AMEYA360代理丨ROHM IGBT IPM实例篇：规格和功能概述

发布时间：2026-11-11 13:53
作者：AMEYA360
来源：ROHM
阅读量：176

　　到目前为止，作为IGBT IPM的基础知识，我们已经介绍过以下内容：

　　什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?

　　IGBT IPM的优点

　　IGBT IPM的适用范围和应用

　　从本文开始，将分几个项目为大家介绍IGBT IPM的具体规格和功能。我们将以ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”为例来展开具体内容。AMEYA360 是 ROHM 罗姆官方授权代理商，可提供该系列 IPM 物料询价、BOM 配套寻源、技术资料对接服务，研发和采购工程师如需样品、批量货源，都可以在 AMEYA360 平台检索对应料号。

　　IGBT IPM实例：规格和功能概述

　　接下来将为大家介绍“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”的概要，包括其应用领域、产品阵容、功能、特点以及与以往产品的不同之处。下图为BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列外观，共有两种封装。

AMEYA360代理丨ROHM IGBT IPM实例篇：规格和功能概述

　　如“IGBT IPM的优点”中所提到的，IPM的规格是在假设主要应用和近似应用的情况下设定的，其原本的使用方法就是根据用途选择合适的产品。因此，设计的起点是先通过产品的技术规格书了解产品的规格和特点。

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的应用

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的规格主要是针对以下应用设定的：

　　AC100～240Vrms(DC400V以下)电机控制用逆变装置

　　白色家电(空调、洗衣机、冰箱)电机控制用的逆变装置

　　基本上，这两个系列的产品适用于控制电机用的逆变装置，具体需要根据要处理的功率来区分使用。

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的产品阵容

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的产品阵容如下，可根据功能和额定值选用。

AMEYA360代理丨ROHM IGBT IPM实例篇：规格和功能概述

　　※　-VA：加长型，-VC：控制侧交错型

　　BM6337xS-xx系列具有温度输出功能和过热保护功能，BM6357x-xx系列只有温度输出功能。另外，每款型号都有两种封装形式，如表格下方的注释所述，“-VA”是加长型，“-VC”是控制侧交错型产品。关于封装的详细内容后续将进行介绍。

　　型号名称上附有链接，点击型号名称即可查阅技术规格书等产品信息。顺便提一下，在技术规格书中，“-VA”和“-VC”是通用的。

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的功能和特点概述

　　下面列出了BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的功能特点和框图。模块内的功能块分别是高边栅极驱动器、低边栅极驱动器、通过三相结构在高低边各配置3个IGBT、以及高边的自举二极管。各栅极驱动器都包含驱动电路和保护电路。

　　DC输入、三相AC输出IGBT逆变器

　　600V/10A、15A、20A、30A

　　低边IGBT发射极开路

　　内置自举二极管

　　高边IGBT栅极驱动器(HVIC)

　　-采用SOI(Silicon On Insulator)工艺

　　-驱动电路

　　-高压电平转换电路

　　-自举二极管限流电路

　　-控制电源欠压时误动作防止电路(UVLO，欠压锁定)

　　低边IGBT栅极驱动器 (LVIC)

　　-驱动电路

　　-短路保护电路(SCP)

　　-控制电源欠压时误动作防止电路 (UVLO，欠压锁定)

　　-热关断电路 (TSD) ※仅限 BM6337xS-xx

　　-模拟温度输出电路(VOT)

　　错误输出 (LVIC)

　　-低边IGBT用SCP、TSD、UVLO被激活时输出错误信息

　　输入接口：支持3.3V和5V

　　UL认证：UL1557 File E468261

AMEYA360代理丨ROHM IGBT IPM实例篇：规格和功能概述

　　上一代产品与BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列的不同点

　　BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列是ROHM第3代IGBT IPM产品。作为参考，下面列出了与上一代产品(第2代产品)之间的主要区别。两代产品在规格、功能集成和功能增加、精度等方面存在差异。

AMEYA360代理丨ROHM IGBT IPM实例篇：规格和功能概述

　　※VOT：温度输出，TSD：热关断，SCP：短路保护，UVLO：控制电源欠压时误动作防止(欠压锁定)，参见其他框图

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　　AMEYA360 为罗姆(ROHM)官方授权代理，深耕功率半导体赛道，可面向客户提供罗姆全系列 IGBT、SiC 器件、MOSFET 等功率产品原厂选型支持、样品申请服务与长期稳定的供应链保障。在电力电子系统中，IGBT 是不可或缺的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业变频、家电逆变、轨道交通等高电压、大功率场景。不少工程师在方案前期选型阶段，常会对比 IGBT、MOSFET、双极晶体管的特性差异，权衡器件取舍。而在 IGBT 产品大家族里，除分立器件之外，集成化的 IGBT IPM 智能功率模块也是家电、小工业电机场景里高频选用的方案。接下来我们就从定义、引脚、工作原理、器件横向对比、应用边界等维度，带大家系统认识这款经典集成功率器件 ——IGBT IPM。　　什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?　　IPM是“Intelligent Power Module”的缩写，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件单体(分立产品)与驱动电路、保护电路等电路的模块的统称。因其驱动条件和保护功能根据所搭载的功率元器件进行了优化，且易于使用，故被称为“IPM”，一种智能(Intelligent)的功率模块(Power Module)。　　功率元器件的主要形态包括元器件单体(分立产品)、功率模块和IPM。功率模块和IPM之间的区别在于，功率模块是将多个分立元器件组合在一个封装中的产品，驱动电路和保护电路需要另备。　　而IPM，下面给出了由6个IGBT和三相栅极驱动器组成的逆变器结构的IGBT IPM的框图以及封装示例，这是最常见的IPM。在该示例中，还内置了用来驱动高边N沟道IGBT的自举二极管和再生用的快速恢复二极管。　　IGBT IPM的优点　　IGBT IPM不仅内置IGBT器件还内置了驱动电路和保护电路等，因此具有以下优点：　　使用分立产品进行电路设计时，需要具备处理功率元器件的专业技术技巧，而IPM中已经内置了功率元器件并融入了其驱动技术技巧，简单易用。　　由于IPM已针对功率元器件和驱动电路进行了优化，其工作与特性得到保证，因而可使应用产品的外围电路设计更加容易，并且节省时间。　　内置多种所需的保护功能，可以安全地构建处理大功率的应用产品。　　由于不仅考虑了电气特性，还考虑了热和EMC相关的特性，因此可以避免采用分立产品进行设计时的电路板设计和元器件安装相关的各种问题，可靠性更高。　　在分立结构中，IGBT和IC由于是各自独立的封装，所以需要相应的电路板面积，而IPM基本上已经将裸芯片直接安装在模块电路板上了，体积更小，更节省空间，因此可以缩小电路板尺寸、提高效率并简化电路板布线。　　由于是模块，因此部件数量仅为1个，有助于提高系统的可靠性。　　可以说，相比使用分立产品的设计，使用IPM进行设计具有很多优点，如果一定要列举缺点的话，因其规格和特性是固定的，故不适合单独调整等定制化应用。但是，IPM的规格是在假设主要应用和近似应用的情况下设定的，其原本的使用方法就是根据用途选择合适的产品。　　IGBT IPM的适用范围和应用　　IGBT IPM中很受欢迎的产品是由三相栅极驱动器和6个IGBT组合而成的三相逆变器结构的产品。IPM已经开始应用于空调等家用电器中，已有几十瓦级到几千瓦级的各种IPM产品，适用于风扇电机和压缩机电机等各种应用。从家电到小型工业电机，IGBT IPM的应用领域非常广泛。　　下图是从IGBT等功率器件的输出容量和工作频率角度来看的适用范围和适用应用的示意图。通常，IGBT IPM适用的应用领域主要是IGBT模块应用领域中输出容量较低的几kVA以下的范围。　　如图所示，IGBT IPM的适用领域与IGBT分立产品和Si MOSFET有重叠的区域。在决定选用哪种功率元器件时，需要考虑“IGBT IPM的优点”中介绍过的内容、以及分立解决方案的优势等，从中选择最有效的方案。从输出容量和工作频率的角度看各种功率元器件适用范围和应用产品(示意图)　　对于家电变频、小型工业驱动等追求快速落地、高可靠性的项目，IGBT IPM 是性价比很高的集成化方案。AMEYA360 作为 ROHM 授权代理，可提供罗姆全系 IGBT IPM、分立 IGBT、SiC、MOS 器件的选型资料、参数核对与样品对接服务，助力工程师完成功率方案选型、缩短研发周期，稳定供应链交付。
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　　AMEYA360 作为 ROHM 官方授权代理，深耕功率半导体赛道，可为客户提供罗姆全系列 IGBT、SiC 器件、MOSFET 等功率产品的原厂选型指导、样品申请以及长期稳定的供应链保障。IGBT 是电力电子领域里举足轻重的核心功率器件，广泛扎根于新能源汽车、光伏储能、工业变频、家电逆变、轨道交通等高电压、大功率场景，很多工程师在方案设计阶段都会优先对比 IGBT、MOSFET、双极晶体管之间的差异与取舍。接下来，我们就从定义、引脚、原理、器件对比、应用边界等维度，带大家系统认识这款经典功率器件 ——IGBT。　　什么是IGBT　　IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件优点的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以目前主流的N沟道型为例展开介绍。　　N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下。有些等效电路图会更详细一些，但这里为了便于理解，给出的是相对简单的示意图。包括结构在内，实际的产品会更复杂一些。有关结构等的详细内容将在后续文章中介绍。　　　　IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。我们将另行介绍其工作和驱动方法。　　前面已经介绍过，IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点，IGBT成为一种具有高输入阻抗、高开关速度*(开关速度比MOSFET慢，但比双极晶体管快)，即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。　　IGBT和MOSFET等功率器件根据应用产品的使用条件和需求，物善其用，在与其相适合的应用中被区分使用，比如在高电压应用中使用IGBT，在低电压应用中则使用MOSFET。IGBT的适用范围和应用领域将在后续文章中进行介绍。　　IGBT的应用范围　　IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET和双极晶体管等功率元器件应根据其特点物善其用。此外，功率元器件除了以元器件单品(分立半导体)的形式使用外，将元器件与其他基本部件组合在一起的模块形式也被广泛使用。　　下面是从输出容量和工作(开关)频率的角度出发列出的IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET和双极晶体管的适用范围。另外，还对分立产品和模块进行了分类。从输出容量和工作频率的角度看各种功率元器件的适用范围(示意图)　　IGBT分立产品覆盖1kHz～50、60kHz的频率范围、稍高于1kVA的输出容量范围IGBT模块的话，根据与其他部件的组合等情况，工作频率上限程度相同，但输出容量范围可高达100MVA以上。随着输出容量的增加，工作频率会因为开关损耗等的限制而降低。　　通过这张图，应该可以对每种功率元器件的特点和适用范围有一个整体印象了。　　IGBT的应用示例　　下图从输出容量和工作频率的角度，列出了IGBT分立产品和模块以及Si MOSFET分立产品的适用范围，以及在适用范围内的适用应用产品示例。应用范围和上一篇文章中给出的范围是一样的，下图中列出了相应范围内的具体应用产品。　　从图中可以看出，有些应用产品在重叠范围中，但在处理高电压大电流的电车和HEV/EV领域，主流产品还是IGBT模块。分立式IGBT和Si MOSFET在家电和小型工业设备等应用中的需求很大，主要根据工作频率方面的优点来区分使用。从输出容量和工作频率的角度看各种功率元器件适用范围和应用产品(示意图)　　正如在 “什么是 IGBT “一文中所解释的，IGBT 是一种功率晶体管，它将 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性结合在一起。 我们将以目前主流的 N 沟道 IGBT 的基本结构为例进行说明。 此后，仅提及 IGBT 时，基本上都是指 N 沟道类型。　　IGBT的结构　　为了便于理解IGBT半导体的结构，我们首先来回顾一下电路图符号、简单的等效电路以及IGBT的基本工作。　　IGBT有栅极、集电极、发射极三个引脚，可以认为，栅极与MOSFET的栅极相同，集电极和发射极与双极晶体管相同。在N沟道IGBT的情况下，IGBT与MOSFET一样，通过电压控制元件相对于发射极在栅极施加正栅极电压VGE时，集电极-发射极之间导通，流过集电极电流IC。　　下面是表示IGBT半导体结构的示意图(截面图)和等效电路图。为便于理解而进行了简化。蓝色箭头表示集电极电流IC的流动情况。我们与旁边的等效电路图比较来看。　　　　如图所示，在Nch MOSFET的漏极侧形成了P+集电极层，从集电极到发射极是P型-N型-P型-N型排列的结构。　　等效电路图中的Nch MOSFET的漏极和PNP晶体管的基极都相当于IGBT的N-漂移层。栅极是绝缘膜上的薄膜布线，Nch MOSFET的栅极=IGBT的栅极。IGBT的发射极为N+层，与Nch MOSFET的源极相对应。PNP晶体管的集电极为P+，与IGBT的发射极N+层相连接。PNP晶体管的发射极是P+层，相当于IGBT的集电极。　　虽然这些有关IGBT的内容听起来有些复杂，但是如果将IGBT的结构用示意图体现出来，就很容易理解IGBT的等效电路图了。　　IGBT的工作原理　　下面用下列等效电路和截面结构图来说明IGBT的工作原理。　表示IGBT工作原理的等效电路和截面结构示意图　　当向发射极施加正的集电极电压VCE，同样向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT导通，集电极和发射极之间导通，流过集电极电流IC。　　将这个动作对应于等效电路时，即当施加正VGE时，Nch MOSFET导通，这会使基极电流IB流过PNP晶体管，最终，PNP晶体管导通，从而使IC从IGBT的集电极流向发射极。　　截面结构图中显示了内部电子和空穴(电洞)的运动情况。当向栅极施加正VGE时，电子⊖聚集在栅极电极正下方的P+层中并形成沟道。这与MOSFET导通的原理基本相同。因此，从IGBT的发射极供给的电子沿N+层⇒沟道⇒ N-漂移层 ⇒ P+集电极层的方向移动。而空穴(电洞)⊕则由P+集电极层提供给N-漂移层。该层之所以被称为“漂移层”，是因为电子和空穴两者的载流子都会移动。也就是说，电子从IGBT发射极向IGBT集电极的移动意味着电流(IC)从IGBT集电极流向IGBT发射极。　　IGBT的特点：与MOSFET和双极晶体管的比较　　在需要功率晶体管的应用中，需要了解每种功率晶体管，例如IGBT、MOSFET、双极晶体管的优缺点并区分使用。现将每种功率晶体管的特点总结如下。　　※◎、○、△为相对比较示意图标　　●MOSFET　　MOSFET是由电压驱动的，输入阻抗较高，因此控制时消耗的功耗较少。另外，由于是电子或空穴一种载流子的单极晶体管，所以具有开关速度快的优点。但是，与双极晶体管不同的是，不能利用电导调制效应(Webster效应)，因此存在导通电阻随耐压增加而增加的缺点。　　●双极晶体管　　双极晶体管具有高耐压且导通电阻*低的优点。双极晶体管具有可利用电导调制效应抑制压降的特点。电导调制效应是在晶体管工作过程中空穴和电子一起移动，空穴注入到N-层，从而使其电阻减小。此外，由于双极晶体管会进行电流放大工作，因此允许流过比所施加电流更大的电流。缺点是输入阻抗低，控制时所消耗的功耗大，而且由于使用的是两种极性的载流子，所以开关速度较慢。　　*参数为“饱和电压”。　　●IGBT　　IGBT是输入部分为MOSFET结构、输出部分为双极结构的复合型器件，同时具备MOSFET和双极晶体管两者的优点。输入阻抗高，可以用小功率驱动，并且可以将电流放大为大电流。此外，即使在高耐压条件下，导通电阻*也可保持在较低水平。开关速度不如MOSFET快，但比双极晶体管要快。　　*参数为“饱和电压”。　　IGBT的特点：与MOSFET和双极晶体管的比较 总结　　本文对MOSFET、双极晶体管和IGBT进行了比较。IGBT具有耐压高、损耗低、速度较快等优点，但每种晶体管都有其优点，所以基本上还是需要根据应用产品来区分使用。关于各种功率晶体管的适用范围及区分使用方法，请参考“IGBT的适用范围”和“使用了IGBT的应用产品”。　　电机应用中的功率器件的区分使用　　下图与“IGBT的适用范围”一文中使用的图相同，图中根据不同功率器件的特点列出了不同工作频率和输出容量(VA)下的适用范围。对IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET的分立器件覆盖的面积进行比较后，可以汇总如下。当然，由于每种功率元器件都是多样化的，所以这里是基于通常的概括性特点进行汇总的。　　在IGBT与Si MOSFET的比较中，IGBT覆盖输出容量大的低频区域，Si MOSFET覆盖输出容量小的高频区域。　　在IGBT与SiC MOSFET的比较中，SiC MOSFET覆盖输出容量大的高频区域。　　Si MOSFET与SiC MOSFET覆盖的频率范围相同，但Si MOSFET覆盖低输出容量区域，而SiC MOSFET则覆盖高输出容量区域。　IGBT的适用范围　　下图更具体地列出了这些特点，并给出了在电机应用中区分使用它们时的要点。从正确区分使用的角度来看，不同条件下的损耗差异是非常重要的。损耗分导通损耗和开关损耗来考虑。下图中的IGBT、SiC MOSFET、Si MOSFET都是分立器件，“+SBD”和“+FRD”表示外置对应的分立二极管。　　在导通损耗方面，如果流过的电流约在5A以下的范围，Si MOSFET优于IGBT，但在5A以上时IGBT表现更出色。该电流区域未被SiC MOSFET覆盖，因此通常考虑采用IGBT或Si MOSFET。Si MOSFET在以小电流运行的系统中占优势，比如家用空调的室外机等在轻负载时正常稳定运行占比多的应用。这也与上述①中的IGBT和Si MOSFET的覆盖范围比较结果一致。　　关于开关损耗，随着PWM频率(开关频率)变快，在IGBT+FRD(快速恢复二极管)和SiC MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)之间的比较中，SiC MOSFET+SBD更具优势，与上述②中的比较结果一致。这是由于受IGBT+FRD的特点——导通时的反向恢复电流和关断时的尾电流的影响。SiC MOSFET+SBD因其不会流过尾电流而使开关损耗得以显著改善。　　但是，对于电机应用而言，普通的电机多在20kHz以下的较低频率下使用，加上SiC MOSFET在成本方面不占优势，所以目前SiC MOSFET多在特殊应用中使用。在当今的电机应用中，考虑到性能、损耗和成本之间的平衡，IGBT是主流。　　综上所述，我们探讨了每种功率器件的特点以及包括成本在内的考量，最终需要根据应用的需求选择合适的产品。在包括逆变器在内的电机驱动应用中，除了上述的“IGBT分立器件+FRD”示例外，被广泛使用的还有面向电机应用的FRD内置型IGBT分立器件和IGBT IPM(智能功率模块)。　　综合来看，IGBT 凭借高耐压、低导通损耗、驱动简单、性价比均衡的综合优势，至今仍是电机驱动、逆变器等大功率场景的主流选择，而选型时需要结合工作电流、开关频率、损耗指标、成本预算综合判断，搭配分立 IGBT、内置 FRD 的 IGBT 或是 IPM 智能功率模块，适配不同方案需求。如果您有 ROHM IGBT 相关选型、参数核对、样品与批量供货需求，欢迎联系 AMEYA360，依托 ROHM 原厂技术资源，我们将为您提供专业的器件推荐、技术资料支撑和稳定的元器件供应服务。
2026-11-05 09:13 阅读量：364
ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC
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ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC

　　2026年10月29日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1(图腾柱PFC，以下简称“TP-PFC”)控制器IC“BM85060FV”，其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。　　近年来，随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大，设备所需电力也不断增加，与此同时，对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且，在能效法规日趋严格的大背景下，不仅要提高产品工作时转换效率，还要降低无负载(空载)时的功耗。在这种情况下，与传统的Si(硅)功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外，将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面，传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU，但对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。　　针对这些课题，ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中，在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而有助于电源电路更加节省空间。　　另外，还实现了仅150μA的空载电流，与普通品相比降低了70%*。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。　　不仅如此，新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。　　新产品已于2026年10月开始销售(样品价格670日元/个，不含税)，并已开始网售(330W预设配置产品)，客户可通过AMEYA360购买。另外，ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板，为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。　　未来，ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。　　*截至2026年10月27日ROHM调查数据　　<应用示例>　　非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。　　<术语解说>　　*1)Totem Pole PFC(TP-PFC)　　在AC-DC电源中，为了高效利用输入电源提供的电力所采用的一种PFC(Power Factor Correction：功率因数校正)电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥，可降低导通损耗。　　*2) GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。　　与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*3)DoE Level7　　美国DoE(Department of Energy，美国能源部)针对电子设备外部电源实施的能效要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。　　*4)CoC Tier2　　针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC(Code of Conduct：行为准则)能率要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。
2026-11-02 13:05 阅读量：449
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