村田电子：采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？
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村田电子：采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？

　　碳化硅(SiC)半导体器件正逐渐替代硅IGBT，成为电动汽车(xEV)中功率电子技术中的关键器件。特别是在主逆变器中使用SiC功率半导体，能够提升电动汽车的续航能力，降低电池成本，并将主逆变器的体积减小一半，大大提高车辆布局设计的灵活性。　　然而，SiC功率管是基于高速开关的技术，所需的结温也不断提高，一些SiC模块的额定运行温度可以超过200°C，这对SiC的内置或周边元件提出了高温要求。特别是功率模块内置的热敏电阻，要实现更精确的高温检测，需要耐高温，且更靠近功率器件。而传统热敏电阻应用中，热敏电阻与半导体之间的焊盘是分开的，远离半导体器件影响温度检测的精度。　　应对上述技术挑战，村田制作所开发并成功商品化了“FTI系列”的功率半导体用NTC热敏电阻。该产品采用树脂模塑结构、且支持引线键合，可用细金属线连接半导体芯片和电极，从而将该产品设置在功率半导体附近，准确测量温度，并减少贴装面积，提高设计灵活性并降低系统成本。　　FTI系列工作温度确保范围为-55°C至175°C，适合用于产生大量热量的汽车动力总成用途——比如汽车逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。村田近期发布的产品选型指南《xEV功率电子解决方案》中，详细介绍了“FTI系列”的特性、参数、以及未来的新品规划。　　该技术指南的内容还包括村田Y电容器、吸收电容器在xEV的功率电子中的解决方案以及应用案例。
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发布时间：2025-11-05 13:22 阅读量：1007 继续阅读>>
纳芯微推出集成隔离电源的隔离接口N<span style='color:red'>SI</span>P93086和N<span style='color:red'>SI</span>P9042系列
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纳芯微推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042系列

　　纳芯微今日宣布推出集成隔离电源的隔离接口NSIP93086和NSIP9042，其中NSIP93086集成了RS485收发器，为NSIP83086的升级款;NSIP9042集成了自带振铃抑制功能的CAN SIC收发器，为NSIP1042的升级款。　　新发布的器件可广泛适用于光伏、储能、充电桩、电力设备、服务器电源等对尺寸、可靠性、电磁兼容等方面具有高要求的系统应用。　　三合一集成设计，大大降低PCB占板空间　　在传统方案中，数字隔离器和接口收发器均需单独配置电源进行供电，无论是采用传统的电源模块还是分立的电源IC，都会增加PCB占板面积，并且增加系统设计难度和可靠性风险。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用集成数字隔离器、接口、电源三合一的设计，相比采用电源模块的传统设计，可将PCB面积降低至少三分之二，高度更是仅为电源模块的五分之一，大大降低了占板空间。不同隔离通信方案的PCB尺寸对比　　NSIP93086和NSIP9042集成的变压器还拥有业界领先的电源转换效率，在500mW功率下，可达到49%的转换效率。此外，内置变压器的设计不仅降低了成本和设计难度，还减少了因外置变压器或电源模块带来的可靠性风险，为系统的持久稳定运行提供保障。　　接口方面，NSIP93086集成全双工/半双工的RS485收发器，传输速率为16Mbps;NSIP9042集成具有振铃抑制功能的CAN SIC收发器，传输速率为5Mbps，高性能接口的集成可显著助力降低信号延迟，减少传输误码，进一步增强了系统的可靠性。　　RE性能大幅优化，轻松通过CISPR32 Class B测试　　无论是系统还是器件层面，电磁干扰(EMI)一直是高集成设计需要着重攻克的挑战之一，随着相关系统功率密度的提升，如何在日益有限的空间内，降低器件之间电磁干扰的互相影响，保证系统电路的稳定、可靠运行，成为工程师需要重点考虑的设计点。　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042凭借已申请专利的EMI改善技术，实现了器件级RE (Radiated Emission，辐射发射)性能的大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容，输入5V，带载100mA的测试条件下，NSIP93086和NSIP9042均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　出色的隔离性能，全面满足安规要求　　NSIP93086和NSIP9042采用纳芯微业内领先的电容隔离技术，隔离耐压高达5kVrms，CMTI高达100kV/μs，满足加强绝缘认证标准，可提供CQC、VDE、UL、TÜV等国内外主流认证机构的权威报告，助力用户简化系统设计和测试流程。　　NSIP93086和NSIP9042的爬电距离亦高达8.15mm，能够满足IEC 62477-1:2022标准中直流1500V、过电压等级I级、污染等级II、5000米海拔基本绝缘的应用需求。　　封装和选型　　纳芯微NSIP93086和NSIP9042采用SOW16、SOW20封装，可与纳芯微上一代产品以及竞品同类器件实现完全P2P引脚兼容，工程师在进行产品升级时，无需重新设计，极大地降低了设计难度和开发周期。NSIP93086和NSIP9042满足工规要求，工作温度均可达到-40℃~125℃。目前NSIP93086和NSIP9042已经量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元化应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
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发布时间：2025-11-05 09:53 阅读量：942 继续阅读>>
芯力特：高集成Mini高速CAN FD系统基础芯片<span style='color:red'>SI</span>T1169Q---基础篇
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芯力特：高集成Mini高速CAN FD系统基础芯片SIT1169Q---基础篇

　　在汽车电子与工业自动化领域，CAN总线作为核心通信协议，对其配套芯片的集成度、可靠性与性能提出了严苛要求。芯力特推出的SIT1169Q作为一款 Mini高速CAN FD系统基础芯片(System Basis Chip, SBC)，通过高度集成高速CAN FD收发器与电源管理功能，为CAN-based系统提供了兼具稳定性与能效的解决方案。　　芯片核心定位与合规标准　　SIT1169Q的核心价值在于“高度集成”与“多场景适配”，它将高速CAN FD transceiver与电源管理模块整合于紧凑封装中，专为汽车及工业恶劣环境设计。该芯片完全符合ISO11898-2:2016与SAE J2284标准，是保障CAN FD总线通信合规性与兼容性的关键基础。其“Mini”特性不仅体现在DFN20封装的紧凑尺寸(支持增强AOI检测能力)，更在于通过功能集成减少外围元器件数量，简化PCB布局。　　关键技术特性：通信、电源与功耗的三重突破　　高速CAN FD通信能力　　SIT1169Q支持CAN FD通信速率高达5Mbps，可满足汽车实时控制、工业设备高频数据传输场景对带宽的要求。同时，芯片支持CAN部分网络(Partial Networking, PN)功能与CAN FD容错模式，速率覆盖50kbps、100kbps、125kbps、250kbps、500kbps及1Mbps共6种速率，能根据系统需求灵活配置唤醒触发条件，避免无效唤醒导致的功耗浪费。　　高精准多通道电源管理　　电源管理是SIT1169Q的核心优势之一，芯片集成2路电源输出，覆盖微控制器、CAN总线及外设供电需求，输出精度高保护机制全面可靠。　　V1(LDO1)：为5V/3.3V微控制器供电，输出电压精度±2%，电流不小于250mA;支持外置PNP扩展做散热辅助，提高SBC在高温或大功率负载下的工作能力。　　VEXT(LDO2)为外部传感器供电，不仅具备±2%输出精度与不小于100mA电流，更支持-18V~40V的耐压保护，极大的增强了抗外部高压冲击能力，并支持离板供电。　　VBAT引脚支持上电与掉电检测，当电池电压低于掉电检测阈值时自动切换至Off模式，高于上电检测阈值时启动引导流程，保障系统电源切换的安全性。　　超低功耗与灵活唤醒机制　　针对汽车和工业的待机与低功耗场景，SIT1169Q设计了完善的低功耗方案：　　睡眠/待机模式：睡眠模式下VBAT供电电流极低，且支持CAN总线远程唤醒与本地WAKE引脚唤醒;待机模式作为一级节能模式，虽保持V1稳压源与SPI接口激活，但仍能通过自主总线偏置功能(总线无活动时偏置至GND，有活动时偏置至2.5V)降低功耗。　　唤醒逻辑：系统通过检测CAN总线的唤醒帧以及WAKE引脚的电平跳变，均可实现系统唤醒，唤醒后会从低功耗的睡眠模式切换至Reset模式，再根据寄存器配置进入Normal或Standby模式，确保唤醒响应的及时性与准确性。　　SIT1169Q通过 “高速通信+高集成电源+低功耗+全防护” 的组合设计，成为汽车与工业CAN系统的理想选择。其严格遵循ISO11898-2:2016标准的通信性能、灵活的电源配置、完善的低功耗与故障容错机制，不仅简化了系统设计，更提升了整体可靠性。SIT1169Q为CAN-based系统的小型化、高能效与高稳定性提供了可靠解决方案。
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发布时间：2025-11-03 16:32 阅读量：956 继续阅读>>
纳芯微：新品三连发！NSSine™实时控制MCU/DSP矩阵完善，覆盖高中低实时控制场景
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纳芯微：新品三连发！NSSine™实时控制MCU/DSP矩阵完善，覆盖高中低实时控制场景

　　在工业和能源领域，效率和控制精密度是核心诉求。纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 再添新成员：中端算力新品 NS800RT5075，高性价比新品 NS800RT1025、NS800RT1035 正式发布。至此，NSSine™系列已实现 “高端-中端-入门级” 全档位覆盖，全系搭载高性能 Cortex®-M7 内核与可配置逻辑模块(CLB)，集传统 MCU 的易用性与 FPGA 的灵活定制性于一体：强大的处理能力确保复杂算法(如FOC、数字电源补偿计算)能够在极短时间内完成，CLB则允许用户自定义逻辑，实现硬件级协处理，有效卸载CPU负担，为工业设备、能源系统提供前所未有的实时性与控制精度。　　NS800RT1025/1035 夯实高性价比阵营：高集成、易兼容，加速中小功率场景落地　　作为NSSine™系列入门级阵营的补充，NS800RT1025/1035 以高外设集成度 + 主流封装兼容，精准匹配对成本敏感、需求场景标准化的应用，助力工程师快速推进产品开发。　　NS800RT1025/1035 功能框图：　　NS800RT1025/1035采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达200MHz，兼顾算力与功耗平衡，满足中小功率设备的实时控制需求;在外设上，内置2个12位ADC模块(采样率4.375Msps，最高支持21个ADC采样通道)、4对模拟比较器，14路PWM输出(包含4路最高分辨率可达到80ps的HRPWM);在通信接口方面，集成CAN2.0B、SPI、UART、LIN(支持UART功能)、PMBUS等工程师高频使用的通信接口，无需额外扩展芯片即可实现设备互联，降低系统整体成本和复杂度，加速产品开发上市;同时，NS800RT1025/1035兼容友好封装，采用采用 (L) LQFP 系列主流封装，9mm×9mm~14mm×14mm，可直接兼容现有硬件设计规则，降低改板成本。　　NS800RT5075 领衔中端算力：高算力、高可靠，攻克复杂工业场景难题　　NS800RT5075 提供更高主频、更大存储、更丰富外设，针对多通道信号处理、高可靠性控制等复杂场景设计，适配工业伺服、大功率电源、智能电网等高端应用。　　在处理性能上，NS800RT5075采用高性能Cortex®-M7内核，最高主频可达300MHz，搭配 DSP 指令与 FPU(浮点运算单元)，可极速运行多变量复杂算法，应对高密度实时任务;在安全存储配置方面，内部集成 1MB 双 bank Flash(支持 ECC 校验)、13KB数据Flash、512KB RAM(带ECC校验)，ECC 技术可实时检测并修正存储错误，为高安全可靠算力提供保驾护航;同时，NS800RT5075具备超强外设扩展能力，内置8个sigma-delta滤波器通道、4个CLB模块、3个12位ADC模块(4.375Msps，最高支持25个ADC采样通道)、8个模拟比较器、24路PWM输出(包含16路最高分辨率可达到124ps的HRPWM)，适配多传感器协同采集场景，并且支持更精细的功率调节与电机控制;通信接口包含CANFD、CAN2.0B、SPI、UART、PMBUS，以工程师最为熟悉的外设，服务创新应用。　　此外，NS800RT5075采用HLQFP高散热封装(最大176管脚)形式HLQFP，适配长时间高负载运行的工业环境。　　全档位覆盖，赋能工业能源领域创新　　随着中端算力型号 NS800RT5075、高性价比型号 NS800RT1025/1035 的发布，NSSine™系列实时控制 MCU/DSP 已全面完善 “高 / 中 / 入门级” 产品矩阵，实现全档位覆盖。以 “Cortex®-M7+CLB” 的融合技术、差异化的功能配置，为工业自动化、能源管理、汽车电子等领域提供 “精准匹配、灵活选型” 的解决方案。　　整个产品矩阵均基于Arm Cortex-M7内核，同时，三个系列产品的性能边界十分清晰，主要通过“算力、存储、外设”三个维度区分：　　(1)算力：高端产品主频400MHz，支持eMath核(完整数学运算加速);中端产品主频300MHz，支持eMath核;高性价比产品主频200MHz，支持mMath核(精简版数学加速，仅保留核心运算);　　(2)存储：高端产品搭配256K TCM + 1MB eFlash，中端产品128K TCM + 512KB eFlash，高性价比产品80K TCM + 256KB eFlash;　　(3)外设：高端产品支持EtherCAT、CAN-FD等工业总线及更多ADC/PWM通道;中端产品支持CAN-FD，精简工业总线;高性价比产品仅保留SPI、UART等基础接口，满足中小功率场景需求。　　此外，纳芯微从开发工具、应用方案、软件与文档支持三个维度打造了完备的产品生态，已形成从头部到长尾的全生态服务体系，并在风光储能、工业电机、汽车电子等领域实现突破。未来，随着"边缘AI+实时控制"战略的推进，纳芯微将引领实时MCU应用进入智能化新时代，为风光储、新能源汽车、工业自动化等关键领域提供更强大的技术支撑，在巩固现有国产替代成果的同时，开拓全新增长曲线。
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发布时间：2025-10-30 09:53 阅读量：1051 继续阅读>>
纳芯微推出集成隔离电源的隔离采样芯片N<span style='color:red'>SI</span>36xx系列：“集成电源+灵活输出+内置保护”，重新定义隔离采样电路
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纳芯微推出集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列：“集成电源+灵活输出+内置保护”，重新定义隔离采样电路

　　纳芯微宣布推出新一代集成隔离电源的隔离采样芯片NSI36xx系列，该系列是纳芯微NSI13xx系列的全面升级，包括隔离电流放大器NSI360x系列、隔离电压放大器NSI361x系列、内部集成比较器和单端比例输出的NSI36C00R/NSI36C1xR系列。　　NSI36xx系列可广泛用于工业电机驱动、光伏逆变器、服务器电源、新能源汽车主驱、车载充电机等高压系统的电流、电压采样，通过集成隔离电源、灵活的输出配置和内置保护功能，帮助工程师在系统设计中支持更高的功率密度，并简化外围电路。　    集成隔离电源：简化系统架构，无需高压侧供电电路　　在一些浮地采样的场景下，使用上一代产品NSI13xx系列的客户需要额外设计隔离电源给高压侧供电，而NSI36xx全系列产品均集成了隔离DC-DC电源，这一设计为客户带来了显著的实用价值：　　✔ 简化供电设计：传统的隔离采样方案需要为高压侧和低压侧分别供电，而NSI36xx系列只需在低压侧提供单一电源即可正常工作，省去了复杂的高压侧供电电路。这不仅减少了电源设计复杂度，还显著缩短了开发周期。　　✔ 节约系统成本：通过集成隔离电源，客户无需再外置独立的隔离电源模块，有效降低了整体BOM成本约10%~20%。同时，节省PCB面积约30%~50%，可使产品实现更小型化的设计，在空间受限的应用中具有明显优势。集成隔离电源的NSI36xx系列在高压侧的供电电路设计　　未集成隔离电源的NSI13xx系列在高压侧的供电电路设计　　单端比例输出：灵活适配系统，优化信号链设计　　NSI36xx系列电压采样和电流采样均提供单端比例输出版本NSI36C1xR，NSI36C00R(尾缀R即代表单端比例输出)，为客户系统设计提供了更大的灵活性：　　✔ 增强系统兼容性：不同的输出配置使客户能够根据具体应用需求选择最合适的产品型号，无论是需要差分输出的长距离传输应用，还是需要单端比例输出的简化设计，都能在NSI36xx系列中找到理想解决方案。　　✔ 简化信号链设计：比例输出架构能够直接与后端ADC匹配，减少了信号调理电路的需求，使系统设计更加简洁。客户无需再为复杂的信号调理电路花费设计资源，且可以利用到ADC满量程输入提高系统采样精度。NSI36C00R比例型单端输出直连ADC　　集成比较器保护：增强系统安全，降低诊断复杂度　　NSI36C1xR，NSI36C00R同时集成内部比较器为终端应用提供了额外的保护功能：　　✔ 实时故障检测：集成比较器可在客户系统中快速地实现过流、过压保护，能够在百纳秒时间内检测到异常状况并触发保护机制，大幅提升系统的安全性和可靠性。芯片内置过压过流电路，并且外部阈值可调，更加灵活，方便客户做逐周期过流保护或快速过压保护控制。　　✔ 简化系统诊断：通过集成的自诊断功能和比较器输出，客户可以轻松实现系统健康状况的实时监测，无需额外设计诊断电路，大大降低了系统复杂度和开发难度。　　封装和选型　　NSI36xx系列提供SOW16封装，全系将支持工规和车规版本。该系列首发型号：工规版本的NSI3600D，NSI3611D，NSI3612D现已量产，支持最高5000Vrms绝缘电压，工作温度范围为-40℃~125℃。支持单端比例输出、集成比较器的后续器件和对应的车规版本将陆续量产。　　丰富的“隔离+”产品，满足多元系统应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
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发布时间：2025-10-22 09:53 阅读量：1036 继续阅读>>
芯力特全国产供应链CAN FD收发器-<span style='color:red'>SI</span>T1044GQ
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芯力特全国产供应链CAN FD收发器-SIT1044GQ

　　SIT1044GQ是具有待机模式的CAN FD收发器。该产品设计、晶圆制造、封装、测试流程均实现全国化，切实保障国内外客户的持续稳定供应。　　功能描述　　SIT1044GQ是一款高速控制器局域网 (CAN) 收发器，符合ISO11898-2:2024 高速CAN规范物理层要求，可应用于车载、工业控制等领域。　　SIT1044GQ为国产化产品，可兼容SIT1044Q、SIT1044AQ等系列产品。SIT1044GQ进一步改善了总线信号对称性，拥有更低的电磁辐射以及更强的抗干扰能力，非常适合数据速率高达5Mbps的传统CAN和CAN FD网络。该器件可以在更简单的网络中实现高达5Mbps的运行速度。该器件包括通过VIO引脚实现的内部逻辑电平转换功能，允许将收发器I/O直接连接到1.8V、3.3V或5V逻辑电平。该收发器支持低功耗待机模式，并且可通过符合ISO11898-2:2024所定义唤醒模式 (WUP) 的CAN来唤醒。　　应用领域　　车身控制模块　　汽车网关　　高级驾驶辅助系统(ADAS)　　信息娱乐系统　　工业运输　　主要技术指标　　符合面向汽车应用的AEC-Q100标准　　兼容“ISO11898-2:2024”，“SAE J2284-1~SAE J2284-5”和“SAE J1939-14”标准　　内置过温保护　　总线端口±42V耐压　　驱动器(TXD)显性超时功能　　带远程唤醒功能的低功耗待机模式　　SIT1044GQT/3 、SIT1044GQTK/3 I/O电压范围支持1.8V、3.3V和5V MCU　　VCC和VIO电源引脚上具有欠压保护　　高速CAN，支持5Mbps灵活数据速率(CAN FD)(Flexible Data-Rate)　　高抗电磁干扰能力　　未上电节点不干扰总线　　支持SOP8和DFN3*3-8封装，DFN3*3-8具有改进的自动光学检测(AOI)能力　　芯片特点与创新　　保护机制　　高ESD稳健性：引脚CANH/CANL能够承受±8kV的ESD，符合IEC61000-4-2标准　　发送数据(TXD)显性超时功能　　总线端子和电池引脚具有抗汽车环境瞬变的保护能力(符合ISO7637标准)　　过热保护功能
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发布时间：2025-10-20 16:37 阅读量：1001 继续阅读>>
芯力特全国产供应链LIN收发器-<span style='color:red'>SI</span>T1021GQ
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芯力特全国产供应链LIN收发器-SIT1021GQ

　　芯力特SIT1021GQ是具有本地唤醒和远程唤醒功能的LIN收发器。该产品设计、晶圆制造、封装、测试流程均实现全国化，切实保障国内外客户的持续稳定供应。　　一、功能描述　　SIT1021GQ是一款本地互联网络(LIN)物理层收发器，符合LIN2.0、LIN2.1、LIN2.2、LIN2.2A、ISO17987-4:2016(12V)和SAE J2602标准。主要适用于使用1kbps至20kbps传输速率的车载网络。SIT1021GQ通过TXD引脚控制LIN总线的状态，可将协议控制器的发送数据流转换为具有最佳压摆率和波形整形的总线信号，以最大程度地减少电磁辐射(EME)。LIN总线输出引脚具有内部上拉电阻，仅当用作主机节点时，才需将LIN总线端口通过一个与二极管串联的外部电阻上拉至VBAT。SIT1021GQ通过LIN引脚接收总线上的数据流，并由接收器的输出引脚RXD将数据传送到外部的微控制器。　　SIT1021GQ可在5.5V~27V工作电压范围内，支持12V应用。SIT1021GQ在休眠模式下可实现极低电流消耗，发生故障时可快速地将功耗降至最低，并且可通过LIN引脚、WAKE_N引脚或SLP_N引脚上的消息将器件置于正常工作模式。SIT1021GQ可通过INH输出引脚选择性地启用节点上可能存在的各种外部电源模块，从而在整个应用系统级别减少电池电量的消耗。　　二、应用领域　　车身电子装置和照明　　汽车信息娱乐系统和仪表组　　混合动力汽车和动力总成系统　　工业运输　　三、主要技术指标　　符合面向汽车应用的AEC-Q100标准;　　兼容“LIN2.x/ISO17987-4:2016(12V) / SAEJ2602”标准;　　内置过温保护功能(热关断);　　总线限流保护功能;　　电池欠压保护功能;　　极低功耗的休眠模式;　　支持本地唤醒与远程唤醒;　　使用INH引脚控制外部稳压器;　　LIN数据传输速率可达20kbps;　　高电磁兼容(EMC)能力;　　支持SOP8和DFN3*3-8封装，DFN3*3-8具有自动光学检测(AOI)能力。　　四、 芯片特点与创新　　低功耗电源管理　　带有本地和远程唤醒功能的睡眠模式电流消耗极低。　　保护机制　　高ESD稳健性：引脚LIN、VBAT和WAKE_N能够承受±8kV的ESD，符合IEC61000-4-2标准　　发送数据(TXD)显性超时功能　　总线端子和电池引脚具有抗汽车环境瞬变的保护能力(符合ISO7637标准)　　总线端子对电池和接地具有短路保护　　过热保护功能
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发布时间：2025-10-20 13:34 阅读量：896 继续阅读>>
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：1001 继续阅读>>
华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
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发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：1424 继续阅读>>
纳芯微：从隔离电流采样ADC N<span style='color:red'>SI</span>1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差
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纳芯微：从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

　　在伺服驱动器的相电流采样中，速度波动是影响控制精度的关键问题，其根源往往与 Shunt 电阻的热电偶效应相关。本文以纳芯微 NSI1306 隔离 ΣΔADC 的应用为例，首先剖析 Shunt 电阻误差如何引发速度波动，再深入解析金属热电偶效应的形成机理;随后对比几字型与贴片封装等不同 Shunt 电阻的表现差异，以及探讨采样电路对热电偶效应的放大或抑制作用;最后提出减小该效应的实用设计建议，为提升相电流采样精度提供参考。　　01 Shunt 电阻误差的影响　　速度波动是伺服驱动器性能的重要指标，它反映的是转矩波动，而转矩波动会导致控制精度下降。　　伺服驱动器通过角度编码器读取速度和角度，并通过相电流检测读取电流，采样信息的准确性决定了控制的效果。以下分析侧重电流采样。图1. NSI1306 电路示意　　相线电流采样可以真实反映电机的电流，而低边采样存在窗口期，需要重构相电流，容易引入误差。NSI1306 作为隔离 ΣΔADC，输出码流，适用于相线电流采样;同时 MCU 可根据控制需求灵活配置抽取率，在精度与响应速度之间取得平衡。　　相电流采样的误差主要来自 Shunt 电阻和 NSI1306，下文将重点讨论 Shunt 电阻带来的误差。　　通过电阻的规格书，电阻的精度和温漂属于增益误差;此外，还存在由热电偶效应引起的偏置(offset)误差。增益误差主要影响的是转矩控制精度，电流的 offset 误差会引入一个电周期一次的速度波动。　　在零电流时会校准一次相电流的 offset，运行过程中会计算每一相电流的 offset(一个周期的值相加)并且补偿掉，如果是采样数据不准，引入了 offset，那么经过软件的补偿，反而会导致真正的相电流 offset，破坏电流波形的对称性，引入谐波分量，改变磁场分布，从而导致电机转矩输出不均匀，进而产生转矩波动，导致速度波动。相电流偏移的软件补偿是一个电周期补偿一次，所以速度波动也是一个电周期一次。　　02 金属的热电偶效应　　在实际场景中，伺服驱动工作一段时间后速度波动变大，FFT 分析显示为一个电周期一次的速度波动，这是相电流的 offset 偏移造成的。　　对 PCB 加热，速度波动加剧，以此推测该 offset 和温度强相关。经测试，更换 2512 贴片封装 Shunt 电阻后恢复正常，排查出是几字型 Shunt 电阻的问题。　　加热对比测试，几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻的偏差都很小，并且电阻温漂改变的是增益，并不是 offset 。　　加上焊锡后，如图2，再加热测试，几字型 Shunt 电阻的偏差变得很大。交换电桥的正负极，偏差呈现相反方向的变化，贴片封装 Shunt 电阻偏差还是很小。图2. 几字型 Shunt 加上焊锡　　根据实验结果，温度升高后，并不是电阻自身的阻值发生了较大的变化，而是存在比较大的热电偶效应。　　热电偶效应如图3所示，不同的金属的自由电子的密度不同，在 AB 两金属的接触处，会发生自由电子的扩散现象。电子将从密度大的金属(A)移向密度小的金属(B)，使 A 带正电， B 带负电，直至 AB 之前形成足够大的电场阻止电子扩散，达到动态平衡。图3. 热电偶效应　　从公式可以看出，热电偶效应产生的电压源大小和温度有关，和金属的材质有关。　　在电路中，Shunt 电阻的热电偶等效示意如图4，对于几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻， V3、V4的位置是一样的，V1、V2位置略有不同，但很近。因此可以认为温度都是相等的。对热电偶效应有影响的只有金属材质，两者对比如表 1 所示。　　图4. Shunt电阻的热电偶等效示意表1. 几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻　　03 电路对热电偶效应的影响　　如图4，热电偶效应是两端对称的， NSI306 是差分采样，理论上可以抵消热电偶产生的信号源，但实测可以看到明显的热电偶效应。　　分析采样电路，如图5所示，可以看到 RSENSE (检测电阻)的两端共模阻抗并不相同，接 INP 这一端的共模阻抗是大于 INN 端共模阻抗的，当上管导通的时候 INP 端的热电偶通过电感连接到 BUS+，上管关断的时候悬空;当上管导通的时候 INN 端的热电偶直接连接到 BUS+，下管导通的时候直接接到 BUS-。NSI1306 的 INN 端看到的热电偶电压明显小于 INP 端看到的热电偶电压。图5. 分析采样电路　　结论与建议　　Shunt 电阻作为电流采样中的关键器件，其封装结构和焊接方式直接影响系统的偏移误差表现。　　本文通过实测与理论分析，指出热电偶效应是高温下造成速度波动的重要干扰源，尤其在几字型封装中更为显著。差分采样虽然理论上可抵消热电偶电压，但在实际电路中由于共模阻抗不一致，仍会引入系统性偏移。因此，在高精度电流采样场景中，推荐优先选用热结构对称性更好、焊接界面更少的贴片封装Shunt电阻，以降低温漂与热电势干扰，提升系统稳定性与控制精度。　　NSI1306 作为一款基于纳芯微电容隔离技术的高性能 Σ-Δ 调制器，其差分输入特性与该场景高度适配，能精准对接贴片封装 Shunt 电阻的电流检测需求，通过二阶Σ-Δ调制与同步输出，结合数字滤波可实现高分辨率与信噪比，还具备故障安全功能，进一步保障高精度采样系统的稳定运行。
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发布时间：2025-10-13 09:27 阅读量：1294 继续阅读>>

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