新品发布｜士兰微推出100V宽SOA功率MOSFET，助力AI算力服务器48V热插拔应用

发布时间：2026-11-13 13:48
作者：AMEYA360
来源：士兰微
阅读量：187

　　摘要：面向AI服务器48V热插拔场景，士兰微推出两款100V宽SOA功率MOSFET，兼顾低导通电阻与宽SOA能力，为算力基础设施提供自主可控的电源保护方案。

　　算力浪潮之下，AI 服务器整机功耗持续走高，48V母线配电架构目前已成为数据中心主流方案。热插拔电路作为板卡在线扩容、故障隔离的第一道安全防线，MOSFET的选型直接关系整机可靠性与运维效率。近日，国内IDM功率半导体龙头士兰微，推出专为AI服务器48V电源热插拔场景优化的100V宽SOA功率MOSFET——SVGP101R8NL88-2HSW 与 SVGP103R6NLP-2HSW ，补齐国产热插拔核心器件短板，为算力基础设施提供自主可控的电源保护方案。

新品发布｜士兰微推出100V宽SOA功率MOSFET，助力AI算力服务器48V热插拔应用

图：48V热插拔MOSFET应用框图

　　PART 01 专为48V AI服务器供电系统优化

　　士兰微自研的两款100V宽SOA功率MOSFET，面向48V AI服务器供电系统优化，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，不仅能有效降低导通损耗，还可减少并联器件数量，满足当前48V AI服务器对功率器件在效率与可靠性方面的双重需求。

　　PART 02 四大核心优势，直击48V热插拔痛点

　　100V耐压：充足电压裕量，抵御母线尖峰

　　宽SOA：无惧上电浪涌、短路应力

　　低 RDS(ON)：兼顾能效与散热压力

　　多封装可选： LFPAK8×8、LFPAK5×6适配高密度算力板

　　PART 03 产品参数一览

新品发布｜士兰微推出100V宽SOA功率MOSFET，助力AI算力服务器48V热插拔应用

　　PART 04 低导通电阻与强SOA能力兼备

　　SVGP101R8NL88-2HSW 和 SVGP103R6NLP-2HSW 在满足导通电阻RDS(ON)优于主流竞品的同时，拥有更强的SOA能力，为48V热插拔应用提供高效率且更高可靠性的解决方案。

新品发布｜士兰微推出100V宽SOA功率MOSFET，助力AI算力服务器48V热插拔应用

　　士兰微凭借在功率半导体领域的深厚积累，依托IDM模式在芯片设计、制造、封装等全产业链的自主可控能力，正在为AI服务器电源提供国产“功率器件+电源管理IC”整体解决方案。

　　本次推出的两款100V宽SOA MOSFET配套热插拔控制器+48V eFuse方案，形成士兰微完整的48V电源保护矩阵，助力算力基础设施国产自主可控!

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　　高功率密度，是电力电子持续追求的方向。从整车架构、性能体验、成本控制三大维度出发，新能源汽车在电驱动系统、车载充电机(OBC)等核心电力电子领域，都对高功率密度有极强需求。　　近期，士兰微电子推出的HDIP-14系列车规全桥功率模块，搭载士兰微新一代SiC MOS 和IGBT芯片，助力汽车电子迈向高功率密度集成化发展新阶段。　　回顾新能源汽车OBC的发展历史，十年前商用Si基方案OBC的功率密度处在大约0.5kW/L的水平，而近年由SiC主导的方案基本达到了3-4kW/L，十年间提升了6-8倍。功率密度的提升意味着整机体积更小、PCB上功率区面积更小，也意味着在同等尺寸下可实现更高的功率处理能力。　　01 产品介绍　　士兰HDIP-14 系列包含SiC MOS 模块和IGBT模块两种类型，两种类型的产品采用相同封装外形。　　该系列当前SiC模块导通电阻规格最小做到了20mΩ，IGBT模块连续电流规格最大做到了75A，优化的爬电设计可以使其兼容650V和1200V的两个电压等级的功率芯片。　　以其中SSM20HB7HPATSM_B2为例，该产品将四个650V、20mΩ的第四代(G4) SiC单管按全桥拓扑方式集成到模块中，封装正面的直接键合铜(DBC)基板实现内绝缘与顶部散热，模块一侧的4个插件引脚分别引出DC+、AC1、DC-、AC2，用于功率连接;模块另一侧的10个插件引脚则引出两个桥臂上下管的驱动以及温度采样端口，用于驱动与保护连接。　　02 应用场景　　HDIP-14模块能够方便地应用于车载OBC的前级PFC图腾柱或工频整流位置、后级DC/DC原副边位置，以及车载高压DC/DC原边位置。在同一区域布置四个同封装顶部散热模块，有利于实现集成化，提升系统功率密度。　　03 核心优势　　在特定测试回路/条件下，低功率回路杂感。模块内部的DBC走线紧凑，器件布局对称，去路电流形成的磁场和回路电流形成的磁场相互抵消，使得整体的回路杂感得到优化，系统杂感约15nH，非常有利于减小开关过程中的振荡和噪声，优化EMI特性。　　如上应用场景中所述，多个全桥模块能够共用同一散热面，这有利于统一热管理，优化系统结构布局，降低系统结构成本，同时也方便后续的功率扩容。　　DBC工艺使得产品安装简单，可通过导热硅脂直接与散热器相连，无需添加绝缘导热层，在降低系统安装成本的同时，也优化了系统散热性能。　　由于采用双侧布局，驱动侧和功率侧走线自然正交，减小了驱动和功率的耦合，有利于部分拓扑提高开关频率后优化驱动Vge的串扰。　　HDIP14模块满足AQG324可靠性验证要求，内部所用芯片均已通过AECQ-101验证。　　04 典型产品特点　　优异的高频特性，超低开关损耗　　稳定的高温参数特性　　创新封装，低封装杂感与高散热性能　　优异的峰值电流能力　　无铅管脚镀层　　符合RoHS环保标准　　深耕功率电子近三十年，士兰微长期积累的功率芯片、封装设计与车规验证能力，正在持续转化为贴近客户需求的车规模块产品。未来，士兰微将继续以客户需求和行业洞察为牵引，完善车规功率模块布局，助力客户提升系统功率密度、缩短开发周期，共同推动新能源汽车电力电子向高集成、高可靠方向演进。
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　　11月2日，2026中国芯集成电路产业促进大会暨第二十一届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海隆重举行。本届活动共收到来自273家芯片企业的364款芯片产品报名，士兰微电子自主研发的的 SCDP230R012NB2CPHC 芯片凭借突出的技术创新能力和产品性能，在一众产品中脱颖而出，荣获第二十一届“中国芯”优秀技术创新产品奖。　　产品核心介绍　　SCDP230R012NB2CPHC芯片是士兰微电子基于自主研发的碳化硅技术推出的超高压2300V SiC MOSFET，在额定电压、导通电阻、开关损耗等关键参数上实现全面进阶，参数性能指标达到国际领先水平。　　依托士兰微IDM设计与制造一体化的优势，士兰微SiC MOS在提升效率性能的同时具备高性价比、高一致性、高可靠性等特点，已在汽车电子、充电桩、AI数据中心电源、光伏储能、工业电源等应用取得了较好的市场份额表现和良好的客户反馈，为高压大功率电力电子提供国产化器件方案。　　产品特点　　133A，2300V， RDS(on)(typ.) = 12mΩ@VGS = 18V　　碳化硅技术　　开关损耗低　　低反向恢复电荷　　降低散热要求　　100%雪崩测试　　无铅管脚镀层　　符合RoHS环保标准　　据了解，“中国芯”系列活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一,其评选结果代表了国内集成电路产品的最高水准,充分体现了国内集成电路设计的发展和创新方向。此次获奖不仅体现了对于SCDP230R012NB2CPHC产品价值及市场表现的高度认可，也是对士兰微电子技术积淀、创新能力和行业地位的重要肯定。　　自成立以来，士兰微电子通过不断提升研发实力、优化产品性能，为国产芯片的崛起和发展注入新的活力。凭借对芯片技术的专注与深耕，公司产品在白电、汽车、工业等领域实现成熟应用的同时，正加速向新能源、AI算力、人形机器人等新兴赛道布局。　　未来，士兰微电子将继续致力于自主创新和技术突破，持续完善产品矩阵和制造平台能力，以更高性能、更高可靠性的半导体产品服务客户需求，为中国芯的产业繁荣与全球竞争力的提升贡献士兰力量。
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　　在风电变流器这类高功率、高可靠性应用场景中，功率模块直接影响系统效率、热设计、并联均流和长期运行表现。尤其在高温、低频、并网与发电等复杂工况下，客户需要的不仅是一颗“参数达标”的器件，更是兼顾损耗、短路能力与系统可靠性的整体方案。　　SRM600HF17B4TFD是杭州士兰微电子股份有限公司基于自主研发的RC Ⅲ工艺反向导通 IGBT(RC-IGBT)芯片技术开发的600A/1700V RC-IGBT半桥模块。　　该模块具有高电流密度、低开关损耗、高短路能力和高阻断电压水平，能在恶劣环境条件下为逆变器运行提供更可靠的保护，适用于风力变流器、电机传动、太阳能逆变器、高压级联储能系统及UPS系统等应用。图：产品外形及引脚　　产品亮点　　600A/1700V半桥拓扑，面向高功率变流应用　　VCE(sat)(典型值) = 1.98V@IC = 600A， 25℃　　基于RC-Ⅲ工艺，降低模块内部杂散电感与热阻　　VCE(sat)带正温度系数，有利于并联自均流　　高抗短路能力，提升恶劣工况下的保护可靠性　　低开关损耗，兼顾效率与热设计　　采用绝缘 DBC 技术　　集成负温度系数热敏电阻器　　应用领域　　风力变流器　　电机传动　　太阳能逆变器　　高压级联储能系统　　UPS 系统　　应用仿真　　01 网侧仿真条件　　Vbus=1850V，Vac=1140Vac，Tc=105℃，fsw=2.1kHz，SVPWM，PF=0.95，fac=50Hz，3并联*1模组，Irms=318A(单模块)　　单模块损耗777.2W，效率99.18%　　　02 机侧仿真条件　　Vbus=1850V，Tc=105℃，fsw=2kHz，SVPWM，PF=-0.85，fac=10Hz，3并联*2模组，Irms=310A(单模块)　　单模块损耗753.3W，效率98.18%　　对于风电变流器等对效率、热管理和可靠性要求较高的应用，SRM600HF17B4TFD提供了兼顾功率密度、开关损耗与保护能力的器件选择。如需获取完整规格书、仿真报告或样品支持，欢迎联系AMEYA360客服。
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　　10月21日，第七届中国MEMS制造大会暨微纳制造与传感器展览会在苏州盛大召开。在这场汇聚国内外MEMS领域顶尖企业与专家的行业盛会上，备受瞩目的“2025中国MEMS十强企业”榜单正式揭晓。杭州士兰微电子股份有限公司凭借在MEMS传感器领域的深厚技术积累、卓越的市场表现以及持续的产品创新，再次成功斩获“2025中国MEMS十强企业”殊荣。值得一提的是，士兰微已连续多年入选此榜单。 这一长期稳健的表现，不仅是对士兰微在MEMS领域深耕细作的充分肯定，更是对其在国产MEMS产业中领军地位的权威认可。　　中国MEMS制造大会是当前中国MEMS行业最具影响力的会议，该大会由中国半导体行业协会MEMS分会、联合中科院纳米所、苏州纳米城等主办。　　士兰微电子MEMS业务发展布局作为国内领先的IDM半导体企业，士兰微电子始终坚持在自有产线开发核心芯片工艺平台，这为其MEMS传感器的高质量、高可靠性量产提供了稳定可控的国产供应链保障。目前，士兰微已构建起涵盖消费级、工业级、车规级的完善MEMS传感器产品矩阵：　　在手机与智能穿戴领域，其加速度计和六轴IMU单元广泛应用于智能手机的转屏、体感游戏及OIS光学防抖，并在智能穿戴设备中实现骨传导等功能，其加速度传感器在国内市场占有率稳定保持在20%-30%左右;　　在汽车电子领域，车规级碰撞传感器、IMU单元等产品已满足汽车安全和自动驾驶的严苛需求;　　面向未来，在人形机器人这一新兴赛道上，士兰微提供覆盖关节驱动、运动感知等环节的全栈式半导体解决方案，其IMU传感器如同机器人的“神经末梢”，助力具身智能产业加速规模化落地。　　面对万物互联与智能化时代的广阔机遇，士兰微将继续坚持IDM模式，以国际顶尖水平为标尺，持续加大研发投入，瞄准高门槛市场攻坚复杂技术。未来，士兰微将不断推出高集成度、高可靠性的MEMS创新产品，为客户破解设计、制造与量产难题，与产业链上下游共创美好“芯”未来!
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