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顶面散热新<span style='color:red'>封装</span>！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

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ROHM

发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：362 继续阅读>>

超小<span style='color:red'>封装</span>+负压适配！思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电

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超小封装+负压适配！思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电

　　随着物联网、智能家居与端侧AI设备快速普及，叠加数据中心、高速光模块的批量落地，系统设计面临全新挑战：如光模块的尺寸受标准化约束，同时需为光路器件等预留空间，如何在紧凑 PCB 空间内，兼顾高转换效率与长久续航?针对行业痛点，思瑞浦(3PEAK)推出新一代高频、超低静态功耗同步降压转换器TPP05301。该产品体积小巧、性能出众，可直接为DSP、Serdes等AI设备系统的关键核心器件稳定供电，一站式解决空间受限、功耗管控与电流输出难题，为端侧智能设备打造可靠电源支撑。　　TPP05301支持2.5V~5.5V宽输入电压范围，输出电压0.6V~VIN调节，稳态输出电流高达3A。采用COF(Constant Off-Time)控制架构。集成OCP、OVP、UVLO等多种保护机制。同时产品可提供 SOT563(1.6mm×1.6mm)超小封装，助力光模块、通信设备和穿戴设备等市场。　　01　　产品优势　　小巧尺寸，释放空间　　在寸土寸金的电路板上，面积就是成本。TPP05301采用了小型 SOT563 (1.6mm × 1.6mm) 封装。同时，2.2MHz的高开关频率允许系统使用更小尺寸的电感和电容，极大程度减少了整体BOM面积，芯片及外围的整体方案可以优化至30mm2，良好适配光模块、便携式设备对空间的极致要求。　　图 1 PCB尺寸3D示意图卓越效率，降低损耗　　TPP05301展现出卓越的能效表现，针对光模块最常用的3.3V主电源轨，在3.3V转1.8V的典型应用中，其峰值效率可达95%。这意味着更少的电能转化为热量，显著缓解了高带宽光模块面临的散热压力，保障信号传输更稳、更远。　　图 2 VIN=3.3V时效率曲线　　超低功耗，续航持久　　针对电池供电系统，TPP05301表现出了优异的节能特性。其关断电流可低至100nA，非开关状态下的典型静态电流(Iq)仅为25µA，全温度范围内均在30µA以下。　　图 3 静态电流　　同时，TPP053010版本支持Power-Save Mode(PSM)省电模式，在轻载条件下自动切换至降频工作状态，大幅提升轻载效率，有效延长设备的电池续航时间。　　支持直通，切换丝滑　　支持100%占空比(Low Dropout)，当输入电压接近输出电压时，芯片可进入100%占空比模式，最大限度压榨电池的最后一点电量。TPP05301采用COF(Constant Off-Time)控制架构，控制固定的关断时间，自适应调节Ton时间，让进入与退出直通模式更加平滑。　　图 4 进入与退出直通模式　　低压使能，灵活控制　　随着AI终端和算力设备的发展升级，供电和控制轨的电压不断降低。TPP05301具备原生低压使能特性，其EN引脚阈值完美适配1.2V逻辑电平，无需额外电平转换。这一特性可直接为先进芯片DSP、FPGA或SoC的GPIO进行控制，极大地提升了电源时序管理的灵活性与设计自由度。　　图 5 EN使能示意图　　02产品特性　　•输入电压范围 (VIN)： 2.5V ~ 5.5V;　　•输出电压范围 (VOUT)： 0.6V ~ VIN;　　•最大持续输出电流： 3A;　　•开关频率： 2.2MHz/1.1MHz;　　•静态功耗 (Iq)： 25µA (Typ.);　　•关断电流 (Isd)： 100nA (Typ.);　　•工作温度范围： -40℃ ~ +125℃;　　•基准电压精度： 0.6V ±1%;　　•封装形式： SOT563 (1.6mm × 1.6mm);　　03典型应用　　得益于宽泛的输入电压、超小的封装和出色的效率，TPP05301可广泛应用于以下领域：　　数据中心网络设备：光模块、交换机、无线AP　　AIoT与视觉终端： IP Camera (网络摄像机)、无人机、智能穿戴设备　　消费类电子：智能电视、DVR、STB　　通用便携设备：智能家居终端、电池供电的通用电源模块　　负压供电方案　　光模块应用中需要给DSP的IO/PIC的TX提供负压供电，TPP05301可以实现负压方案，并提供较小的纹波输出，VIN=3.3V，VOUT=-1.8V，ILoad=80mA时的输出电压纹波如图。　　图 6 TPP05301负压方案示意图及输出电压纹波

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思瑞浦

发布时间：2026-07-01 10:23 阅读量：358 继续阅读>>

森国科推出TOLT<span style='color:red'>封装</span>SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。

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森国科

发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：359 继续阅读>>

思瑞浦丨超小<span style='color:red'>封装</span>！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

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思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。

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思瑞浦

发布时间：2026-06-09 09:50 阅读量：570 继续阅读>>

美光送样256GB DDR5服务器内存模块，重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进<span style='color:red'>封装</span>技术，为业界提供更快性能

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美光送样256GB DDR5服务器内存模块，重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进封装技术，为业界提供更快性能

　　2026 年 5 月 14 日，爱达荷州博伊西市——美光科技公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布，已向核心服务器生态系统合作伙伴送样 256GB DDR5 RDIMM 内存模块。该模块基于美光领先的1-gamma 制程打造，传输速率最高可达 9,200 MT/s，比当前量产的内存模块快 40% 以上。　　此款模块采用先进封装工艺，结合 3D 堆叠(3DS)与硅通孔(TSV)工艺，将多颗内存晶粒整合于单一模块中。搭配美光 1-gamma DRAM 技术，这些创新成果提供了扩展下一代 AI 系统所需的容量、速率和能效。与两个 128GB 模块相比，单个 256GB 模块可降低 40% 以上的运行功耗，为现代 AI 数据中心带来更高能效。　　生态系统合作伙伴验证　　美光正与核心生态系统合作伙伴协作，在其当前及新一代服务器平台上对 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 进行验证。通过联合兼容性测试，可确保该产品具备广泛的平台兼容性，并帮助大规模构建人工智能(AI)和高性能计算(HPC)基础设施的数据中心客户加速量产部署。　　美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“容量、带宽和功耗是决定 AI 效率的核心因素。美光 256GB DDR5 RDIMM 将能够显著提升服务器性能。该解决方案基于我们的 1-gamma DRAM 技术，采用先进的 3DS 和 TSV封装技术，提供业界领先的速率和能效，帮助数据中心架构师更高效地扩展 AI 基础设施。”　　满足 AI 时代的内存需求　　大语言模型(LLM)、智能体 AI (agentic AI)、实时推理及高核数 CPU 负载场景快速普及，正推动企业对更大容量、更高带宽和更优能效的服务器内存需求迅速增长。美光 256GB DDR5 RDIMM 精准匹配行业增长诉求，助力服务器架构师、超大规模云厂商及硬件平台合作伙伴，在现代数据中心散热与功耗约束下，最大化单插槽内存配置容量。　　送样与供货情况　　目前，美光 1-gamma 制程 256GB DDR5 RDIMM 已向核心服务器生态伙伴送样，开展平台验证。

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发布时间：2026-05-22 09:45 阅读量：680 继续阅读>>

上海雷卯丨小<span style='color:red'>封装</span>大功率低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

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上海雷卯丨小封装大功率低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

　　在储能系统、锂电池管理(BMS)、新能源汽车电子等关键场景中，设备长期处于高压、高频、连续不间断运行状态，雷击浪涌、抛负载、感性负载切换等瞬态过压事件，极易造成BMS 主控MCU、AFE采样芯片、MOSFET 等核心器件击穿失效，直接导致系统宕机、设备损坏甚至安全风险。　　具备Snap-back(回扫)特性的TVS 是解决此类问题的最优防护方案。上海雷卯电子聚焦电路保护核心需求，自主研发并量产小封装、大功率、超低钳位电压Snap-back TVS，技术性能全面对标力特(Littelfuse)、Vishay、Semtech 等国际一线品牌，为储能与BMS 系统提供高可靠、高性价比的国产替代防护方案。　　作为电路防护第一道防线，TVS的低钳位电压是衡量保护能力的核心指标，直接决定后端芯片的安全上限。雷卯Snap-back TVS通过极低Vc值，确保浪涌冲击下核心芯片始终处于安全工作区，筑牢电路防护网。下图为雷卯Snap-back TVS VI特性曲线。　　一、Snap-back TVS：储能与BMS 精准防护核心　　普通TVS 在浪涌冲击下，钳位电压会随电流上升持续升高，往往超出后端敏感芯片的耐压范围，无法实现真正有效的安全防护。　　雷卯Snap-back TVS具备独特的负阻回扫特性：器件被触发击穿后，电压快速回落至更低的维持电压，以纳秒级速度泄放浪涌电流，将钳位电压压至极限低位，从根源上避免高压应力损伤核心元器件。　　核心保护优势　　1. 极速响应：纳秒级导通，快速泄放雷击、抛负载等高能瞬态电流　　2. 超低钳位：回扫后电压远低于常规TVS，芯片安全裕量大幅提升　　3. 无闩锁风险：浪涌冲击后快速恢复，适配7×24h 不间断运行场景　　4. 高可靠性：反复冲击不失效，满足车规、储能级长期使用要求　　二、雷卯13LM 系列Snap-back TVS 产品介绍　　针对储能/BMS 高密度布局、大功率防护、低残压保护的三重核心需求，上海雷卯电子推出13KW SMC 封装Snap-back TVS，包含13LM78CA、13LM87CA、13LM102CA三款主力型号，实现小体积、大功率、低钳位的技术统一。　　产品核心技术优势分析　　1、超低钳位电压　　对比常规SMC封装的8.0SMDJ78CA(钳位电压126V)，新品13LM78CA在功率提升超过60%的同时，将钳位电压大幅降低至100V。这意味着在同等浪涌下，后端芯片承受的电压应力降低了20%以上，安全裕量显著提升。　　2、更优的功率密度　　若以13KW的功率等级为标准，传统方案需采用尺寸更大的DO-218AB封装(如SM15S78CA，尺寸15.5mm x 10mm)。而13LM78CA在保持SMC紧凑封装(8.0mm x 6.0mm)的同时，不仅实现了13KW的大功率，其钳位电压(100V)也远低于DO-218AB封装方案(126V)，真正做到了“小身材，大能量，低残压”。　　三、雷卯Snap-back TVS 三大应用价值　　1、提升系统可靠性，延长设备寿命　　有效抑制瞬态电压峰值，减少高压冲击对MCU、AFE、MOS 管的损伤，显著降低系统失效率，满足储能/BMS 7×24h 不间断运行需求，延长整机使用寿命。　　2、降低设计冗余，优化物料成本　　传统设计中，为应对TVS较高的钳位电压，工程师往往被迫选用耐压等级更高、成本也更贵的后端MOSFET或IC。而低VC的TVS提供了一个更优解，它允许工程师选用耐压等级更低、性能更优、成本更低的元器件，从而有效优化整体物料清单(BOM)成本。　　3、应对更严苛的标准，满足功能安全要求　　随着汽车和储能行业对功能安全(如ISO 26262)的要求日益严格，电路保护方案也必须达到更高标准。低VC的TVS凭借其卓越的保护性能，能够帮助系统设计轻松通过各类严苛的浪涌和瞬态测试，为产品认证和市场准入扫清障碍。　　四、典型应用场景　　◆储能系统：储能变流器(PCS)、电池包、BMS 主控板、高压采样回路　　◆ 新能源汽车：车载BMS、OBC、DC-DC、48V/800V 高压系统　　◆工业控制：光伏逆变器、工控电源、高压传感器、通信电源　　◆高端电子：医疗设备、工业机器人、安防监控、智能电网设备　　五、雷卯电子品牌与服务优势　　上海雷卯电子是专注ESD/EMC/过压保护器件的国家高新技术企业，核心技术对标Littelfuse、Vishay、Semtech：　　1. 自研技术：Snap-back TVS 核心工艺自主研发，性能比肩国际品牌　　2. 品质保障：通过AEC-Q101 车规认证、ISO 9001、ISO 14001 体系认证　　3. 服务优势：FAE 团队全程支持，提供选型、方案设计、测试验证一站式服务　　4. 交期与成本：国产现货供应，交期更稳、性价比更高，替代优势明显　　5. 实验室支持：自建EMC 实验室，免费为客户提供浪涌、静电、抛负载测试　　上海雷卯电子以小封装、大功率、低钳位的核心技术，打造行业领先的Snap-back TVS 产品，为新能源储能、汽车电子、工业控制提供更安全、更稳定、更具竞争力的电路保护方案，成为国产替代国际品牌的首选合作伙伴。　　附上其中一页规格书参数如下：

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上海雷卯

发布时间：2026-05-20 09:37 阅读量：662 继续阅读>>

芯片<span style='color:red'>封装</span>测试的重要性和意义

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芯片封装测试的重要性和意义

　　随着半导体技术的飞速发展，芯片作为现代电子设备的核心，其性能和可靠性直接影响整个系统的质量。芯片封装测试作为芯片制造流程中的关键环节，起着确保芯片功能完整和稳定的重要作用。　　一、芯片封装测试的定义　　芯片封装测试是指在芯片制造完成后，通过一系列工艺和检测手段，对封装好的芯片进行功能验证、电性能检测和可靠性测试的全过程。这一环节确保芯片能够达到设计要求并在实际应用中稳定运行。　　二、芯片封装测试的重要性　　1. 保证芯片功能的正确性　　封装后的芯片必须经过严格的测试，才能确认其各项功能是否正常。测试过程能够及时发现设计制造中的缺陷，如短路、开路或参数偏差，避免不良产品流入市场。　　2. 提升产品的可靠性　　通过环境应力测试、温度循环测试等手段，验证芯片在不同工作条件下的稳定性和耐久性，确保芯片在实际使用中的长期可靠运行，降低故障率。　　3. 控制制造成本　　芯片制造过程复杂且成本高昂，封装测试能够早期筛查出问题芯片，避免后续装配和终端产品带来更大损失，从而有效控制整体制造成本。　　4. 满足客户和行业标准　　满足严格的行业标准和客户要求，是芯片市场竞争的重要因素。封装测试作为品质保证的关键步骤，保证产品符合规范，增强市场认可度。　　三、芯片封装测试的意义　　1. 提升芯片产业竞争力　　高质量的芯片能够赢得客户信赖，提高企业的品牌影响力和市场份额。完善的封装测试体系是企业技术实力的重要体现。　　2. 推动技术创新和发展　　测试过程中积累的数据和经验，为设计优化提供反馈，促进工艺改进和技术创新，推动整个半导体行业的进步。　　3. 保障电子产品安全与性能　　芯片作为电子产品的大脑，其性能直接关联产品的安全和功能。封装测试的严格检测，有助于保障终端设备的安全性和性能稳定性。　　芯片封装测试不仅是质量控制的关键环节，更是保障芯片性能和可靠性的基石。随着芯片技术的不断进步和应用领域的拓展，封装测试的重要性日益凸显。

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发布时间：2026-05-14 10:32 阅读量：777 继续阅读>>

应能微电子丨AU1091P1 大电流，超小<span style='color:red'>封装</span>浪涌保护 TVS for Type-C & Pogo-Pin VBUS

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应能微电子丨AU1091P1 大电流，超小封装浪涌保护 TVS for Type-C & Pogo-Pin VBUS

　　应能微电子(APM)推出 AU1091P1，一款大电流 90A(8/20μs, Pin 1toPin 2),50A (8/20μs, Pin 2 to Pin 1);超小封装 DFN1006-2 (1.0x0.6x0.5mm)TVS。该器件特别适合空间受限的便携设备，如TWS无线耳机、智能穿戴手表手环、AI眼镜、便携式音箱、电子烟等设备的Type-C或Pogo-Pin VBUS电源接口的EOS浪涌保护。

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应能微电子

发布时间：2026-05-11 09:59 阅读量：597 继续阅读>>

纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小<span style='color:red'>封装</span>版本，助力紧凑型设计

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纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型设计

　　隔离栅极驱动，首选纳芯微PrimeDrive　　PrimeDrive是纳芯微打造的隔离栅极驱动产品家族，提供高可靠、全品类的隔离栅极驱动解决方案。　　针对高压、高dv/dt及复杂电磁环境，PrimeDrive隔离栅极驱动在驱动能力、智能保护功能、长期可靠性及系统鲁棒性等方面持续领先，助力客户降低设计与验证风险。　　产品覆盖隔离半桥栅极驱动、隔离单管栅极驱动、智能隔离栅极驱动、功能安全栅极驱动等多种品类，广泛适用于汽车、工业控制、可再生能源与电源、消费电子等应用领域，为多样化的系统设计提供稳定、可信的驱动解决方案。　　智能隔离栅极驱动NSI67xx-Q1推出SSOW20小封装版本　　在高功率密度电驱系统中，布板空间愈发成为关键约束。纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动NSI67xx-Q1全新推出SSOW20小封装版本，在保持原有性能与可靠性的基础上，封装尺寸较SOW16减小约40%，更适配对PCB面积要求严苛的应用场景，尤其适用于搭配紧凑型功率模组设计。　　助力电驱系统实现ASIL C功能安全目标　　基于NSI67xx-Q1的电驱系统方案，已通过德凯(DEKRA)权威评估，可支持系统实现ASIL C功能安全目标。　　方案在满足功能安全等级要求的前提下，通过合理的硬件冗余设计与系统架构优化，减少主功率回路改动，缩短开发周期，覆盖400V/800V高压平台，全面兼容SiC与IGBT功率架构，成为电驱系统实现功能安全等级的高性价比路径之一。

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发布时间：2026-03-19 09:20 阅读量：1135 继续阅读>>

核芯互联丨国产高性能任意时钟发生器CLG6965发布：4×4mm小<span style='color:red'>封装</span>，支持PCIe Gen6

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核芯互联丨国产高性能任意时钟发生器CLG6965发布：4×4mm小封装，支持PCIe Gen6

　　近日，核芯互联正式推出新一代高性能、低相位噪声可编程任意时钟发生器——CLG6965。该芯片专为高性能消费电子、网络通信、工业控制及数据通信领域打造，在极其紧凑的封装内，集成了强大的时钟生成与管理功能，以超低抖动、前沿的PCIe Gen6支持以及高度灵活的可编程性，在PCIe Gen6 (SSC off)(PLL BW of 500K–1.8MHz, CDR = 20MHz)测试条件下，抖动的典型值仅为30fs，为国产时钟芯片提供了新的选择。　　一、极致尺寸：4×4mm小封装，释放PCB空间　　在服务器主板、交换机线卡及高端嵌入式系统中，PCB面积的优化至关重要。CLG6965采用了业界通用的 4 × 4 mm 24-VFQFPN 封装工艺，在保证高性能的同时实现了体积的最小化。这一极致的小封装设计，意味着：　　节省空间：相比传统大封装时钟芯片，体积大幅缩减，更适合交换机、路由器等高密度板卡设计。　　布局灵活：允许工程师将其更紧凑地放置在芯片组附近，缩短信号传输距离，改善信号完整性。　　无缝替换：作为通用时钟发生器，该封装符合业界主流标准，便于工程师进行国产化替代设计，降低替换成本。　　二、性能强劲：超低抖动，前瞻支持PCIe Gen6　　在保持封装小巧的同时，CLG6965也保证高时钟信号性能：　　1. 超低抖动设计芯片内置高性能低噪声PLL，输出相位抖动典型值低至 0.2ps RMS，全温范围内典型抖动小于 0.4ps RMS。这一指标能够满足高速接口对时钟质量的严苛要求，有效提升系统的信噪比与稳定性。　　2. 紧跟高速接口趋势：支持PCIe Gen6紧跟高速计算发展步伐，CLG6965完美支持 PCI Express Gen 1.0 至 Gen 6.0(SSC Off模式)，以及Gen 1.0 至 Gen 4.0的扩频时钟(SSC On模式)。这意味着无论是当下的主流服务器设计，还是下一代AI计算平台，CLG6965都能提供精准可靠的时钟支持。　　3. 宽频VCO与任意频率生成　　内置5GHz~6GHz宽范围VCO，支持从极低频(1kHz)到350MHz的差分输出，以及最高200MHz的LVCMOS输出。基于分数分频技术，可实现精度高达50ppb的任意频率转换，满足音视频等非标频应用需求。　　三、功能特色：四大OTP配置，灵活应对复杂场景　　CLG6965不仅在性能上表现出色，更通过一系列特色功能，大幅简化了系统设计流程，提升了产品的易用性与灵活性。　　1. 四组OTP存储器，硬件管脚一键切换这是CLG6965的一大亮点。芯片内部集成了四组一次性可编程(OTP)存储器。　　灵活配置：工程师可以通过GPIO或引脚拉电阻方式，在四种预设配置间轻松切换。　　一物多用：同一颗芯片可以适配不同的系统模式(如全功能模式、省电模式)、不同的地区标准，或用于生产线的极限测试，无需更换物料，极大简化了BOM管理。　　2. 高可靠性：冗余输入与无毛刺切换针对服务器、电信线路卡等对可靠性要求极高的场景，CLG6965提供了双时钟输入冗余功能。在主备时钟源切换过程中，芯片可实现无毛刺切换，确保下游设备在时钟源故障或维护期间维持正常运转，提升系统鲁棒性。　　3. 多样化输出与独立扩频　　混合电平支持：提供4对通用差分输出(支持LVPECL、LVDS、HCSL)和1个LVCMOS参考时钟输出。支持1.8V、2.5V、3.3V混合电压供电，轻松实现电平转换。　　独立扩频(SSC)：每个输出通道均支持独立的扩频调制，可有效降低系统EMI干扰，帮助产品通过电磁兼容认证。　　四、典型应用场景　　凭借小封装、高性能、灵活配置的核心优势，CLG6965适用于广泛的终端产品：　　网络通信：以太网交换机、路由器、MSAN/DSLAM/PON、电信线路卡。　　高速计算与存储：服务器主板、FPGA/处理器时钟板卡、光纤通道、SAN存储设备。　　消费与工业：多功能打印机、广播音视频设备、工业自动化控制。　　结语　　CLG6965的发布，展示了核芯互联在高性能时钟芯片设计领域的深厚积累。作为一款支持PCIe Gen6、具备四组OTP配置功能的4×4mm时钟发生器，CLG6965将有力支撑国内通信与计算产业的升级需求，为工程师提供更具性价比、更易用的设计选择。

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发布时间：2026-02-25 16:58 阅读量：1433 继续阅读>>

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