开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

Release time：2026-05-15
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：891

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。

　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。

　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化

　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑

　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。

　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。

　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu

　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件

　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。

　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。

　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers

开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

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纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123
行业新闻

纳芯微丨智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，推出110V半桥驱动芯片NSD2123

　　随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈;与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损耗、高开关频率等优势，已成为新一代电源设计的核心选择，而其价值释放离不开专用驱动芯片的精准适配。　　在此背景下，纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点，广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域，以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。　　产品特性　　专为增强型E mode GaN HEMT驱动优化　　采用自举开关代替自举二极管，消除自举电容压降　　自举开关采用智能充电控制，避免GaN第三象限导通时自举电容被过充　　HS耐压范围：-10V~110V　　HS dv/dt抑制能力100V/ns　　推荐供电范围4.5V~5.5V　　HI/LI输入支持TTL逻辑电平　　3A/5A峰值驱动电流，并且内置有源米勒钳位　　灌电流/拉电流输出引脚分开，可独立调节开通、关断速度　　典型值10ns最小输入脉宽　　典型值17ns输入输出传输延时　　典型值1ns HO/LO传输延时失配　　典型值6ns上升时间(1nF 负载)　　典型值4ns下降时间(1nF 负载)　　封装：2mm*2mm WLCSP、2mm*2mm LGA　　工作结温范围：-40℃~150℃　　NSD2123功能框图　　智能充电控制，　　消除自举过压风险　　GaN器件没有传统硅MOSFET的体二极管，而是依靠第三象限导通实现续流。在半桥拓扑中，死区时间内下管续流会使HS节点出现负压，传统自举供电方式可能导致自举电容过充，增加高边GaN栅极过压风险，影响系统长期运行可靠性。　　GaN/Si MOSFET/IGBT 导通和续流特性对比　　针对这一挑战，NSD2123采用智能自举充电控制，仅在低边GaN导通期间开启自举充电路径，在死区时间自动停止充电，从而有效避免自举电容过充，降低高边GaN栅极过压风险，为GaN应用提供更加可靠的驱动方案。　　同时，NSD2123采用MOSFET替代传统自举二极管作为充电通路，大幅降低自举充电路径压降，使高边GaN能够获得接近VDD的驱动电压，在保证可靠驱动的同时进一步降低导通损耗，充分释放GaN器件的高效率优势。　　兼顾耐负压与抗干扰能力，　　契合高频、高速应用　　由于GaN器件的高速开关特性，在各类应用中容易引起桥臂中点的负压振荡现象，特别是在电机短路等大电流关断的应用场景下，桥臂中点的负压震荡最低可达-10V左右，如果GaN半桥驱动芯片设计不当，可能导致闩锁或误触发，影响系统稳定运行。　　桥臂中点产生负压震荡的机理　　针对这一挑战，NSD2123通过专门强化的电路工艺，可以实现瞬态-10V的桥臂中点耐负压能力，从而避免发生闩锁问题。此外，通过对内部level shifter电路的特殊设计，可以实现100V/ns的dv/dt抑制能力，充分释放GaN高频、高速开关性能。　　驱动输出独立调节，内置有源米勒钳位，　　降低误导通风险　　GaN器件对栅极驱动电压和开关速度更加敏感，传统驱动方案通常需要借助外部二极管实现开通、关断速度的独立调节，但二极管压降会降低GaN栅极驱动电压影响导通损耗，或增加关断状态下的误导通风险。　　GaN采用Split Output驱动芯片方案　　NSD2123采用Split Output驱动架构，无需额外串联二极管，即可分别调节GaN器件的开通和关断速度。此外，NSD2123提供3A拉电流、5A灌电流峰值驱动能力，即使在多颗GaN并联应用中也能实现快速稳定驱动;内置有源米勒钳位，进一步增强关断期间的栅极下拉能力，有效降低误导通风险，提升系统可靠性。　　封装与选型　　纳芯微110V半桥GaN驱动芯片NSD2123提供WLCSP及LGA两种2mm*2mm小尺寸封装，进一步咨询NSD2123产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。
2026-06-30 09:24 reading：164
纳芯微丨双奖加冕！PrimeDrive™赋能高可靠电驱系统
企业动态

纳芯微丨双奖加冕！PrimeDrive™赋能高可靠电驱系统

　　近日，纳芯微在第六届全球xEV驱动系统技术暨产业大会上荣获国产芯片TOP企业奖，同时，PrimeDrive™功能安全隔离驱动NSI6911F荣获2026电驱动技术创新奖，再次印证了行业对纳芯微技术实力与产品创新能力的双重认可。　　围绕下一代电驱系统需求，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动持续完善产品布局：　　ASIL D功能安全隔离驱动NSI6911F现已全面量产，集成业内领先的12位高精度隔离采样ADC及高性能驱动能力，为高可靠电驱系统提供坚实保障。　　第二代功能安全隔离驱动NSI6931已开放送样，在功能安全的基础上进一步集成变驱动、健康监测、主动放电、副边电源等多项功能，帮助客户实现更高能效、更高集成度与更优系统成本。　　目前，纳芯微PrimeDrive™隔离栅极驱动已连续三年稳居中国市场份额第一，累计出货量已超14亿颗，国内汽车市场份额持续领先。　　进一步咨询产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问纳芯微官网PrimeDrive™专区：www.novosns.com/isolated-drivers
2026-06-26 10:24 reading：250
纳芯微推出NST113x数字温度传感器，以高精度测温赋能新一代微型化终端设计
行业新闻

纳芯微推出NST113x数字温度传感器，以高精度测温赋能新一代微型化终端设计

　　随着终端设备向小型化、高集成度方向持续演进，温度传感器不仅需要提供更高测量精度，还需在有限空间内兼顾功耗、可靠性与系统集成需求。针对可穿戴设备、医疗电子、光学模组及电源热管理等应用场景对于精准测温的需求，纳芯微正式推出NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器。　　NST113x系列产品基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应设计，采用仅0.75mm × 0.75mm的DSBGA(4) CSP封装，在实现±0.1℃(max)常温测温精度的同时，兼具超低功耗、高可靠性以及灵活的系统兼容能力，帮助客户在空间受限的设计中实现精准测温、长续航与高系统可靠性的平衡。　　高精度输出，无需二次校准　　NST113x系列采用高线性度数字输出架构，出厂完成校准，无需用户二次校准即可实现精准温度检测，有助于简化生产流程、减少系统校准工作量并加快产品导入。　　产品在不同温度范围内均具备优异的测温性能：　　25℃~45℃范围内，测温精度可达±0.1℃(max);　　0℃~70℃范围内，测温精度可达±0.25℃(max);　　-40℃~125℃全温范围内，测温精度小于±0.5℃(max)。　　同时，NST113x系列具备0.015625℃温度分辨率，能够捕捉细微温度变化，为温度监测、热补偿及温控算法优化提供更丰富的数据支持，并为健康监测和系统补偿算法提供更细粒度的温度数据输入。　　超低功耗，兼顾续航与测温精度　　NST113x支持低功耗工作模式，在1Hz工作频率下运行功耗2.9μA，Shutdown模式下功耗仅0.25μA，不仅有助于延长终端设备续航时间，还能够有效降低器件自发热对测温精度的影响。超低功耗运行可以进一步提升测量准确性，特别适用于智能手表、智能戒指、连续血糖监测仪(CGM)等需要长时间连续监测温度变化的电池供电设备。　　超小封装，适配高集成度设计　　NST113x采用DSBGA(4) CSP封装，尺寸仅为0.75mm × 0.75mm，可有效节省PCB布局空间，为终端集成更多传感器及功能模块释放设计空间。　　凭借超小尺寸优势，NST113x能够更好地适应对空间利用率要求极高的产品设计需求，同时也适用于各类紧凑型光学模组及便携式电子设备。　　高兼容性与高可靠性，简化系统开发　　NST113x兼容I²C和SMBus接口协议，支持最高2.8MHz通信速率、SMBus Time-out功能。同时，器件最多支持4种从地址配置，可有效提升多器件系统的扩展能力，帮助客户简化硬件设计并降低开发复杂度。　　NST113x系列支持1.5V至3.6V宽电压范围供电，并具备±5kV HBM ESD防护能力，可有效抵御静电冲击，提高终端设备长期运行可靠性。
2026-06-24 11:05 reading：283
纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？
行业新闻

纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源：分立式与集成式如何选择？

　　随着服务器功耗提升和供电架构复杂化，电源系统需要在安全性、效率和可靠性方面满足更高要求。隔离电源为服务器系统在高电压、大电流和复杂电磁环境下提供隔离供电，保障系统稳定运行。　　纳芯微围绕“隔离+”产品布局，构建了覆盖分立式与集成式方案的隔离电源产品组合，可适配服务器及AI服务器电源中的多类隔离供电需求，支持系统在安全性、效率和可靠性方面的设计要求。　　从“隔离”到“隔离+”：覆盖系统级隔离需求　　在电力电子系统中，隔离用于建立电气安全边界，降低高低压侧之间的安全风险。纳芯微提出“隔离+”概念，围绕隔离等级、产品组合和应用场景，提供系统级隔离方案。　　“隔离+”安全等级　　纳芯微提供覆盖功能绝缘、基本绝缘到增强绝缘的隔离等级产品。增强绝缘适用于服务器 PSU 的 PFC 级、光伏逆变器直流侧等对单点绝缘失效有严格要求的高压场景。相关增强绝缘产品配备认证证书，并具备对应绝缘等级与长期工作电压能力，从芯片层面支持设备长期安全运行。　　“隔离+”产品生态　　纳芯微基于自主迭代多年的电容隔离技术IP，形成了覆盖多类隔离需求的产品组合。该组合包括数字隔离器，如 NSI82xx 和 NSI83xx 系列;集成隔离与接口功能的隔离接口，如隔离 RS-485/CAN;集成隔离与采样功能的隔离采样放大器;以及用于驱动功率器件的隔离驱动芯片。隔离电源是其中的重要组成部分，用于为上述隔离器件提供隔离供电。通过不同隔离产品的组合，纳芯微可为客户提供一站式隔离解决方案，支持系统集成度、可靠性和布局紧凑性的提升。　　“隔离+”应用场景　　“隔离+”面向电动汽车 800V 高压平台、兆瓦级光储充系统、AI服务器电源等应用场景，支持系统在安全性、可靠性和效率方面的设计需求。在AI服务器电源中，“隔离+”需要为数十甚至上百路隔离驱动、采样与通信接口提供稳定、高效且安全的供电，支撑复杂多相架构与高动态响应需求。　　隔离电源：实现系统隔离的供电基础　　隔离电源为隔离器件的原边和副边电路提供独立、不共地的电源。实现隔离电源供电主要有两种技术路径：分立式与集成式，核心区别在于能量转换的关键元件——变压器是否内置于芯片。　　若使用非隔离电源，高压侧的电气噪声、浪涌或故障电压可能通过电源路径耦合至低压控制侧，导致MCU损坏或系统误动作。此时，即使信号路径已实现隔离，系统层面的电气隔离仍不完整。因此，隔离供电是实现系统电气隔离的重要条件。　　例如，纳芯微数字隔离器 NSI824x 可实现低压MCU侧与高压功率侧(IPM)之间的信号传输，其原边(VDD1)和副边(VDD2)均需独立供电，以保证两侧的电气隔离关系。　　NSIP3266：分立式隔离电源方案　　分立式隔离电源通常由隔离电源控制器 IC、外置变压器、副边整流二极管等器件组成。其优势在于配置灵活。客户可通过调整变压器匝比和规格，实现 5V 转 5V、12V、24V 等不同输出电压，而无需更换控制器 IC。同时，外置变压器可根据功率需求选择磁芯和线径，支持数瓦至数十瓦输出，部分功耗由变压器承担，对 IC 散热压力相对较小。　　分立式方案也会带来一定设计成本。系统需要管理控制器 IC、变压器、整流器件，部分场景还需要 LDO，BOM 数量较多。外置变压器占用 PCB 面积，也对高功率密度设计提出要求。此外，变压器在制造、运输和装配过程中可能出现线圈断裂、磁芯松动等问题，需要关注器件一致性和装配可靠性。　　纳芯微 NSIP3266 是一款内置全桥拓扑的隔离电源控制器，搭配外部变压器可构成开环隔离电源方案。该产品支持宽输入电压范围，可降低前级电源设计复杂度;内置软启动和晶振，无需 MCU 控制即可工作;同时集成欠压、过流、过温等自恢复保护功能，支持系统在异常工况下保持受控状态。　　NSIP3266 封装图HMSOP8，电路设计简洁　　在服务器电源中，NSIP3266 为多路隔离驱动提供供电，例如 PFC 级、LLC 级中的 SiC 或 GaN 驱动器。该方案适合“一带多”的半分布式供电架构，用于应对功率级路数增加带来的隔离供电需求。　　NSIP9xxx 系列：集成式隔离电源方案　　集成式方案将变压器通过半导体工艺集成在芯片内部，形成单芯片隔离供电方案。与分立式方案相比，集成式方案减少了外置变压器及相关外围器件，在板级空间、器件数量和设计复杂度方面具有优势。其主要特点包括：　　微型化　　无需外置变压器，方案体积可缩减至传统分立方案约1/10 ，为服务器主板释放空间。　　可靠性　　消除外置变压器在振动、焊接、装配中的失效点。芯片采用标准表贴工艺，耐温范围更宽(通常 -40℃ 至 125℃ )，适用于严苛的工业与汽车环境。　　简化设计　　仅需配置输入输出电容，简化 PCB 布局与供应链管理。　　性能优异　　由于原副边电路与变压器高度集成，更容易实现闭环控制，从而获得更好的负载调整率和动态响应。同时，基于统一IP设计的集成变压器，其电磁辐射(EMI)特性更一致且易于优化。　　纳芯微全新量产的 NSIP9xxx 系列，是“隔离+”产品布局在集成式隔离电源方向的代表性产品。该系列实现了 0.5W 隔离 DC/DC 电源( 5V 转 5V )与数字功能(如 IO 接口、隔离接口)的单芯片集成，可同时支持能量隔离与信号隔离，简化系统架构。NSIP9xxx 系列适用于对功率密度、板级空间和系统可靠性有要求的应用，如高端服务器、光储、汽车电子等领域。　　以 NSIP9042 为例，该产品单芯片集成隔离 CAN 接口与 0.5W 隔离 DC/DC 电源。对于服务器 PSU 对外通信、BBU 与 BMS 通信等场景，传统方案通常需要“数字隔离器 + CAN 收发器 + 隔离电源”三颗芯片及多个外围元件。NSIP9042 将隔离通信与隔离供电集成在同一芯片内，在提供隔离通信功能的同时，由内置隔离电源完成自身供电，可节省超过 70% 的布板面积，并降低 BOM 复杂度和潜在失效点。　　NSIP9042 封装图(SOW20 & SOW16)及功能框图　　NSIP9xxx 系列在服务器电源中的主要应用场景包括对外隔离接口供电、IO 口供电，例如 PC PSU对外通信、BBU 与 BMS 之间的通信等场景。其核心价值可概括为四点：　　高集成度　　芯片级方案仅需添加输入和输出电容即可实现系统级功能，助力客户突破功率密度极限。　　系统长期可靠　　消除了磁性元件的所有传统失效模式，满足服务器、光伏储能等对寿命和稳定性要求极高的应用。　　卓越的EMC表现　　集成设计带来更可控、更优的电磁兼容特性，简化系统滤波设计。　　一站式认证与高耐压　　提供完整的增强绝缘认证，VIOSM(浪涌)与VIORM(重复工作电压)参数领先，为系统安全提供证书与性能的双重保障。　　完善隔离电源产品组合　　支持服务器电源设计　　随着服务器功耗提升和供电架构演进，隔离电源在系统中的作用已从辅助供电单元，延伸到驱动供电、接口供电和系统隔离供电等关键环节。纳芯微围绕“隔离+”产品布局，形成了覆盖分立式方案(如 NSIP3266)与集成式方案(如 NSIP9xxx 系列)的隔离电源产品组合，适配从高功率、多路数驱动供电到紧凑型接口供电等需求。　　面向 48V/800V 总线、SST 固态变压器等服务器电源架构方向，纳芯微将继续推进隔离电源向更高频率、更高效率、更高集成度，以及与数字控制结合的方向发展。　　围绕服务器电源中更多隔离供电与控制需求，纳芯微计划推出集成变压器、支持 1.5W 输出功率的隔离电源 IC NSIP505S15，并陆续推出集成隔离电源的驱动控制 IC 与开关控制 IC。
2026-06-22 10:43 reading：286
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