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高性能芯片的基石：<span style='color:red'>半导体</span>封装技术全解析！

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高性能芯片的基石：半导体封装技术全解析！

　　半导体封装是电子制造的关键环节，它将半导体芯片封装在保护性和功能性封装中，以确保其可靠性、性能以及与电子设备的集成。这些封装充当着连接微型敏感半导体芯片和更广泛电子系统的桥梁，提供电气连接、热管理和环境保护。半导体封装技术已取得显著发展，以满足人们对更小、更快、更高效的电子设备的需求，从传统的引线封装到先进的倒装芯片、系统级封装 (SiP) 和 3D 封装。这些封装创新在智能手机、物联网设备、数据中心和汽车电子设备等各种现代应用的驱动中发挥着至关重要的作用。　　一、半导体封装的历史　　在半导体行业的形成期，半导体器件采用金属罐和陶瓷封装。这些封装旨在为精密的半导体芯片提供基本保护，并实现与外部电路的电气连接。然而，它们体积相对较大、笨重且功能有限。随着半导体技术的快速发展，对更小、更高效的封装解决方案的需求日益增长，以适应半导体芯片尺寸的不断缩小。这推动了双列直插式封装 (DIP) 和表面贴装封装等创新封装技术的发展。双列直插式封装无法支持高引脚数，因此需要能够容纳大量输入/输出 (IO) 的高密度互连 (HDI) 解决方案。这催生了倒装芯片封装，也称为受控塌陷芯片连接 (C4)。为了实现高集成度，设计人员在 20 世纪 70 年代左右发明了 MCM(多芯片模块)。图1：半导体封装的历史　　二、半导体封装材料　　半导体封装材料在保护和互连设备的同时，确保其可靠性和性能方面发挥着至关重要的作用。　　基板：基板可以是有机基板，也可以是陶瓷基板。有机基板具有良好的电绝缘性能，是一种经济高效的封装解决方案。陶瓷基板通常用于需要良好导热性的高频应用。　　封装材料：封装材料保护芯片免受环境因素、湿气和机械应力的影响。环氧模塑料 (EMC) 具有良好的附着力和电气绝缘性能。然而，液晶聚合物 (LCP) 因其低介电常数和低损耗角正切，更适合高频应用。　　互连材料：金线键合通常用于半导体芯片和封装之间的电气连接。无铅焊料(锡-银-铜合金)材料用于将半导体芯片连接到基板。　　底部填充材料：底部填充材料用于填充半导体芯片和基板之间的间隙，以增强机械稳定性和可靠性。底部填充材料还能提高导热性，从而改善散热效果并降低过热风险。常见的材料包括环氧树脂(粘合性更佳)、聚酰亚胺(热稳定性更佳)或硅酮(机械稳定性更佳)。图2：倒装芯片底部填充封装工艺　　三、半导体封装的类型　　四方扁平封装(QFP)　　四方扁平封装 (QFP) 是一种经典的半导体封装，其特点是扁平、方形或矩形，引脚从四边延伸。QFP 有多种尺寸，引脚排列成网格状。它们通常用于需要中等引脚数的集成电路 (IC)。QFP 在组装和返工过程中易于操作。　　球栅阵列(BGA)　　球栅阵列 (BGA) 封装的特点是封装底部布满了焊球阵列，而非引脚。这些焊球与 PCB 上的相应焊盘接触，从而增强了散热性能并降低了电气干扰的风险。BGA因其紧凑的尺寸、出色的散热能力和抗机械应力的能力，在现代电子产品中得到了广泛的应用。　　芯片级封装(CSP)　　芯片级封装 (CSP) 的尺寸设计几乎与其封装的半导体芯片尺寸相同，从而最大限度地减少了空间浪费。CSP 非常适合对尺寸和重量有严格要求的应用，例如移动设备和可穿戴设备。它们通常使用间距极细的焊球或铜柱进行连接。　　晶圆级封装(WLP)　　晶圆级封装是一种将多个半导体器件在晶圆级封装后再切割成单个芯片的技术。这种方法可以降低制造成本并提升器件性能。晶圆级封装 (WLP) 可以实现超紧凑和高密度封装，非常适合 MEMS 器件和传感器等应用。　　3D IC 和堆叠封装　　3D IC 封装是指将多个半导体芯片堆叠在一个封装内，并通过硅通孔 (TSV) 进行互连。这种封装技术可以实现更高的集成度、更低的信号延迟和更佳的性能。堆叠封装常用于高性能计算、显卡和内存模块等高级应用，以在节省空间的同时提升处理能力和内存容量。　　四、半导体封装的关键考虑因素和主要挑战　　半导体封装设计是一个复杂且不断发展的领域，在当今快速发展的技术环境中面临着各种挑战。以下是主要挑战：　　小型化和集成化：根据摩尔定律，电子设备体积越来越小，功能却越来越强大。封装设计如何在保持封装性能和可靠性的同时，满足小型化和集成化的需求，变得越来越具有挑战性。　　由于封装上用于元器件和互连的空间越来越小，信号完整性、功率传输和热管理等问题也面临着独特的挑战，需要创新的解决方案。　　热管理：对高性能和减小整体面积的持续需求意味着 IC 的功率密度必须很高。过热会缩短 IC 的使用寿命并影响性能。封装设计旨在更好地散热，而散热器、导热片和先进的热界面材料等先进的散热解决方案对于高效散热至关重要。此外，3D 封装和集成冷却解决方案的兴起，通过提供更佳的散热途径来应对这些挑战。　　先进材料与兼容性：半导体行业致力于采用具有更佳电气、机械和热性能的材料来设计封装。封装需要与硅、有机基板和焊料等其他材料进行接口，而这些材料可能具有不同的热膨胀系数 (CTE)。这些差异会在温度循环过程中产生热应力，从而可能导致封装故障。使用低 CTE 材料，例如铜钨 (CuW)、铝碳化硅 (AlSiC)、可伐合金等，可以减少热失配的影响，并提高封装的可靠性。　　信号完整性和电气性能：随着数据速率和处理速度的不断提高，保持半导体封装中的信号完整性和电气性能变得越来越重要。高频信号易受干扰、串扰和阻抗失配的影响。设计人员需要考虑传输线效应、电磁干扰 (EMI) 和电源完整性等因素，以确保信号无失真或无损耗地到达目的地。　　封装成本：封装成本在半导体器件总成本中占比很大。为了提高器件的竞争力，同时又能让消费者负担得起，设计公司努力在保持性能的同时降低封装成本。　　环境问题：电子垃圾对环境和人类健康有害。人们一直致力于使用环保材料和可回收材料进行半导体封装。　　含铅焊料曾经广泛用于半导体封装，但出于对环境的考虑，无铅焊料已成为标准。　　铜通常用于各种互连，并且可以回收利用。　　许多半导体封装采用塑料或聚合物材料作为封装材料、模塑料和封装结构。这些材料有时可以回收利用。　　玻璃基板通常用于微机电系统(MEMS)，回收玻璃可以减少半导体封装对环境的影响。　　异构集成：将存储器、传感器、射频 (RF) 组件等不同技术集成到单个封装中称为异构集成。这具有诸多优势，包括提高数据传输速率、降低功耗、增强设备性能以及缩小占用空间。异构集成面临着独特的挑战，包括不同技术之间的材料兼容性问题，以及不同组件在不同功率水平下工作时产生的热点管理问题。　　五、半导体封装的创新　　半导体封装面临的挑战也为创新蓬勃发展提供了机遇。以下是目前一些正在使用的先进封装技术：　　系统级封装 (SiP)：SiP 是一种先进的半导体封装技术，它将多个异构半导体元件(例如逻辑元件(微控制器或应用处理器芯片、存储器等)、无源元件(电阻器、电容器和电感器)、存储器元件和互连(微凸块、引线键合或 TSV))集成在一个封装内。SiP 具有许多优势：　　紧凑型设备：将组件集成到单个封装中可形成紧凑型设备，这对于智能手机和可穿戴设备等便携式设备尤为重要。　　增强性能：SiP 最大限度地缩短了互连长度，从而减少了信号延迟，这对于高速和高频应用至关重要。　　更高的功率效率：除了缩短信号互连长度外，SiP 内的电源分配网络也得到了更好的优化。这对于电池供电设备至关重要。　　降低制造成本：SiP 减少了需要在电路板上组装的单个组件的数量，从而降低了总体制造成本。　　扇出型晶圆级封装 (FOWLP)：传统的封装方法是将单个芯片封装并安装到印刷电路板上。FOWLP 则需要将芯片重新分布并正面朝上放置在大型晶圆尺寸的基板上。这种重新分布技术可以创建紧凑、高度集成的封装，将多个芯片、无源元件和互连集成在一个结构中，其中电气连接位于芯片的有源侧，连接到基板。　　FOWLP具有小型化、更高的热性能、成本效益和增强的电气性能等优势，使其成为智能手机、物联网设备、汽车电子产品和射频模块等广泛应用的热门选择。　　硅通孔 (TSV) 和 3D IC 封装：硅通孔(TSV) 是 3D 集成电路中使用的一项关键技术，可实现单个封装内多个半导体芯片或层的垂直集成。TSV 是穿透硅基板的垂直互连结构，为不同层级的芯片或元件提供电气连接。　　TSV 是贯穿 3D IC 堆栈中每个芯片或层的硅基板的圆柱形或垂直孔。它们内衬绝缘材料以防止电气短路，并填充铜或钨等导电材料以提供电气通路。　　垂直集成技术允许多个芯片垂直堆叠，从而促进了晶体管微缩的革新。这有助于缩短互连长度，提高集成密度，同时提升功率效率。　　嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB)：EMIB 是英特尔开发的一种先进半导体封装技术。EMIB 技术旨在解决在单个封装内集成异构半导体芯片的挑战。它使用横跨基板的嵌入式桥接技术，从而为集成芯片之间的数据传输提供高速、低延迟的路径。它还使用微柱等细间距互连技术在集成芯片之间建立电气连接。这通过减少信号延迟实现了高效的数据传输，并由于互连长度缩短而提高了电气性能。　　总而言之，半导体封装是连接复杂的半导体芯片世界和驱动我们现代生活的多样化电子设备的重要桥梁。从早期的金属罐到3D集成的尖端发展，半导体封装改变了我们的世界，使连接我们、娱乐我们并推动我们产业发展的设备成为可能。

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半导体封装

发布时间：2026-02-06 17:01 阅读量：195 继续阅读>>

纳芯微牵头完成 PN 结<span style='color:red'>半导体</span>温度传感器国家标准制定

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纳芯微牵头完成 PN 结半导体温度传感器国家标准制定

　　近日，由纳芯微牵头制定的PN 结半导体温度传感器国家标准正式发布。该标准围绕器件定义、关键性能指标及测试方法建立统一技术框架，为高精度、高可靠测温应用提供了明确、可执行的技术依据。　　PN 结温度传感器利用半导体 PN 结电压随温度变化的物理特性进行测量，可直接实现芯片级或功率器件内部的快速、精确温度感知，尤其适用于结温级测量。在精度、一致性与线性度等方面，相较传统 NTC 热敏电阻具备明显优势，已逐步成为高可靠测温场景的重要技术路线。　　随着新能源汽车、泛能源及高端电子系统对温度感知精度和可靠性要求持续提升，PN 结温度传感器的应用持续扩大。但在器件性能表征与测试方法方面，行业长期缺乏统一标准。此次国家标准的发布，有助于提升不同产品方案之间的可比性，降低系统设计与应用成本，推动产业链上下游协同发展。　　作为深耕传感器领域的半导体企业，纳芯微在 PN 结温度传感器的产品研发、测试方法及规模化应用方面积累了丰富实践经验。基于在多个行业的长期应用实践，纳芯微联合产业链相关单位，围绕关键性能指标、测试条件与一致性要求，推动形成具备工程可落地性的国家标准。　　围绕 PN 结半导体测温技术，纳芯微已形成覆盖多行业、多精度等级的温度传感器产品组合，满足从高可靠工业系统到精密人体测温的多样化需求：　　汽车领域　　NST175H-Q1：面向智驾与座舱等相关应用，兼具高精度与高可靠性　　NST235-Q1 / NST86-Q1：适用于整车热管理与车载电子系统的车规级温度感知需求　　泛能源领域　　NST175 / NST112 / NST5111：面向数据中心、电源系统及通信设备等高可靠应用，具备优异的一致性与长期运行稳定性，适用于系统级与器件级温控管理　　NST117 / NST1075 / NST461 / NST1413 / NST235 / NST20：覆盖不同接口、封装与精度配置，适配多样化工业与泛能源系统架构　　可穿戴与医疗领域　　NST112x：最高可实现 ±0.1 ℃ 测量精度，兼顾精度、功耗与封装尺寸，适用于人体测温及可穿戴设备　　NST1001 / NST1002：面向医疗及消费级高精度测温场景的小型化解决方案　　在产品能力层面，纳芯微基于 PN 结测温原理的 CMOS 温度传感器，在接口形式、封装选择及精度配置方面提供灵活组合，便于客户在不同系统架构与应用场景中快速集成，满足从消费级到高可靠应用的多层次需求。　　注：该标准为 GB/T 20521.5-2025《半导体器件第14-5部分：半导体传感器 PN 结半导体温度传感器》，由工业和信息化部(电子)主管、全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)归口管理，标准已于2025年12月2日正式发布，将于 2026 年 7 月正式实施。

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纳芯微

发布时间：2026-02-05 17:46 阅读量：218 继续阅读>>

一文带你了解荣湃<span style='color:red'>半导体</span>“光MOS”产品大家庭

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一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。

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荣湃

发布时间：2026-02-03 10:22 阅读量：236 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>车规处理器XC38流片成功

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小华半导体车规处理器XC38流片成功

　　新年伊始，小华半导体汽车事业部迎来重大喜讯，匠心打造的XC38经过内部严格测试验证，正式宣布XC38流片成功。这一里程碑事件，表明小华半导体车规MCU开始进入中高端功能安全ASIL-D应用场景，且在国产成熟工艺上生产制造，实时算力和待机低功耗等多项参数处于国内领先地位，为行业客户带来更多更好的纯国产选择。　　纯国产工艺　　小华XC38基于国产车规工艺打造　　随着众多国产MCU厂家的入局，供应链纷繁复杂。国内整车厂将国产MCU划分为国产一级芯和国产二级芯。国产二级芯是国内车厂的下一步强需求，其要求企业注册地/控股股东/代工晶圆厂/封测工厂均需要在中国大陆，这才是严格意义的纯国产MCU芯片。为响应此战略需求，小华半导体将XC38作为纯国产车规MCU的重要战役，全力投入研发，在国产成熟制程工艺上，实现了多核ASIL D锁步核主频400MHz高速稳定运行，该算力性能不仅国内领先，还超过国际大厂同制程下最高320/350MHz的主频能力。这是小华研发团队系统优化能力的显现，也代表国产阵营塑造了一个鲜明的技术标杆。　　XC38资源简介　　小华XC38：　　Ø CPU 2*LS+2, 400MHz, 算力高达3.7K DMIPS　　Ø ISO26262 ASIL D+HSM EVITA Full+　　Ø SARADC+SDADC+GTM4.1+FCMP　　Ø 12*CANFD+8*SPI+1*Gbit Ethernet+Flexray　　Ø 3*MSC+eMMC+PSI-5+25*SENT　　Ø 2.7~5.5V单电源供电　　目标应用：　　§ 新能源电驱控制　　§ 800V BMS电池管理　　§ ZCU车身域控　　§ PDCU动力总成域控　　§ 智驾AEB (1V3R) Safety MCU　　XC38 SDK驱动包和MCAL已发布初版驱动包，正在积极适配国内外主流工具链产品及基础软件厂商，很快将向国内车厂及Tier1用户开启送样。　　让我们一起期待小华纯国产车规MCU XC38的卓越表现。

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小华

发布时间：2026-02-02 13:46 阅读量：273 继续阅读>>

类比<span style='color:red'>半导体</span>新品发布｜低噪声、高保真音频运算放大器OPA458x

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类比半导体新品发布｜低噪声、高保真音频运算放大器OPA458x

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新低噪声、高保真高压音频运算放大器OPA458x系列。本系列运放供电电压支持4V到36V, 带宽可到19MHz。在音频频带范围内，OPA458x的电压噪声为0.8uVrms, THD+N可以做到0.0005%, 这使得OPA458x非常适合作为音频功放的前置放大器使用，同时也可以作为耳放或者应用在混音器等应用中。该产品支持2通道或者4通道封装，其中两通道封装支持SOIC-8，MSOP-8和TSSOP-8，4通道支持SOIC-14和TSSOP-14封装。　　OPA458x系列产品特征：　　• 供电电压范围：4V-36V　　• 带宽：19MHz　　• 低噪声：0.8uVrms typ　　• THD+N: 0.0005% typ　　• Slew Rate: 17V/us　　• 输出轨到轨　　• 低偏移电压：±3mV Max　　• 低偏移电压温漂：±2uV/℃ Typ　　典型应用电路：　　典型应用：　　混音器　　音响　　电子乐器　　产品选型表：

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类比半导体

发布时间：2026-02-02 11:13 阅读量：229 继续阅读>>

2025年全球<span style='color:red'>半导体</span>TOP10！

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2025年全球半导体TOP10！

　　近期，市场调研机构Gartner发布了2025年全球半导体营收报告。根据Gartner的初步调查结果显示，2025年全球半导体总收入达到7930亿美元，同比增长21%。　　排名公司 2025年半导体营收/市场份额/年增长率　　1、英伟达(NVIDIA) 1257.03亿美元/15.8%/+63.9%　　2、三星电子(Samsung Electronics) 725.44亿美元/9.1%/+10.4%　　3、SK海力士(SK hynix) 606.40亿美元/7.6%/+37.2%　　4、英特尔(Intel) 478.83亿美元/6.0%/-3.9%　　5、美光(Micron Technology) 414.87亿美元/5.2%/+50.2%　　6、高通(Qualcomm) 370.46亿美元/4.7%/+12.3%　　7、博通(Broadcom) 342.79亿美元/4.3%/+23.3%　　8、超微半导体(AMD) 324.84亿美元/4.1%/+34.6%　　9、苹果(Apple) 245.96亿美元/3.1%/+19.9%　　10、联发科(MediaTek) 184.72亿美元/2.3%/+15.9%　　在前十名半导体厂商排名中，有五家厂商的位置自2024年以来发生了变化。英伟达在2025年将对三星的领先优势扩大了 530亿美元，成为首家半导体销售额突破1000亿美元的供应商，贡献了2025年行业增长的35%以上。三星保住了第二名的位置。三星730亿美元的半导体收入由内存(增长13%)推动，而非内存收入同比下降8%。SK海力士升至第三，2025年总收入达到610亿美元，同比增长37%，主要得益于AI服务器对HBM的强劲需求。英特尔市场份额下滑，市场份额仅为6%，是2021年的一半。　　Gartner高级首席分析师 Rajeev Rajput 表示：“AI半导体包括处理器、高带宽内存(HBM)和网络组件，继续推动半导体市场的前所未有的增长，占2025年总销售额的近三分之一。随着2026年AI基础设施支出预计将超过1.3万亿美元，这种主导地位还将进一步上升。”

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发布时间：2026-01-15 17:09 阅读量：363 继续阅读>>

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顾邦半导体家族：60V DCDC

　　关键词：60V高压降压转换器;1A~5A;　　顾邦半导体(GOSEMICON)提供60V输入，1A~5A 输出，多款高压Buck解决方案，适用不同场合。小编一文说清如何根据应用场景快速选型!　　PART 01 60V 5A DCDC　　GBI1650　　60V 5A Buck DCDC转换器，FSS, 0.8Vref，eSOP-8　　典型应用：　　GBI1650 是一款输出高达5A的Buck DCDC转换器，在通信和汽车领域有广泛应用, 采用eSOP-8封装;有+/-6%频率扩展(FSS)特征;支持高达2.5MHz开关频率，可以很好避开汽车广播频段。同时，外部补偿可以增加应用中环路设计的灵活性。从下图可以明显看出FSS特性带来的 FFT 峰值相差15dB以上，这将大大降低EMI峰值噪声。　　有频率扩展FSS(上图)vs 无FSS(下图)：　　GBI1651　　60V 5A Buck DCDC转换器, PG, 0.8Vref，WSON-10　　典型应用：　　GBI1651采用WSON-10封装，并带有PG指示信号，采用可调频率，适用于通信等应用场合　　PART 02 60V 3A DCDC　　GBI1630A　　60V 3A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，SS, eSOP-8　　典型应用：　　GBI1631　　60V 3A Buck DCDC转换器，0.8Vref， PG, eSOP-8　　典型应用：　　GBI1632/33　　60V 3A Buck DCDC转换器, 0.75Vref，eSOP-8　　典型应用：　　PART 03 60V 2A DCDC　　GBI1620　　60V 2A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，eMSOP-10　　一款适用于2A负载应用的60V输入 DCDC，拥有迷你尺寸封装(eMSOP-10)，典型应用图如下。该DCDC采用可调频率，可调软起动时间，内部集成环路补偿，提供PG信号，带有LDO 模式，满足大占空比(90%)应用场景，适用于小尺寸工业场景应用。　　典型应用　　PART 04　　60V 1A DCDC　　GBI1600/A　　60V 1A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，TSOT23-6　　一款适用于1A负载需求的小尺寸封装 (TSOT23-6) 60V输入 DCDC，采用固定频率，内部集成软起动和环路补偿，从而最大限度减少外部元器件个数，简化应用设计。GBI1600 带有LDO 模式，满足大占空比(90%)应用场景，比如24V工业总线等。GBI1600A 可以承受高达75V脉冲电压，参见下图 75V 输入下满载工作波形。GBI1600A适用于高压POE和10串以上电池应用，应用中要求输入输出电压差高于4.5V。GBI1600/A 与友商LMR16006 BOM兼容。　　典型应用　　GBI1600A Vin=75V Iout=1A开关波形　　重点推荐　　60V 5A DCDC　　GBI1650 eSOP封装，带FSS功能　　GBI1651 WSON-10封装，无FSS功能　　60V 3A DCDC　　GBI1630A 瞬间可以承受75V高压，热损耗低，　　GBI1632 支持 LDO模式，热损耗和GBI1630A一样，比其他3A产品温升低20℃。　　60V 2A DCDC　　GBI1620 适用于2A，小尺寸应用　　60V 1A DCDC　　GBI1600/A 适用于小于1A，小尺寸应用; GBI1600A瞬间可以承受75V高压

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顾邦

发布时间：2026-01-13 11:29 阅读量：346 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出高性价比车规电源管理IC——SPSA068

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意法半导体推出高性价比车规电源管理IC——SPSA068

　　意法半导体的SPSA068是一款尺寸紧凑、使用便捷的高性价比汽车电源管理芯片(PMIC)。产品参数灵活可配，通过AEC-Q100认证，最高支持ISO 26262功能安全ASIL-B等级。　　SPSA068是一款面向单电源MCU应用设计的降压稳压器，该器件可提供MCU电源管理整体解决方案所需的全部功能，集成了1A降压稳压器、高精度(1%)电压基准、窗口可调节看门狗、故障诊断、复位输出功能，SPI接口可用于配置芯片和状态检查。　　SPSA068可通过非易失性存储器(NVM)自定义芯片参数。降压稳压器5V、3.3V或1.2V输出可配，其他输出电压值可通过外部电阻配置实现，负载电流支持0.5A和1A两档可选，开关频率0.4MHz或2.4MHz可设。基准电压5.0V、3.3V或1.2V可配，基准电压输出可用于20mA负载电流回路。SPSA068集成的保护功能包括过/欠压、过流、短路和热关断保护等。并可配套MCU的低功耗需求，在低负载条件下可以切换到低功耗模式，静态电流仅为50µA。　　SPSA068可直接连接电池，设计紧凑，功能全面，可有效减少PCB占用空间，缩短设计周期。集成的NVM存储器和低功耗模式可降低系统对环境条件的敏感度，节省成本，提高信号精度和安全性。　　SPSA068内置数字和模拟自检(BIST)功能、支持输入、输出和丢地监测，专用故障引脚可显著简化FuSa方面的设计考量。支持SPI接口配置、诊断和监测芯片，MCU看门狗和状态指示位可在发生故障时及时报错或发出警告。　　配套评估板STEVAL-SPSA068可以让设计人员能够在新项目中快速引入SPSA068。

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意法半导体

发布时间：2026-01-09 13:38 阅读量：363 继续阅读>>

数家厂商发布涨价通知，全球<span style='color:red'>半导体</span>行业正式进入新一轮涨价周期！

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数家厂商发布涨价通知，全球半导体行业正式进入新一轮涨价周期！

　　2025年底，全球半导体产业迎来一场覆盖全产业链的涨价浪潮。从上游核心原材料到下游终端产品，涨价信号持续释放，多家领军企业陆续发出调价通知，推动成本压力沿供应链逐级传递。　　这场涨价潮的核心推手，首先是全产业链成本的持续攀升 ——12 英寸硅片年内涨幅近 90%，六氟化钨等关键电子材料报价上调 70%-90%，银、铜等金属原材料价格年内累计上涨超 50%，叠加晶圆代工环节先进制程与成熟制程同步提价，直接推高了芯片制造成本。　　另一方面，人工智能算力需求的急剧增长引发了显著的供需结构变化。单个AI服务器所需的存储芯片数量达到普通服务器的8倍以上，导致高端制造资源被集中占用。而主要供应商同步收缩传统芯片产能布局，形成“需求扩张”与“供给收紧”并行的市场格局，进一步推高了价格走势。　　在此背景下，晶圆代工、功率器件、存储芯片、模拟芯片、被动元件等多个细分领域厂商纷纷跟进提价，其中包含TI，ADI、国巨、风华高科、泰科电子、ROHM、美光......等等，涨价幅度普遍在5%-30%之间，部分稀缺品类涨幅更是突破100%，行业正式进入成本驱动型涨价周期。　　以下为部分涨价函信息：　　ADI　　ROHM半导体　　美光　　风华高科

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涨价

发布时间：2025-12-31 15:59 阅读量：426 继续阅读>>

帝奥微荣膺年度<span style='color:red'>半导体</span>上市公司领航奖(信号链芯片)!

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帝奥微荣膺年度半导体上市公司领航奖(信号链芯片)!

　　近日，由中国半导体投资联盟主办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”于上海隆重举行。　　通过公开征集、自愿申报、专家评选等重重程序，凭借优秀的市场价值、完备的技术布局与战略前瞻性，帝奥微荣膺“年度半导体上市公司领航奖(信号链芯片)”!　　“年度半导体上市公司领航奖”于今年首次设立，该奖项旨在表彰在半导体产业链中具备综合领导力与行业号召力的上市公司。获奖企业需在细分领域占据头部地位，通过技术壁垒、规模化效益及生态影响力推动产业升级，代表中国半导体产业的标杆力量。　　帝奥微于2010年成立，以信号链模拟芯片为起点，产品布局逐步拓展至信号链模拟芯片及电源管理模拟芯片等多个细分领域。在信号链芯片方向，公司进行前瞻性布局：保持消费电子基本面，持续完善汽车品类，加速推进AI领域布局，并积极探索光通讯等新兴赛道。目前，产品已覆盖汽车电子、消费电子、机器人、通信与计算等多个前沿领域，客户群以及行业深度、宽度不断扩大，特色产品加速实现客户导入，多市场、多领域的深度融合持续推进。　　2022年，帝奥微(688381)成功登陆上海证券交易所科创板。作为一家上市公司，帝奥微始终坚持合规经营，积极整合产业链上下游资源，致力于与合作伙伴共同打造高效、负责任的供应链体系，实现产业链资源的协同发展。同时，公司持续深化 ESG 实践，加大绿色技术与可持续发展投入，努力为社会创造长期价值。　　荣膺“年度半导体上市公司领航奖”，不仅是对帝奥微在信号链芯片领域综合实力与行业影响力的高度认可，也进一步彰显了公司在推动中国半导体产业高质量发展中的责任与担当。　　面向未来，帝奥微将以此次获奖为新的起点，持续加大在核心技术与产品创新方面的投入，深化信号链及电源管理模拟芯片的战略布局，不断拓展应用边界与产业生态协同能力，提升核心竞争力与可持续发展水平，携手产业链伙伴，共同推动半导体行业向更高质量、更高价值方向迈进!

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帝奥微

发布时间：2025-12-26 14:06 阅读量：453 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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BP3621	ROHM Semiconductor

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