN 5*6(单面散热)，热量通过底部焊盘向 PCB 散热，兼容常规 PCB 设计，适合常规散热条件的服务器电源设计。　　● SVGP081R4NL5SCE-3HE：PDFN 5*6 DSC(双面散热)，芯片顶部可外接散热器，底部+顶部双面导热，热阻显著降低，大幅提升大电流下的载流能力，助力功率密度提升。　　产品核心参数速览　　SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE专为高功率密度、高效率服务器电源应用打造。在新一代SGT工艺平台下，实现了单位面积导通电阻(RSP)、品质因数(FOM)、输出电容(Coss )的三重突破，以均衡的损耗控制与优异的高频性能，完美适配AI数据中心高密、高效、高可靠应用场景。　　01 更低导通电阻，让大电流路径更“冷”　　在PDFN5×6封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE将最大导通电阻做到1.4mΩ，典型值仅1.2mΩ，单位面积导通电阻(RSP)较上一代降低27%，导通损耗显著降低，有效降低高密度电源模块的热管理压力，散热设计得以简化，系统可靠性同步提升。　　02 开关损耗大幅降低，让高频开关更“省”　　栅极电荷Qg典型值为85nC，品质因数FOM(Qg × RDS(on))= 119，较上一代产品FOM值降低35%，与国际一线品牌产品同属行业第一梯队。FOM是衡量MOSFET导通损耗与开关损耗平衡能力的关键标尺。更小的Qg带来更快的开关速度与更低的驱动损耗，意味着在每次开关动作中“省”下更多能量。　　03 更小输出电容，让高频转换更“快”　　输出电容Coss典型值为1950pF，对比国际最先进工艺平台同规格产品减小约10%，在高频开关应用中优势凸显。输出电容决定了器件开关过渡的速度，在服务器电源高频化的趋势下，更小的输出电容意味着更快的开关过渡、更低的开关损耗，为更高开关频率的设计提供了空间。　　04 双重散热方案，让器件选型更“活”　　同一封装尺寸下，SVGP081R4NL5S-3HE与SVGP081R4NL5SCE-3HE分别支持单面散热与双面散热，两种散热路径使得选型更灵活。双面散热外形在底部散热基础上增加顶部导热通道，约20%~30%的热量经由顶部散发，能够减少热量向PCB积聚。使用不同材料和厚度的导热硅脂进行热仿真，相比同规格标准PDFN5×6封装，双面散热的热阻降低约66%，PCB的发热量(Tpcb-Ta)降低约30%，PCB自身温度降低，板上其他元器件(如电容、连接器)的热应力同步减小，有助于延长整个系统的寿命，实现器件同规格具备双选择。　　在AI服务器电源系统中，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可部署于PSU的两个关键位置：PSU内部DC-DC副边同步整流(SR)，以及电源输出侧的ORing FET。　　图1 数据中心典型供电架构　　在DC-DC转换级，副边SR管承担大电流传导与高频开关任务。以LLC谐振拓扑为例，SR管工作在ZVS(零电压开通)条件下，开通损耗可忽略，损耗主要来自导通压降与关断过程。因此，低RDS(on)是降低导通损耗的核心，低Qg有助于降低驱动损耗与关断损耗，低Coss可减小死区期间的充放电损耗。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE以1.2mΩ典型RDS(on)、85nC Qg与1950pF Coss的均衡参数，适配高频LLC同步整流需求。　　图2 服务器一次电源PSU内部拓扑(图腾柱PFC+LLC)　　在服务器电源架构中，ORing FET通常串联于各PSU输出支路，常态下持续导通传输负载电流，故障时快速关断以实现隔离与防电流倒灌。因其几乎不参与开关动作，导通损耗(I²R)为主要损耗，低RDS(on)是核心选型指标;同时需具备足够的SOA与雪崩耐量，以承受热插拔及故障切换带来的瞬态应力。SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE典型RDS(on)仅1.2mΩ，可有效降低大电流路径的发热与压降，提高电源工作效率。　　图3 电源输出侧ORing FET 示意图　　此外，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE可进一步拓展至人形机器人等高景气赛道。以机器人关节模组为例，其低频大电流工况下，RDS(on)的毫欧级差异将被持续放大为显著的功耗与温升差异，SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE 助力应用降低损耗和温升，满足系统对高效率与高可靠性的双重需求。　　全球AI服务器功率需求正高速增长，单颗处理器电流将突破10,000安培。在AI算力场景下，MOSFET 的RDS(on)和FOM每1%的优化对AI电源能效提升至关重要。顺应行业发展趋势，士兰微依托全新SGT工艺平台，重磅推出SVGP081R4NL5S-3HE、SVGP081R4NL5SCE-3HE两款器件。产品在导通电阻、栅极电荷、输出电容等核心关键参数实现全方位提升，高度适配 AI 服务器电源、具身智能等高要求应用场景，是理想的功率器件选型方案。
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发布时间：2026-08-28 11:00 阅读量：234 继续阅读>>
纳芯微丨高密度AI<span style='color:red'>服务器</span>电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
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发布时间：2026-08-13 09:49 阅读量：286 继续阅读>>
诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭AI<span style='color:red'>服务器</span>领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展
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诚邀您莅临16号馆D28 | 上海永铭AI服务器领域电容解决方案亮相2026深圳PCIM展

　　PART01前言　　上海永铭电子将于8月26日至28日参加2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(PCIM Asia)，进驻深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28。现场将全面展示新能源汽车电子、AI服务器、无人机&机器人(电机驱动)、能源与工业电力四大领域电容解决方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、存储数据可靠性提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器电源、主板、存储三大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　PART02　　AI服务器全场景电容解决方案　　1)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　2)AI服务器主板　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　3)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。针对PLP的备用电源，永铭有双电层超级电容方案应对。5串组成13.5V模组匹配12V平台，多组并联扩流扩容。　　【部分优势规格推荐】　　PART03　　从一颗电容到整柜算力　　永铭全程守护　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。更多技术细节与选型支持，欢迎莅临16号馆 D28，与永铭工程师面对面交流。为避免现场排队，您可扫描下方邀请函中的观众预登记二维码，提前完成注册，快速入场。8月26日至28日，永铭在深圳国际会展中心(宝安新馆)16号馆 D28，期待您的莅临!
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发布时间：2026-08-11 13:25 阅读量：303 继续阅读>>
美光丨基于第六代AMD EPYC的智能体AI：为应用程序<span style='color:red'>服务器</span>带来代际性能提升
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美光丨基于第六代AMD EPYC的智能体AI：为应用程序服务器带来代际性能提升

　　我们评估了第六代 AMD EPYC™ 在智能体应用程序服务器工作负载上的代际性能提升。2026 年 7 月 22 日，AMD Advancing AI 大会现场。　　“我们需要一艘更大的船。” — 布罗迪警长　　随着 AI 的使用向智能体模式转变，对数据中心基础设施的要求也会随之提高。这将导致每台服务器的 CPU、内存、存储性能和密度目标值都相应提高，但理想的智能体应用程序服务器应该是什么样的? 又该如何进行测试呢?　　我的团队构建了一个基准测试，用于模拟智能体 AI 可能对您的基础设施施加的工具调用工作负载，并与 AMD 数据中心生态系统应用工程团队合作，于 7 月 22 日在 AMD Advancing AI 大会上进行了演示。我们测试了第五代 AMD EPYC 128 核 CPU，AMD 测试了他们的新型第六代 AMD EPYC 256 核 CPU。第六代 AMD EPYC CPU 搭配美光® DDR5-8000 内存和 9650 PCIe® 6.0 NVMe™ SSD，性能提升了 3.8 倍，CPU 能效提高了 2.9 倍。　　幸好，AMD 为我们打造了一艘更大的船。　　智能体应用程序服务器　　智能体 AI 部署运行在两个不同的计算层级上。推理运行在 AI 集群上，该集群利用加速器密集型主机来运行语言模型和智能体框架。每当智能体调用工具时，该请求就会离开 AI 集群并到达应用程序服务器。应用程序服务器执行工作，将结果返回，然后智能体决定下一步做什么。　　图 1：智能体 AI 数据流。此基准测试用于表征应用程序服务器(橙色高亮部分)。　　应用程序服务器正是我们着手要表征的对象。当每台主机有数百次工具调用时，CPU、内存和 NVMe 子系统决定了响应时间。这是一个关于存储、内存和计算的整体问题。　　智能体基准测试设计　　我们对生产环境中的智能体工作流进行了剖析，并设计了一项测试，使用真实应用程序来模拟应用程序服务器常见的操作。　　编码智能体拉取资产、查找构建元数据并检索源代码树。　　文档分析智能体获取文档、查询策略数据库并搜索语料库。　　运维智能体拉取日志文件、查询指标存储并检索运行手册。　　数据分析智能体拉取原始导出数据、查询目录数据库并搜索先前的报告定义。　　具体细节有所不同，但工作负载特征相似。　　图 2：四个代表性智能体工作流映射到三种基准应用程序：S3 GET 用于资产和语料库获取，MariaDB® 用于元数据和会话查找，ripgrep 用于文本和代码搜索。　　对象存储：针对本地 MinIO™ 端点的 S3 GET 流量。智能体获取文档、图像、向量分片和 RAG 语料库块。我们使用了混合对象大小分布(每个容器 500 × 1 MiB，500 × 10 MiB，190 × 50 MiB)来对 NVMe 层的吞吐量进行压测。　　针对 MariaDB 的结构化查询：每个周期 50 次查询，涵盖五种查询模式(点查询、范围扫描、聚合、有序扫描、去重)。这展示了智能体如何访问其元数据、会话和长期记忆存储。　　使用 ripgrep 进行代码和文本搜索：每个周期在完整的 Linux 内核和 CPython 源代码树中进行 100 次 ripgrep 搜索。文本搜索非常消耗 CPU，且会占用主机内存，它常见于编码智能体、日志分析智能体以及在语料库中查找引用的工作流中。　　每个智能体都在其独立的 Docker™ 容器中运行，内存限制为 4GB。每个容器运行一个周期：1,190 次 S3 GET 请求，50 次 MariaDB 查询，以及 100 次 ripgrep 搜索。　　AMD Advancing AI 与第六代 EPYC CPU　　在 AMD Advancing AI 2026 大会上，AMD 发布了第六代 AMD EPYC 服务器 CPU，旨在为智能体 AI 时代提供领先的性能。AMD 将业界领先的核心密度(每插槽高达 256 个核心和 512 个线程)与具备业界最高频率 5GHz 的 AI 主机节点，以及业界领先的 PCIe 6.0 I/O 子系统相结合，后者使每链路带宽较上一代翻倍。AMD 将其定位为用于扩展具备密集计算能力的智能体的理想 AI 主机节点，并作为一个广泛的、针对工作负载优化的产品组合，以支持通用工作负载、数据库、存储和 CPU 推理，从而保障企业的日常运营。　　全新的第六代 AMD EPYC 系统支持美光 DDR5-8000 DRAM，数据速率较第五代 AMD EPYC 系统所使用的 DDR5-6400 提高了 25%，内存通道也从 12 个增加到 16 个。这些改进使得峰值内存带宽从第五代 EPYC 系统的 614 GB/s 提升至第六代 EPYC 系统的 1,024 GB/s，实现了 1.7 倍的提升，并且每个插槽具有更大的容量，足以容纳数百个并发智能体的工作集。　　存储也实现了代际飞跃。美光 9650 SSD 是首批投入量产的 PCIe 6.0 数据中心 SSD 之一，它利用翻倍的接口带宽，在智能体主机生成的混合 I/O 负载下，能更快地返回对象和语料库读取数据。第六代 AMD EPYC 系统采用了 PCIe 6.0 美光 9650 驱动器，而第五代 AMD EPYC 系统则使用了 PCIe 5.0 美光 9550。　　性能结果　　关键指标是每秒智能体操作数 (AOPS)，即容器内所有运行工作负载完成的操作数总和除以完成操作所需的时间，反映了整个系统处理操作的速度。第六代 EPYC CPU 持续达到 2,185 AOPS，而 Turin 为 581.4 AOPS，提升了 3.8 倍。这是在 2 倍容器数量的情况下实现的，意味着第六代 EPYC CPU 在几乎一半的时间内完成了两倍的工作量。　　总体智能体性能　　图 3(左一)：总 AOPS：第六代平台为 2,185，第五代平台为 581.4。　　图 4(右一)：每个物理核心的 AOPS：第六代平台为 8.5，第五代平台为 4.5。　　我们的测试结果显示，第六代平台的总 AOPS 是第五代平台的 3.8 倍。这有效地衡量了系统完成 1,190 次 S3 GET 请求、50 次 MariaDB 查询以及 100 次 ripgrep 搜索的速度(乘以已部署容器数量)。第六代 EPYC 系统在 157 秒内完成了 343,040 次操作，而第五代 EPYC 系统在 299 秒内完成了其半数的操作。从单核性能来看，在运行两倍数量的容器和两倍数量的核心时，第六代 EPYC 系统实现的单核 AOPS 高出 1.9 倍。　　应用程序延迟与工作负载的关系　　即使运行容器的数量翻倍，第六代 AMD EPYC CPU 在所有工作负载下仍能提供更低的应用程序延迟。S3 充分利用了美光 9650 在 PCIe 6.0 接口下的混合 I/O 性能，MariaDB 受益于整个系统的性能提升，而 ripgrep 则高度依赖 CPU。　　图 5：各工作负载的容器平均延迟。　　CPU 性能　　第六代 EPYC CPU 在所有核心上的平均利用率为 33%，而第五代 EPYC CPU 的平均利用率为 87%，但这并不能反映全部情况。在整个测试过程中，两款 CPU 都经常出现利用率飙升至 100% 的情况。　　图 6：每个活动窗口期间的 CPU 利用率：平均值和峰值测量结果。　　存储性能　　图 7(左一)：测得的平均和峰值总存储读取吞吐量。　　图 8(右一)：测得的平均和峰值总存储读取 IOPS。　　存储工作负载非常复杂，其中 S3 驱动大块随机 I/O，MariaDB 使用 16KB I/O，而 ripgrep 则发出 4KB 及更小的 I/O。使用两块硬盘时，美光 9650 可飙升至 53 GB/s(170 万 IOPS)，非常接近每块硬盘 28 GB/s 的理论最大值。这证明了 9650 不仅能够处理极高的吞吐量，而且在复杂的混合 I/O 工作负载下也能保持稳定运行。　　CPU 封装功耗与能效　　图 9(左一)：测得的 CPU 封装 RAPL 平均功耗和峰值功耗。　　图 10(右一)：测得的每封装瓦特 AOPS：第六代平台为 5.2，第五代平台为 1.8。　　第五代 EPYC CPU 的 CPU 封装 RAPL(运行平均功耗限制)平均功耗为 320.6W，峰值功耗为 456.4W。第六代 EPYC CPU 的平均功耗为 422.8W，峰值功耗为 604.7W。由于更高的 TDP 和两倍的核心数量，第六代 EPYC CPU 功耗也更高，但也利用这些功率完成了更多的工作。从效率来看，第五代 EPYC CPU 的每 CPU 封装瓦特 AOPS 为 1.8，而第六代 EPYC CPU 为 5.2，CPU 能效提升了 2.9 倍。　　推动数据中心的 AI 发展　　AMD 和美光开发了此基准测试，旨在展示每个主机在智能体数量和种类增加时的系统性能。IDC 预测，到 2029 年，全球将有超过 10 亿个活跃部署的 AI 智能体，每天执行 2170 亿次操作，并消耗 3.7 万亿个词元和 API 调用以处理这些负载1。Gartner 预计，智能体 AI 支出在 2026 年将达到 2019 亿美元，并有望在 2029 年达到 7530 亿美元2。在机架层面，这意味着每个主机有更多的智能体，每个智能体有更多的并发 I/O，并且服务器内的每个子系统同时承受更大的负载。　　第六代 AMD EPYC 系统在运行 256 个容器的情况下持续达到 2,185 AOPS，总 AOPS 比上一代提升了 3.8 倍，每核心 AOPS 提升了 1.9 倍，能效提升了 2.9 倍。
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发布时间：2026-08-06 13:46 阅读量：374 继续阅读>>
4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，AI<span style='color:red'>服务器</span>PSU输出端国产替代方案
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4周交付・Pin-to-Pin直替｜永铭固液混合电容，AI服务器PSU输出端国产替代方案

　　01　　一颗电容卡住AI算力供应链命脉　　AI算力需求正以指数级增长，驱动服务器电源、数据中心、算力基础设施向大功率、高密度、7×24小时不间断运行加速演进。　　在这一架构下，PSU(电源供应单元)主功率级输出端与48V DC BUS(直流母线)的滤波与Hold-up(储能/掉电保持)性能，直接决定了整机的稳定性与使用寿命。　　目前行业普遍选用 NCC、Nichicon 等日系固态电容，但海外产能受限，产品交期普遍达到 10 周以上，叠加采购成本持续上涨，该元器件已成为整机供应链中的薄弱环节。针对这一关键位，永铭推出NHT 63V 270μF(10×16)与NHX 63V 470μF(10×21)两款固液混合电容，直接对标日系同规格主力型号，依托本土4周交付能力实现降本稳供，是成熟的国产替代方案。　　02痛点深度剖析：日系电容以来英法三重失效　　长期采用NCC等日系电容，会在供应链、成本、技术适配三大维度形成多重风险，直接转化为企业实实在在的损失，具体如下：　　注意：日系电容规格适配成本偏高，难以同时兼顾交期、成本与 AI 服务器大功率严苛工况要求。　　03　　永铭NHT/NHX系列，全场景国产替代　　针对日系电容的各类短板，永铭依托本土研发与生产优势，打造 NHT、NHX 两大系列固液混合电容，实现性能对等、无缝替换、降本稳供三大核心价值。　　3.1 选择永铭的三大核心优势　　1. 无缝兼容，零改板成本　　产品电气性能、封装尺寸全面对标日系主流型号，支持Pin-to-Pin 直替，无需修改PCB 电路板，省去改板、重新验证的时间与工程费用。　　2. 本土智造，交付提速　　依托国内自有工厂生产，常规交付周期压缩至4 周，相比日系 10 周以上交期大幅缩短，从根源规避断供、延期风险，保障量产节奏。　　3. 品质稳定，综合降本　　产品通过严苛工况验证，可靠性完全匹配 AI 服务器使用要求;同等品质下采购价格优于日系，兼顾产品品质与量产成本　　3.2 核心技术工艺与工况适配　　依托成熟材料体系与结构设计，五大技术维度针对性解决电源运行难题：　　永铭NHT/NHX系列不仅在设计上对标日系，更经过严格的长时间老化测试，用数据证明其在高温高压工况下的稳定性。　　下图为NHT/NHX系列在125℃、额定电压下连续运行4000小时的实测老化数据曲线：　　从图中可以清晰看到：　　容量变化率(蓝线)： 在整个4000小时试验周期内，容量衰减幅度极小，曲线平稳，无明显拐点，证明电介质材料在高温下保持优异的活性与稳定性。　　ESR(等效串联电阻，红线)： 曲线全程保持低位平稳，无异常抬升，说明内部电极与电解液界面稳定，高频滤波性能无衰减。　　漏电流(绿线)： 初始快速稳定后，全程维持在极低水平，无突发尖峰或爬升，表明产品在长期高温应力下绝缘特性可靠，无击穿风险。　　上述数据充分印证：永铭固液混合电容在AI服务器7×24h高温满载工况下，性能劣化曲线平缓，有效延缓电容老化，保障整机全生命周期内的稳定运行。　　3.3 应用效果与客户收益　　技术结果：替换后电容ESR、耐流、耐压、高温寿命指标对标日系，滤波抗扰、抗浪涌性能保持一致。　　客户收益：设备故障率、返修率、停工损失显著下降;依托短交期保障量产，同步优化整机成本与品牌口碑。　　04　　价值论证：综合TCO最优，替代永铭是理性选择　　单纯对比单品价格存在局限性，TCO(全生命周期成本) 才是企业选型的核心依据。永铭 NHT/NHX 系列不止实现产品平替，更能帮助企业规避隐性成本、管控供应链风险：　　零改板降本：Pin-to-Pin 直替设计，无需投入改板、测试、验证成本，缩短项目落地周期;　　短交期避险：4 周稳定交付，告别超长备货周期，释放流动资金，杜绝产线停工损失;　　低运维提效：长寿命、高可靠性设计，减少后期维保、更换成本，全生命周期运维费用更低。　　一句话总结：以对标日系的产品品质 + 4 周极速交期，为企业供应链加装一份“断供险”，用合理采购成本，换取供应链自主可控与长期降本增效。　　为什么这笔投入值得：永铭可直接平替日系电容、省去改板费用;本土短交期规避海外断供与涨价风险，同时全生命周期维保成本更低，综合收益远高于初期投入。　　05　　常见问题答疑Q&A　　Q1：永铭NHT系列能否直接Pin-to-Pin替换Nichicon PCJ系列?封装尺寸和引脚间距是否完全一致?　　A1：能。 永铭NHT 63V270μF(10×16)和NHX 63V470μF(10×21)系列，关键尺寸和电气性能(ESR、纹波电流)对标日系，可实现Pin-to-Pin替换，无需改PCB板。　　Q2：在AI服务器实际运行热点温度85℃下，永铭NHT固液混合电容的预期寿命是多少?是否有第三方测试报告?　　A2： NHT系列额定125℃/4000h长寿命，在85℃实际工况下预期寿命远超此数值。永铭可提供第三方检测报告(125℃/4000h老化测试数据、ESR/漏电流/容量变化趋势曲线)。　　Q3：永铭NHT系列标准品常规交期是多久?紧急订单最快多久能交货?有没有现货库存支持?　　A3： 永铭依托本土工厂自产，常规交期4周左右，远优于日系10周+。紧急订单可联系销售确认现货库存及加急排产方案，最大限度避免产线停工待料。　　总结与行动指引　　永铭 NHT/NHX 系列固液混合电容，凭借对标日系的产品性能与本土高效交付两大核心优势，成为 AI 服务器 PSU 48V 母线电容国产替代的优选方案，助力算力企业实现品质不降、成本下降、供应链自主可控。　　如需产品规格书、免费样品、第三方测试报告、行业落地案例，请联系永铭销售与技术支持团队，获取一对一选型服务。
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发布时间：2026-07-08 10:08 阅读量：547 继续阅读>>
AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI<span style='color:red'>服务器</span>与车载方案引关注
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AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与车载方案引关注

　　2026年7月1日，慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业的重要盛会，本届展会聚焦新能源汽车、智能汽车、AI服务器、数据中心等前沿领域。　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)携多元化产品与解决方案重磅亮相N4馆500号展位。AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，派出FAE小哥亲临现场，特邀罗姆车载营业部高级经理Jojo深度拆解全系核心展品，通过抖音直播带广大工程师和观众“云逛展”，零距离感受ROHM的最新技术成果。　　AMEYA360直播直击：　　FAE小哥带你“云逛”ROHM展台　　本次慕展罗姆搭建AI服务器、车载电子、工业设备、应用案例四大核心展区，覆盖当下电子行业三大黄金赛道。AMEYA360 FAE小哥通过抖音直播镜头带领线上工程师“云逛展”，逐一实拍展台实物、评估板、功率模块样品。镜头前，ROHM展台人气火爆，吸引了大批专业观众驻足交流。　　FAE小哥在直播中重点介绍了ROHM面向AI服务器的最新产品方案。他特别提到，ROHM展出的100V功率MOSFET采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，非常适合AI服务器48V电源热插拔电路，已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。此外，第5代SiC MOSFET首次公开亮相，采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用。现场还展出了650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列) ，已被应用于AI服务器电源等领域，推动电源小型化和效率提升。　　在车载展区，FAE小哥重点介绍了ROHM与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计，配备ROHM的PMIC，符合ISO 26262及ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定高效的电源管理支持。　　ROHM车载营业部高级经理Jojo专场介绍：　　深度解读AI服务器核心优势　　直播的高潮环节，ROHM车载营业部高级经理Jojo亲自为AMEYA360平台观众进行专场介绍。Jojo在ROHM展台C位区域，详细解读了ROHM在AI服务器和汽车电子领域的技术布局。　　Jojo首先回顾了ROHM的发展历程：“罗姆自1980年起步，目前全球销售额已达到480亿日元，其中一半来自汽车业务。我们在车载领域的增长非常迅速，客户采用率和产能扩张都非常显著。”　　在AI服务器方面，Jojo重点介绍了ROHM的宽禁带半导体产品线：“罗姆在碳化硅(SiC)领域布局非常早，2000年就开始了碳化硅业务，是一家非常传统的碳化硅IDM企业——从晶圆到最终产品，不管是单管还是模块，全部自主完成。”他透露，ROHM目前已推出第四代SiC MOSFET，并计划在明年推出第五代产品。在氮化镓(GaN)方面，ROHM同样拥有650V耐压产品，广泛应用于AI服务器电源。　　Jojo还特别提到，ROHM在AI服务器电源领域与英伟达、地平线、新石等国内外MCU厂商深度合作，提供配套电源方案。“现场展出的811系列、390系列、393系列产品，就是给英伟达Orin和SoC做配套的电源方案。其实在很多电动车、电瓶车上也都有应用，正在做测试。希望各位客户多多考虑和使用。”　　谈及ROHM的IDM优势，Jojo强调：“从材料到成品，我们在每一道工序上都坚持高品质生产，实现了卓越的可追溯性和供应链优化。无论是封装还是模块，我们都可以在AI服务器上做小型化、高效的方案。　　ROHM展台亮点速览：　　四大展区全面覆盖　　本届展会，ROHM设立了AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，全方位呈现其在半导体领域的综合技术实力。　　AI服务器展区：涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。重点展示适用于48V热插拔电路的100V功率MOSFET、第5代SiC MOSFET，以及具备业界超低开关损耗和10µsec短路耐受能力的1200V IGBT。　　车载展区：展示面向SoC的PMIC(与芯驰联合开发的X9SP参考设计)、用于汽车多屏显示器的SerDes IC，以及搭载SiC模块的5kW~100kW三相逆变器参考设计。　　工业设备展区：展示650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列)和AC/DC用PWM方式DC/DC转换器，助力工业设备电源小型化和效率提升。　　应用案例展区：集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化方案演示，让观众直观感受ROHM技术从器件到系统的落地价值。　　AMEYA360 × ROHM：　　官方授权代理，正品保障一站式采购　　作为ROHM的官方授权代理商，AMEYA360一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应和专业的技术服务。除了稳定供货，AMEYA360还持续输出专业技术支持，帮助客户解决电路设计中的各类难题。　　无论是AI服务器所需的SiC MOSFET、GaN HEMT、功率MOSFET，还是车载电子所需的PMIC、SerDes IC、LED驱动器，亦或是工业设备所需的AC-DC转换器、IPD智能开关——AMEYA360均可提供一站式正品采购服务。　　欢迎广大工程师和采购朋友通过AMEYA360平台咨询或购买ROHM全系列产品。
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发布时间：2026-07-03 15:44 阅读量：559 继续阅读>>
诚邀您莅临N1馆705 | 上海永铭AI<span style='color:red'>服务器</span>领域电容解决方案亮相2026慕尼黑电子展
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诚邀您莅临N1馆705 | 上海永铭AI服务器领域电容解决方案亮相2026慕尼黑电子展

　　一、前言　　上海永铭电子将于7月1日至3日参加2026慕尼黑上海电子展，进驻上海新国际博览中心N1馆705展位。现场将全面展示新能源汽车电子、AI服务器、无人机&机器人(电机驱动)、能源与工业电力四大领域电容解决方案，欢迎您莅临展台进行现场交流。　　二、AI服务器全场景电容解决方案　　AI算力爆发式增长，对服务器电源转换效率、主板供电稳定性、存储数据可靠性提出了前所未有的挑战。永铭电容方案已全面覆盖AI服务器电源、主板、存储三大重点领域——形成全链路电容解决方案，为AI算力基座筑牢坚实根基。　　1)AI服务器电源　　随着AI服务器电源正加速向SiC/GaN高频化、高功率密度演进，永铭提供从PFC输入端到负载点输出端的完整电容组合：　　2)AI服务器主板　　AI服务器运作时，芯片周围的瞬时功耗剧烈波动，电压不稳将直接导致算力损失甚至系统重启。永铭低ESR叠层电容(最低可达3mΩ)紧贴CPU/GPU部署，快速响应瞬态电流，确保供电纯净、算力稳定释放。　　3)AI服务器存储　　永铭针对AI服务器SSD的不同形态与应用场景，除提供多品类电容器方案，覆盖从超薄启动盘到高密度企业级SSD的PLP需求，全产品线支持国产化替代。　　【部分优势规格推荐】　　三、从一颗电容到整柜算力，永铭全程守护　　AI服务器的每一瓦电力、每一比特数据，背后都离不开电容器的默默支撑。永铭已形成覆盖电源、主板、存储的全场景电容方案矩阵。更多技术细节与选型支持，欢迎莅临N1馆705展位，与永铭工程面对面交流。　　为避免现场排队，您可扫描下方邀请函中的观众预登记二维码，提前完成注册，快速入场。7月1日至3日，永铭在上海新国际博览中心N1馆705，期待您的莅临!
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发布时间：2026-06-29 14:21 阅读量：539 继续阅读>>
上海永铭丨AI<span style='color:red'>服务器</span>四大场景超级电容 | 毫秒级稳压、掉电保护、免维护一站式解决方案
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上海永铭丨AI服务器四大场景超级电容 | 毫秒级稳压、掉电保护、免维护一站式解决方案

　　随着 AI 算力爆发式增长，GPU 集群与高密度数据中心快速普及，单机柜功耗迈入百千瓦级。GPU 负载毫秒级功率突变、市电闪断、PDU 异常、电源模块故障等场景频发，供电稳定性、数据安全性、运维极简性已成为 AI 服务器基础设施的核心考验。传统铅酸电池、小容量电容、常规 BBU 方案因响应慢、内阻高、寿命短、维护繁琐，已无法适配高可靠、高密度、7×24h 连续运行需求。这意味着：每一次供电异常，都可能是一次宕机、一笔赔付、一次客户流失。　　永铭基于AI服务器四大核心应用场景识别出以下共性挑战。　　01　　行业通病　　AI服务器四大场景面临的共性挑战　　1. AI 服务器机柜 BBU 备用电源场景　　GPU 毫秒级功率突增至额定功率 150%，传统铅酸电池内阻高、响应慢，母线电压易塌陷，导致主板与 GPU 死机、重启;故障带来算力中断与现场抢修成本，叠加电池频繁更换支出，抬高项目运维开销。　　铅酸 / 锂电 BBU 体积笨重、重量大，占用机柜空间，循环寿命短，需频繁维护;机柜空间被挤占无法扩容算力，长期更换配件持续增加硬件投入。　　2. 磁盘阵列 RAID 写缓存掉电保护场景　　突发掉电时，RAID 卡 Cache 中脏数据无法及时回写到 Flash / 磁盘，引发数据丢失、阵列重建、业务中断;数据修复、停机调试会产生直接业务赔付与人力损耗。　　传统 BBU 存在容量衰减、需2~3 年定期校准更换，高温环境下可靠性大幅下降，高密度 1U/2U 服务器安装受限;周期性维保占用项目预算，老旧设备返修率居高不下。　　3. 企业级 SSD/AI 存储盘 PLP 掉电保护场景　　AI 高 IOPS 场景下，掉电易导致FTL 映射表损坏，SSD 异常不可用，硬件返修、数据恢复带来高额售后成本。　　小容量电容续航不足(通常仅支持几毫秒到几十毫秒)，电池高温老化快、维护频繁;频繁换件拉高整机全生命周期使用成本。　　4. AI 服务器 / 数据中心 PCS 瞬态缓冲场景　　GPU 高 di/dt 瞬态冲击引发母线电压下陷 / 过冲，触发系统宕机，算力资源严重浪费;突发停机直接损耗项目算力收益。　　传统方案需按峰值冗余设计，BOM 与热管理成本上升 30% 以上;圆柱形超容不利于模块化;整机BOM成本上升30%以上，挤占项目利润空间。　　02　　痛点背后　　客户承受的真实损失　　以上行业通病，最终转化成为三类真实损失：　　1. 金钱损失：聚焦“硬件+算力+赔付”维度　　硬件返修与更换、电池定期校准与替换、系统冗余过度导致的成本增加。　　2. 时间与运维损失：聚焦“人力+恢复周期”维度　　定期巡检、电池更换、故障排查占用大量人力;掉电后数据恢复、阵列重建耗时极长，影响业务上线效率。　　3. 品牌与信任损失：聚焦“口碑+竞争力”维度　　数据丢失、服务不可用损害客户口碑;高返修率拉低产品竞争力，影响项目中标与长期合作。　　这些代价并非“系统运行必须承受的损耗”，而是传统储能方案响应慢、寿命短、维护难带来的结构性成本。下文永铭方案将逐一给出解法。　　03　　永铭四大场景　　超级电容解决方案　　永铭基于 AI 服务器四大核心应用场景(BBU 备用电源、RAID 写缓存保护、SSD PLP 掉电保护、PCS 瞬态缓冲)，推出专用超级电容方案，以毫秒级响应、超低 ESR、高倍率放电、长寿命、高密度结构，构建覆盖供电稳压、数据保护、瞬态缓冲的全链路保障体系，成为 AI 服务器稳定运行的高适配储能方案。　　以下为四大场景的推荐方案对照：　　AI机柜BBU备用电源　　方案：混合型超级电容 SLF 4.0V 4500F　　规格：2.5~4.0V，4500F，ESR≤0.8mΩ，持续放电 200A，1~50ms 瞬时补偿，循环寿命 100 万次，使用 6 年+　　应用：并联直流母线，与 BBU 组成混合储能(电容毫秒稳压，BBU 长时备电)　　价值：解决铅酸响应慢、占地大、寿命短板;稳压防宕机，释放机柜算力空间，省去电池替换成本　　图1 SLF 4.0v 4500F　　图2永铭SLF系列混合型超级电容　　额定电压：4.0V;标称容量：4500F　　DC内阻/ESR：≤0.8mΩ　　持续放电电流：200A　　工作电压范围：4.0–2.5V　　RAID写缓存保护　　方案：双电层超级电容模组 SDM 13.5V 8F　　规格：13.5V，8.0F，最大放电 1.5A，-40℃~+70℃，掉电自动上线，循环 ≥20 万次　　应用：装配 RAID 卡后备供电接口，断电瞬间给 Cache 供电，完成 Flash 回写　　价值：规避 BBU 定期校准更换，断电保全缓存，节省数据重建费用　　图3 永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　SSD PLP掉电保护　　方案：牛角单体 SDN 2.7V 180F / 配套模组 SDM 13.5V 144F(5S4P)　　规格：单体 2.7V/180F、ESR=8mΩ;模组 13.5V、等效 144F，≥20 万次　　应用：5 串成 13.5V 模组、4 组并联，布置在 SSD 电源 PLP 储能位　　价值：改善小电容续航不足、电池高温老化问题，降低 SSD 返修与售后成本　　图4 SDN 2.7V 180F 25*50　　PCS瞬时缓冲　　方案：方形双电层超级电容 SDF 3.0V 330F　　规格：3.0V/330F，ESR<0.8mΩ，峰值 360A，尺寸 30×20×55mm，循环 ≥50 万次　　应用：并联 PCS 直流母线，本地 200ms~ 秒级削峰填谷　　价值：抑制母线电压波动，减少系统冗余选型，降低 BOM 和散热开支　　方案补充说明　　永铭 SLF 对标日本武藏 3.8V 300F，关键参数更优，实现国产替代，规避海外供货涨价、交期不稳问题;　　RAID 产品标配长短配套延长线，整机无需额外开线改板。　　SDM 模组标准化出厂，可按需调整并联数量。　　04　　永铭方案带来的双重价值　　技术层面价值　　毫秒级瞬时响应，精准覆盖 1-50ms 瞬态窗口，大幅度解决电压塌陷、掉电数据丢失问题;　　超低ESR + 大电流输出，支撑高倍率充放电，母线电压波动幅度缩小 40% 以上;　　长循环寿命(最高 100 万次)，-40℃~70℃宽温稳定运行，高温环境无性能衰减;　　高密度紧凑结构，体积较传统方案减少 30%~70%，适配 1U/2U、高密度机柜部署;　　掉电自动上线、免校准、免维护，简化系统设计，提升整机可靠性。　　商业层面价值　　有效规避宕机、数据丢失、硬件损坏风险，保障业务连续性;　　省去80% 以上运维、校准、电池更换成本，无停机更换损耗;　　腾出原有电池安装空间，可加装更多 GPU 与存储硬件，实现单机柜算力扩容，直接提升整机营收能力。　　降低30%~60% 系统冗余与 BOM 成本，提升机柜空间利用率与单柜算力产出;　　全生命周期TCO 大幅下降，产品竞争力与品牌口碑显著提升。　　05　　客户常问的问题　　Q1：AI 服务器 BBU/RAID/PLP/PCS 四大场景，都能用超级电容替代传统电池吗?　　A1：可以。永铭 SLF/SDM/SDN/SDF 全系列超级电容分别对应四大场景，依托低 ESR、毫秒级响应、高倍率放电特性，可有效替代传统 BBU 与电池方案，适配 AI 服务器全场景需求。　　Q2：超级电容初期成本高于传统电池，为什么长期更划算?　　A2：超级电容循环寿命最高达 100 万次，是铅酸电池的 200 倍，无定期校准、无更换周期、免维护;初期投入略高，根据典型工况实测数据，全生命周期可节省 50%~80% 总费用，同时规避宕机与数据丢失风险。　　Q3：高密度 1U/2U 服务器空间紧凑，永铭超级电容能否适配?　　A3：可以。永铭全系列产品采用标准化、紧凑型设计，RAID/PLP 方案配备长短延长线，PCS 方案采用方形扁平化结构，体积与重量较传统方案大幅降低，可靠适配高密度服务器安装需求。　　Q4：超级电容的ESR为什么对AI服务器如此重要?　　A4：ESR(等效串联电阻)直接决定瞬态响应速度。ESR越低，母线电压在GPU功率突变时的跌落幅度越小。传统方案ESR通常在5-10mΩ，而永铭SDF系列ESR<0.8mΩ，可将电压波动幅度缩小40%以上，避免因欠压导致的GPU降频或宕机。　　结语　　一笔清晰的全生命周期账　　永铭超级电容方案初期小幅投入，即可省去：电池更换费、定期校准费、宕机损失费、硬件返修费、人力巡检费。按3 年周期计算，综合成本远低于传统电池 / BBU 方案，且稳定性、安全性、运维效率全面升级。　　传统方案3年：换2次电池+至少1次宕机赔付;永铭方案：一次投入，0维护，0停机。　　用低成本超级电容，买断高价宕机、数据丢失与频繁运维风险，是AI 服务器供电与存储保护的最优选择;选型可对接永铭FAE团队开展技术对接，按需提供产品测试报告、参数测算与选型方案支撑。　　行动指引：如需获取各系列产品规格书、测试报告、选型表，或申请样品评估、定制化选型支持，可联系永铭电子技术团队：　　访问官网：www.ymin.com　　关注：上海永铭电容器微信公众号　　拨打产品热线：400-900-1922　　提供母线电压、瞬态功率、空间尺寸、环境温度等信息，我们将为您提供专属解决方案。
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发布时间：2026-06-26 09:22 阅读量：605 继续阅读>>
纳芯微丨AI<span style='color:red'>服务器</span>电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？
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纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？

　　随着服务器功耗提升和供电架构复杂化，电源系统需要在安全性、效率和可靠性方面满足更高要求。隔离电源为服务器系统在高电压、大电流和复杂电磁环境下提供隔离供电，保障系统稳定运行。　　纳芯微围绕“隔离+”产品布局，构建了覆盖分立式与集成式方案的隔离电源产品组合，可适配服务器及AI服务器电源中的多类隔离供电需求，支持系统在安全性、效率和可靠性方面的设计要求。　　从“隔离”到“隔离+”：覆盖系统级隔离需求　　在电力电子系统中，隔离用于建立电气安全边界，降低高低压侧之间的安全风险。纳芯微提出“隔离+”概念，围绕隔离等级、产品组合和应用场景，提供系统级隔离方案。　　“隔离+”安全等级　　纳芯微提供覆盖功能绝缘、基本绝缘到增强绝缘的隔离等级产品。增强绝缘适用于服务器 PSU 的 PFC 级、光伏逆变器直流侧等对单点绝缘失效有严格要求的高压场景。相关增强绝缘产品配备认证证书，并具备对应绝缘等级与长期工作电压能力，从芯片层面支持设备长期安全运行。　　“隔离+”产品生态　　纳芯微基于自主迭代多年的电容隔离技术IP，形成了覆盖多类隔离需求的产品组合。该组合包括数字隔离器，如 NSI82xx 和 NSI83xx 系列;集成隔离与接口功能的隔离接口，如隔离 RS-485/CAN;集成隔离与采样功能的隔离采样放大器;以及用于驱动功率器件的隔离驱动芯片。隔离电源是其中的重要组成部分，用于为上述隔离器件提供隔离供电。通过不同隔离产品的组合，纳芯微可为客户提供一站式隔离解决方案，支持系统集成度、可靠性和布局紧凑性的提升。　　“隔离+”应用场景　　“隔离+”面向电动汽车 800V 高压平台、兆瓦级光储充系统、AI服务器电源等应用场景，支持系统在安全性、可靠性和效率方面的设计需求。在AI服务器电源中，“隔离+”需要为数十甚至上百路隔离驱动、采样与通信接口提供稳定、高效且安全的供电，支撑复杂多相架构与高动态响应需求。　　隔离电源：实现系统隔离的供电基础　　隔离电源为隔离器件的原边和副边电路提供独立、不共地的电源。实现隔离电源供电主要有两种技术路径：分立式与集成式，核心区别在于能量转换的关键元件——变压器是否内置于芯片。　　若使用非隔离电源，高压侧的电气噪声、浪涌或故障电压可能通过电源路径耦合至低压控制侧，导致MCU损坏或系统误动作。此时，即使信号路径已实现隔离，系统层面的电气隔离仍不完整。因此，隔离供电是实现系统电气隔离的重要条件。　　例如，纳芯微数字隔离器 NSI824x 可实现低压MCU侧与高压功率侧(IPM)之间的信号传输，其原边(VDD1)和副边(VDD2)均需独立供电，以保证两侧的电气隔离关系。　　NSIP3266：分立式隔离电源方案　　分立式隔离电源通常由隔离电源控制器 IC、外置变压器、副边整流二极管等器件组成。其优势在于配置灵活。客户可通过调整变压器匝比和规格，实现 5V 转 5V、12V、24V 等不同输出电压，而无需更换控制器 IC。同时，外置变压器可根据功率需求选择磁芯和线径，支持数瓦至数十瓦输出，部分功耗由变压器承担，对 IC 散热压力相对较小。　　分立式方案也会带来一定设计成本。系统需要管理控制器 IC、变压器、整流器件，部分场景还需要 LDO，BOM 数量较多。外置变压器占用 PCB 面积，也对高功率密度设计提出要求。此外，变压器在制造、运输和装配过程中可能出现线圈断裂、磁芯松动等问题，需要关注器件一致性和装配可靠性。　　纳芯微 NSIP3266 是一款内置全桥拓扑的隔离电源控制器，搭配外部变压器可构成开环隔离电源方案。该产品支持宽输入电压范围，可降低前级电源设计复杂度;内置软启动和晶振，无需 MCU 控制即可工作;同时集成欠压、过流、过温等自恢复保护功能，支持系统在异常工况下保持受控状态。　　NSIP3266 封装图HMSOP8，电路设计简洁　　在服务器电源中，NSIP3266 为多路隔离驱动提供供电，例如 PFC 级、LLC 级中的 SiC 或 GaN 驱动器。该方案适合“一带多”的半分布式供电架构，用于应对功率级路数增加带来的隔离供电需求。　　NSIP9xxx 系列：集成式隔离电源方案　　集成式方案将变压器通过半导体工艺集成在芯片内部，形成单芯片隔离供电方案。与分立式方案相比，集成式方案减少了外置变压器及相关外围器件，在板级空间、器件数量和设计复杂度方面具有优势。其主要特点包括：　　微型化　　无需外置变压器，方案体积可缩减至传统分立方案约1/10 ，为服务器主板释放空间。　　可靠性　　消除外置变压器在振动、焊接、装配中的失效点。芯片采用标准表贴工艺，耐温范围更宽(通常 -40℃ 至 125℃ )，适用于严苛的工业与汽车环境。　　简化设计　　仅需配置输入输出电容，简化 PCB 布局与供应链管理。　　性能优异　　由于原副边电路与变压器高度集成，更容易实现闭环控制，从而获得更好的负载调整率和动态响应。同时，基于统一IP设计的集成变压器，其电磁辐射(EMI)特性更一致且易于优化。　　纳芯微全新量产的 NSIP9xxx 系列，是“隔离+”产品布局在集成式隔离电源方向的代表性产品。该系列实现了 0.5W 隔离 DC/DC 电源( 5V 转 5V )与数字功能(如 IO 接口、隔离接口)的单芯片集成，可同时支持能量隔离与信号隔离，简化系统架构。NSIP9xxx 系列适用于对功率密度、板级空间和系统可靠性有要求的应用，如高端服务器、光储、汽车电子等领域。　　以 NSIP9042 为例，该产品单芯片集成隔离 CAN 接口与 0.5W 隔离 DC/DC 电源。对于服务器 PSU 对外通信、BBU 与 BMS 通信等场景，传统方案通常需要“数字隔离器 + CAN 收发器 + 隔离电源”三颗芯片及多个外围元件。NSIP9042 将隔离通信与隔离供电集成在同一芯片内，在提供隔离通信功能的同时，由内置隔离电源完成自身供电，可节省超过 70% 的布板面积，并降低 BOM 复杂度和潜在失效点。　　NSIP9042 封装图(SOW20 & SOW16)及功能框图　　NSIP9xxx 系列在服务器电源中的主要应用场景包括对外隔离接口供电、IO 口供电，例如 PC PSU对外通信、BBU 与 BMS 之间的通信等场景。其核心价值可概括为四点：　　高集成度　　芯片级方案仅需添加输入和输出电容即可实现系统级功能，助力客户突破功率密度极限。　　系统长期可靠　　消除了磁性元件的所有传统失效模式，满足服务器、光伏储能等对寿命和稳定性要求极高的应用。　　卓越的EMC表现　　集成设计带来更可控、更优的电磁兼容特性，简化系统滤波设计。　　一站式认证与高耐压　　提供完整的增强绝缘认证，VIOSM(浪涌)与VIORM(重复工作电压)参数领先，为系统安全提供证书与性能的双重保障。　　完善隔离电源产品组合　　支持服务器电源设计　　随着服务器功耗提升和供电架构演进，隔离电源在系统中的作用已从辅助供电单元，延伸到驱动供电、接口供电和系统隔离供电等关键环节。纳芯微围绕“隔离+”产品布局，形成了覆盖分立式方案(如 NSIP3266)与集成式方案(如 NSIP9xxx 系列)的隔离电源产品组合，适配从高功率、多路数驱动供电到紧凑型接口供电等需求。　　面向 48V/800V 总线、SST 固态变压器等服务器电源架构方向，纳芯微将继续推进隔离电源向更高频率、更高效率、更高集成度，以及与数字控制结合的方向发展。　　围绕服务器电源中更多隔离供电与控制需求，纳芯微计划推出集成变压器、支持 1.5W 输出功率的隔离电源 IC NSIP505S15，并陆续推出集成隔离电源的驱动控制 IC 与开关控制 IC。
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发布时间：2026-06-22 10:43 阅读量：625 继续阅读>>
ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI<span style='color:red'>服务器</span>机架重塑电源架构新潮流
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ROHM课堂 | 为何48V不再够用？ AI服务器机架重塑电源架构新潮流

　　单台服务器机架的功耗正逼近1MW大关。随着由大量GPU构成的AI服务器迎来爆发式增长，数据中心的电源设计正面临着一场根本性的变革。多年的行业标准——48V直流(48VDC)输配电方式已逐渐接近物理极限，业界正在加速向高压直流(HVDC)系统转型。本文将探讨这一转型背后的技术必然性，并阐述下一代电源架构的应用方法路径。　　AI功耗爆增：　　48VDC正面临物理壁垒　　全球各地正在掀起新一轮数据中心建设热潮，为更大程度地提升每平方米的算力，服务器机架正朝着高密度化方向发展。其核心在于AI处理中不可或缺的GPU。　　图1：预计到2030年，全球AI服务器的耗电量将超过800TWh，接近1000TWh。出处：国际能源署(IEA)　　解决方案就在欧姆定律中：　　提高电压即可降低电流　　减少电流的方法其实很简单——那就是提高电压。在功率保持不变的情况下，电压越高则电流越小。当在800V电压下供应1MW的电力时，所需电流将骤降至1,250A。由于母排损耗与电流的平方成正比，因此，从48V升至800V可使功率损耗降至原来的约1/278。　　在这种情况下，目前业界已浮现出两种HVDC架构作为主要候选方案。　　两种方式均属于“高压直流(HVDC)”范畴，但所采用的半导体和电路结构不同。对于设计工程师而言，必须在理解这些差异的基础上对系统进行优化。　　HVDC改变电源电路：　　SiC和GaN所发挥的作用　　一旦电压架构发生变化，电源电路的设计也将从根本上发生改变。在HVDC系统中，转换效率即使微幅提升，都具有举足轻重的意义。仅需将1MW机架的转换效率提升2%〜3%，便可节电20kW〜30kW——这相当于一栋中型办公楼的整体耗电量。　　提高效率的关键在于采用了SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的下一代功率半导体。与以往的Si功率器件相比，这些宽带隙半导体的开关速度更快，损耗更低。　　实现示例：适用于800VDC的　　电源单元电路结构　　ROHM已经完成了针对800VDC和±400VDC等HVDC电源的、经过功率优化的电路和系统的仿真。具体的实际应用示例如下：　　图3：ROHM提供的支持800VDC和±400VDC的电源系统解决方案。可根据应用需求选择Si功率MOSFET、SiC功率MOSFET及GaN HEMT　　图4：适用于800VDC用电源侧机架及服务器机架的ROHM电源单元(PSU)示例。电源侧机架用PSU由维也纳整流电路和隔离型三相LLC谐振转换器构成。服务器机架用PSU则由隔离型三相LLC谐振转换器构成。主要特点在于高转换效率和小型化
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发布时间：2026-06-18 09:47 阅读量：737 继续阅读>>

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