<span style='color:red'>AMEYA360</span>代理丨ROHM SiC基础篇：SiC-SBD与Si-SBD比较——结构相近，为何SiC能突破200V耐压极限？
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AMEYA360代理丨ROHM SiC基础篇：SiC-SBD与Si-SBD比较——结构相近，为何SiC能突破200V耐压极限？

　　ROHM(罗姆)成立于1958年，总部位于日本京都，是全球知名半导体制造商，深耕功率半导体与碳化硅(SiC)技术多年，拥有自研 SiC 工艺与迭代升级的第四代、第五代 SiC 器件。ROHM SiC 产品以超低导通电阻、极低开关损耗、高耐温与高可靠著称，覆盖 SiC 肖特基势垒二极管(SiC-SBD)、SiC MOSFET、全 SiC 功率模块及混合 SiC 模块等，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等大功率高性能场景。在 SiC-SBD 方面，ROHM 已量产 650V、1200V 产品，并持续开发 1700V 等更高耐压器件。　　Ameya 作为 ROHM 官方授权代理商，全权承接 ROHM 全系列高性能 SiC 器件，可为客户提供原厂正品现货、样品申请、批量供货、BOM 配套、替代料建议、精准选型、交期管理及全程售后技术服务。　　继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。　　SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管　　下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。　　而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压。要想提高Si-SBD的耐压，只要增厚图中的n-型层、降低载流子浓度即可，但这会带来阻值上升、VF变高等损耗较大无法实际应用的问题。因此，Si-SBD的耐压200V已经是极限。而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。　　ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。　　SiC-SBD和Si-PN结二极管　　通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管(称为“PND”)。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴(孔)使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。　　尽管FRD(快速恢复二极管)利用PN结二极管提高了速度，但尽管如此，trr(反向恢复时间)特性等劣于SBD。因此，trr损耗是高耐压Si PN结二极管的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。　　右上图表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了PND/FRD的耐压范围。SiC-SBD可同时实现高速性和高耐压，与PND/FRD相比Err(恢复损耗)显著降低，开关频率也可提高，因此可使用小型变压器和电容器，有助于设备小型化。　　以下是1200V耐压SiC-SBD技术规格的一部分。后续将针对主要特性进行介绍。　　面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。　　SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性的不同　　首先，反向恢复或恢复是指二极管在呈反向偏置状态时，无法立即完全关断，有时会出现反向电流的现象。trr是其反向电流的流动时间。此时，前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在内的Si-PND高速。下面我们来了解其原因和实际特性。　　简单地说,trr的速度和反向恢复特性的不同是因为二极管构造不同。这就需要谈到在半导体中移动的电子和空穴。先通过波形图来了解SiC-SBD和Si-PND反向恢复特性的不同。　　右侧波形图为SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢复时的电流和时间。从波形图可见红色的SiC-SBD反向电流少，trr也短。顺便一提，本特性因为反向电流的损耗而需要进行研究探讨。　　在这里，通过各二极管的断面图进行介绍。下图为Si-PND的偏置从正向偏置转换为反向偏置时电子和空穴的移动。　　正向偏置时注入载流子，通过空穴和电子的重新结合使电流流动。如果是反向偏置的话，n层的空穴(少数载流子)会花些时间返回p层，到完全返回为止(一部分因为寿命而消失)均有电流流动。这就是反向恢复电流。　　第2个图为SiC-SBD转换为反向偏置时的示意图。因肖特基势垒结构而不存在PN结,所以没有少数载流子，在反向偏置时n层的多数载流子(电子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢复时间，其关断时间比PND明显缩短。　　这种反向恢复时间的差异均因为二极管结构。因此，Si-SBD的反向恢复也是高速。然而，Si-SBD现状的耐压界限是200V左右，在比其更高的电压下不能使用。而使用SiC的话，可以做出超过600V的高耐压SBD。这就是SiC-SBD的一大优点。　　下面是反向恢复特性的温度依赖性和电流依赖性相关数据。　　上段的波形图和图表表示不同温度的不同反向恢复特性。Si-FRD的温度上升时载流子浓度也随之上升，因此需要相应的反向恢复时间。随着室温的增高，反向电流和trr也会变大。而SiC-SBD因为SiC本身基本上没有温度依赖性，所以反向电流特性基本没有变化。将trr的差制作了右上的图表，通过对两种Si-FRD的比较，发现SiC-SBD的trr基本上不存在温度依赖性。　　下段的波形图表示与正向偏置时的正向电流IF的关系。由波形图可观察到SiC-SBD几乎不受影响。　　最后，虽然前面表述为SiC–SBD几乎没有反向电流，在波形图里可明显看出SiC-SBD比Si-FRD少很多，但也不是一点没有。这是因为二极管中寄生的结电容带来的影响。因此，SiC-SBD与Si-PND相比，反向电流并不是零，而是明显减少。　　前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。　　SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别　　二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。　　下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向电流IF的VF特性图。是从25℃到200℃按8个级别的温度条件测量的数据。　　SiC-SBD随着温度的上升，IF开始流动，VF有些下降，但因电阻上升，斜率变缓和，在正常使用范围的IF下，VF上升。　　Si-FRD随着温度的上升，VF单纯地下降。如图中的线条轨迹所示，无论哪个温度，斜率基本相同，VF单纯下降。　　这些特性取决于其各自的物理特性和结构，但也各有各的优缺点。刚才提到理想的二极管。那么，Si-FRD的VF随着温度升高而下降，传导损耗减少，看起来好像是好事，但随着VF的下降，IF增加，即使损耗略有下降，但发热増加量更胜一筹，甚至可能陷入VF下降、IF增加的热失控状态。　　而SiC-SBD随着温度升高，VF变高，不会热失控。但是VF上升，因此具有IFSM(瞬间大电流耐受能力)比Si-FRD低的缺点。　　SiC-SBD的VF特性改善　　为提升具有卓越本质的SiC-SBD的特性，使之更加易用，开发了VF降低的新一代产品。ROHM开发了第2代系列产品。ROHM的第1代产品及其他公司类似产品的VF当IF=10A时为1.5V，而第2代产品的VF低至1.35V。下图是参考值，是25℃和125℃时的IF vs VF示意图。　　红色线条是ROHM第2代SiC-SBD的VF特性。　　trr和VF损耗相关的研究　　本篇介绍了SiC-SBD和Si-FRD的VF特性区别，下面看一下包括前篇的trr特性在内的损耗相关内容。　　为对SiC-SBD进行说明，对trr和VF进行了与Si-PND(FRD)的比较，这是有原因的。左下图是本章开头对Si二极管和SiC二极管的耐压范围进行说明时使用的。关键在于，Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐压范围基本相同，可用于相同应用。SiC-SBD是新的元器件，换个说法可以说，现有Si-PND/FRD覆盖的范围基本上都可以用SiC-SBD替换。　　尤其是高速性很重要的应用等，在Si-FRD和SiC-SBD两者间权衡时，要想选出最适当的二极管，需要理解两者的特性。另外，毋庸置言，在探讨事项中“损耗降低”是最重要的课题。　　前篇的trr对应开关损耗，本篇的VF对应传导损耗。关于Si-FRD和SiC-SBD，右下图是这两种损耗的情况。　　trr越快VF越低，综合损耗越小。Si-FRD是trr越快，VF反而增加。而第2代SiC-SBD在保持传统SiC-SBD高速trr的基础上，将VF从1.5V降低到1.35V。　　在目前情况下，功率Si-FRD和SiC-SBD中，第2代SiC-SBD最具有降低损耗的可能性。　　Ameya：ROHM 代理商，助力 SiC-SBD 落地　　Ameya 作为 ROHM 官方授权代理商，全权承接 ROHM 全系列高性能 SiC 器件，可为客户提供原厂正品现货、精准选型、技术方案支持、样品申请及全程售后配套服务。　　ROHM SiC 产品包括：　　ROHM SiC 肖特基势垒二极管(SiC-SBD)　　ROHM SiC MOSFET　　ROHM 全 SiC 功率模块、混合 SiC 模块　　SiC 功率元器件可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等领域。具体型号、电压/电流等级、封装与参数，请以 ROHM 最新数据手册为准。　　Ameya 作为 ROHM 代理商，欢迎联系获取 ROHM SiC-SBD 产品选型手册、样品与供应支持。
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发布时间：2026-10-09 16:01 阅读量：188 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span>代理丨ROHM SiC基础篇：为何SiC能成为新能源主力器件？
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AMEYA360代理丨ROHM SiC基础篇：为何SiC能成为新能源主力器件？

　　ROHM 深耕碳化硅技术多年，拥有自研工艺与迭代升级的第四代、第五代 SiC 器件，凭借超低导通电阻、极低开关损耗、高耐温高可靠的核心优势，在全球 SiC 功率器件领域稳居领先地位，产品性能远超行业常规水准，广泛适配高端工业、新能源、服务器电源等大功率高性能场景。　　AMEYA为ROHM官方授权代理商，全权承接ROHM全系列高性能SiC器件，可为客户提供原厂正品现货、精准选型、技术方案支持、样品申请及全程售后配套服务。　　何谓碳化硅　　碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。　　SiC的物理特性和特征　　SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体(多晶型体)，它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。　　表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范围很广，这点与Si相同。基于这些优势，SiC作为超越Si限制的功率元器件用材料备受期待。　　SiC功率元器件的特征　　SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍，可耐600V～数千V的高压。此时，与Si元器件相比,可提高杂质浓度，且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻，阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上,只要耐压相同，与Si相比,SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。　　Si 功率元器件为改善高耐压化产生的导通电阻増大问题，主要使用IGBT(绝缘栅极双极晶体管)等少数载流子元器件(双极元器件)。但因为开关损耗大而具有发热问题，实现高频驱动存在界限。由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高，因此能够同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高速”。　　此时，带隙是Si的约3倍，能够在更高温度下工作。现在，受封装耐热性的制约可保证150℃～175℃的工作温度，但随着封装技术的发展将能达到200℃以上。　　前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。　　SiC功率元器件的开发背景　　之前谈到，通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球节能课题。　　以低功率DC/DC转换器为例，随着移动技术的发展，超过90 %的转换效率是很正常的，然而高电压、大电流的AC/DC转换器的效率还存在改善空间。众所周知，以EU为主的相关节能指令强烈要求电气/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。　　在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。　　例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85%。如该例所示，毫无疑问，SiC功率元器件将成为能源问题的一大解决方案。　　SiC的优点　　如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量损耗。当然，这是SiC很大的优点，接下来希望再了解一下低阻值、高速工作、高温工作等SiC的特征所带来的优势。　　通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块。例如，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。　　关于“高速工作”，通过提高开关频率，变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。　　“高温工作”是指容许在更高温度下的工作，可以简化散热器等冷却机构。　　如上所述，可使用SiC来改进效率或应对更大功率。而以现状的电力情况来说，通过使用SiC可实现显著小型化也是SiC的一大优点。不仅直接节能，与放置场所和运输等间接节能相关的小型化也是重要课题之一。　　Ameya：ROHM 代理商，助力 SiC 落地　　Ameya 作为 ROHM 代理商，可为您提供 ROHM SiC 功率元器件及相关支持，包括：　　ROHM SiC MOSFET　　ROHM SiC 肖特基势垒二极管(SiC SBD)　　ROHM 全 SiC 功率模块、混合 SiC 模块　　选型支持、样品申请、批量供货、BOM 配套　　替代料建议、交期管理、技术支持　　SiC 功率元器件可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等领域。具体型号、电压/电流等级、封装与参数，请以 ROHM 最新数据手册为准。　　Ameya 作为 ROHM 代理商，欢迎联系获取 ROHM SiC 产品选型手册、样品与供应支持。
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发布时间：2026-10-09 15:57 阅读量：181 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span>产品线扩容丨MDD（辰达半导体）：车规级分立器件制造及解决方案提供商
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AMEYA360产品线扩容丨MDD（辰达半导体）：车规级分立器件制造及解决方案提供商

　　AMEYA360 电子元器件采购平台正式新增产品线——MDD(辰达半导体)。目前，MDD 全系列产品已陆续上架 AMEYA360 商城，覆盖 MOSFET、保护器件、二极管、三极管、SiC、IC 六大品类，为汽车电子、新能源、工业控制、消费电子、网络通讯及新兴行业客户带来更丰富的分立器件选型方案。　　关于 MDD(辰达半导体)　　深圳辰达半导体有限公司(Microdiode Semiconductor)成立于 2008 年，是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业，也是车规级分立器件制造及解决方案提供商。公司总部位于广东省深圳市龙华区，生产基地位于安徽省滁州市南谯区，月产能达 850KK;到 2026 年，车规体系及产品量产月产能将扩大至 1300KK 以上，并持续推进第三代半导体材料研发及量产。　　MDD 深耕半导体分立器件行业 18 年，打造高可靠、高性能的产品服务矩阵。公司产品热销欧美、日韩、东南亚等 40 个国家及地区，专注汽车电子、新能源、工业控制、消费电子、网络通讯、新兴行业 6 大领域，累计服务终端客户超 2 万家。　　六大产品线，覆盖分立器件核心品类　　MDD 产品矩阵覆盖 MOSFET、保护器件、二极管、三极管、SiC、IC 六大领域，具体包括：　　MOSFET：Planar MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET、SiC MOSFET　　保护器件：TVS、瞬态抑制二极管、静电保护二极管、晶闸管浪涌抑制器　　二极管：普通整流二极管、高压整流二极管、快恢复整流二极管、高效整流二极管、超快恢复整流二极管、肖特基整流管、低压降肖特基整流管、小信号开关二极管、小信号肖特基二极管、稳压管、整流桥　　三极管：小信号通用三极管、小信号数字三极管　　SiC：SiC 肖特基二极管单管、SiC MOSFET　　IC：逻辑 IC、三端稳压 IC　　技术优势：　　低压、中压 Trench 与 SGT MOSFET 全面布局　　MDD 在 MOSFET 领域持续投入，形成了较为完整的技术平台：　　低压 MOSFET(≤40V)：采用 8 寸 FAB，支持最小 0.18um 线宽高密度设计，最少光刻层数(4+1)，具备优异的 RDSon 表现和优秀的 Qg 参数。　　中压 Trench MOSFET：针对不同应用采用最优的 RDSon 和 Qg 折中方案，具备高雪崩耐量、高短路能力，产品 100% EAS/dVDS 测试;PowerTrenchMOS 系列可应用于大功率电压、逆变电路。　　SGT MOSFET：覆盖 30-150V 上下结构和左右结构，超低内阻产品结合 Clip 封装工艺，可实现 1mOhm 以内参数表现，产品经过 100% EAS 及 dVDS 测试，确保客户端应用稳定。　　研发投入与品质体系　　MDD 每年将利润额的 20%-25% 投入研发，已累计获得授权国家专利 60 余项，其中发明专利 24 项。公司拥有自主研发实验室，形成了覆盖高端芯片研发设计、先进封装研发设计的高质量人才队伍。　　在质量体系方面，MDD 已通过：　　IATF16949 车规质量体系认证　　ISO9001 质量管理体系认证　　ISO14001 环境管理体系认证　　UL 认证　　RoHS / REACH 等认证　　公司拥有 20 余年行业经验的生产管理人员，配备先进的仪器设备，并通过 MES/WMS/ERP/CRM/OA 等数字化管理系统，实现从订单管理、BOM 管理、急单管理到品质追溯的全流程数字化管控。可靠性实验室可进行可靠性试验、雷击浪涌能力测试、失效分析、动静态参数测试等，覆盖高低温、湿热、冷热冲击、耐焊接热、ESD 等多项测试项目。　　应用领域　　MDD 产品广泛应用于六大领域，应用占比大致为：　　汽车电子：车载中控、车灯系统、车身 BCM 模块、车载 DC-DC 电源、空调压缩机等　　BMS 电池管理：充放电回路保护、过流过载保护、单体电池低压检测保护等　　新能源：逆变器、储能 BMS、充电桩、光伏系统等　　工业控制：伺服电机、变频器、工业机器人、数控机床等　　消费电子：手机、平板、智能穿戴、扫地机器人等　　网络通讯：AI 服务器电源、5G 基站、光模块等　　全球化布局与竞争优势　　MDD 在国内拥有 6 大销售中心，在深圳、安徽设有 2 个物流仓库，海外拥有 15+ 销售渠道，服务全球 40 个国家及地区。公司以“品质可靠、服务可靠、交期可靠、品牌可靠”为核心竞争优势：　　品质可靠：持续完善 ISO9001、ISO14001、IATF16949 体系，先进分立器件工艺核心设备，全流程数字化管理，生产制程 100% 可追溯。　　服务可靠：华东华南多点布局，提供样品、报价、选型支持，快速响应;BOM 优化降本增效，分立器件产品系列齐全，一站式采购;售后服务高效。　　交期可靠：物料等级管理制度，A/B 类原材料常备，常规料快速交付;深圳、安徽两大仓储中心辐射华东华南，高效交付;与核心主材供应商签署战略合作，保持货源、交期、质量稳定。　　品牌可靠：深耕分立器件行业 18 年，荣获深圳/湾区知名品牌;累计服务超 20000 余家客户，遍及全球 40 多个国家和地区;多家 500 强企业客户认可。　　关于 AMEYA360　　AMEYA360 平台现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖 MCU、存储器、电源芯片、IGBT、MOS管、运放、射频蓝牙、传感器、电阻电容电感、连接器等多个领域，致力于为广大客户提供一站式电子元器件采购体验。搜索具体产品型号，在线获取样品、报价及选型支持。　　AMEYA360 将继续引入优质产品线，为电子工程师和采购商提供更高效、更便捷的一站式电子元器件采购体验。
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发布时间：2026-10-09 15:53 阅读量：165 继续阅读>>
交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！<span style='color:red'>AMEYA360</span>开启罗姆“预购锁定产能”专项通道
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交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！AMEYA360开启罗姆“预购锁定产能”专项通道

　　据新华社消息，当地时间7月28日16时27分(北京时间15时27分)许，日本熊本县发生7.1级地震，辖区内观测到最大震度7(日本震度分级最高等级)。日本气象厅对震中附近海域沿岸发布海啸预警，预计最大浪高可达1米。随后余震不断，日本气象厅警告未来2至3天内仍可能发生同等规模强震。　　这场地震，直接震在了全球半导体供应链的关键节点上。　　01熊本——“硅岛”心脏，半导体企业密集　　熊本县所在的九州地区素有日本“硅岛”之称，半导体产值占日本全国比重超过五成。从2021年到2024年6月，九州共有100个半导体相关投资项目，熊本一县独占52个。熊本已构建起覆盖晶圆制造、设备、材料及零部件的完整产业链。　　核心企业包括：台积电熊本合资厂(JASM，月产5.5万片12英寸晶圆，主打28至12纳米车规芯片)、索尼半导体制造SCK(全球图像传感器主要基地)、瑞萨电子(车规MCU)、三菱电机(车规IGBT及8英寸SiC功率器件)以及东京电子(全球第二大前道设备商)等。　　02强震突袭，核心工厂紧急停工　　地震发生后，多家半导体巨头紧急启动应急机制：　　台积电：熊本工厂因震度达“5强”触发疏散标准，员工疏散至室外，产线停工、复产时间未知;在建第二工厂部分暂停施工。　　瑞萨电子：熊本市川尻工厂和锦町锦工厂两处工厂已暂停生产，确认天花板面板掉落、漏水等损害。　　三菱电机：功率半导体基地——车规IGBT和8英寸SiC产线——正在评估重启生产所需校准时长。　　东京电子：熊本县内两家工厂7月29日全天停工，开展系统性安全与设备检测。　　索尼：CMOS传感器工厂紧急疏散，暂未爆出结构性损坏。　　此外，堀场制作所阿苏工厂停止运转，凸版控股暂停封装工厂运营，物流方面九州新干线停运、熊本机场航班暂停——区域物流的短暂中断可能对半导体材料运输产生连锁反应。　　03交期本已拉长，地震雪上加霜　　实际上，在地震发生之前，全球半导体供应就已经持续趋紧。　　投资机构Susquehanna数据显示，6月全球半导体行业交货时间创下本轮周期以来最大单月增幅，环比增加5天至19.4周;行业定价6月出现“最大单月涨幅”，环比扩大5%。功率分立器件领域依然紧张，功率集成电路和MOSFET交期上涨超过10天。罗姆半导体(ROHM)、瑞萨电子等企业交期大幅增加。　　功率器件方面，罗姆半导体、英飞凌、安森美等自2026年3至4月已启动首轮调价，幅度在10%上下。薄膜电阻交期已拉长至26至32周。　　地震的突发，无疑是在本就紧绷的供需关系上又加了一把力。即便按行业测算检修周期为3至7天，但半导体设备对震动极度敏感，光刻机、涂胶显影设备等精密仪器在强震下极易触发自动安全联锁，即便设备未受物理损坏，纳米级的重新校准和洁净室复检也需要漫长周期。2016年熊本地震的经验是，供给缺口2到4周就会传导到整车端。　　04LED、IGBT、MOSFET——供应风险正在积聚　　综合来看，以下品类的供应风险正在快速上升：　　LED：熊本产业链中断叠加整体交期拉长，后续缺货风险显著;　　IGBT：三菱电机功率半导体基地停工评估，车规IGBT供给首当其冲;　　MOSFET：功率集成电路和MOSFET交期本已上涨超10天，地震冲击将进一步加剧供需矛盾。　　05罗姆半导体——功率器件领域的可靠之选　　在全球功率半导体供应持续趋紧的背景下，罗姆半导体(ROHM) 作为行业领军企业，值得客户重点关注和提前布局：　　产品布局全面，覆盖关键赛道。 罗姆不仅提供以Si、SiC为材料的功率元件，还将GaN元件投入量产。其“Power Eco Family”品牌概念涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群，全面覆盖IGBT、MOSFET、SiC功率器件等当前最紧缺的品类。罗姆是业内首家量产SiC功率元器件的公司，在SiC功率器件和模块开发方面处于领先地位。此外，罗姆在电阻业务方面绑定SiC/GaN功率器件协同配套，车规级AECQ200金属板合金电阻主攻BMS、主驱电控、ADAS等关键应用。　　产能持续扩张，保障长期供应。 罗姆在九州福冈县筑后工厂扩大SiC生产，计划引入8寸晶圆产线，并投资2892亿日元在宫崎市建设第二工厂，预计2029年产能将大幅超越现有基地。同时，罗姆加强GaN功率器件供应能力，融合台积电工艺技术在集团内部建立一体化生产体系。在熊本地区(大津町)，罗姆还拥有车规封装产线。这些扩产举措为客户的长期供应提供了坚实保障。　　交期压力之下，早下单就是早锁定。 当前罗姆等功率半导体大厂的高压MOSFET、IGBT、SiC与GaN等高阶功率元件，正迎来新一轮结构性供需失衡，部分产品交期已拉长至半年甚至一年以上。罗姆已启动首轮调价。在此背景下，提前下单罗姆产品，就是提前锁定产能、锁定价格、锁定交付。
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发布时间：2026-07-30 13:02 阅读量：925 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span>直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与车载方案引关注
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AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与车载方案引关注

　　2026年7月1日，慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业的重要盛会，本届展会聚焦新能源汽车、智能汽车、AI服务器、数据中心等前沿领域。　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)携多元化产品与解决方案重磅亮相N4馆500号展位。AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，派出FAE小哥亲临现场，特邀罗姆车载营业部高级经理Jojo深度拆解全系核心展品，通过抖音直播带广大工程师和观众“云逛展”，零距离感受ROHM的最新技术成果。　　AMEYA360直播直击：　　FAE小哥带你“云逛”ROHM展台　　本次慕展罗姆搭建AI服务器、车载电子、工业设备、应用案例四大核心展区，覆盖当下电子行业三大黄金赛道。AMEYA360 FAE小哥通过抖音直播镜头带领线上工程师“云逛展”，逐一实拍展台实物、评估板、功率模块样品。镜头前，ROHM展台人气火爆，吸引了大批专业观众驻足交流。　　FAE小哥在直播中重点介绍了ROHM面向AI服务器的最新产品方案。他特别提到，ROHM展出的100V功率MOSFET采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，非常适合AI服务器48V电源热插拔电路，已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。此外，第5代SiC MOSFET首次公开亮相，采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用。现场还展出了650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列) ，已被应用于AI服务器电源等领域，推动电源小型化和效率提升。　　在车载展区，FAE小哥重点介绍了ROHM与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计，配备ROHM的PMIC，符合ISO 26262及ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定高效的电源管理支持。　　ROHM车载营业部高级经理Jojo专场介绍：　　深度解读AI服务器核心优势　　直播的高潮环节，ROHM车载营业部高级经理Jojo亲自为AMEYA360平台观众进行专场介绍。Jojo在ROHM展台C位区域，详细解读了ROHM在AI服务器和汽车电子领域的技术布局。　　Jojo首先回顾了ROHM的发展历程：“罗姆自1980年起步，目前全球销售额已达到480亿日元，其中一半来自汽车业务。我们在车载领域的增长非常迅速，客户采用率和产能扩张都非常显著。”　　在AI服务器方面，Jojo重点介绍了ROHM的宽禁带半导体产品线：“罗姆在碳化硅(SiC)领域布局非常早，2000年就开始了碳化硅业务，是一家非常传统的碳化硅IDM企业——从晶圆到最终产品，不管是单管还是模块，全部自主完成。”他透露，ROHM目前已推出第四代SiC MOSFET，并计划在明年推出第五代产品。在氮化镓(GaN)方面，ROHM同样拥有650V耐压产品，广泛应用于AI服务器电源。　　Jojo还特别提到，ROHM在AI服务器电源领域与英伟达、地平线、新石等国内外MCU厂商深度合作，提供配套电源方案。“现场展出的811系列、390系列、393系列产品，就是给英伟达Orin和SoC做配套的电源方案。其实在很多电动车、电瓶车上也都有应用，正在做测试。希望各位客户多多考虑和使用。”　　谈及ROHM的IDM优势，Jojo强调：“从材料到成品，我们在每一道工序上都坚持高品质生产，实现了卓越的可追溯性和供应链优化。无论是封装还是模块，我们都可以在AI服务器上做小型化、高效的方案。　　ROHM展台亮点速览：　　四大展区全面覆盖　　本届展会，ROHM设立了AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，全方位呈现其在半导体领域的综合技术实力。　　AI服务器展区：涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。重点展示适用于48V热插拔电路的100V功率MOSFET、第5代SiC MOSFET，以及具备业界超低开关损耗和10µsec短路耐受能力的1200V IGBT。　　车载展区：展示面向SoC的PMIC(与芯驰联合开发的X9SP参考设计)、用于汽车多屏显示器的SerDes IC，以及搭载SiC模块的5kW~100kW三相逆变器参考设计。　　工业设备展区：展示650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列)和AC/DC用PWM方式DC/DC转换器，助力工业设备电源小型化和效率提升。　　应用案例展区：集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化方案演示，让观众直观感受ROHM技术从器件到系统的落地价值。　　AMEYA360 × ROHM：　　官方授权代理，正品保障一站式采购　　作为ROHM的官方授权代理商，AMEYA360一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应和专业的技术服务。除了稳定供货，AMEYA360还持续输出专业技术支持，帮助客户解决电路设计中的各类难题。　　无论是AI服务器所需的SiC MOSFET、GaN HEMT、功率MOSFET，还是车载电子所需的PMIC、SerDes IC、LED驱动器，亦或是工业设备所需的AC-DC转换器、IPD智能开关——AMEYA360均可提供一站式正品采购服务。　　欢迎广大工程师和采购朋友通过AMEYA360平台咨询或购买ROHM全系列产品。
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发布时间：2026-07-03 15:44 阅读量：668 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span> × ROHM | 扫码解锁直播抽奖，一键直达原厂技术社区！
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AMEYA360 × ROHM | 扫码解锁直播抽奖，一键直达原厂技术社区！

　　作为 ROHM(罗姆半导体) 的官方授权代理商，AMEYA360 一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应。除稳定供货外，我们也持续输出专业技术服务，解决大家电路设计各类难题。　　这周三(6月24日)14:00-16:00，AMEYA360将联合ROHM 带来一场直播，带大家聊聊当下AI服务器市场真实行情与技术走向，并重点拆解适配AI电源系统的ROHM全系核心器件，包含碳化硅功率器件、MOS管、驱动IC、二极管与模拟芯片。　　点击下方卡片，或扫描海报二维码即可预约直播，直播间福利多多，赢取精美礼品，现金红包、京东E卡、充电宝、数据线等礼品等你拿!　　各位工程师朋友，为了确保中奖后奖品能顺利派发，请记得在参与直播抽奖前花 30 秒填写下方的【登记表】。建议大家现在就可以提前填写锁定资格，这样中奖后小助手就能第一时间为您安排奖品寄送啦!　　在登记表下方，我们为大家同步推荐了【ROHM官方技术论坛(ESH)】。接下来，为大家详细介绍一下这个极具含金量的原厂级技术交流平台：　　什么是ROHM官方技术论坛(ESH)?　　ROHM官方技术论坛(ESH)是罗姆半导体专为电子工程师打造的官方线上技术支持与交流平台。平台汇集海量原厂技术白皮书、应用指南及仿真设计资料，并有罗姆原厂专家在线提供权威的技术答疑与选型支持，助力工程师攻克研发难题，加速产品设计落地。　　如何注册/登录ROHM官方技术论坛(ESH)?　　工程师可通过以下步骤注册 / 登录：　　PC 端入口：　　https://esh.rohm.com.cn/s/?language=zh_CN　　移动端入口：　　第 1 步：　　进入首页，依次点击 [注册 & 登录] ➔ [新用户注册 & 登录] 跳转至 MyROHM 页面。　　已有 MyROHM 账号： 直接登录即可。　　无 MyROHM 账号： 填写基础信息提交注册。　　第 2 步：　　提交后，您的邮箱会收到一封邮件，打开邮件，点击正文中的激活链接(URL)，激活您的账号。　　第 3 步：　　账号激活后，系统会自动发送第二封邮件，打开邮件，点击信中的论坛链接可直接登录论坛，或直接返回活动页面，输入账号密码登录论坛。　　第 4 步：　　成功登录论坛后，为了您的隐私安全，请完成最后一项配置：　　点击右上角 [我的个人资料] ➔ 点击 [编辑]。　　修改默认昵称(注意： 请避免使用包含个人真实姓名、公司名称等可识别身份的昵称)。　　点击右下方 [保存] 按钮，即可正式开启社区交流!　　买罗姆正品器件，找官方授权代理商 AMEYA360;攻克研发技术难题，上 ROHM官方技术论坛!赶紧预约直播并扫码登记信息，这周三直播间，我们不见不散!
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发布时间：2026-06-22 10:06 阅读量：719 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span> × ROHM | 直播开讲！AI 服务器电源解决方案全解析
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AMEYA360 × ROHM | 直播开讲！AI 服务器电源解决方案全解析

　　当前，AI算力需求全面爆发，带动AI服务器市场快速扩容。如今机柜功耗暴涨，老旧400V供电架构已经无法满足高算力设备需求，行业普遍开始向800V高压直流方案升级。　　高功率、高效率、高密度，已然成为AI服务器电源设计的硬性标准，不少工程师在高压电源拓扑设计、器件选型、散热优化上遇到诸多难题。　　6月24日(周三)14:00-16:00，AMEYA360 × ROHM直播就带大家聊聊当下AI服务器市场真实行情与技术走向，并重点拆解适配AI电源系统的ROHM全系核心器件，包含碳化硅功率器件、MOS管、驱动IC、二极管与模拟芯片。　　点击下方卡片，或扫描海报二维码即可预约直播，参与还有机会赢取精美礼品!　　直播主题　　罗姆器件赋能|AI服务器高效电源解决方案　　AMEYA360|ROHM 授权代理 一站式电子元器件技术分享　　直播时间　　6月24日(周三)14:00-16:00　　直播嘉宾　　ROHM FAE MUSK　　奖品合辑　　现金红包、京东E卡、充电宝、数据线等礼品等你拿!　　ROHM官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　论坛入口：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/689746fc6335280cb03fac5f4e5eebd2/mid/858　　别忘了提前预约6月24日AMEYA360 × ROHM直播!了解AI服务器市场真实行情，吃透行业升级技术干货!
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发布时间：2026-06-16 09:12 阅读量：656 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span>正式成为富瀚微授权代理！
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AMEYA360正式成为富瀚微授权代理！

　　近日，AMEYA360与上海富瀚微电子股份有限公司(简称“富瀚微”，英文名“Fullhan”)正式达成授权代理合作协议。双方将围绕智能视觉与视频处理芯片领域展开深度合作，共同为智慧视频、智慧物联、智慧车行领域及相关场景客户，提供高性能、低功耗、高集成度的 SOC 芯片与完整解决方案，全方位满足视频监控、物联网终端、车载视觉系统等核心应用需求。　　关于上海富瀚微电子　　上海富瀚微电子股份有限公司成立于2004年4月，于2017年在深圳创业板上市。作为纯本土化的芯片设计公司，富瀚微的芯片于台积电等全球领先晶圆厂制造，专注于以视频为核心的智慧视频、智慧物联、汽车电子领域芯片的设计开发，为客户提供高性能视频编解码SOC芯片、图像信号处理器ISP芯片及完整的产品解决方案，以及提供技术开发、IC设计等专业技术服务。　　公司总部位于上海，在杭州、成都、深圳设有分公司，有 450 多名员工，其中 85% 以上为工程师，核心技术团队凭借十余年深耕，研发出完整模拟 IP、第8代自研 ISP 图像处理引擎、第5代视频编解码器及自研 AI 加速引擎，产品性能获行业头部企业广泛认可,已与海康威视、小米、比亚迪、上汽等超过百家行业头部企业建立紧密合作关系。　　此次合作覆盖富瀚微全系列核心产品，聚焦三大核心应用领域，为不同场景提供精准赋能：　　一、智慧视频　　面向智慧视频领域，富瀚微具有专业视频芯片全系列产品：从模拟到数字、从前端摄像机到后端录像机，富瀚微及子公司眸芯科技推出了一系列芯片产品，全方位满足消费类、工业级等多场景需求。以下为部分重点型号介绍，更多全系列产品可通过 AMEYA360商城查询：　　图像处理芯片　　FH8333：3MP MIPI输入，支持3帧合成宽动态，支持2D/3D降噪　　FH8536HV200：2MP MIPI/DVP输入，支持RCCB，支持3D降噪、去雾，支持降帧，支持USB，超低功耗，支持2M模拟高清输出　　数字录像机芯片　　MC6630：2路1080P实时编码，2路1080P实时解码，支持HDMI/VGA显示输出，0.5T AI算力　　MC6650：4路1080P实时编码，4路1080P实时解码，支持HDMI/VGA显示输出，0.5T AI算力　　网络录像机芯片　　MC6810E：4路1080P实时解码，支持HDMI/VGA显示输出，内置256MB DDR　　MC6810：4路1080P实时解码，支持HDMI/VGA显示输出，外接DDR　　智能显示芯片　　MC3312：双核CPU，支持2MP DVP输入，支持4路1080P实时解码，支持MIPI/RGB LCD输出，内置128MB DDR　　MC3310：双核CPU，支持2MP DVP输入，支持4路1080P实时解码，支持MIPI/RGB LCD输出，内置64MB DDR　　网络摄像机芯片　　FH8626V300：2MP MIPI输入，H.264视频编码，内置64M DDRFH8626V300L，2MP MIPI输入，H.264视频编码，内置64M DDR　　二、智慧物联　　智慧物联作为富瀚微核心战略领域与 AMEYA360 代理线重点方向，富瀚微凭借全栈式技术能力与丰富的芯片矩阵，构建了覆盖家居、商业零售、宠物看护、工业物联等多场景的智慧物联解决方案，推动了物联网设备的智能化升级，让 AI 技术深度融入生活与产业场景。以下为部分重点型号及应用场景介绍，更多全系列产品可通过 AMEYA360 商城查询：　　网络摄像机芯片　　FH8662V100：4MP MIPI输入，H.265视频编码，内置64MB DDR　　FH8616V300：CPU@700MHz+Slave CPU，0.5T AI算力，支持 H264 1Mp30 视频编码，2 MIPI 输入，内置 64MB DDR　　FH8857V500：2xCPU@900MHz，1T AI算力，支持 H265 8Mp20 视频编码，2 MIPI 输入，内置 256MB DDR，搭载 AISPv2.0 技术　　网络录像机芯片　　MC6830：6路1080P实时解码，支持HDMI/VGA显示输出，0.5T AI算力，外接DDR　　智能显示芯片　　MC6326：CPU@900MHz+Slave CPU 架构，0.5T AI 算力，支持 H265 5Mp30 视频编码，2 MIPI输入，内置 128MB DDR，支持软解 & RGB 显示　　MC6322：0.5T AI算力，支持 H265 5Mp30 视频编码，2 MIPI输入，内置 64MB DDR，使用Max 5Mp分辨率，可实现三目2Mp或两目 4Mp 高清拍摄　　典型应用场景：　　智能家居：智能门锁(人脸识别、远程开锁、视频抓拍)、智能猫眼(人员侦测、视频推送、低功耗工作)、魔镜(美妆场景支持AR 试妆/美发，家居场景支持联网娱乐、穿着提示和智能家居显示)、智能家电控制终端;　　商业与零售：电子价签、智能零售终端、自助服务设备;　　宠物与看护：智能喂食器(远程投喂、视频抓拍)、智能猫砂盆(自动猫砂清理、除臭)、可视宠物看护摄像头、远程鱼缸查看设备;　　工业物联网：工业物联网终端、人机界面(HMI)、3D 打印、扫码设备。　　核心技术优势：　　低功耗：采用 AOV 专用设计，部分型号整板功耗低至 25mW，满足设备长待机需求;　　强算力：覆盖 0.5T-1T 算力，支持人形、人脸、宠物检测及语音识别等常用功能，可扩展更多识别类别;　　高画质：搭载自研图像引擎，具有更强的图像处理性能，节省 50%-80% 带宽与存储，同时提升视频清晰度，减少卡顿。　　三、智慧车行　　富瀚微车规级视频芯片产品将助力推动国产替代，从车载后装到车载前装，从舱内到舱外，涵盖前端摄像头、传输链路、后端主机，富瀚微目前在车载视频应用领域能够为Tier1和整车厂提供完整的国产应用解决方案。以下为部分重点型号介绍，更多全系列产品可通过 AMEYA360商城查询：　　车载图像处理芯片　　FH8330E：1.3MP MIPI输入，支持3帧合成宽动态，支持3D降噪　　FH8332：3MP MIPI输入，支持3帧合成宽动态，支持3D降噪　　车载视频链路芯片　　FH6210：4通道模拟高清输入，最大支持8MP输入，支持模拟音频和同轴音频，最大支持4颗芯片级联　　车载录像机芯片　　MC6630：2路1080P实时编码，支持HDMI/VGA显示输出，0.5T AI算力　　此次成为富瀚微授权代理商，不仅进一步丰富了 AMEYA360 在智慧视频、智慧物联、车载电子等核心领域的芯片产品线，也为广大电子工程师及采购提供了更多选择。　　更多富瀚微的优质产品，已陆续上架 AMEYA360 商城。　　您可通过AMEYA360商城www.ameya360.com在线选购!　　也可以通过拨打官方热线电话：021-34792258;QQ：800077892;　　或者邮箱：amall@ameya360.com主动联系客服选购!　　未来，AMEYA360将继续深化与合作伙伴的关系，不断优化服务流程、拓展核心供应商资源，为广大客户提供更加完善、便捷的电子元器件一站式采购体验。
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发布时间：2026-01-14 16:22 阅读量：1736 继续阅读>>
国产车规MLCC破局者「芯声」上线<span style='color:red'>AMEYA360</span>商城！
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国产车规MLCC破局者「芯声」上线AMEYA360商城！

　　日韩大厂垄断85%市场的格局下，一家中国MLCC企业正悄然崛起。　　如今，随着新能源汽车的高速发展，汽车电动化和智能化日益加速，市场对于MLCC的需求也日益增长。然而，车规MLCC市场长期被日韩大厂如村田、三星垄断，国产品牌占比不足5%。在此局面下，国产MLCC贴片陶瓷电容专业制造商“芯声”，凭借丰富的材料分析、工艺管控经验，成功在奇瑞、比亚迪、吉利等主流车企中实现应用。芯声MLCC产品已正式上线唯样商城、立创商城、云汉芯城，为工程师提供又一款国产高品质选择。　　01 国产车规MLCC的市场机遇与挑战　　新能源汽车的发展为MLCC带来极大的增长空间，单台新能源汽车电容用量高达18000+颗，是传统燃油车的3-6倍。随着2025年全球新能源汽车月销量突破150万辆，车规MLCC市场需求仍在持续攀升。(图片来源：HRE)　　“国产替代”已不再是口号，而是实实在在的供应链需求。芯声正是看准这一机遇，聚焦高容、高压和汽车级MLCC的研发与制造，尝试破局。　　02 芯声的技术破局之道　　专业的核心团队　　芯声的核心团队主要来自台系，平均行业经验15年以上，并聘请日系技术顾问，与成都电子科技大学、江苏科技大学等高校开展产学研合作。　　高稳定性的产能设备　　生产设备以日系、台系供应商为主，保证设备的高稳定性、高效率、高精度、低故障率，制程能力领先业界。　　具备材料自主研发能力　　芯声的材料配方自主研发能力尤为突出。通过独特的陶瓷粉末与添加剂配方优化，实现MLCC的高可靠性、低损耗、耐高压和长期稳定性。未来核心的关键材料，自主研发，缩短产品开发周期，给公司注入持续发展的动力。　　具备MLCC全制程之生产能力　　全制程自主生产能力是芯声的核心优势。如下图所示，从材料配方自主研发到最终测试的一系列全流程控制，确保产品拥有优良的性能表现和高可靠性。　　03 产品矩阵：覆盖全应用场景　　芯声MLCC产品尺寸涵盖01005~2220，满足从消费电子到汽车电子的全方位需求：　　芯声车规MLCC已成功应用于众多汽车电子场景：　　信息娱乐系统：倒车雷达、BMS CO探测、角度传感器、车大灯、鲨鱼天线、车用空调系统　　动力安全系统：汽车雨刮、座椅风扇、车载USB、汽车OBC、汽车无线充、汽车ECU　　因此，芯声已获得主流车企认可，产品已成功进入奇瑞、吉利、比亚迪、长城、五菱、广汽埃安、大众、上汽、北京现代、江铃等主流车企供应链。　　04 芯声携手AMEYA360商城，打造便捷采购通道　　芯声MLCC产品已上线AMEYA360商城。AMEYA360商城作为芯声分销平台，为客户提供正品保障、现货库存、技术支持和快速交付服务，工程师可通过线上商城一站式采购芯声MLCC产品。
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发布时间：2025-11-28 14:13 阅读量：1502 继续阅读>>
<span style='color:red'>AMEYA360</span>代理品牌 | 罗姆功率半导体产品概要！
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AMEYA360代理品牌 | 罗姆功率半导体产品概要！

　　1. 前言　　近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。　　在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。　　2. 市场需求和罗姆的举措　　近年来，随着电动汽车、能量收集等众多领域用电量的快速增长，对于各类应用中配备的电源系统，要求实现高效率化、小型化、轻量化等性能提升。因此，要求功率半导体也要具有更高的性能和更强的严苛环境适用性。具体而言，就是要具备高速开关性能、低损耗和出色的散热性能等特性。同时，功率半导体的应用范围也在不断扩大，需求量也与日俱增。　　多年来，罗姆在功率半导体领域积累了丰富的专业经验和技术实力，其中包括于全球首家*实现了SiC(碳化硅) MOSFET的量产。另外，预计相关产品的市场需求会进一步扩大，罗姆也在不断开拓新的产品领域，比如将作为下一代半导体与SiC同样备受关注的GaN(氮化镓)产品投入量产。下图1中列出了罗姆功率半导体对应的功率容量(纵轴)和工作频率(横轴)范围。长期以来一直被用作半导体材料的Si(硅)，其相应的功率半导体包括“EcoMOS™”和“EcoIGBT™”。另外，新一代半导体SiC元器件“EcoSiC™”覆盖需要超高耐压和高速开关的领域;而GaN器件“EcoGaN™”则覆盖需要超高速开关的领域。罗姆将这四大产品群统称为“Power Eco Family”，并通过助力提高应用产品的性能来为构建应用生态系统做出贡献。下面将按品牌分别进行介绍。　　*截至2025年1月 罗姆调查数据　　3. 组成“Power Eco Family”的四大品牌　　3-1. 关于EcoSiC™　　EcoSiC™是采用了因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。　　罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。在日本宫崎县国富町新建的宫崎第二工厂中，一部分生产线已正式进入试作稼动阶段。该工厂通过收购另一家公司以前的工厂建筑以及无尘室，实现了快速有效的投资，还获得了日本经济产业省的支持。罗姆正在通过这些努力，不断增强满足快速增长的SiC市场需求的能力。　　在车载设备领域，xEV牵引逆变器对SiC的需求增长最快，SiC产品在其中的应用加速。例如，2024年8月，吉利的高端电动汽车品牌“ZEEKR”的牵引逆变器采用了罗姆的裸芯片。另外，罗姆还专注于模块开发，推出了非常适合驱动牵引逆变器的封装型SiC模块TRCDRIVE pack™。TRCDRIVE pack™实现了业界超高的功率密度，有助于逆变器的小型轻量化，法雷奥的下一代逆变器已经计划采用(图2)。综上所述，罗姆的EcoGaN™因具备业界先进的元器件技术、灵活的商业模式和稳定的供应体系等优势，而获得了客户高度好评，并已斩获全球130多家公司的Design Win(赢得设计)。　　在工业设备领域，罗姆还面向PV逆变器(太阳能发电逆变器)、EV充电桩、DC-DC转换器等应用积极扩展产品阵容。目前正在开发1,500V系统用的2kV耐压SiC MOSFET，并计划继续增强对高电压工业设备应用的支持力度。关于SiC SBD，罗姆已经拥有650V～1,700V分立或裸芯片的产品阵容，相关产品不仅在光伏逆变器应用中被广泛采用，在电动汽车充电桩的PFC单元等应用中也已被越来越多地采用。此外，在工业设备领域，罗姆还正在加速建立向模块制造商提供SiC裸芯片的商业模式，例如，加强与赛米控丹佛斯在车载设备和工业设备领域的合作，并已经开始为其提供SiC和IGBT裸芯片。　　在产品开发方面，罗姆正在进行下一代即第5代SiC MOSFET开发，计划于2025年发布。与当前第4代产品相比，第5代在高温条件下工作时的导通电阻预计会降低约30%，有助于进一步提高效率。另外，罗姆还通过缩短下一代产品的开发周期，来快速响应市场变化并满足市场需求。　　・适用应用示例　　工业设备：光伏逆变器、UPS(不间断电源)、EV充电桩、DC-DC转换器　　车载设备：牵引逆变器、辅助逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器　　・EcoSiC™相关页面　　EcoSiC™产品介绍页面　　https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices　　EcoSiC™相关的新闻稿一览　　https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=SiC　　3-2. 关于EcoGaN™　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆 GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。该品牌不仅包括GaN HEMT单品，还包括内置控制器的、搭载了GaN的 IC等产品。另外，EcoGaN™旨在成为“易用的GaN器件”，并促进GaN在各种应用中的使用。这有助于应用产品实现高效率工作，进而为实现无碳社会做出贡献。　　2022年罗姆的第一个EcoGaN™产品系列150V耐压GaN HEMT实现量产，2023年实现业界超高器件性能(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)的650V耐压GaN HEMT投入量产。该产品已经被台达电子旗下品牌Innergie的“C4 Duo”、“C10 Duo”等AC适配器采用，为AC适配器的小型化和高效率工作做出了贡献。　　与Si器件相比，GaN器件可以提高应用产品的效率并实现电感器和散热器件等的小型化，但其栅极驱动很难，而且处理难度之高已成为阻碍其普及的一个障碍。罗姆不仅提高了GaN HEMT单品的性能，还致力于将其与融入罗姆擅长的模拟技术优势的LSI相结合，实现“易用的GaN”。将650V耐压GaN HEMT和栅极驱动器等元器件一体化封装的Power Stage IC(SiP：System in Package)“BM3G0xxMUV-LB”就是第一款根据该理念开发并实现量产的产品(图3)。该产品可轻松替换现有的Si MOSFET，而且可使器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%。未来，罗姆还计划开发采用超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”的GaN驱动用控制器IC等产品，通过普及“易用的GaN器件”，为进一步提高电源效率贡献力量。此外，罗姆还计划将配备功率因数校正电路(PFC)的Power Stage IC和配备半桥电路的产品投入量产，预计到2026年，罗姆将可以提供集GaN HEMT、栅极驱动器IC和控制器IC于一体的综合解决方案。另外，在EcoGaN™特设页面(英文)中，会发布包括正在开发中的产品在内的最新EcoGaN™解决方案信息。　　预计GaN器件市场将在本世纪20年代后半期快速增长，并有望被广泛用于车载领域的OBC等应用。在车载GaN器件的开发和量产方面，罗姆计划通过各种举措，比如与台积(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，TSMC)建立合作伙伴关系、灵活利用代工厂和OSAT，来加快推出车载GaN器件的速度。　　・适用应用示例　　工业设备：服务器电源、基站电源　　消费电子：AC适配器(USB充电器)、无线路由器　　车载设备*：OBC(车载充电器)、DC-DC转换器　　*车载设备用的产品目前正在开发中，计划于2026年发布。　　・EcoSiC™相关页面　　EcoGaN™产品介绍页面　　https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices　　EcoGaN™相关的新闻稿一览　　https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=GaN　　EcoGaN™特设页面(英文)　　https://www.rohm.com/support/gan-power-device　　・“Nano Pulse Control™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　3-3. 关于EcoIGBT™　　EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。目前，IGBT的性价比优于SiC MOSFET，因此在注重成本的大功率应用和不要求小型化的应用中，其需求量依然很高，罗姆预计未来IGBT市场将会继续扩大，因此正在推进相关的技术开发。　　罗姆于2010年开始IGBT的研发，并于2012年开始量产。目前，已经在包括日本滋贺工厂在内的多个生产基地实施生产。2024年，罗姆推出了最新一代(第4代)IGBT产品——1,200V耐压的“RGA系列”(图4)。该产品实现了业界超高特性，与以往产品相比，功率损耗减少了35%，短路耐受时间提高到10μs，因此已被车载电动压缩机和工业逆变器等应用采用或考虑采用。另外该产品已经被用于赛米控丹佛斯的电源模块。　　对于IGBT而言，优化特定应用所需的特性非常重要。例如，汽车空调的电动压缩机用的产品注重短路耐受能力，光伏逆变器等用的产品则需要减少开关损耗。罗姆为了很好地平衡这些产品特性，正在根据应用需求对器件结构和杂质浓度等进行精细调整，以设计出满足客户需求的产品。未来，罗姆计划推出650V耐压的“RGE系列”和“RGH系列”等新产品，以满足众多应用(比如车载OBC、光伏逆变器等工业设备和空调等消费电子产品)的需求。另外，罗姆还致力于开拓将IGBT和栅极驱动器IC相结合的IPM(智能功率模块)市场，通过功率损耗和噪声更低的产品，增强在IPM市场的竞争力。　　罗姆也已经着手开发第5代IGBT，目标是在2026年到2027年发布相关新产品。第5代产品不是现有技术的延伸，而是旨在通过采用新的器件结构来进一步提高性能。关于IGBT市场，虽然有SiC元器件普及所带来的影响，但罗姆认为工业设备和车载设备为主的市场将会持续增长，因此计划在未来继续扩大EcoIGBT™的产品阵容。　　・适用应用示例　　工业设备：工业逆变器、工业机器人　　消费电子：空调、冰箱、洗衣机　　车载设备：车载电动压缩机、辅助逆变器、车载HV加热器、OBC(车载充电器)　　・EcoSiC™相关页面　　EcoIGBT™产品介绍页面　　https://www.rohm.com.cn/products/igbt　　EcoIGBT™相关的新闻稿一览　　https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=IGBT　　EcoIGBT™快速搜索页面(场截止结构的产品)　　https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#easyPartFinder　　3-4. 关于EcoMOS™　　EcoMOS™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的耐压600V以上的Si MOSFET，是包括器件和模块在内的品牌名称。EcoMOS™采用的是在保持耐压能力的同时可降低导通电阻(RDS(ON))并减少栅极电荷(Qg)的超级结(Super Junction)技术。　　EcoMOS™适用于冰箱、电动汽车充电桩和服务器电源等众多应用。由于这些产品有很多参数(比如重视噪声性能或开关性能等不同性能的参数)，罗姆提供的产品阵容中产品丰富，客户可以根据应用需求灵活选择。例如，与普通产品相比，开关损耗减少约30%且实现了低噪声特性的“R60xxRNx”系列，非常适用于冰箱和换气扇等注重噪声性能的小型电机驱动应用。另外，存在权衡关系的反向恢复时间(trr)和导通电阻(RDS(ON))同时得到改善、开关损耗比普通产品低约17%的“R60xxVNx”系列，非常适用于处理大功率的电动汽车充电桩和服务器等的电源电路，以及日益普及的变频空调等的电机驱动应用(图5)。　　・适用应用示例　　工业设备：电动汽车充电桩、光伏逆变器、服务器　　消费电子：空调、冰箱、换气扇　　・EcoMOS™相关页面　　EcoMOS™产品介绍页面　　https://www.rohm.com.cn/products/mosfets/high-voltage?DrainSourceVoltage_num=600.0%7C650.0%7C800.0%23videoAndCatalogData　　EcoMOS™相关的新闻稿一览　　https://www.rohm.com.cn/site-search/-/rohmsearch/scope/site?searchKeyword=Super%20Junction　　Super Junction MOSFET特设页面　　https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet　　4. 结语　　本文介绍了组成“Power Eco Family”的四大品牌。罗姆对每一个品牌都非常注重产品开发速度、应用产品设计过程中的支持体系强化以及稳定供应等，并会考虑合作生产和联合开发等方式。通过助力应用产品的节能和小型化，为减少全球的耗电量和产品用材量贡献力量;并通过与所有利益相关者共同扩大“Power Eco Family”，为创建应用生态系统做出贡献(图6)。
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发布时间：2025-01-14 16:42 阅读量：2100 继续阅读>>

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