开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

发布时间：2026-05-15 10:22
作者：AMEYA360
来源：纳芯微
阅读量：1189

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。

　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。

　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化

　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑

　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。

　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。

　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu

　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件

　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。

　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。

　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers

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纳芯微丨支持15mm爬电距离，纳芯微推出超宽体封装、集成隔离电源的数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列

　　纳芯微近日宣布推出采用超宽体封装、集成隔离电源的四通道数字隔离器NSIP984x-DSWWR系列，进一步补足了NSIP984x系列组合。NSIP984x系列作为NSIP88xx系列的迭代升级款，采用纳芯微第三代数字隔离技术，可提供更好的隔离耐压等级和性价比。本次推出的新品NSIP984x-DSWWR相较于已推出的NSIP984x‑DSWR产品(SOW16封装)，采用超宽体SOWW16封装，在保持优异EMC性能的基础上，将爬电距离从8.15mm提升至15mm，可满足1500V高压系统对增强绝缘的严苛安规要求，为光伏、储能、充电桩等高压应用提供了高可靠性的隔离解决方案。　　超宽体封装　　筑牢高压隔离屏障　　随着光伏、储能、新能源汽车等应用持续追求更高功率密度，系统内部母线电压已从传统的600V-900V提升至1500V甚至更高。以光伏系统为例，根据IEC 62109等安规标准，1500V高压系统在增强绝缘条件下，隔离器件的爬电距离需达到14mm以上。纳芯微NSIP984x-DSWWR系列采用超宽体SOWW16封装，将爬电距离延长至15mm，并支持7.5kVrms隔离耐压(安规证书申请中)，通过更长的爬电距离与更高的隔离耐压，满足高压系统的安规要求，帮助客户简化系统认证难度。　　此外，当系统选用超宽体隔离接口器件时，选用相同封装的NSIP984x-DSWWR系列为其供电，无需再单独配置隔离电源模块或变压器，既是满足安规要求的更简洁方案，也是降低BOM成本和设计复杂度的更优选择。　　例如，当用户想在系统中实现具有超宽体爬电距离的隔离CAN通信电路时，有以下几种IC方案与隔离电源方案：　　IC方案1：超宽体隔离器+接口　　供电特点：需要提供超宽体变压器/模块，面临额外超宽体认证和大尺寸的挑战　　IC方案2：宽体隔离器+隔离接口　　供电特点：需要提供两级外置宽体供电串行，整体尺寸大且比较复杂　　IC方案3：宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+隔离接口　　供电特点：需要提供一级外置宽体供电　　IC方案4：超宽体隔离电源(集成变压器和数字隔离器)+非隔离接口　　供电特点：不需要额外提供隔离电源，集成度最高，认证最简单　　RE性能大幅优化　　轻松通过CISPR32 Class B测试　　纳芯微NSIP984x全系列针对EMI的RE性能进行了大幅优化，在两层PCB板、外围电路无磁珠、无拼接电容、输入5V、带载100mA的测试条件下，NSIP984x-Q1系列均可轻松通过CISPR32 Class B 测试，并保有裕量。外围电路的简化和业内卓越的EMI性能可大大降低系统BOM成本和设计调试难度，缩短终端产品的上市时间。　　通过内置变压器缩小系统尺寸　　提升可靠性　　传统方案中，数字隔离器需单独配置电源进行供电，无论是采用电源模块还是外置变压器，分立方案对系统尺寸和可靠性均会带来挑战。NSIP984x系列内部集成变压器和四通道数字隔离器，属于二合一产品，外围电路无需单独配置电源，相比分立方案可显著降低系统尺寸，尤其在外置电源模块和变压器的方案中，可能因额外的器件和多次焊接带来系统可靠性的问题，而NSIP984x系列采用全半导体生产工艺，可显著降低相关风险，提升系统可靠性。　　封装和选型　　NSIP984x全系工作温度为-40℃~125℃，通道传输速率高达150Mbps，支持100kV/μs的高共模瞬变抗扰度(CMTI);采用SOW16封装的器件已通过UL、CQC、CSA和VDE认证，满足增强隔离要求，目前已全面量产，采用超宽体SOWW16封装的器件安规证书正在申请中，将于近期量产。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
2026-08-14 10:08 阅读量：196
纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
2026-08-13 09:49 阅读量：196
纳芯微丨同一辆车，为什么氛围灯还会有色差？从3 SDCM到红蓝补偿，拆解量产设计的两大难题——以NSUC15xx系列汽车氛围灯驱动芯片为例
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纳芯微丨同一辆车，为什么氛围灯还会有色差？从3 SDCM到红蓝补偿，拆解量产设计的两大难题——以NSUC15xx系列汽车氛围灯驱动芯片为例

　　汽车氛围灯从点光源、线光源发展至面光源和区域动态控制，灯珠数量更多、控制区域更复杂，用户对颜色品质的要求也随之提高。工程设计需要让不同位置、不同批次的灯珠稳定混出同一种目标色，同时兼顾红蓝光亮度、EMC、诊断与系统集成。　　本文从颜色一致性和亮度补偿两个常见问题出发，分析汽车氛围灯量产设计中的关键考量。　　01　　发光容易　　混出同一种光，为什么难?　　RGB氛围灯并不是直接发出一种固定颜色，而是通过调节红、绿、蓝三个LED通道的电流或PWM占空比，将三种颜色按照不同强度混合，形成目标颜色。在同一台车内，不同位置的灯珠可能来自不同批次，灯珠自身的色坐标、亮度和光学结构也会存在离散性。工程师需要在这些差异客观存在的前提下，让门板、仪表台、顶棚等不同区域仍然呈现统一、稳定的颜色效果。对终端用户而言，这些颜色效果会影响座舱是否显得协调、精致。　　CIE 1931色彩空间为颜色的客观测量提供了统一坐标体系，但它并不是均匀色彩空间：在不同颜色区域，即使色坐标偏移的距离相同，人眼感受到的色差也可能不同。例如，人眼在某些颜色区域对细微变化更加敏感，而在另一些区域则不容易察觉。　　MacAdam 椭圆正是用于描述这种差异。图中的每个椭圆都围绕一个目标色点展开，表示在该颜色区域内，人眼难以区分的颜色变化范围。由于人眼对不同颜色以及不同偏移方向的敏感度不同，椭圆的大小和方向也并不一致。　　在此基础上，SDCM可用于描述实际色点相对目标色点的偏差程度。SDCM数值越小，说明色点越集中、与目标色越接近;数值越大，允许的色差范围越大，也越容易被肉眼察觉。　　因此，对汽车氛围灯而言，颜色一致性的关键，是让同一座舱不同位置、不同批次灯珠混出的实际色点，尽可能稳定地落在目标色点附近较小的SDCM范围内。　　为更直观地观察颜色一致性表现，测试选取同一品牌、同一色度Bin的灯珠进行对比。在色度图中，每一个黑色测试点都代表一次实际混光结果。椭圆表示目标色点周围的参考色差范围。　　在本次测试条件下，相比行业传统方案，纳芯微方案下的色点分布更集中、能够提供更稳定的混光控制表现。　　注：测试结果受灯珠、温度、电流、光学结构及校准算法等因素影响，图示仅用于说明本次测试条件下的色差表现。　　02　　同样的电流，　　为什么红光和蓝光显得“不够亮”?　　颜色一致性之外，亮度平衡也是氛围灯设计中容易被低估的问题。人眼对不同波长光的敏感度并不相同，对555 nm附近的光最为敏感。在相同辐射功率下，该波段会显得更亮。因此，同一电流下，绿色通常更容易获得较高的感知亮度，而红光和蓝光则更容易显得偏暗。　　在实际RGB混光过程中，三个通道不能简单采用相同电流或相同PWM占空比，而是需要通过红蓝补偿，让三个颜色通道在感知亮度层面达到更合理的平衡，从而混出符合目标色点和观感要求的颜色。　　针对这一问题，纳芯微已量产的NSUC1500提供4通道驱动，增加混光调校自由度：　　传统RGB氛围灯通常需要三个驱动通道，分别控制红、绿、蓝三个LED。当红光或蓝光的感知亮度不足时，仅依靠原有三个通道进行调节，可能会受到单通道驱动能力、灯珠规格或光学结构的限制。　　纳芯微NSUC1500提供的第4个通道可根据不同项目需求灵活使用，可用于红光或蓝光补强，也可用于兼顾白光照明。当第4通道用于红光蓝光补强时，能够提供额外的光学调校空间。当第4通道用于白光时，可以减少仅通过RGB混合白光时可能出现的偏色问题，有助于提高混白光的显色指数，提高车内氛围灯的质感。　　03　　从单灯到面光源　　驱动芯片面对的是系统级挑战　　当氛围灯从几颗RGB灯珠扩展到多区域、多模式联动的座舱光系统，设计挑战也会从颜色和亮度延伸至系统层面。有限安装空间要求更高集成度;动态光效需要更多独立驱动通道;复杂车载电磁环境带来更严苛的EMC要求;同时，通信、故障诊断与可靠性设计也需要协同考虑。驱动芯片要同时承担LED驱动、通信、控制和诊断等功能。　　面向面光源和区域动态氛围灯，纳芯微NSUC1527集成27路高精度恒流驱动，支持CAN FD、LIN和UART通信，内置2分时，可独立控制18颗RGB灯珠，最多可控制81颗RGB灯珠。因此，NSUC1527进一步支持多区域独立控制，为音乐、语音、驾驶模式等动态联动场景提供更高的系统集成度和控制能力。
2026-08-11 13:14 阅读量：234
国内首家｜纳芯微NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution获得ASPICE CL2认证
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国内首家｜纳芯微NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution获得ASPICE CL2认证

　　近日，纳芯微 NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution*软件开发项目，依据Automotive SPICE® PAM 4.0完成专业过程能力评估并达到能力等级2(Capability Level 2，简称“CL2”)。此次评估结果表明，该项目已建立覆盖软件需求、设计、开发、验证及项目管理的受控流程，为客户提供更加规范、稳定、可追溯的软件支持，助力提升方案开发与量产导入效率。　　纳芯微是国内首家以电机控制 Turnkey 软件项目通过 CL2 的芯片厂商。本次评估覆盖从软件需求分析到软件验证的软件开发全流程，共11项过程达到CL2要求，认证深度和广度均处于行业前列。　　*Turnkey Solution：基于NovoGenius®系列的NSUC16xx电机驱动芯片，配套软件算法、开发工具及技术支持的一体化电机控制解决方案。　　构建贯穿软件全生命周期的过程能力　　随着汽车电子功能持续增加、电子电气架构向集中化和网络化演进，车辆功能日益依赖软件实现与跨系统协同。开发者选型时，不仅关注芯片本身的性能和可靠性，也越来越关注芯片厂商能否持续提供规范、稳定、可维护的软件及技术支持。　　Automotive SPICE(汽车软件过程改进和能力评定)是国际汽车行业广泛认可的软件开发过程评估与改进框架，由德国汽车工业协会(VDA)主导制定，用于系统性评价嵌入式软件及系统的开发过程成熟度与能力水平。　　NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution通过Automotive SPICE® CL2认证，意味着相关软件开发过程不仅能够实现预期目标，而且已经通过计划、监控和调整进行管理，需求、设计、代码、测试结果和发布版本等工作产品也得到相应控制和维护。　　11项过程达到CL2　　过程可追溯，软件交付更可控　　此次评估覆盖软件需求分析、软件架构设计、软件详细设计与单元构建、软件单元验证、软件组件及集成验证、软件验证，以及项目管理、质量保证、配置管理、问题解决管理和变更请求管理：　　需求到验证，全流程可追溯。通过规范的软件需求、设计和验证流程，建立从客户需求到软件实现、再到验证结果的完整追溯链，帮助客户更高效地完成需求确认、项目审查与变更评估。　　版本与变更受控，提升交付可预期性。对软件版本、需求变更及影响范围进行统一管理，减少协同偏差，提升开发、联调和交付节奏的确定性。　　问题处理形成闭环。对问题分析、解决及验证过程进行闭环管理，提升问题沟通与解决效率，支持客户更顺畅地推进系统集成与量产导入。　　更高效对接汽车客户研发体系。通过规范的软件过程和交付物体系，有效对接主机厂和 Tier 1 的供应商评估、项目审查及软件质量管理要求，提升双方的协同效率。　　从芯片到软件　　完善电机控制解决方案　　NSUC16xx是纳芯微NovoGenius®汽车专用“MCU+”家族中，面向汽车智能执行器及电机控制应用打造的“MCU+电机驱动”产品系列。不同型号可支持有刷直流电机、无刷直流电机和步进电机等多种电机类型，覆盖座椅通风、电子水阀、空调出风口/风门执行器、主动进气格栅、充电小门及电子水泵、油泵、电子冷却风扇、鼓风机等应用场景。　　针对不同电机控制需求，NSUC16xx系列通过集成MCU、电机驱动或预驱、通信及保护等功能，帮助客户简化系统设计。配合开发板、软件算法、配置工具及应用支持，可进一步降低客户从芯片评估到系统开发的技术门槛。　　高集成度芯片有助于降低硬件设计复杂度，规范、受控的软件开发与交付流程则提升了方案导入和持续迭代的可预期性。通过软硬件能力协同，纳芯微致力于为客户提供“芯片+软件+工具+技术支持”的系统级服务。此次ASPICE CL2认证的获得，进一步体现了纳芯微在电机控制领域的软件开发与系统交付能力，也为客户评估和选择可靠、可追溯的电机控制方案提供了重要参考。
2026-08-05 10:14 阅读量：319
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