永铭导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用

Release time：2023-05-10
author：AMEYA360
source：网络
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　　随着氮化镓技术的逐渐成熟，越来越多的AC/DC转换器采用氮化镓作为开关元件，以取代传统的硅元件。在这种新技术的应用中，导电性电容器也扮演着重要的角色。

　　永铭长期致力于导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用开发，并已经获得多行业的成功应用，如快充（从过去的IQ快充、PD2.0、PD3.0、PD3.1）、笔记本适配器、电动自行车快充、车载OBC/直流快充桩、服务器电源等。这些新型导电性电容能够完全配合氮化镓的优异特性，在实际应用场景中性能表现优秀，满足客户对于性能提升和迭代升级的需求，下面AMEYA360电子元器件采购网将给大家详细介绍其应用特点。

　　氮化镓助力AC/DC转换器小型化

　　大多数电路使用直流电压而不是交流电压，作为将供应给家庭和企业的商用交流电源转换为直流电源的装置，AC/DC转换器必不可少。功率相同时，考虑到节省空间和便携性的角度，转换器的小型化是趋势所在。

永铭导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用

　　采用GaN（氮化镓）让AC/DC转换器小型化速度有了显著的进展。相比传统的Si（硅）元件，GaN的优势在于其开关损耗更小、效率更高，具有更高的电子迁移速度和导电性能。这使得AC/DC转换器能够更加精细地控制开关操作，从而实现更高效的能量转换。

永铭导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用

　　此外，也可选择高开关频率，使用更小型的无源零部件。这是因为，即使是高频开关，GaN也可保持与Si的低频开关同等的高效率。

　　导电性电容的重要角色

　　在AC/DC转换器的设计中，输出电容器是至关重要的。导电性电容器可以帮助减小输出电压的纹波，并且在大功率开关电路中扮演着滤波的重要角色。当电容器吸收纹波电流时，必然会产生纹波电压。在实际应用中，通常要求电源纹波的大小不超过设备工作电压的1%。

永铭导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用

　　若使用GaN，10KHz~800KHz宽屏范围内，永铭固态固液混合电容的ESR稳定，能够适应GAN高频开关的要求。

　　因此，在采用氮化镓的AC/DC转换器中，导电性电容器成为了最佳的输出电容器。

　　永铭匹配的相应导电性电容器

　　随着GaN的采用，高频开关AC/DC转换器使用逐步增加，为持续满足客户变化的需求，永铭作为导电性电容器的市场创新者，以其走在前沿的高性能/高可靠性技术，为客户带来创新的、全面的产品阵容（至100v）和优质服务。

永铭导电性电容在采用氮化镓的AC/DC转换器中的应用

　　我们的高分子固态铝电解电容器、高分子固液混合铝电解电容器、叠层高分子固态铝电解、高分子聚合物钽电容系列产品，均可高效匹配新型AC/DC转换器。

　　这类导电性电容器被在民用设备等中广为使用的5-20V输出、面向工业设备的24V输出、面向通信设备的48V输出等中广泛采用。为应对近年来电力短缺问题，需要获得更高的效率，向48V转轨的产品日益增多（车载、数据中心、USB-PD等），进一步拓宽GaN和导电性电容器的应用范围。

　　结语

　　在新时代下，永铭秉承“电容应用，有困难-找永铭”的服务理念，矢志通过新应用与新方案实现新要求和新突破，积极探索氮化镓应用下的AC/DC转换器小型化前景。永铭坚持聚焦新产品开发、高精度制造与应用端推广，为广大客户提供高品质的导电性电容器，提供创新的优质服务，加大研究投入，助力行业进步。


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上海永铭丨第三代半导体落地关键：如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
行业新闻

上海永铭丨第三代半导体落地关键：如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

　　引言：氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。　　当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统能否稳定落地的关键瓶颈。　　永铭电子(Ymin)，作为高性能电容器解决方案专家，深度理解第三代半导体应用对被动元件的苛刻需求，致力于与芯片方案商协同，共同攻克从“器件突破”到“系统可靠”的最后一公里。　　一、协同价值：为何GaN/SiC系统对电容提出更高要求?　　第三代半导体器件的高频开关特性(可达MHz级)、高温工作能力(结温>150℃)与高压耐受性，在提升系统效率与功率密度的同时，也对供电网络中的电容提出了更严苛的性能指标：　　高频场景挑战　　GaN/SiC电源拓扑的高开关频率带来更高频的电流纹波与噪声，要求电容具备超低ESR/ESL，有效抑制高频开关噪声，避免开关损耗增加与电磁干扰(EMI)超标。在通信基站电源、机器人控制器等应用中，高频噪声抑制能力直接决定系统稳定性。　　高温高压场景挑战　　新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器等应用环境恶劣，电容必须在高温、高纹波电流下保持长寿命可靠性，避免因容值衰减或失效导致系统故障。车载充电机(OBC) 与充电桩模块更要求电容在高温下仍保持稳定性能。　　高功率密度场景挑战　　工业电源、服务器电源等追求小型化与高效化，电容需在有限体积内实现更高容值、更高耐压与更低损耗，支撑系统整体功率密度提升。变频器系统与数据中心供电设计尤其面临空间布局受限与散热设计挑战。　　二、永铭电容解决方案：为GaN/SiC系统构建高可靠供电基座　　永铭电子基于多年技术积累，构建了全面的电容产品矩阵，为不同GaN/SiC应用场景提供精准匹配：　　1. 铝电解电容系列：覆盖全功率等级需求　　· 引线型/贴片型铝电解电容：适用于紧凑型电源模块，兼顾性能与空间效率，解决系统效率降低问题　　· 牛角型铝电解电容：专为高功率密度工业电源、光伏储能设计，具备优异散热性能，应对高温容值衰减挑战　　· 螺栓型铝电解电容：针对风电变流器、工业电机驱动等超大功率应用，保障长寿命可靠性　　2. 高分子电容系列：迎接高频化挑战　　· 高分子固态铝电解电容：极低ESR，适用于高频DC-DC转换器，有效解决高频开关噪声与EMI超标问题　　· 高分子混合动力铝电解电容：兼顾高容值与高频特性，为GaN/SiC电源拓扑提供优化解决方案　　· 叠层高分子固态铝电解电容器：超低ESL设计，完美匹配MHz级开关频率，提升系统效率优化　　3. 特殊应用电容系列：应对极端工况　　· 导电高分子钽电解电容：高可靠性选择，适用于航空航天等高要求场景　　· 薄膜电容：高dv/dt承受能力，适合谐振转换拓扑，应对高功率密度设计需求　　· 超级电容：提供瞬时大功率支撑，保障AI服务器电源等场景的关键数据安全　　· 多层陶瓷片式电容：超小尺寸，满足芯片级滤波需求，解决空间布局受限难题　　三、共赢未来：从“器件选型”到“系统协同”的深度合作　　永铭技术团队愿与芯片及方案商携手，在第三代半导体落地过程中实现：　　早期系统共建　　在GaN/SiC电源架构设计阶段，永铭电子提供电容选型仿真与拓扑适配建议，助力新能源汽车电驱系统与光伏储能逆变器的高频噪声抑制设计。　　可靠性协同验证　　联合开展高温、高湿、高纹波等极限工况测试，确保电容与器件寿命匹配，为车载充电机(OBC) 与工业伺服电源提供长寿命可靠性保障。　　参考方案共推　　打造“GaN/SiC+永铭电容”的优化供电方案，提升数据中心供电与通信基站电源的系统竞争力与市场接受度。　　四、即刻携手，共筑第三代半导体落地之路　　永铭电子拥有业内最完整的电容产品线，从传统铝电解到先进高分子电容，从引线封装到表贴封装，从常规应用到极端环境，我们能为您的GaN/SiC系统提供最合适的电容解决方案。　　在光伏储能逆变器的高温环境中，在AI服务器电源的高频挑战下，在新能源汽车电驱系统的功率密度要求前——永铭电容始终是您可靠的能量伙伴。　　让我们以电容之稳，成就第三代半导体之进。
2025-12-04 14:34 reading：222
永铭LKC如何实现-55℃容量衰减低至11.62%？对标日系、台系高压铝电解
行业新闻

永铭LKC如何实现-55℃容量衰减低至11.62%？对标日系、台系高压铝电解

　　引言　　各位工程师朋友，在电源设计中最头疼的问题之一，莫过于低温环境下电容因容量衰减而"掉链子"。今天，我们就通过一组真实的对比测试数据，深入剖析永铭 LKC系列450V 100μF电容，如何将-55℃容衰11.62% 变为现实。　　01 问题聚焦：低温下的容量衰减到底多严重?　　我们选取了市场同规格(100μF/450V 18*35)的永铭LKC、台系及日系竞品，在20℃、-40℃和-55℃下进行容量与ESR测试。　　02 数据对比：-55℃下的性能"鸿沟"以上数据来源于永铭实验室实测平均值　　关键结论：在-55℃极限条件下，永铭LKC的实际可用容量(85.07μF)是台系竞品的3.8倍，日系竞品的1.6倍。这意味着，在极寒启动瞬间，LKC能提供远超竞品的能量支撑，有效防止低温启动失败。　　03 技术拆解：LKC实现低温优势的设计奥秘　　电解液技术：永铭LKC采用了独有的低温高压电解液配方，其核心在于在保持高额定电压的同时，大幅降低了电解液在低温下的粘度，从而保证了离子在-55℃时仍具备良好的迁移能力，维持了较高的电导率，这是实现优秀容衰控制的基础。　　结构优化：通过优化阳极箔和阴极箔的蚀刻及电解液浸渍工艺，确保了产品在温度骤降时，内部结构的稳定性与一致性，避免了因微观结构问题导致的性能突变。　　04 选型指南　　当您的项目面临以下挑战时，永铭 LKC系列450V 100μF电容是您的不二之选：　　● 场景：军工电源模块、寒区轨道辅助电源、户外工业电源、直流充电桩。　　● 需求：要求电容在-40℃至-55℃环境下，容量衰减需严格控制在15%以内。　　● 替代：直接替代日系台系目前应用中无法通过低温测试的同规格高压电解电容。　　对于电源工程师而言，可靠的数据是选型最坚实的依据。永铭LKC系列凭借其在极限低温下 -55℃容衰11.62% 的硬核表现和卓越的容衰控制能力，为替代日系台系竞品提供了强有力的数据支撑。
2025-12-01 10:59 reading：250
告别容量与体积的妥协：永铭固态电容助力移动电源实现“小体积大容量”
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告别容量与体积的妥协：永铭固态电容助力移动电源实现“小体积大容量”

　　引言　　在消费电子设备小型化与高功率化的双重驱动下，移动电源、GaN PD 快充适配器、USB-C 扩展坞等智能数码电源小板上的PCB空间已成为设计师的“兵家必争之地”。传统电容的容量-体积矛盾日益突出：增大容量往往以牺牲布局空间为代价，而缩小体积则可能导致滤波性能下降、系统稳定性受损。　　这一痛点这个矛盾在高频、高功率密度、高纹波的快充、移动电源应用中尤为明显。　　永铭解决方案与优势　　相较于传统液态铝电解电容在高频、高温环境下易出现容量衰减、ESR 升高、漏电流增大的问题，永铭电容推出的/VPX/VPT系列高分子固态电容，是一款面向智能数码电源小板的小体积高容值智能数码电源用固态电容，在同一6.3×5.8mm 封装下实现更高容量，专门针对工程师的“板子空间太挤、同尺寸容量不够”这类痛点。　　通过纳米级高压阳极箔与特种导电高分子材料，配合电极结构与介电层密度优化，VPX/VPT系列在保持 低 ESR、高耐纹波、低漏电流 的同时，做到：　　1、相同封装下，容量较传统固态电容提升约 10%–15%;　　2、同等容量下，电容体积最高可缩减约 25%。　　3、面向 PD 快充、移动电源等场景，在 高频高纹波工况 下维持稳定输出。　　应用场景与推荐型号　　永铭VPX/VPT系列高容量密度固态电容，已在多类智能数码产品中量产应用：GaN PD 快充适配器(桌面多口快充)电源小板/大容量移动电源/快充移动电源/USB-C 扩展坞/笔记本扩展坞电源设计/游戏本配套快充方案中的智能数码电源模块　　推荐型号　　实际案例　　移动电源项目，客户在产品开发中面临的核心挑战在于：PCB布局空间极为有限，需在紧凑尺寸内实现高容量密度，同时兼顾性能与体积的平衡。　　永铭智能数码电源用固态电容凭借小型化、高容值的产品优势，为客户提供了理想的解决方案。该系列电容能够在更小的体积内实现更高容值，显著提升空间利用效率，助力客户实现高密度设计目标，最终产品在体积与性能之间取得出色平衡，获得了客户的高度认可。　　结语　　我们致力于取代国际同行，成为全球头部电容品牌，助力中国智造迈向新高从板子空间太挤到小体积高容值，永铭VPX/VPT系列高分子固态电容，正在成为越来越多智能数码电源设计中不可或缺的一颗关键器件。　　对于在移动电源、GaN PD 快充、USB-C 扩展坞等领域做高功率密度设计的工程师而言，“高容量密度固态电容怎么选?”可以把永铭电容放进你的候选清单里，亲自体验一次国产固态电容品牌在真实量产项目中的表现。
2025-11-27 17:23 reading：288
破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代半导体最佳拍档
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破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代半导体最佳拍档

　　11月8日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会(CPEEC)与中国电源学会第二十八届学术年会(CPSSC)在深圳国际会展中心宝安馆盛大启幕!　　永铭电子携四大核心应用领域解决方案——新能源汽车电子、AI服务器、光伏储能、电机驱动(机器人/无人机/伺服电机)重磅亮相20号馆，现场人流如织，技术交流氛围热烈!　　演讲亮点深度解读：电容器如何成为第三代半导体的“关键引擎”　　在8日下午14:00的专题演讲中，永铭电子工程总监程永以《第三代半导体新方案中电容器的创新应用》为主题发表的专题演讲，核心聚焦于一个行业痛点：如何让电容器这一关键被动元件，跟上第三代半导体(GaN/SiC)高频、高压、高温的技术步伐，从而真正释放其性能潜力。演讲指出，“匹配”与“可靠性”是关键所在。永铭的创新并非简单替换，而是从材料、结构到应用级的协同设计，通过“高容量密度、低ESR、高可靠性、小体积”等核心技术优势，直面极端工况挑战，为先进功率器件提供坚实的“能量基石”与“稳压核心”。　　四大实战案例深度解析　　1、AI服务器电源方案 · 与纳微GaN协同设计　　挑战：高频开关(>100kHz)、极大纹波电流(>6A)、高温环境(>75℃)　　解决方案：采用IDC3系列低ESR电解电容，ESR≤95mΩ，105℃环境下寿命达12000小时　　成效：整机体积减小60%，效率提升1%~2%，温升降低10℃、　　2、英飞凌GaN MOS 480W轨道电源 · 取代日系Rubycon　　挑战：-40℃~105℃宽温运行、高频纹波电流冲击　　解决方案：电容低温容衰率<10%，可耐受纹波电流7.8A　　成效：通过-40℃低温启动及高低温循环测试，通过率100%，满足轨道行业10年以上使用寿命要求　　3、新能源车载DC-Link电容 · 适配安森美300kW电机控制器　　挑战：开关频率>20kHz，dV/dt > 50V/ns，环境温度>105℃　　解决方案：ESL<3.5nH，125℃寿命超过1万小时，单位体积容量提升30%　　成效：整机效率达98.5%以上，功率密度突破45kW/L，续航提升约5%　　4、兆易创新3.5kW充电桩方案 · 永铭电容深度配合　　挑战：PFC开关频率70kHz，LLC开关频率94kHz~300kHz，输入侧纹波电流高达17A以上，芯子温升严重影响寿命　　解决方案：采用多极耳并联结构降低ESR/ESL，结合GD32G553 MCU与GaNSafe/GeneSiC器件，实现137W/in³功率密度　　成效：系统峰值效率96.2%，PF值0.999，THD仅2.7%，满足电动汽车充电桩高可靠性及10~20年使用寿命需求　　展会现场，聚焦第三代半导体对电容器提出的高频、高压、高温严苛要求，永铭展台化身为专业务实的技术交流平台。工程师团队与各方客户围绕电容在高频下的稳定性、高温环境中的长效可靠性等核心议题，展开了热烈而深入的探讨。　　现场互动高效、对接精准，充分印证了市场对高性能国产电容不断增长的需求，以及对永铭产品实力与技术方案的高度认可　　专家团莅临，共鉴国产芯实力　　展会下午，永铭展台迎来重磅专家团到访交流。美国弗吉尼亚理工大学工程院院士、台达电子研发主任及上海海事大学、浙江大学、西安交通大学教授等一行，在参观过程中对永铭的技术成果给予了高度关注。　　专家们尤为看好永铭新一代锂离子超级电容(LIC)在英伟达AI服务器GB300 BBU备用电源中的创新应用。该方案直面GPU功率突变与高温寿命挑战，以内阻<1mΩ、10分钟快充、100万次循环的性能，实现体积与重量大幅缩减，并支持15–21kW峰值功率。　　同时展出的还有永铭专为高功率AI服务器电源自主研发的IDC3系列液态牛角电容，其典型规格 450V 1400μF、尺寸30×70mm，具备更高耐压、更高容量密度与更长寿命，为AI服务器电源的功率密度与可靠性提升提供了关键支持。　　此次多位顶尖专家的驻足与认可，是对永铭坚持自主创新、攻坚高端应用的最佳印证。
2025-11-10 11:34 reading：414
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