上海贝岭斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖

Release time:2025-06-05
author:AMEYA360
source:上海贝岭
reading:1304

  近日,国内半导体汽车电子领域迎来两场展会——第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)与2025全球车规级功率半导体峰会暨优秀供应商创新展。

  作为行业领先的集成电路供应商,上海贝岭股份有限公司携多款汽车电子创新产品及解决方案重磅亮相。展会现场,上海贝岭的技术专家与行业客户及合作伙伴深入交流,展台吸引了众多观众驻足观看交流。展会期间,上海贝岭凭借BLQN3N100/3N120产品的卓越表现,在AEIF 2025展会上荣获中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合颁发的“卓越产品奖”。凭借上海贝岭在汽车电子应用领域卓越的市场表现,在GAPS2025展会斩获“车规级功率半导体杰出供应商”奖。

上海贝岭斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖

  如下图,上海贝岭车规级特高压MOS BLQN3N100/3N120可应用于BMS的总压检测、绝缘检测、粘连检测等三大检测,替换传统方案中的光MOS,实现降本,为客户创造价值。

上海贝岭斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖

  如下图,上海贝岭车规级特高压MOS BLQN3N100/3N120还可应用于新能源汽车主驱辅电、空调辅电等电路,用作反激开关电路电子开关。耐压高达1000V或1200V,无需用两个MOS管串联、或避开选用SIC MOS,从而实现降本。

上海贝岭斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖

  另外,在BMS、辅助电源等应用中,除了车规级特高压MOS以外,还有如下车规级产品可供客户选择。

上海贝岭斩获“卓越产品奖”与“车规级功率半导体杰出供应商”两项大奖

  在车规级、特高压MOS领域,上海贝岭将持续深耕、探索,全力为客户提供高可靠、高匹配、高性价比物料方案,用勤劳、智慧笃定践行贝岭人“用‘芯’创造美好生活”的使命!


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上海贝岭 BLQ3N120 功率芯片荣登 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单
  近日,中国汽车工业协会公示 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单,上海贝岭自主研发的车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120 成功入选。该活动经多方严格评审,从众多产品中筛选优质芯片,BLQ3N120 的入选彰显其技术领先性与产业适配性。  此次入选不仅是对上海贝岭技术实力的认可,更是发展动力。未来公司将加大研发投入,推出更多创新产品,助力汽车电子产品供应丰富与提升!  产品特性  上海贝岭推出的车规级特高压平面硅基MOSFET BLQ3N120,采用先进的晶胞结构,可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量,在确保车规级品质的情况下,耐压可做到1200V。主要特点有:高击穿电压、低导通电阻、低阈值电压VTH、高结温等,填补了国内车规级、特高压平面MOSFET市场领域的空白。  优势特征&参数  • VDS:1200V  • ID:3A  • RDS(ON):5Ω  • IDSS:200nA(@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃)  • VGS(TH):3V ~ 5V  • Fast Switching  • Low Crss  • 100% avalanche tested  • AEC-Q101 qualified  典型应用  基于车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120特性,其可应用于新能源汽车电池管理系统(BMS)的总压检测、绝缘检测、粘连检测、主驱/PTC等的辅助电源、主动泄放电子开关等。  比如,在BMS“三大检测”(总压检测、绝缘检测、粘连检测)采样通道通断控制应用中,早期解决方案是干簧管或光MOS,但其成本高。而BLQ3N120因具备耐压高、关断漏电流小、成本低等特点,可以替换干簧管或光MOS,完全胜任BMS“三大检测”通道通断控制需求,而且还具有成本更低的优势!  MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”检测中的应用  再比如,在主驱等反激辅助电源应用中,BLQ3N120因具备耐压高、开关频率高等特点,还可以用作电子开关管。
2025-12-10 16:07 reading:342
上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”
2025-12-04 16:17 reading:299
上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放
  引言  在现代电子系统设计中,运算放大器作为信号处理的核心元件,其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中,对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X),凭借其优异的性能,为设计工程师提供了一个理想的解决方案。  产品特性  BL380X是1.8MHz增益带宽积的高性能运算放大器,工作温度范围支持-40℃至+125℃,支持多通道,多种封装,能够满足多种应用场景下对信号处理精度和工作温度的严苛要求。  BL3801内含单通道运算放大器、BL3802内含双通道运算放大器、BL3804内含四通道运算放大器,运算放大器的性能一致。  特性如下:表/1(规格参数)  典型应用原理图如下:图1 BL308X典型应用原理图  产品优势  • 极致精度表现:在 5V 供电条件下,典型失调电压仅 10μV,-40℃至 + 125℃工作温度内最大值不超过 30μV,配合0.01µV/℃的低温漂特性,彻底解决了通用运放因温度波动导致的误差累积问题。  • 信号高还原:轨到轨输入/输出特性可充分利用电源范围,配合 145dB 的信号电压增益与 115dB 的电源抑制比(PSRR),确保微弱信号的完整放大与还原。  • 可靠稳定运行:ESD(HBM)水平可达到±8KV,LU可达±800mA, 0.1ms 的过载恢复时间实现快速信号响应,保证系统可靠运行,180μA 的典型静态功耗兼顾性能与能效。  行业应用  BL380X的核心优势特性可以解决行业痛点,在工业控制、医疗仪器等对精度要求严苛的领域,BL380X的性能优势转化为实实在在的设计价值。  • 工业测量的 “稳定器”:针对压力传感器、应变计等设备在 - 40℃至 + 125℃工业环境中的长期运行需求,其超低失调电压与低温漂特性可将信号调理误差控制在μV 量级,使系统的测量精度得到提升。  • 医疗电子的 “精准镜”:在心电图、便携式血糖仪等医疗设备中,0.5nA 的低输入偏置电流特性可精准放大传感器输出的 nA 级微电流信号,将血糖、心率等生理参数的测量误差控制在更小的范围内,同时 180μA 低功耗设计延长设备续航时间。  • 测试仪器的 “灵敏度放大器”:在数字万用表、数据采集卡等设备中,10μV 失调电压与高增益特性支持 μV 级电压测量,配合轨到轨输入 / 输出能力,帮助仪器实现更高的测量分辨率。  支持多种封装  应用领域  工业测量、医疗电子、仪表仪器和物联网采集终端  上海贝岭提供系列化的产品选择,专业的技术支持,以及稳定的供应,为用户的产品设计和批量使用保驾护航。  订购型号与封装信息表/2(选型列表)
2025-12-04 13:56 reading:303
上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器
  一、概述  中国产业升级持续提速,制造业智能化、自动化迈入新阶段,市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件,其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域,高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成,直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀,上海贝岭针对性优化产品参数,面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A,可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。  二、伺服控制器应用拓扑  伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制,微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号,动态调节输出功率,使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图  三、贝岭IGBT技术平台  650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台,对标市场主流的4代产品工艺,采用微沟槽工艺,正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例,背面采用优化的H FS工艺,使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷,以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”,可实现175℃的最高工作结温,并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。  四、650V FBL系列产品核心优势  能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF  在伺服控制器应用中,典型开关频率范围为8-16kHz,IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时,贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时,FRD正向压降VF典型值的对比。在常温,高温下,贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品,可直接减少伺服控制器导通损耗,不仅能降低设备运行时的能耗成本,还能减轻散热模块负担,缩小设备体积,延长整机寿命,提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比  *数据测试条件为相同封装,栅-发射极电压Vge为15V,测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比  *数据测试条件为相同封装,测试电流IF为各产品标称电流值  动态性能升级——低开关损耗Esw  IGBT作为开关器件,其在应用中的开关损耗也不容忽视,图6 展示了在节温25℃时,贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下,贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近,其中10A 和30A 产品更具优势,可更好地适配伺服控制器高频开关需求,使得电机启停、转速调节响应更快,设备执行精准动作时更流畅,减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比  *数据测试条件为相同封装,栅-发射极电压Vge为15V/0V,测试电流Ic为各产品标称电流值,相同开通电压压摆率  抗短路能力强劲——超长耐受  贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用,着重优化器件的短路耐受能力,器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下,依旧维持较长的短路时长,保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃),器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下,也能避免器件因短路损坏,减少伺服控制器突发停机,降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形  五、贝岭功率器件选型方案  上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线,涵盖电流等级8A-80A器件,欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中,除了核心的功率器件,高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键,上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案,具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
2025-12-02 11:36 reading:329
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