纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

Release time:2025-10-13
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:1480

  在伺服驱动器的相电流采样中,速度波动是影响控制精度的关键问题,其根源往往与 Shunt 电阻的热电偶效应相关。本文以纳芯微 NSI1306 隔离 ΣΔADC 的应用为例,首先剖析 Shunt 电阻误差如何引发速度波动,再深入解析金属热电偶效应的形成机理;随后对比几字型与贴片封装等不同 Shunt 电阻的表现差异,以及探讨采样电路对热电偶效应的放大或抑制作用;最后提出减小该效应的实用设计建议,为提升相电流采样精度提供参考。

  01 Shunt 电阻误差的影响

  速度波动是伺服驱动器性能的重要指标,它反映的是转矩波动,而转矩波动会导致控制精度下降。

  伺服驱动器通过角度编码器读取速度和角度,并通过相电流检测读取电流,采样信息的准确性决定了控制的效果。以下分析侧重电流采样。

纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

图1. NSI1306 电路示意

  相线电流采样可以真实反映电机的电流,而低边采样存在窗口期,需要重构相电流,容易引入误差。NSI1306 作为隔离 ΣΔADC,输出码流,适用于相线电流采样;同时 MCU 可根据控制需求灵活配置抽取率,在精度与响应速度之间取得平衡。

  相电流采样的误差主要来自 Shunt 电阻和 NSI1306,下文将重点讨论 Shunt 电阻带来的误差。

  通过电阻的规格书,电阻的精度和温漂属于增益误差;此外,还存在由热电偶效应引起的偏置(offset)误差。增益误差主要影响的是转矩控制精度,电流的 offset 误差会引入一个电周期一次的速度波动。

  在零电流时会校准一次相电流的 offset,运行过程中会计算每一相电流的 offset(一个周期的值相加)并且补偿掉,如果是采样数据不准,引入了 offset,那么经过软件的补偿,反而会导致真正的相电流 offset,破坏电流波形的对称性,引入谐波分量,改变磁场分布,从而导致电机转矩输出不均匀,进而产生转矩波动,导致速度波动。相电流偏移的软件补偿是一个电周期补偿一次,所以速度波动也是一个电周期一次。

  02 金属的热电偶效应

  在实际场景中,伺服驱动工作一段时间后速度波动变大,FFT 分析显示为一个电周期一次的速度波动,这是相电流的 offset 偏移造成的。

  对 PCB 加热,速度波动加剧,以此推测该 offset 和温度强相关。经测试,更换 2512 贴片封装 Shunt 电阻后恢复正常,排查出是几字型 Shunt 电阻的问题。

  加热对比测试,几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻的偏差都很小,并且电阻温漂改变的是增益,并不是 offset 。

  加上焊锡后,如图2,再加热测试,几字型 Shunt 电阻的偏差变得很大。交换电桥的正负极,偏差呈现相反方向的变化,贴片封装 Shunt 电阻偏差还是很小。

纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

图2. 几字型 Shunt 加上焊锡

  根据实验结果,温度升高后,并不是电阻自身的阻值发生了较大的变化,而是存在比较大的热电偶效应。

  热电偶效应如图3所示,不同的金属的自由电子的密度不同,在 AB 两金属的接触处,会发生自由电子的扩散现象。电子将从密度大的金属(A)移向密度小的金属(B),使 A 带正电, B 带负电,直至 AB 之前形成足够大的电场阻止电子扩散,达到动态平衡。

纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

图3. 热电偶效应

  从公式可以看出,热电偶效应产生的电压源大小和温度有关,和金属的材质有关。

  在电路中,Shunt 电阻的热电偶等效示意如图4,对于几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻, V3、V4的位置是一样的,V1、V2位置略有不同,但很近。因此可以认为温度都是相等的。对热电偶效应有影响的只有金属材质,两者对比如表 1 所示。

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  图4. Shunt电阻的热电偶等效示意

纳芯微:从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

表1. 几字型 Shunt 电阻和贴片封装 Shunt 电阻

  03 电路对热电偶效应的影响

  如图4,热电偶效应是两端对称的, NSI306 是差分采样,理论上可以抵消热电偶产生的信号源,但实测可以看到明显的热电偶效应。

  分析采样电路,如图5所示,可以看到 RSENSE (检测电阻)的两端共模阻抗并不相同,接 INP 这一端的共模阻抗是大于 INN 端共模阻抗的,当上管导通的时候 INP 端的热电偶通过电感连接到 BUS+,上管关断的时候悬空;当上管导通的时候 INN 端的热电偶直接连接到 BUS+,下管导通的时候直接接到 BUS-。NSI1306 的 INN 端看到的热电偶电压明显小于 INP 端看到的热电偶电压。

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图5. 分析采样电路

  结论与建议

  Shunt 电阻作为电流采样中的关键器件,其封装结构和焊接方式直接影响系统的偏移误差表现。

  本文通过实测与理论分析,指出热电偶效应是高温下造成速度波动的重要干扰源,尤其在几字型封装中更为显著。差分采样虽然理论上可抵消热电偶电压,但在实际电路中由于共模阻抗不一致,仍会引入系统性偏移。因此,在高精度电流采样场景中,推荐优先选用热结构对称性更好、焊接界面更少的贴片封装Shunt电阻,以降低温漂与热电势干扰,提升系统稳定性与控制精度。

  NSI1306 作为一款基于纳芯微电容隔离技术的高性能 Σ-Δ 调制器,其差分输入特性与该场景高度适配,能精准对接贴片封装 Shunt 电阻的电流检测需求,通过二阶Σ-Δ调制与同步输出,结合数字滤波可实现高分辨率与信噪比,还具备故障安全功能,进一步保障高精度采样系统的稳定运行。


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纳芯微车载SerDes产品的ESD防护技术介绍
  摘要  车载SerDes系统在整车环境中面临严峻的ESD挑战,直接影响行车安全与系统可靠性。  纳芯微通过三重防护架构——器件级ESD防护、RS-FEC前向纠错、物理层重传机制——为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器提供了系统级解决方案。基于ISO 10605-2023标准的完整测试验证表明,产品在上电ESD(接触放电±8KV、空气放电±25KV)和下电ESD(Pin放电±8KV)测试中均满足等级A要求。与对标同类器件相比,纳芯微SerDes在CE/RE测试中裕量普遍高2-6dB,为整车厂商提供了更高的设计余量和可靠性保障。  1. 车载SerDes系统的ESD挑战:从客户痛点出发  现代智能汽车中,摄像头到域控制器的高速数据传输链路已成为ADAS和自动驾驶系统的关键组成部分。NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器构成的SerDes系统通常部署在车外摄像头模组与车内域控制器之间,暴露于复杂的整车电磁环境中。车外摄像头镜头、外壳及线束接口等位置直接面临静电放电的风险,这些位置在车辆使用、维护过程中极易与人体或工具接触,产生高达数千伏的静电放电事件。  在实际工程应用中,客户在ESD测试中常遇到两类典型问题:  带电ESD测试异常:系统正常工作时施加ESD干扰,导致画面黑屏、闪屏、卡顿,直接影响ADAS、智能座舱功能的实时性与可靠性  不带电ESD测试损坏:系统未上电状态下的ESD冲击,造成芯片永久性损坏、器件失效,增加物料成本与维修复杂度  这些问题不仅延长了研发验证周期,更对行车安全构成潜在威胁。一次ESD测试失败可能意味着数周的设计迭代与重新验证,直接拖慢项目进度并增加开发成本。  2. ESD问题根因深度剖析:带电与不带电场景的差异  ESD失效机理因系统工作状态不同而存在本质差异,理解这些差异是设计有效防护方案的前提。  带电ESD失效机制  系统正常运行时,ESD瞬态干扰通过以下路径影响系统功能:  信号链路瞬时扰动:ESD电流耦合至高速差分信号线,导致信号波形畸变,产生纳秒级误码突发  FEC纠错能力超限:传统SerDes的前向纠错(FEC)机制在密集误码冲击下无法完全恢复数据,错误累积超过阈值  缺乏动态重传机制:链路层协议未设计针对瞬态干扰的快速重传机制,导致画面中断时间延长  这种失效模式表现为功能暂时性异常,在ESD事件结束后系统可能恢复正常,但期间的功能中断已对安全关键应用构成风险。  不带电ESD失效机制  系统未上电时,ESD能量直接作用于器件物理结构:  引脚耐压击穿:高压静电直接击穿I/O引脚的ESD保护结构,造成永久性硬件损伤  内部结构过载:芯片内部ESD防护电路在超出设计规格的电压下烧毁,失去保护功能  器件参数漂移:ESD应力导致晶体管阈值电压、漏电流等关键参数发生不可逆变化  此类损伤是硬件永久性的,通常需要更换芯片或模块才能修复,直接增加物料与维修成本。  3. 纳芯微系统级ESD解决方案:三重防护架构  针对上述失效机理,纳芯微为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器设计了系统级的三重防护架构,从器件到链路再到系统层面提供全方位保护。  3.1 器件级ESD防护设计  在芯片设计阶段,纳芯微采用了多层级的ESD防护策略:  高等级HBM/CDM防护:芯片内部集成经过车规验证的ESD保护结构,提供8KV HBM和±2KV CDM的防护能力  接口浪涌抑制:高速差分接口采用对称的TVS阵列设计,对共模和差模ESD干扰均有良好的抑制效果  电源域隔离:数字与模拟电源域之间设计隔离缓冲,防止ESD噪声通过电源网络传播  这些设计确保在不带电ESD场景下,芯片具备足够的鲁棒性避免永久性损伤。  3.2 隔离电源设计参数  为应对带电ESD导致的瞬时误码,纳芯微SerDes集成了增强型RS-FEC(里德-所罗门前向纠错)机制:  高纠错能力:采用RS(528,514)编码方案,可纠正单个符号中的7字节错误,纠错能力较传统方案提升40%  低延迟处理:专用硬件编解码器实现纳秒级处理延迟,确保实时视频流不受影响  自适应纠错:根据链路误码率动态调整纠错策略,在ESD事件期间最大化数据完整性  在实际测试中,该FEC机制能在ESD干扰下确保画面质量不受影响。  3.3 物理层重传机制  针对FEC无法纠正的严重误码情况,纳芯微设计了物理层自动重传协议:  快速错误检测:在物理层实时监测链路质量  选择性重传:仅重传出错数据包,避免整帧重传带来的带宽浪费  链路自愈:重传成功后自动恢复至正常传输模式,无需上层协议干预  这套机制确保在允许有错误包,但要重传成功的测试标准下,系统能够快速恢复,避免画面黑屏或卡顿。  4. 严苛测试验证:基于ISO 10605-2023标准的完整闭环  为验证三重防护架构的实际效果,纳芯微使用软龙格工装和度信工装,在实验室暗室中完成了基于ISO 10605-2023标准的完整ESD测试。  4.1 测试照片  4.2 上电ESD测试验证  测试系统配置2米和8米两种线长,模拟实际车载部署中的不同布线场景。测试严格按照ISO 10605-2023标准执行,具体条件如下:  测试结果:在所有测试等级下,NLS9116/NLS9246系统均满足等级A要求。测试过程中画面保持稳定,无黑屏、闪屏或卡顿现象。特别值得注意的是,在标准允许的“错误包重传成功”机制下,系统能够快速恢复,展现了物理层重传机制的实际效果。  4.2 下电ESD测试验证  在不带电状态下,对芯片引脚进行±8KV的接触放电测试,每个等级重复10次。测试后对芯片进行完整功能验证,并测量关键引脚的LCR参数。  测试结果:所有被测芯片功能正常,无任何异常。LCR参数变化率均小于5%,远低于标准要求的10%上限。这验证了器件级ESD防护设计的有效性,确保芯片在运输、装配等未上电场景下的可靠性。  5. 竞品EMC性能对比:裕量优势彰显技术领先性  除了ESD性能,纳芯微SerDes在整体EMC性能上也展现出显著优势。与对标同类器件的对比测试显示,纳芯微产品在多个关键指标上具有明显裕量优势。  竞品对比EMC优势  CE/RE多频段裕量高2-6dB:在150K-245MHz传导骚扰和150K-6GHz辐射骚扰测试中,裕量普遍优于竞品  满足GNSS加严格要求:1G-5GHz频段满足CISPR 25-2021 Class 5的加严限值,部分频段裕量达8-14dB  更宽松的设计余量:更大的EMC裕量意味着PCB设计约束更少,系统成本更低,量产一致性更高  具体数据表明,在150K-175MHz频段的CE测试中,纳芯微产品在50mm位置的PK裕量达到7dB,比竞品高1dB;在171M-245MHz频段(1MHz带宽)的AVG裕量达到9dB,优势明显。RE测试中,1G-5GHz GNSS加严频段的垂直极化裕量达到3-4dB,而竞品在该频段的部分极化方向接近限值边缘。  6. 客户价值:从测试通过到整车可靠性的跨越  对于整车厂商和Tier1供应商,纳芯微SerDes解决方案带来三重核心价值:  降低研发风险与成本:一次性通过ESD测试,避免重复验证的设计迭代,缩短项目周期3-4周  提升系统可靠性:在整车寿命周期内,抵御实际使用环境中的ESD事件,降低现场故障率  增强供应链安全性:本土化研发与技术支持,快速响应客户需求,保障项目进度  纳芯微SerDes通过系统级ESD设计,帮助客户一次性通过严苛的车规测试,显著降低研发验证风险,加速产品上市进程,最终提升整车系统的长期可靠性。三重防护架构的协同作用,确保了从芯片级鲁棒性到系统级功能完整的全方位保障。
2026-07-22 09:18 reading:153
助力高压系统实现高精度电流检测,纳芯微推出NSM2051集成式霍尔电流传感器
  近日,纳芯微宣布推出NSM2051集成式霍尔电流传感器,旨在为2000V高压平台提供兼顾绝缘安全、检测精度与系统可靠性的电流检测方案。  光伏与储能行业正加速向高功率密度、高效率方向发展,系统电压正逐步迈向2000V,对电流传感器的绝缘隔离能力提出了更高要求,而能源转换效率、功率控制精度等指标的不断提升,也推动电流检测向更高精度、更高可靠性发展。  纳芯微NSM2051系列产品采用15mm超宽爬电距离封装设计,支持2000V系统电压,并提供优异的高精度电流检测与优异的绝缘性能,可广泛应用于光伏、储能、工业电源、电机控制、充电枪、OBC/DC-DC等高压场景。  面向2000V系统,提供更高等级绝缘隔离  NSM2051采用15mm超宽爬电距离封装,可提供2800VDC/2000Vrms基础绝缘耐压,满足2000V高压母线系统的绝缘设计需求,为高压系统提供更高安全隔离等级。  同时,产品提供7500V耐受隔离电压、12kV最大浪涌隔离耐压及13kA最大浪涌电流能力,可有效增强系统在雷击、电网浪涌等复杂工况下的安全性,降低绝缘失效风险,并满足更严格的国际安规要求,帮助客户拓展全球市场。  提供更精准的电流检测,提升系统控制效率  NSM2051采用优化标定方案,在全温度范围内实现灵敏度误差小于1%、零点误差小于1mV、总输出误差小于1%,全寿命误差漂移低于1.5%,为系统提供更加精准、稳定的电流检测。  更高检测精度有助于提升光伏系统MPPT跟踪效率,提高发电量;同时提升工业电源、电机控制等应用中的电流环控制精度,优化系统动态响应,实现更高运行效率。  提升抗干扰性能,支持灵活系统集成  NSM2051基于差分霍尔检测架构,可有效增强抗共模干扰能力,保障复杂电磁环境下电流采样稳定可靠。  产品支持5V和3.3V供电,并提供比例输出和固定输出两种输出方式,可灵活适配不同系统架构,有助于优化系统设计。  完善的集成式电流传感器布局,  为客户提供更丰富选择  NSM2051的推出进一步完善了纳芯微集成式电流传感器产品布局,是纳芯微在高压电流检测领域的又一重要产品。  目前,纳芯微已形成较为完善的集成式电流传感器产品组合,可提供覆盖100VDC功能绝缘至2800VDC基础绝缘工作电压、30A至200A持续电流等不同规格产品,为光伏、储能、工业电源、电机控制、充电设施等应用提供更加丰富的产品选择和更灵活的电流检测方案。  纳芯微集成式电流传感器产品矩阵
2026-07-09 11:16 reading:342
更紧凑、更可靠、更易于开发!纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x
  纳芯微推出车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x。该系列产品面向智能座舱与ADAS应用,集成高精度光感知、雨量检测、LED驱动及车载通信能力,提供AFE、AFE+SBC、AFE+MCU+SBC等不同集成度产品形态,帮助客户构建更紧凑、更可靠、更易于开发的车规级阳光雨量传感器系统。  面向智能座舱与ADAS  阳光雨量环境感知需求持续升级  随着智能座舱、ADAS和车身智能化持续发展,车辆对外部环境感知能力的要求不断提升。阳光雨量传感器可用于自动大灯、自动雨刷、环境光检测、HUD亮度调节等场景,帮助车辆根据外部光照和雨量变化进行自动响应。  在系统设计层面,阳光雨量传感器模块需要在有限空间内实现多路光感知、雨量检测、光源驱动、车载通信和安全诊断等功能。客户不仅关注感知精度,也关注系统尺寸、外围器件数量、PCB布局复杂度和车规可靠性。因此,高集成度、高精度和功能安全能力正成为车规级阳光雨量芯片的重要发展方向。  01  覆盖多种集成度选择  满足不同系统架构需求  目前行业主流整机方案需要三颗独立芯片搭配使用,分别是:  专门完成阳光雨量光信号调理的 AFE 模拟前端芯片;  集成 LDO 供电功能的 SBC 电源接口芯片;  通用 32 位 MCU 主控芯片。  单芯片方案在硬件开发难度、整机物料成本、终端应用适配性三方面都具备明显优势。在行业从三芯片分立向单芯片集成迭代的过程里,纳芯微同步推出多种集成度芯片选择,给客户提供分层选型空间,满足不同项目阶段的开发需求:  NSUC1830 集合完整“三合一”方案,通过“AFE+MCU+SBC”架构,适配高集成度阳光雨量传感器模块设计;  NSUC1832 采用“AFE+SBC”架构,可配合外部MCU使用,适用于客户自有MCU平台的阳光雨量系统;  NSUC1834 采用AFE架构,面向已有成熟系统平台,提供高精度光感与雨量检测能力。  02  高度集成驱动、通信与供电能力  简化紧凑型设计  为简化客户系统设计,NSUC183x系列集成2路LED Driver,最高支持200mA灌电流能力,并支持0.1mA步进配置,可满足雨量检测光路中的发射光源控制需求。  NSUC1830与NSUC1832集成LIN 2.x通信能力,通信速率可达100kbps,并符合SAE J2602标准;同时集成40mA LDO,可支持车载网络通信与系统供电需求,帮助客户减少外部器件、简化系统设计。  NSUC1830还集成32-bit ARM Cortex-M3 MCU子系统,支持片上Flash、data Flash、SRAM with ECC,并集成SPI、I2C、WD、GPIO、Timers等片上外设资源,可支持阳光雨量模块本地数据处理与系统交互。在典型应用中,阳光雨量模块可通过LIN总线与BCM车身控制器连接,并接入整车CAN/LIN网络,实现与大灯、雨刷等执行器的协同控制。  03  多通道高精度感知  提升复杂光照场景检测稳定性  在感知能力方面,NSUC183x系列集成4路固定光感应通道,可覆盖太阳光、前向光、顶向光和HUD光感,并支持固定雨量感应通道及可配置通道,满足智能座舱与ADAS应用中的主要光照与雨量检测需求。  该系列产品采用PGA+ADC信号链架构,支持>18bit动态范围,并集成16bit Sigma-Delta ADC,可提升强光、弱光、反射光及环境干扰等复杂场景下的检测稳定性。同时,产品集成多路TIA跨阻放大器,支持雨量检测、环境光补偿及多路光感分时采样需求。  04  面向车规可靠性要求  支持功能安全与系统诊断  面向车规应用对安全性和可靠性的要求,NSUC183x系列具备功能安全与系统诊断相关设计能力。  在功能安全方面,NSUC183x系列支持面向ASIL等级应用的功能安全设计,其中光感相关功能可支持ASIL B,雨量相关功能可支持ASIL A,满足不同安全等级应用需求。  在系统诊断方面,产品支持信号链路及外部连接电路诊断,并集成带时间窗口的看门狗、输入电压过压/欠压监测等设计,可帮助系统提升故障检测与保护能力。  在存储可靠性方面,产品支持SRAM、Flash等存储ECC纠错,确保关键数据可靠性,进一步提升车规级系统运行稳定性。
2026-07-07 10:43 reading:367
纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!
  纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1,该产品集成3路BUCK和1路LDO,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。  随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展,车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面,智驾应用正在推动单车多摄像头、800万像素高清化部署;内部感知方面,DMS/OMS 等舱内监测系统也在法规和安全需求驱动下快速增长。  车载摄像头布局趋势  摄像头数量增加与分辨率提升,对摄像头模组电源系统提出了更高要求。OEM 和 Tier 1 不仅需要在有限模组空间内实现更高集成度和更小型化设计,也需要确保电源噪声不会影响图像质量;同时,摄像头模组还需满足车规 EMC、可靠性和功能安全要求,并能够灵活适配不同图像传感器和平台方案,帮助客户缩短开发周期。  针对上述趋势,NSR90332XX-Q1 通过多路电源集成、低噪声设计、EMI 优化和全面诊断保护机制,为车载摄像头模组提供更高集成度、更易适配、更可靠的电源管理方案。该产品支持 I²C 配置输出电压和上下电时序,可帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的复用效率。  低噪声电源设计  保障高清摄像头图像质量  在车载摄像头向更高清分辨率升级的过程中,图像传感器和高速信号链对供电质量更加敏感。电源噪声可能通过图像传感器模拟电源、SerDes 或相关信号链进入成像链路,导致噪点、画质下降或稳定性问题。  NSR90332XX-Q1典型应用框图  NSR90332XX-Q1 在多路电源输出噪声、LDO PSRR 以及电源纹波等方面进行了优化。其中,LDO PSRR 可达 -60 dB@100 kHz,LDO 输出噪声低至 15.77 μVRMS,Buck 2/3 输出噪声低至 313.6 μVRMS,支持车载摄像头实现更清晰、更稳定的图像输出。  低噪声性能与其他市场方案对比  每路电源EMI优化  助力满足车规CISPR 25要求  车载摄像头模组通常具有空间紧凑、线束复杂、靠近高速信号链等特点,同时需要在整车复杂电磁环境中长期稳定工作,系统 EMI 控制已成为摄像头模组设计中的关键挑战。NSR90332XX-Q1 集成展频功能(Spread Spectrum),可通过频域能量分散降低开关频率处的EMI峰值发射,实现约10~20 dB的峰值发射降低,帮助客户应对CISPR 25 Class 5等车规EMC设计要求;同时支持多 BUCK 错相控制,进一步降低多路电源同时开关带来的噪声叠加风险。  通过展频功能降低EMI峰值  通过展频功能与多 BUCK 错相控制协同优化,该产品无需增加额外外围器件即可改善系统 EMI 表现,有助于降低 BOM 成本和 PCB 面积压力。  面向ASIL B功能安全设计  集成全面诊断与保护机制  随着摄像头在 ADAS、DMS、OMS、电子后视镜等应用中的作用不断提升,摄像头模组电源系统也需要具备更高的故障检测和保护能力。对于安全相关应用而言,电源轨异常不仅可能影响单个摄像头模块的稳定工作,也可能进一步影响整车感知系统的可靠性。  NSR90332XX-Q1 可支持客户实现 ISO 26262 ASIL B 等级的系统功能安全设计,集成多种诊断与保护机制,可对各路电源轨进行电压和电流监控,并支持过压保护、欠压保护、过流保护、过载故障检测、短路到地检测等功能。当检测到异常状态时,芯片可根据故障类型快速关闭对应输出通道或触发复位/掉电保护,帮助系统提升故障检测能力和安全设计完整性。  协同SerDes产品  构建从供电到传输的车载摄像头系统方案  NSR90332XX-Q1 可与纳芯微车规级 SerDes 芯片组协同,围绕车载摄像头模组的关键电源轨供电与高清视频传输需求,构建从电源管理到数据传输的一站式系统方案。  典型车载摄像头模组供电架构  纳芯微 SerDes 芯片组基于全国产供应链、支持 HSMT 公有协议,产品包括单通道加串器 NLS9116 和四通道解串器 NLS9246,可面向 ADAS 与智能座舱中的摄像头数据的高速传输场景,与车载摄像头 PMIC 形成组合方案,帮助客户提升系统集成度和平台适配效率。  封装与选型  NSR90332XX-Q1 采用 4.00 mm × 4.00 mm、QFN24 封装,并支持 wettable flanks(可润湿侧翼),便于车规应用中的焊点外观检测与可靠性验证。该产品满足 AEC-Q100 Grade 1 要求,支持 -40°C 至 125°C 宽温工作范围,可满足车载摄像头模组对高可靠性和长期稳定工作的要求。如需了解 NSR90332XX-Q1 更多产品信息或申请样片,请联系 sales@novosns.com。  QFN24 封装
2026-07-03 09:50 reading:435
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