N沟道增强型MOSFET——ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）FTZ15N35G 在多领域的开关与控制应用
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N沟道增强型MOSFET——ARK（方舟微）FTZ15N35G 在多领域的开关与控制应用

　　01 工作原理　　N沟道增强型MOSFET的基本结构包括一个P型衬底，两个N+区分别作为源极(Source)和漏极(Drain)，以及一个由金属氧化物制成的栅极(Gate)。在没有外加电压时，源极和漏极之间不存在导电沟道，即不导通状态。当栅极-源极电压(Vgs)增加到超过阈值电压(Vth)时，栅极下面的P型衬底表面会形成一个N型反型层，连接源极和漏极，形成导电沟道，使MOSFET导通。这个阈值电压(Vth)是MOSFET导通所必需的最小电压，通常在1到3伏特之间。　　02 产品特性　　N沟道增强型MOSFET具有多个关键特性：　　1.“高输入阻抗”：由于栅极与其它电极之间有绝缘层隔离，因此输入阻抗非常高。　　2.“低导通电阻”：导通状态下的电阻较低，有利于减少功耗。　　3.“快速开关速度”：能够在短时间内完成导通和截止的切换，适用于高频应用。　　4.“良好的热稳定性”：在高温环境下仍能保持良好的工作特性。　　03 产品应用　　1.电池保护电路　　在现代便携式电子设备中，电池管理系统(BMS)至关重要，而N沟道增强型MOSFET常用于电池的过放电保护。当电池电压低于安全阈值时，MOSFET迅速切断电源，防止电池深度放电，从而延长电池寿命和提高安全性。　　2. 开关电源　　N沟道增强型MOSFET在开关电源设计中被广泛应用，特别是在DC-DC转换器和AC-DC电源供应器中。其高开关速度和低导通电阻有助于提高电源转换效率，减小热量生成，提升整体性能。　　3. 电机驱动　　无刷直流电机(BLDC)和步进电机需要精确的控制信号来调节电动机的速度和方向。N沟道增强型MOSFET由于其快速的开关能力和低功耗特点，非常适合用作电机驱动器的开关元件，提供高效且稳定的电机控制。　　4. 逻辑电路与数字集成电路　　在CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中，N沟道增强型MOSFET与P沟道MOSFET共同组成基本的逻辑门电路，如与门(AND)、或门(OR)和非门(NOT)。这些基本逻辑单元构成了复杂的数字集成电路，用于计算和处理数据。　　5. LED调光与照明控制　　LED照明系统利用PWM(脉宽调制)技术进行亮度调节，而N沟道增强型MOSFET作为开关元件，可以通过调节其导通时间实现对LED电流的控制，从而实现平滑无级的调光效果。　　04 应用场景　　ARK(方舟微)研发的FTZ15N35G,耐压350V，SOT-23封装。Dialog利用其特有电特性，作为ZVS辅助开关MOSFET使用，为主MOSFET创造ZVS条件，部分电路如下：　　产品参数如下：
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发布时间：2025-12-09 14:44 阅读量：388 继续阅读>>
<span style='color:red'>方舟微</span>:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用
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方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供瞬态浪涌防护、过流保护的应用

　　应用电路如下　　在上述电路中，仅使用DMD4523E和电阻R1，就能很好的限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。该电路特点如下：　　DMD4523E能为负载回路提供瞬态浪涌防护，如果输入端Vin出现瞬态浪涌，流过电路的电流会增加，电阻R1两端的电压VR1也会增加，当VR1增大到等于DMD4523E的阈值电压时，VR1被钳位，即流过电阻R1的电流会被限制，从而实现良好的过电压浪涌防护。　　DMD4523E能为负载提供过流保护，当电路电流异常增大时，流过负载回路的电流同样会因为电阻R1两端的电压被钳位而被限制。通过选取合适的R1阻值，即可限制流过负载回路的最大电流。　　响应速度快，电路结构简单，成本低。　　DMD4523E　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。　　该电路通过选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
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发布时间：2023-05-08 09:32 阅读量：2834 继续阅读>>
<span style='color:red'>方舟微</span>DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用
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方舟微DMZ1520E在MCU供电与保护方案中的应用

　　目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V～5.5V，在高输入电压供电的应用里，MCU的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO的方案。如图1电路所示，使用耐压值为150V的DMZ1520E搭配LDO给MCU提供精确的供电电压。同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅仅使用DMZ1520E直接给MCU供电，如图2电路所示，在1mA～5mA的工作电流条件下，DMZ1520E的输出电压（VDD电压）约为3.5V。电路示意图如下：　　图2电路特点如下：　　DMZ1520E的工作电压最高为150V，可直接工作于高输入电压条件下。　　DMZ1520E既能够稳定的给MCU供电，又能够为MCU提供良好的瞬态浪涌保护。　　DMZ1520E可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。　　通常MCU的工作电流约为1mA～5mA，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E样品按照图2电路进行测试，　　测得VDD电压值与电流的关系如图3所示。此外，该VDD电压值与DMZ1520E的阈值电压参数VGS(OFF)相关，典型DMZ1520E样品的VGS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示：
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发布时间：2023-05-06 11:17 阅读量：2967 继续阅读>>
<span style='color:red'>方舟微</span>:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用
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方舟微:耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用

　　耗尽型MOSFET　　应用电路如下：　　　　在上述电路中，选择合适的稳压二极管VD1,即可得到稳定的输出电压Vout。　　输出电压Vout与稳压二极管VD1的稳压值Vz满足关系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。　　使用DMD4523E时输入电压最高可达400V（需考虑DMD4523E的功耗）。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。　　DMD4523E　　DMD4523E系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。　　该电路中仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R，就能限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。　　　　该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。
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发布时间：2023-04-24 11:03 阅读量：2522 继续阅读>>

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